用于互連結構的夾入式擴散阻擋和金屬襯墊的制作方法
【專利摘要】在電介質層中開出溝槽。然后利用夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構對溝槽進行加襯。夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構包括夾在第一擴散阻擋層和第二擴散阻擋層之間的保形金屬襯墊層。金屬種子層至少是輕摻雜的。然后通過利用金屬填充材料進行電鍍來填充加襯的溝槽。然后在金屬填充的溝槽上方沉積電介質帽層。然后使來自摻雜的金屬種子層的摻雜劑遷移到金屬填充的溝槽與電介質帽層之間的界面，以形成自對準金屬帽。
【專利說明】用于互連結構的夾入式擴散阻擋和金屬襯墊
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及用于制造半導體電路的方法，并且具體地涉及制造用于集成電路的互連結構的擴散阻擋和金屬襯墊的方法。
【背景技術】
[0002]本領域技術人員熟知用于形成集成電路中的諸如金屬線、過孔和其它互連之類的互連結構的大馬士革工藝和雙大馬士革工藝。這些工藝典型地需要在晶片表面上方(包括在其中希望金屬互連結構的位置處制作的任意溝槽結構的側表面和平面上)形成擴散阻擋和金屬襯墊。擴散阻擋層提供對于不期望的遷移的阻擋，并且金屬襯墊提供粘合層。接下來，在擴散阻擋和金屬襯墊上方沉積金屬種子層，以便提供低電阻電氣路徑，支持后續(xù)將完成的在晶片表面上方的均勻金屬電鍍。金屬電鍍工藝填充加襯的溝槽結構，并且限定所產(chǎn)生的用于集成電路的金屬化層的互連結構。
[0003]現(xiàn)在參照圖1A至圖1I (未按比例繪制)，這些圖圖示了根據(jù)現(xiàn)有技術的用于形成集成電路的金屬互連結構的工藝步驟。已知的大馬士革工藝通?？梢悦枋鋈缦?如圖1A所示，形成晶片10，晶片10包括半導體襯底12、覆蓋在該襯底上方的預金屬電介質(PMD)層14以及多個電接觸部件16，半導體襯底12包括形成在該襯底中和/或該襯底上的集成電路器件(未示出)，電接觸部件16諸如延伸通過PMD層以到達集成電路器件的鎢塞等。使用例如化學機械拋光(CMP)對預金屬電介質(PMD)層14進行平坦化，以提供用于支撐集成電路器件的金屬化層的平坦表面。
[0004]接下來，在PMD層14上方提供低k金屬間電介質層18 (圖1B)，電介質層18例如由包括低k層和一個或多個掩膜層(例如包括TEOS硬掩膜和氮化鈦硬掩膜)的多層結構形成。也對該多層低k金屬間電介質層18進行平坦化。然后，將溝槽20形成為延伸到低k金屬間電介質層18的多層中并且可能穿過這多層(圖1C)。在將定位互連結構的位置處提供溝槽20，并且在優(yōu)選實現(xiàn)中，溝槽20將具有足以露出下層電接觸部件16的頂表面的深度。
[0005]然后，在晶片上(包括在低k金屬間電介質層18的頂部上方以及溝槽20的側壁和底部上)勻厚形成擴散阻擋層22 (圖1D)。擴散阻擋層22用于阻擋隨后沉積的用于互連結構的金屬原子遷移到低k金屬間電介質層，以及阻擋雜質從低k金屬間電介質層到互連結構的相反方向上的擴散。擴散阻擋層22典型地由氮化鉭制成。
[0006]接下來，在擴散阻擋層22上方沉積金屬襯墊層23 (圖1E)。金屬襯墊層23用作輔助增加后續(xù)沉積層的粘合的粘合層。金屬襯墊層23典型地由鉭、鈷或釕制成。
[0007]然后，使用諸如在金屬襯墊層23上方的濺射之類的任意合適沉積工藝，在晶片上形成金屬種子層24 (圖1F)。種子層24覆蓋低k金屬間電介質層18的頂表面上以及溝槽20的側壁和底部上的金屬襯墊層23。任選地，可以執(zhí)行種子層回刻蝕(未示出)，以減少溝槽20的頂角處的金屬懸置。
[0008]然后在晶片上執(zhí)行電鍍工藝，以使得利用金屬26填充溝槽20的剩余開口部分(圖1G)。在晶片的頂部上方也制作電鍍金屬。然后執(zhí)行化學機械拋光(CMP)，以去除位于溝槽外部的擴散阻擋層22、金屬種子層24和電鍍金屬26的多余且不想要的部分(圖1H)。拋光操作進一步提供準備用于進一步集成電路處理的晶片的平坦頂表面。作為該進一步處理的一部分，可以在該平坦頂表面上沉積電介質帽層28，以保護所形成的金屬線和互連的材料及金屬層和低k金屬間電介質層(圖1I)。
[0009]然后可以根據(jù)需要重復圖1B至圖1I的工藝，以形成用于集成電路器件的附加金屬化層。在本上下文中，將理解到，下接電接觸部件16因而可以包括下接金屬化層的金屬填充溝槽，并且電介質帽層28因而可以包括低k金屬間電介質層18內(nèi)的層之一。
[0010]被選擇用于金屬種子層24和電鍍金屬26的金屬典型地為銅。當然將理解到，可以代替選擇其它材料。
[0011]本領域已知將摻雜劑材料添加到用在金屬種子層24的沉積中的銅濺射靶(即，濺射靶由與另一材料合金的銅形成)。例如，摻雜劑可以包括錳(Mn)或鋁(Al)。添加的摻雜劑材料典型地將基本均勻地遍及整個沉積的銅種子層24而分布。在用于形成電介質帽層28的高溫工藝期間，以及在與集成電路的完成制造相關聯(lián)的進一步的其它熱循環(huán)和處理操作(諸如進一步的金屬化層的添加)期間，本領域技術人員理解到，添加的摻雜劑種類可以從銅種子層24遷移并擴散通過電鍍銅金屬26填充，以形成位于電介質帽層28與填充溝槽20的電鍍銅金屬26之間的界面30處的自對準金屬帽。
[0012]擴散阻擋層22、金屬襯墊層23和金屬種子層24典型地以本領域技術人員熟知的方式，使用等離子體氣相沉積(PVD)工藝來形成。由于PVD本質上為瞄準型沉積工藝線，可以阻擋金屬從濺射靶轉移到沿著溝槽20的側壁的位置。例如，阻擋可能發(fā)生在由于硬掩膜底切、凹角間隙和粗糙側壁結構而在溝槽20側壁上形成的凸起處，并且遮擋區(qū)域將不接受沉積。作為結果，由于斷開的襯墊或種子層或者作為邊緣種子層覆蓋的結果，可能發(fā)生較差的銅間隙填充。
[0013]已經(jīng)存在一些利用本領域技術人員已知的化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)技術來沉積金屬襯墊層23的試驗。已經(jīng)表明這樣的襯墊層對于增強溝槽20內(nèi)的遮擋位置處的銅生長在一定程度上是有效的。
[0014]期望添加的摻雜劑種類高比例地從種子層24遷移到填充溝槽20的電鍍金屬26與電介質帽層28之間的界面30，因為該界面往往是可以導致電路故障的銅電遷移的起始區(qū)域。斷開的襯墊或種子層或者裕量種子層覆蓋的存在可能不利地影響摻雜劑種類從銅種子層24向界面30的遷移。進一步地，用于沉積金屬襯墊層的CVD或ALD工藝產(chǎn)生包括諸如碳和/或氧之類的雜質的金屬襯墊層。這些雜質種類負面影響摻雜種類從銅種子層24向界面30的遷移行為。捕獲和/或不成功遷移的摻雜劑種類會顯著影響后續(xù)銅顆粒生長并產(chǎn)生銅線電阻的不可接受的增加。此外，如果例如由于種子層24的斷開，金屬襯墊層23與電鍍金屬26直接接觸，則金屬襯墊層23的金屬種類可能擴散到電鍍金屬26的體中并引起可靠性問題。
[0015]隨著銅互連結構移向更精細的幾何圖形，在溝槽側壁上特別是在硬掩膜底切和其它關鍵位置處具有支持足夠種子金屬覆蓋的擴散阻擋和襯底將成為優(yōu)勢。這將避免種子層覆蓋斷開的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]在一個實施例中，一種方法包括:在介電層中開出溝槽；利用第一擴散阻擋層對溝槽進行加襯；利用第一保形金屬襯墊層對溝槽進行加襯；利用第二擴散阻擋層對溝槽進行加襯；利用金屬種子層對溝槽進行加襯；以及利用金屬填充對溝槽進行填充。
[0017]在一個實施例中，一種方法，包括:在介電層中開出溝槽；利用夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構對溝槽進行加襯；利用金屬種子層對溝槽進行加襯；以及利用金屬填充對溝槽進行填充；其中夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構包括夾在第一擴散阻擋層和第二擴散阻擋層之間的保形金屬襯墊層。
[0018]在一個實施例中，一種裝置，包括:在電介質層中形成的溝槽；對溝槽進行加襯的第一擴散阻擋層；對溝槽進行加襯的第一保形金屬襯墊層；對溝槽進行加襯的第二擴散阻擋層；對溝槽進行加襯的金屬種子層；以及填充溝槽的金屬填充。
[0019]在一個實施例中，一種裝置，包括:包括溝槽的電介質層；對溝槽進行加襯的夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構；在夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構上方的金屬種子層；以及填充溝槽的金屬填充；其中夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構包括夾在第一擴散阻擋層和第二擴散阻擋層之間的保形金屬襯墊層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]為了更好地理解實施例，現(xiàn)在將僅通過示例的方式參照附圖，其中:
[0021]圖1A至圖1I圖示了根據(jù)現(xiàn)有技術的用于形成集成電路的金屬互連結構的工藝步驟；
[0022]圖2A至圖2K圖示了用于形成集成電路的金屬互連結構的工藝步驟；
[0023]圖3是圖示了金屬種子層的根據(jù)溝槽深度的摻雜濃度的曲線圖。
【具體實施方式】
[0024]現(xiàn)在參照圖2A至圖2K(未按比例繪制)，其中圖示了用于形成集成電路的金屬互連結構的工藝步驟。如圖2Α所示，形成晶片110，晶片110包括半導體襯底112、覆蓋在該襯底上方的預金屬電介質(PMD)層114和多個電接觸部件116，半導體襯底112包括形成在該襯底中和/或上的集成電路器件(未示出)，多個電接觸部分116諸如鎢塞等，延伸通過PMD層而到達集成電路器件。使用例如化學機械拋光(CMP)使預金屬電介質(PMD)層114平坦化，以提供平坦表面用于支撐集成電路器件的金屬化層。接下來，在PMD層114上方提供低k金屬間電介質層118(圖2B)，電介質層118例如由包括低k層和一個或多個掩膜層(例如包括TEOS硬掩膜和氮化鈦硬掩膜)的多層結構形成。也對該低k金屬間電介質層118進行平坦化。然后形成溝槽120，延伸到低k金屬間電介質層118的多層中并且可能穿過低k金屬間電介質層118的多層(圖2C)。溝槽120提供在將定位互連結構的位置處，例如露出下接電接觸部件116的頂表面的位置處。
[0025]然后進行擴散阻擋層122的勻厚形成(圖2D)。擴散阻擋層122用于阻擋后續(xù)沉積的用于互連結構的金屬原子遷移到低k金屬間電介質層中，以及阻擋污染物從低k金屬間電介質層到互連結構的相反方向上的擴散。擴散阻擋層122典型地由氮化鉭制成。
[0026]接下來，使用化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)工藝來保形地沉積第一金屬襯墊層124。第一金屬襯墊層124覆蓋低k金屬間電介質層118的頂表面上的擴散阻擋層122以及溝槽120的側壁和底部。因而，對于多層的低k金屬間電介質層118的所有露出區(qū)域都提供有覆蓋，該露出區(qū)域包括凹角間隙、粗糙側壁、襯墊裂口以及硬掩膜底切區(qū)域，其中可能不存在由擴散阻擋層122提供的連續(xù)覆蓋。第一金屬襯墊層124典型地由鈷或釕制成。
[0027]作為任選步驟，可以執(zhí)行回刻蝕以去除保形沉積的第一金屬襯墊層124的、位于溝槽底部處或附近的部分。由于該步驟是任選的，所以圖中沒有明確地示出該去除的效果，這可能實現(xiàn)相對于第一金屬襯墊層124下部的部分或全部的去除或重新分布。
[0028]然后進行第二(附加)擴散阻擋層126的勻厚形成。擴散阻擋層126進一步用于阻擋后續(xù)沉積的用于互連結構的金屬原子遷移到低k金屬間電介質層中，以及阻擋污染物從低k金屬間電介質層到互連結構的相反方向上的擴散。擴散阻擋層126典型地由氮化鉭制成。
[0029]接下來，在附加擴散阻擋層126上方沉積第二(附加)金屬襯墊層128 (圖2G)。第二金屬襯墊層128用作輔助增加后續(xù)沉積層的粘合的粘合層。第二金屬襯墊層128典型地由組制成。
[0030]考慮的層122、124、126和128 —起形成夾入式擴散阻擋和金屬襯墊130。僅為易于圖示，在下面的圖中將疊在一起的夾入式擴散阻擋和金屬襯墊130的多個層(122、124、126和128)示出為單個層。
[0031]然后，使用任意合適沉積工藝(諸如在夾入式擴散阻擋和金屬襯墊130上方濺射)來在晶片上形成金屬種子層132 (圖2H)。種子層132覆蓋低k金屬間電介質層118的頂表面上的夾入式擴散阻擋和金屬襯墊130以及溝槽120的側壁和底部。任選地，可以執(zhí)行種子層回刻蝕(未示出)以減少溝槽120的頂角處的金屬懸置。
[0032]金屬種子層132優(yōu)選地包括銅。在一個實施例中，金屬種子層132未摻雜或基本均勻摻雜(例如，利用錳(Mn)或鋁(Al))。在另一個實施例中，金屬種子層132為非均勻摻雜并且呈現(xiàn)垂直摻雜梯度(即，金屬種子層132中的摻雜劑種類的濃度根據(jù)深度遞減而變化)。
[0033]現(xiàn)在參照圖3，圖3示出了曲線圖，該曲線圖圖示了金屬種子層132的、根據(jù)溝槽深度的摻雜濃度。參考標記300圖示了垂直摻雜梯度，其中在低k金屬間電介質層118的頂表面上以及在溝槽120的頂部處和附近存在較高的摻雜劑種類濃度，而在溝槽120底部處或附近的金屬種子層132中存在很少甚至沒有摻雜劑。另一方面，參考標記302圖示了根據(jù)溝槽深度的基本均勻的摻雜濃度。作為示例性實現(xiàn)，相對均勻的摻雜濃度302可以在
0.5%左右并且非均勻摻雜濃度300的梯度可以從在溝槽底部處約為0%延伸到在溝槽頂部處約為5% -10%。溝槽深度例如可以約為100nm-200nm并且更具體地約為150nm。
[0034]在2012 年 11 月 20 日提交的、題為 “Copper Seed Layer For An InterconnectStructure Having A Doping Concentration Level Gradient”的、共同未決的美國專利申請N0.13 / 682，162 (律師案卷號328940—1412)中詳細地描述了具有非均勻摻雜配置的金屬種子層132的形成，這里通過參考并入該申請的公開內(nèi)容。
[0035]再次參考圖2A至圖2K。然后在晶片上執(zhí)行電鍍工藝，以利用金屬134填充溝槽120的剩余開口部分(圖21)。在晶片的頂部之上也制作電鍍金屬。然后執(zhí)行化學機械拋光(CMP)，以去除夾入式擴散阻擋和金屬襯墊130、金屬種子層132和電鍍金屬134的位于溝槽外部的多余且不想要的部分(圖2J)。拋光操作進一步為準備用于進一步集成電路處理的晶片提供平坦頂表面。作為該進一步處理的一部分，可以在平坦頂表面上沉積電介質帽層136，以保護所形成的金屬線和互連的材料和金屬層以及低k金屬間電介質層(圖2K)。
[0036]然后可以根據(jù)需要重復圖2B至圖2K的工藝，以形成用于集成電路器件的附加金屬化層。在該環(huán)境中，將理解，下接電接觸部件116因而可以包括下接金屬化層的填充溝槽，并且電介質帽層136因而可以包括低k金屬間電介質層118內(nèi)的層之一。
[0037]用于形成電介質帽層136的高溫工藝的性能以及與集成電路的完成制造相關聯(lián)的(諸如與進一步的金屬化層的添加相關聯(lián)的)其它熱循環(huán)和處理操作的性能，造成摻雜劑種類從摻雜種子層132向電介質帽層136與填充溝槽的電鍍金屬134之間的界面138遷移。該遷移形成自對準金屬帽132 (由圖2K中界面138處的點畫線示出)。
[0038]在諸如硬掩膜底切之類的其中可能存在襯墊間斷的位置處，夾入式擴散阻擋和襯墊130的保形淀積(例如通過化學氣相沉積(CVP)或原子層沉積(ALD))的第一金屬襯墊層124用于防止在后續(xù)沉積的金屬種子層132中發(fā)生斷裂。附加地，即使金屬種子層132的覆蓋在關鍵位置處是裕量的，夾入式擴散阻擋和襯墊130的保形沉積的第一金屬襯墊層124在利用金屬134填充溝槽120的剩余開口部分的電鍍工藝期間也支持當前流程。通過在夾入式擴散阻擋和金屬襯墊130的擴散阻擋層122和126之間定位保形沉積的第一金屬襯墊層124的情況下形成夾入式擴散阻擋和襯墊130，擴散阻擋層122和126起到確保保形沉積的第一金屬襯墊層124無法擴散到低k金屬間電介質層118或電鍍填充金屬134中的作用。最后，附加的擴散阻擋層126將金屬種子層132與保形沉積的第一金屬襯墊層124隔開，并且因而支持摻雜劑種類從金屬種子層132有效遷移到電介質帽層136與填充溝槽120的電鍍金屬134之間的界面138。作為結果，包括圖2K所示結構的集成電路相對于圖1I的實施例而言擁有減小的銅線電阻、界面處阻擋或粘合層的更好的形成以及更好的可靠性(較低的電路故障率)。
[0039]盡管關于大馬士革工藝進行了圖示說明，但將理解到的是，這里描述的用于形成夾入式擴散阻擋和金屬襯墊130的方法，可等同地適用于雙大馬士革工藝，以及本領域已知的用于利用金屬材料填充集成電路器件的溝槽類似結構的其它工藝。
[0040]選擇用于金屬種子層132和電鍍金屬134的金屬典型地為銅。摻雜劑種類可以包括猛(Mn)或招(Al) ο
[0041]通過示例性且非限制性示例提供的前面的描述例示了本發(fā)明示例性實施例的全面且詳實的描述。然而，各種修改和調整對于相關領域技術人員而言，根據(jù)前面的描述，在結合附圖和所附權利要求閱讀時可以變得顯而易見。但是，本發(fā)明的教導的所有這樣的以及類似的修改仍將落入所附權利要求限定的本發(fā)明范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.一種方法，包括: 在介電層中開出溝槽； 利用第一擴散阻擋層對所述溝槽進行加襯； 利用第一保形金屬襯墊層對所述溝槽進行加襯； 利用第二擴散阻擋層對所述溝槽進行加襯； 利用金屬種子層對所述溝槽進行加襯；以及 利用金屬填充對所述溝槽進行填充。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中利用所述第一保形金屬襯墊層對所述溝槽進行加襯包括:執(zhí)行化學氣相沉積，以沉積所述第一保形金屬襯墊層。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中利用所述第一保形金屬襯墊層對所述溝槽進行加襯包括:執(zhí)行原子層沉積，以沉積所述第一保形金屬襯墊層。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述溝槽與集成電路的互連結構相關聯(lián)。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中利用所述金屬種子層對所述溝槽進行加襯包括:沉積摻雜的金屬種子層。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述摻雜的金屬種子層是非均勻摻雜的并且呈現(xiàn)根據(jù)溝槽深度變化的垂直摻雜梯度。
7.根據(jù)權利要求5所述的方法，進一步包括:在所述金屬填充的溝槽上方沉積電介質帽層。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，進一步包括:使摻雜劑從所述非均勻摻雜的金屬種子層遷移到在所述金屬填充的溝槽與所述電介質帽層之間的界面，以形成自對準金屬帽。
9.根據(jù)權利要求5 所述的方法，其中所述金屬種子層的摻雜劑材料選自包括錳和鋁的組。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括:在利用所述金屬種子層對所述溝槽進行加襯之前，利用第二金屬襯墊層對所述溝槽進行加襯。
11.一種方法，包括: 在介電層中開出溝槽； 利用夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構對所述溝槽進行加襯； 利用金屬種子層對所述溝槽進行加襯；以及 利用金屬填充對所述溝槽進行填充； 其中所述夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構包括:夾在第一擴散阻擋層與第二擴散阻擋層之間的保形金屬襯墊層。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中利用所述夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構對所述溝槽進行加襯包括: 利用所述第一擴散阻擋層對所述溝槽進行加襯； 利用所述保形金屬襯墊層對所述溝槽進行加襯；以及 利用所述第二擴散阻擋層對所述溝槽進行加襯。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中利用所述夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構對所述溝槽進行加襯進一步包括:利用第二金屬襯墊層對所述溝槽進行加襯。
14.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中利用所述保形金屬襯墊層對所述溝槽進行加襯包括:執(zhí)行化學氣相沉積，以沉積所述保形金屬襯墊層。
15.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中利用所述保形金屬襯墊層對所述溝槽進行加襯包括:執(zhí)行原子層沉積，以沉積所述保形金屬襯墊層。
16.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中利用所述金屬種子層對所述溝槽進行加襯包括:沉積摻雜的金屬種子層。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，進一步包括:在所述金屬填充的溝槽上方沉積電介質帽層。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，進一步包括:使摻雜劑從所述非均勻摻雜的金屬種子層遷移到在所述金屬填充的溝槽與所述電介質帽層之間的界面，以形成自對準金屬帽。
19.一種裝置,包括: 在電介質層中形成的溝槽； 對所述溝槽進行加襯的第一擴散阻擋層； 對所述溝槽進行加襯的第一保形金屬襯墊層； 對所述溝槽進行加襯的第二擴散阻擋層； 對所述溝槽進行加襯的金屬種子層；以及 填充所述溝槽的金屬填充。
20.根據(jù)權利要求19所述的裝置，進一步包括:對所述溝槽進行加襯的第二金屬襯墊層，所述第二金屬襯墊層在所述第二擴散阻擋層與所述金屬種子層之間。
21.根據(jù)權利要求19所述的裝置，其中所述金屬填充的溝槽限定集成電路的互連結構。
22.根據(jù)權利要求19所述的裝置，進一步包括:形成在所述金屬填充的溝槽上方的電介質帽層。
23.根據(jù)權利要求22所述的裝置，進一步包括:形成在所述金屬填充的溝槽與所述電介質帽層之間的界面處的自對準金屬帽。
24.—種裝置，包括: 包括溝槽的電介質層； 對所述溝槽進行加襯的夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構； 在所述夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構上方的金屬種子層；以及 填充所述溝槽的金屬填充； 其中所述夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構包括:夾在第一擴散阻擋層與第二擴散阻擋層之間的保形金屬襯墊層。
25.根據(jù)權利要求24所述的裝置，其中所述夾入式的擴散阻擋和金屬襯墊結構進一步包括:在所述第二擴散阻擋層與所述金屬種子層之間的第二金屬襯墊層。
【文檔編號】H01L21/768GK103839882SQ201310533923
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年10月30日 優(yōu)先權日:2012年11月20日
【發(fā)明者】牛成玉, A·H·西蒙, T·博洛姆 申請人:意法半導體公司, 國際商業(yè)機器公司, 格羅方德公司