沉積裝置和應用于沉積裝置的掩模組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種沉積裝置和掩模組件，所述沉積裝置包括：掩?？蚣?，具有框架開口；掩模，結合到掩?？蚣艿纳媳砻娌⑶冶粯嬙鞛楦采w框架開口；延伸構件，被布置在框架開口的邊緣的至少一部分上，并且被構造為從掩?？蚣艿纳媳砻嫱怀霾⑹寡谀５呐c框架開口相對應的第一部分的豎直距離比掩模的與掩?？蚣艿纳媳砻娼佑|的第二部分的豎直距離大，每個豎直距離均是從掩模框架的上表面測量的。
【專利說明】沉積裝置和應用于沉積裝置的掩模組件
【技術領域】
[0001] 下面的描述涉及一種沉積裝置和一種應用于該沉積裝置的掩模組件。
【背景技術】
[0002] 盡管存在許多不同類型的顯示裝置，但是由于作為自發(fā)光顯示裝置的有機發(fā)光顯 示裝置自身在具有寬的視角、優(yōu)異的對比度和高的響應速度的方面的優(yōu)勢，它們作為下一 代顯示裝置已經(jīng)引起關注。
[0003] 有機發(fā)光顯示裝置包括中間層，中間層包括位于彼此面對的電極之間的至少一個 發(fā)光層。電極和中間層可以以各種方法形成，而這些方法中的一種就是沉積方法。
[0004] 沉積方法就是通過利用具有與將要位于基板上的膜的圖案相同的開口圖案的掩 模而將沉積材料沉積在基板上來形成期望圖案的膜的方法，以制造有機發(fā)光顯示裝置。
【發(fā)明內容】
[0005] 掩模通常通過將要在沉積工藝中使用的焊接而結合到掩?？蚣堋ｋS著在沉積工藝 中使用的基板的尺寸逐漸增大，相應的掩模的尺寸也增大(例如，為大的尺寸)。
[0006] 然而，隨著掩模變?yōu)榇蟪叽纾诔练e工藝中出現(xiàn)掩模向下下垂的問題。因此，會發(fā) 生陰影效應，例如，這在通過掩模在基板上沉積沉積材料時會導致形成尺寸比期望的膜圖 案大或小的膜圖案，并且這會在有機發(fā)光顯示裝置發(fā)光時引起顏色混合等問題。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的實施例的方面針對于一種沉積裝置和一種應用于沉積裝置的掩模 組件，它們能夠通過借助掩模在水平方向上的延伸來防止掩模下垂而在使用掩模的沉積工 藝中減小基板的劣等沉積。
[0008] 本發(fā)明的附加方面、主題和特征將在下面的描述中進行部分闡述，部分將通過下 面的審查而對本領域普通技術人員變得明顯，或者可通過實施本發(fā)明而了解。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的實施例的方面，提供了一種沉積裝置，所述沉積裝置包括：掩?？?架，具有框架開口；掩模，結合到掩?？蚣艿纳媳砻娌⑶冶粯嬙鞛楦采w框架開口；延伸構 件，被布置在框架開口的邊緣的至少一部分上，并且被構造為從掩?？蚣艿纳媳砻嫱怀霾?使掩模的與框架開口相對應的第一部分的堅直距離比掩模的與掩?？蚣艿纳媳砻娼佑|的 第二部分的堅直距離大，每個堅直距離均是從掩?？蚣艿纳媳砻鏈y量的。
[0010] 第一部分可以沿從掩?？蚣艿窖谀５姆较蛭挥诘诙糠稚戏健?br>
[0011] 延伸構件可以包括在框架開口中沿框架開口的邊緣布置的一個墩塊。
[0012] 延伸構件可以包括接觸掩模的接觸部分，接觸部分的橫截面具有多邊形、半球形、 半橢圓形或它們的組合的形狀。
[0013] 掩?？梢园ńY合在第一部分和第二部分之間的第三部分，延伸構件可以包括接 觸掩模的第一部分的接觸部分，在第一部分和第三部分彼此接觸的部分與接觸部分的側表 面之間可以形成有間隙。
[0014] 框架開口可以呈具有四個邊的矩形平面的形狀，延伸構件可以包括被布置在所述 四個邊中的至少一個邊上的墩塊。
[0015] 框架開口可以呈具有四個邊的矩形平面的形狀，延伸構件可以包括在所述四個邊 中的至少一個邊上劃分的多個墩塊，所述多個墩塊可以被布置為彼此接觸或彼此分隔開。
[0016] 所述沉積裝置還可以包括：傳送部分，布置在與掩模的上表面分隔開的上部上并 且被構造為將基板布置在掩模的上表面上；沉積材料供應源，布置在與掩模的下表面隔開 的下部上并且被構造為通過掩模將沉積材料供應到基板。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的實施例的另一方面，提供了一種沉積裝置，所述沉積裝置包括：掩模 框架，具有框架開口；掩模，結合到掩?？蚣艿纳媳砻娌⑶腋采w框架開口；延伸構件，被布 置在框架開口的邊緣的至少一部分的下部或上部，并且被構造為相應地移動到所述上部或 所述下部，并使掩模的與框架開口相對應的第一部分的堅直距離比掩模的與掩模框架的上 表面接觸的第二部分的堅直距離大，每個堅直距離均是從掩?？蚣艿纳媳砻鏈y量的。
[0018] 第一部分可以沿從掩?？蚣艿窖谀５姆较蛭挥诘诙糠稚戏?。
[0019] 第一部分可以沿從掩模框架到掩模的方向位于第二部分下方。
[0020] 延伸構件可以包括在框架開口中沿框架開口的邊緣布置的一個墩塊。
[0021] 延伸構件可以包括接觸掩模的接觸部分，接觸部分的橫截面可以具有多邊形、半 球形、半橢圓形或它們的組合的形狀。
[0022] 掩模可以包括結合在第一部分和第二部分之間的第三部分，延伸構件可以包括接 觸掩模的第一部分的接觸部分，在第一部分和第三部分彼此接觸的部分與接觸部分的側表 面之間可以形成有間隙。
[0023] 框架開口可以呈具有四個邊的矩形平面的形狀，延伸構件可以包括被布置在所述 四個邊中的至少一個邊上的墩塊。
[0024] 框架開口可以呈具有四個邊的矩形平面的形狀，延伸構件可以包括在所述四個邊 中的至少一個邊上劃分的多個墩塊，所述多個墩塊可以被布置為彼此接觸或彼此分隔開。
[0025] 所述沉積裝置還可以包括：傳送部分，布置在與掩模的上表面分隔開的上部上并 且被構造為使基板布置在掩模的上表面上；沉積材料供應源，布置在與掩模的下表面分隔 開的下部上并且被構造為通過掩模將沉積材料供應到基板。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明的實施例的一方面，提供了一種掩模組件，所述掩模組件包括：掩模框 架，具有框架開口；掩模，結合到掩模框架的上表面并且覆蓋框架開口，掩模包括與框架開 口相對應的第一部分、接觸掩?？蚣艿纳媳砻娴牡诙糠忠约敖Y合在第一部分和第二部分 之間并且厚度比第一部分和第二部分的厚度薄的第三部分。
[0027] 第一部分可以沿從掩?？蚣艿窖谀５姆较蛭挥诘诙糠稚戏健?br>
[0028] 第一部分可以沿從掩?？蚣艿窖谀５姆较蛭挥诘诙糠窒路?。
[0029] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，至少可以實現(xiàn)下述效果。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置，通過將延伸構件布置在掩?？蚣艿目蚣荛_口的邊 緣的至少一部分上使得延伸構件與掩模接觸并且按壓通過焊接結合到掩?？蚣艿难谀５?下部，可以通過將掩模的第一部分設置得比掩模的第二部分距離掩?？蚣艿纳媳砻孢h而在 水平方向上拉伸掩模(或者使掩模在水平方向上延伸）。
[0031] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板的掩模 在沉積過程中下垂，由此可以防止發(fā)生陰影效應。當在將沉積材料沉積在基板上的同時形 成了尺寸比期望的膜圖案大或小的膜圖案時，會發(fā)生這種效應。
[0032] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置可以防止因掩模下垂而發(fā)生的在基板上的劣 等沉積，并且在使用該沉積方法制造有機發(fā)光顯示裝置的情況下，沉積裝置能夠解決當有 機發(fā)光顯示裝置發(fā)光時的顏色混合等問題。
[0033] 根據(jù)本發(fā)明實施例的效果不限于上面所示例出的內容，在本申請的說明書中會描 述進一步的各種效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034] 通過下面結合附圖進行的詳細描述，本發(fā)明的上述和其它特征和方面將更加明 顯，其中：
[0035] 圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的沉積裝置的剖視圖；
[0036] 圖2是示出圖1中示出的掩模的示例的平面圖；
[0037] 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的圖1中示出的掩?？蚣芎脱由鞓嫾牟贾?的平面圖；
[0038] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的圖1中的"A"部分的放大視圖；
[0039] 圖5到圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的一些示例實施例的圖1中示出的延伸構件的各 種實施例的剖視圖；
[0040] 圖13到圖18是示出圖3中示出的掩?？蚣芎脱由鞓嫾牟贾玫母鞣N實施例的平 面圖；
[0041] 圖19是根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的應用于沉積裝置的掩模組件的剖視圖；
[0042] 圖20是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例實施例的沉積裝置的剖視圖；
[0043] 圖21是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的沉積裝置的剖視圖；
[0044] 圖22是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的沉積裝置的剖視圖；
[0045] 圖23是根據(jù)本發(fā)明的另一示例實施例的應用于沉積裝置的掩模組件的剖視圖。
【具體實施方式】
[0046] 本發(fā)明的實施例和特征及實現(xiàn)其的方法可以通過參照下面的優(yōu)選實施例的詳細 描述和附圖而更加容易地理解。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式來實施，并且不應該被 理解為局限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底和完全的，并 將把本發(fā)明的構思充分地傳達給本領域技術人員，本發(fā)明將僅由權利要求書及其等同物來 限定。
[0047] 還將理解的是，當層被稱作在另一層或基板"上"時，該層可以直接在另一層或基 板上，或者也可以存在中間層。在整個說明書中，相同的標號指示相同的組件。
[0048] 將理解的是，雖然在這里可使用術語第一、第二、第三等來描述不同的元件、組件、 區(qū)域、層和/或部分，但是，這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分并不應受這些術語的限制。 這些術語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分 區(qū)分開來。因此，在不脫離本發(fā)明的教導的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或 部分可被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0049] 在下文中，將參照附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
[0050] 圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置的剖視圖，圖2是示出圖1中 示出的掩模的示例的平面圖，圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖1中示出的掩?？蚣芎?延伸構件的布置的平面圖。
[0051] 參照圖1，沉積裝置100是一種將沉積材料沉積在基板S的期望位置上以形成膜圖 案的裝置。
[0052] 基板S可以是用于顯示裝置的基板。例如，基板S可以是用于諸如有機發(fā)光顯示 裝置、液晶顯示裝置或等離子體顯示裝置的顯示裝置的基板?；錝可以是裸基板或者形 成有諸如薄膜和布線的結構的基板。另外，基板S可以是用于單個顯示裝置的基板，或者可 以是包括通過以單元為單位進行切割而將被聚集為顯示基板的多個單位單元的母板。
[0053] 沉積裝置100可以被安裝在用于沉積工藝的沉積室(例如，氣相沉積室)中，并且可 以包括掩?？蚣?10、框架支撐件120、掩模130、傳送部分140、延伸構件150和沉積材料供 應源160。
[0054] 掩模框架110支撐掩模130,并且可以通過焊接結合到掩模130。掩?？蚣?10可 以形成為在通過掩模130在基板S上沉積沉積材料時不干擾沉積的結構。例如，掩模框架 110中可以具有框架開口 FAP，并且掩?？蚣?10可以為帶狀。
[0055] 框架支撐件120支撐通過焊接而結合到掩模130的掩?？蚣?10,并且被安裝為使 得結合到掩?？蚣?10的掩模130被布置在沉積室內部的處理空間中。框架支撐件120可 以形成為在通過掩模130在基板S上沉積沉積材料時不干擾沉積的結構。例如，掩?？蚣?110可以形成為能夠支撐作為框架開口 FAP的外側的邊緣的結構。
[0056] 掩模130結合到掩?？蚣?10的上表面，以覆蓋掩模框架110的框架開口 FAP。掩 模130可以包括與掩模框架110的框架開口 FAP相對應的第一部分130a、與掩?？蚣?10的 上表面接觸并且沿從沉積材料供應源160到基板S的方向位于第一部分130a下方(例如， 位置比第一部分130a低）的第二部分130b以及結合(例如，連接）在第一部分130a和第二 部分130b之間的第三部分130c。結合在第一部分130a或第二部分130b與第三部分130c 之間的連接部分可以是彎曲的。掩模130可以包括如圖2中所示的形成在與期望的膜圖案 相對應的位置中的多個掩模開口 MAP，從而能夠通過將沉積材料沉積在布置在掩模130的 上部上的基板S上而形成期望的膜圖案。掩模130中的形成有多個掩模開口 MAP的區(qū)域可 以與掩?？蚣?20的框架開口 FAP相對應。在有機發(fā)光顯示裝置的紅色有機發(fā)光層、綠色 有機發(fā)光層和藍色有機發(fā)光層當中形成紅色有機發(fā)光層的情況下，多個掩模開口 MAP可以 位于與例如紅色有機發(fā)光層的圖案相對應的位置。圖2示出了多個掩模開口 MAP以狹縫形 狀形成。然而，掩模開口 MAP可以以點的形狀形成或者可以形成為包括狹縫形狀和點的形 狀。另外，圖2示出了在掩模130上彼此未分開的多個掩模開口 MAP，但是不限于此。即，掩 模130可以由多個掩模條帶(或者分開的掩模）組成，從而多個掩模開口 MAP可以在某個方 向(例如，預定方向）上彼此分開。
[0057] 傳送部分140布置在與掩模130的上表面隔開的上部上，傳送部分140傳送基板 S，從而使基板S布置為與掩模130的上表面相鄰或與掩模130的上表面接觸。傳送部分 140可以被構造為執(zhí)行堅直移動。
[0058] 延伸構件150被布置在框架開口 FAP的邊緣的至少一部分上，以從掩模框架110 的上表面突出。例如，延伸構件150可以在框架開口 FAP中沿框架開口 FAP的邊緣布置，并 且可以包括朝著掩?？蚣?10的上表面突出的一個墩塊（block)。
[0059] 當延伸構件150布置在框架開口 FAP的邊緣的至少一部分上時，隨著按壓通過焊 接結合到掩?？蚣?10的掩模130的下部，延伸構件150與掩模130接觸。按照此方式，延 伸構件150通過使掩模130的第一部分130a的堅直距離比掩模130的第二部分130b的堅 直距離大(從掩?？蚣?10的上表面測量)，即，通過使第一部分130a在從掩?？蚣?10到掩 模130的方向上比第二部分130b高而起到使掩模130 (例如，第一部分130a)在水平方向 上延伸的作用。因此，防止掩模130向下下垂。雖然未示出，但是延伸構件150可以通過螺 釘?shù)冉Y合到掩模框架110或與掩?？蚣?10分開。在延伸構件150通過螺釘結合到掩模框 架100的實施例中，延伸構件110可以通過螺釘與掩模框架110接觸或與掩?？蚣?10分 開。在一些實施例中，延伸構件150具有長的長度，因此延伸構件150通過螺釘可以結合到 沉積室的內壁或者可以保持與沉積室的內壁分開。稍后將描述延伸構件150的與掩模130 接觸的接觸部分C的細節(jié)。
[0060] 沉積材料供應源160布置在沉積室的內部空間中的與掩模130的下表面隔開的下 部上。沉積材料供應源160將沉積材料從掩模130的下側供應到掩模130,從而期望的膜圖 案通過掩模130的掩模開口 MAP而形成在基板S上。例如，沉積材料供應源160可以通過 使沉積材料(例如，預定的沉積材料）（諸如有機發(fā)光材料或電極材料)從掩模130的下部向 掩模130的方向蒸發(fā)而向掩模130的方向供應沉積材料。在該實施例中，沉積材料供應源 160可以由通過在高溫下加熱沉積材料而使沉積材料蒸發(fā)的蒸發(fā)源來實施。
[0061] 在一些實施例中，沉積材料供應源160可以安裝為在沉積室內部沿水平方向可移 動一定距離(例如，預定的距離)。例如，可以在沉積室中安裝用于在水平方向上傳送沉積材 料供應源160 -定距離(例如，預定的距離）的傳送單元。
[0062] 接下來，將詳細描述延伸構件150的與掩模130接觸的接觸部分。延伸構件150的 接觸部分的橫截面可以具有下列形狀中的一種：多邊形、半球形、半橢圓形或它們的組合。
[0063] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的圖1中的"A"部分的放大視圖。
[0064] 參照圖4,延伸構件150的接觸部分C可以具有矩形的橫截面。延伸構件150堅直 移動以與第一部分130a接觸并固定到第一部分130a，延伸構件150利用寬的接觸區(qū)域按壓 掩模130的下部，具體地說，按壓第一部分130a，由此能夠提高使第一部分130a在水平方向 上延伸的延伸力，具體地說，在第二部分130b的方向上延伸的延伸力。因此，延伸構件150 可以防止被擴大以匹配大尺寸基板的掩模130下垂，由此可以防止發(fā)生在將沉積材料沉積 在基板S上的同時形成尺寸比期望的膜圖案大或小的膜圖案的陰影效應。在該示例中，當 第一部分130a沿水平方向上延伸時，延伸構件150可以使第一部分130a延伸得與第三部 分130c的寬度一樣多。
[0065] 在下文中，將更加詳細地描述被應用于上述沉積裝置的具有呈各種合適形狀的接 觸部分的延伸構件。
[0066] 圖5到圖12是示出在圖1中示出的延伸構件的各種實施例的剖視圖。
[0067] 參照圖5到圖12,延伸構件150a到150h被構造為在接觸部分C1到C8的側表面 與掩模130中的第一部分130a和第三部分130c彼此接觸的部分之間形成空間間隙。因此， 防止了厚度在延伸構件150a到150h使掩模130的第一部分130a在水平方向上延伸時變 薄的掩模130的第三部分130c受到延伸構件150a到150h的角的損壞。
[0068] 具體地說，圖5示出了延伸構件150a包括具有三角形的橫截面的接觸部分Cl的 示例。延伸構件150a被構造為在接觸部分C1和掩模130的第一部分130a之間具有小的 接觸區(qū)域，因而可以應用于掩模130具有小的尺寸并且掩模130的下垂并不明顯的情形。 [0069] 圖6示出了延伸構件150b包括具有六邊形的橫截面的接觸部分C2的示例。在一 個實施例中，延伸構件150b包括通過削去橫截面為矩形的接觸部分C的兩個相對的上部的 角（或邊緣）而形成的接觸部分C2。延伸構件150b具有接觸部分C2的側表面未到達掩模 130的第一部分130a和第三部分130c彼此接觸的這部分的結構，由此通過增大接觸部分 C2和掩模130的第一部分130a之間的接觸區(qū)域而提高了使掩模130的第一部分130a在水 平方向上延伸的延伸力。
[0070] 圖7示出了延伸構件150c包括具有五邊形的橫截面的接觸部分C3的示例。在一 個實施例中，延伸構件150c包括通過削去橫截面為矩形的接觸部分C的相對的上部的角 (或邊緣)中的面對掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接觸的部分的一個上部 的角（或邊緣)而形成的接觸部分C3。按照與圖6中的延伸構件150b相同的方式，延伸構件 150c具有接觸部分C3的側表面未到達掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接 觸的這部分的結構，由此通過增大接觸部分C3和掩模130的第一部分130a之間的接觸區(qū) 域而提高了使掩模130的第一部分130a在水平方向上延伸的延伸力(例如，縱向拉伸力）。
[0071] 圖8示出了延伸構件150d包括接觸部分C4的示例，接觸部分C4通過下述方式來 形成：按照直線的形式削去橫截面為矩形的接觸部分C的相對的上部的角（或邊緣）中的面 對掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接觸的部分的一個上部的角（或邊緣)， 而按圓形的形式削去另一個角（或邊緣)。按照與圖6中的延伸構件150b相同的方式，延伸 構件150d也具有接觸部分C4的側表面未到達掩模130的第一部分130a和第三部分130c 彼此接觸的這部分的結構，從而通過增大接觸部分C4和掩模130的第一部分130a之間的 接觸區(qū)域而提高了使掩模130的第一部分130a在水平方向上延伸的延伸力（例如，縱向拉 伸力）。
[0072] 圖9示出了延伸構件150e包括具有半球形橫截面的接觸部分C5的示例。延伸構 件150e具有接觸部分C5和掩模130的第一部分130a之間的接觸區(qū)域比圖5中的延伸構 件150a的接觸部分C1和掩模130的第一部分130a之間的接觸區(qū)域大一點的結構，并且可 以在掩模130具有小的尺寸并且掩模130下垂不明顯的情況下應用，以實現(xiàn)與掩模130的 穩(wěn)定接觸。
[0073] 圖10示出了延伸構件150f包括具有半橢圓形的橫截面的接觸部分C6的示例。 按照與圖6中的延伸構件150b相同的方式，延伸構件150f也具有接觸部分C6的側表面未 到達掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接觸的這部分的結構，由此通過增大 接觸部分C6和掩模130的第一部分130a之間的接觸區(qū)域而提高了使掩模130的第一部分 130a在水平方向上延伸的延伸力。
[0074] 圖11示出了延伸構件150g包括接觸部分C7的示例，接觸部分C7通過下述方式 來形成：按照圓形的形狀削去橫截面為矩形的接觸部分C的相對的上部的角（或邊緣）中的 面對掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接觸的部分的一個上部的角（或邊緣)， 而按直線的形式削去另一個角。按照與圖6中的延伸構件150b相同的方式，延伸構件150g 也具有接觸部分C7的側表面未到達掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接觸 的這部分的結構，由此通過增大接觸部分C7和掩模130的第一部分130a之間的接觸區(qū)域 而提高了使掩模130的第一部分130a在水平方向上延伸的延伸力。
[0075] 圖12示出了延伸構件150h包括接觸部分C8的示例，接觸部分C8通過下述方式 來形成：按照圓形的形狀削去橫截面為矩形的接觸部分C的相對的上部的角（或邊緣）中的 面對掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接觸的部分的一個上部的角（或邊緣)。 按照與圖6中的延伸構件150b相同的方式，延伸構件150h也具有接觸部分C8的側表面未 到達掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接觸的這部分的結構，由此通過增大 接觸部分C8和掩模130的第一部分130a之間的接觸區(qū)域而提高了使掩模130的第一部分 130a在水平方向上延伸的延伸力。
[0076] 在下文中，將更加詳細地描述圖3中示出的掩?？蚣芎脱由鞓嫾牟贾玫母鞣N實 施例。
[0077] 圖13到圖18是示出圖3中示出的掩?？蚣芎脱由鞓嫾牟贾玫母鞣N示例實施例 的平面圖。
[0078] 參照圖13到圖18,在掩?？蚣?10的框架開口 FAP呈例如具有四個邊的矩形平面 的形狀的情況下，舉例示出了延伸構件包括布置在四個邊中的任意一個邊上的墩塊，并且 能夠控制掩模的期望部分在水平方向上的延伸。
[0079] 圖13示出了延伸構件250在掩?？蚣?10的框架開口 FAP中被布置在框架開口 FAP的邊緣中的在X軸方向上的一側上的示例。在掩模130具有小尺寸并且因而掩模130 下垂不明顯的情況下，該延伸構件250可以通過與掩模130的一側接觸而被應用為使掩模 130的這一側在水平方向上細微地延伸。
[0080] 圖14示出了延伸構件350包括在掩?？蚣?10的框架開口 FAP中被布置在框架 開口 FAP的邊緣中的在X軸方向上的兩側上的第一墩塊351和第二墩塊352的示例。在掩 模130沿X軸方向下垂的情況下，該延伸構件350可以借助第一墩塊351和第二墩塊352 通過使掩模130在X軸方向上以平衡的方式水平地延伸而防止掩模130下垂。
[0081] 圖15示出了延伸構件450包括在掩?？蚣?10的框架開口 FAP中被布置在框架 開口 FAP的邊緣中的在Y軸方向上的兩側上的第一墩塊451和第二墩塊452的示例。在掩 模130沿Y軸方向下垂的情況下，該延伸構件450可以借助第一墩塊451和第二墩塊452 通過使掩模130在Y軸方向上以平衡的方式水平地延伸而防止掩模130下垂。
[0082] 圖16示出了延伸構件550包括在掩?？蚣?10的框架開口 FAP中被布置在框架 開口 FAP的四個邊上的第一墩塊551、第二墩塊552、第三墩塊553和第四墩塊554的示例。 根據(jù)該示例，第一墩塊551、第二墩塊552、第三墩塊553和第四墩塊554可以獨立地控制與 掩模130的接觸并且按壓掩模130的下部，因此能夠根據(jù)掩模130下垂的方式(例如，位置） 而可變地調節(jié)(或不同地設定）掩模130在水平方向上延伸的位置。
[0083] 圖17示出了延伸構件650包括第一墩塊651、第二墩塊652、第三墩塊653、第四 墩塊654、第五墩塊655、第六墩塊656、第七墩塊657和第八墩塊658使得多個劃分的墩塊 在掩模框架110的框架開口 FAP中被布置在框架開口 FAP的四個邊中的至少一個邊上的示 例。根據(jù)該不例，第一墩塊651、第二墩塊652、第三墩塊653、第四墩塊654、第五墩塊655、 第六墩塊656、第七墩塊657和第八墩塊658可以獨立地控制與掩模130的接觸并且按壓掩 模130的下部，因此能夠根據(jù)掩模130下垂的位置在進一步的細節(jié)上可變地調節(jié)(或不同地 設置）掩模130在水平方向上延伸的位置。
[0084] 圖18示出了延伸構件750包括在掩?？蚣?10的框架開口 FAP中被劃分到框架 開口 FAP的四個邊中并且被布置為彼此分隔開的多個墩塊。根據(jù)該示例，所述多個墩塊可 以獨立地控制與掩模130的接觸并且按壓掩模130的下部，由此所述多個墩塊之間不會發(fā) 生干擾。
[0085] 在使用上面描述的延伸構件150、150a到150h、250、350、450、550、650和750使掩 模130在水平方向上延伸的示例中，多個掩模開口 MAP之間的間距可以改變(例如，間距變 成扭曲)，并且考慮到這種變化(例如，扭曲)，多個掩模開口 MAP可以在多個掩模開口 MAP之 間的間距被調整的狀態(tài)下被初始地形成在掩模130上。另外，延伸構件150、150a到150h、 250、350、450、550、650和750可以被控制為在多個掩模開口 MAP之間的間距的變化(例如， 扭曲）所允許的范圍(例如，可接受的范圍）內沿水平方向拉伸掩模130 (或使掩模130在水 平方向上延伸）。
[0086] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置100可以通過下述方式在水平方向上拉 伸掩模130 (或者使掩模130在水平方向上延伸):將掩模130的第一部分130a設置得比掩 模130的第二部分130b距離掩?？蚣?10的上表面遠，即，通過將第一部分130a在從掩模 框架110到掩模130所指向的方向上設置得比第二部分130b高。這可以通過將延伸構件 150布置在掩?？蚣?10的框架開口 FAP的邊緣的至少一部分上使得延伸構件150與掩模 130接觸并且按壓通過焊接結合到掩模框架110的掩模130的下部來實現(xiàn)。
[0087] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置100可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板S 的掩模130在沉積過程中下垂，由此可以防止發(fā)生陰影效應。當在將沉積材料沉積在基板S 上的同時由于掩模130的下垂導致形成尺寸比期望的膜圖案大或小的膜圖案時，會發(fā)生這 種效應。
[0088] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置100可以防止因掩模下垂而發(fā)生的在基板S 上的劣等沉積，并且在使用該沉積方法制造有機發(fā)光顯示裝置的情況下，沉積裝置能夠解 決當有機發(fā)光顯示裝置發(fā)光時的顏色混合等問題。
[0089] 接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的實施例的應用于沉積裝置100的掩模組件。
[0090] 圖19是根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的應用于沉積裝置的掩模組件的剖視圖。
[0091] 參照圖19,根據(jù)本發(fā)明的實施例的應用于沉積裝置100的掩模組件10包括掩?？?架110和掩模130。
[0092] 掩?？蚣?10支撐掩模130,并且通過焊接結合到掩模130。掩?？蚣?10可以形 成為在通過掩模130在基板S上沉積沉積材料時不干擾沉積的結構。例如，掩?？蚣?10 中可以具有框架開口 FAP，并且掩模框架110可以為帶狀。
[0093] 掩模130結合到掩模框架110的上表面，以覆蓋掩模框架110的框架開口 FAP。掩 模130可以包括與掩模框架110的框架開口 FAP相對應的第一部分130a、與掩?？蚣?10 的上表面接觸的第二部分130b以及結合在第一部分130a和第二部分130b之間的第三部 分130c。在該示例中，由于圖1中的延伸構件150被布置在框架開口 FAP的邊緣的至少一 部分上，以從掩模框架110的上表面突出，因此第一部分130a可以在從掩?？蚣?10到掩 模130的方向上位于第二部分130b上方(例如，位于比第二部分130b高的位置)，結合在第 一部分130a或第二部分130b與第三部分130c之間的連接部分可以是彎曲的。另外，第三 部分130c可以利用延伸構件150在水平方向上延伸，第三部分130c可以具有比第一部分 130a的厚度和第二部分130b的厚度薄的厚度。
[0094] 接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的沉積裝置800。
[0095] 圖20是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例實施例的沉積裝置的剖視圖。
[0096] 參照圖20,根據(jù)本發(fā)明另一實施例的沉積裝置800可以安裝在沉積室(例如，氣相 沉積室)中，并且可以包括掩模框架110、框架支撐件120、掩模130、傳送部分140、延伸構件 850和沉積材料供應源160。
[0097] 除了延伸構件850的加入外，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置800具有與圖1中的 沉積裝置100的構造大體上相同的構造。因此，針對于根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置800， 將主要集中于對延伸構件850的解釋。
[0098] 延伸構件850布置在掩模框架110的框架開口 FAP的邊緣的至少一部分的下部 中，并且被構造為堅直地移動。延伸構件850可以包括移動墩塊(可被稱為墩塊）851、螺釘 852、電機853和電機支撐部854。
[0099] 移動墩塊851可以向上堅直移動，并且可以通過接觸掩模130并按壓掩模130的 下部而在水平方向上拉伸掩模130 (或者使掩模130在水平方向上延伸）。移動墩塊851可 以按照與圖3中的延伸構件150、圖13中的延伸構件250、圖14中的延伸構件350、圖15中 的延伸構件450、圖16中的延伸構件550、圖17中的延伸構件650和/或圖18中的延伸構 件750的布置基本上相同的布置方式來布置。另外，移動墩塊851可以具有形式與例如在 圖 4 到圖 12 中示出的延伸構件 150、150a、150b、150c、150d、150e、150f、150g 或 150h 的接 觸部分中的任意一種或它們的組合的形式基本相同的接觸部分。
[0100] 螺釘852結合到移動墩塊851，并且在電機853的作用下旋轉，以使移動墩塊851 向上或向下堅直移動。在示例中，螺釘852的數(shù)量可以與移動墩塊851的數(shù)量相同，而為了 精確的控制，螺釘852的數(shù)量可以比移動墩塊851的數(shù)量多。
[0101] 電機853結合到螺釘852,并且產(chǎn)生用于使螺釘852旋轉的動力。電機853的數(shù)量 可以與螺釘852的數(shù)量相同。電機853的驅動可以通過獨立的控制部控制。
[0102] 電機支撐部854位于電機853的下部上，以支撐電機853。
[0103] 雖然圖20示出了延伸構件850包括移動墩塊851、螺釘852、電機853和電機支撐 部854,但是延伸構件可以由使用提升銷的移動構件或者包括線性引導件和螺釘?shù)囊苿訕?件以及/或者類似物組成。
[0104] 在使用上述延伸構件850使掩模130在水平方向上延伸的情況下，多個掩模開口 MAP之間的間距可以改變(例如，變得扭曲)，并且考慮到這種變化(例如，扭曲)，多個掩模開 口 MAP可以在多個掩模開口 MAP之間的間距被調整的狀態(tài)下被初始地形成在掩模130上。 另外，延伸構件850可以被控制為在多個掩模開口 MAP之間的間距的變化(例如，扭曲)所允 許的范圍（例如，可接受的范圍）內在水平方向上拉伸掩模130 (或者使掩模130在水平方 向上延伸）。
[0105] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明另一實施例的沉積裝置800可以通過下述方式使掩模130 在水平方向上延伸：將掩模130的第一部分130a設置得比掩模130的第二部分130b距離 掩?？蚣?10的上表面遠，即，通過將第一部分130a在從掩模框架110到掩模130所指向 的方向上設置得比第二部分130b高。這可以通過將延伸構件850布置在掩?？蚣?10的 框架開口 FAP的邊緣的至少一部分的下部中使得延伸構件850與掩模130接觸并且按壓掩 模130的下部來實現(xiàn)。
[0106] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置800可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板S 的掩模130在沉積過程中下垂，由此可以防止發(fā)生陰影效應。當在將沉積材料沉積在基板S 上的同時由于掩模130的下垂導致形成尺寸比期望的膜圖案大或者小的膜圖案時，會發(fā)生 這種效應。
[0107] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置800可以防止因掩模130下垂而發(fā)生的在基 板S上的劣等沉積，并且在使用該沉積方法制造有機發(fā)光顯示裝置的情況下，沉積裝置能 夠解決當有機發(fā)光顯示裝置發(fā)光時的顏色混合等問題。
[0108] 接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的沉積裝置900。
[0109] 圖21是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的沉積裝置的剖視圖。
[0110] 參照圖21，根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的沉積裝置900可以安裝在沉積室(例如，氣 相沉積室)中，并且可以包括掩?？蚣?10、框架支撐件120、掩模930、傳送部分140、延伸構 件950和沉積材料供應源160。
[0111] 除了掩模930和延伸構件950的加入外，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置900具有 與圖1中的沉積裝置100的構造大體上相同的構造。因此，在根據(jù)本發(fā)明的該實施例的沉 積裝置900中，將主要集中于對掩模930和延伸構件950的解釋。
[0112] 掩模930結合到掩?？蚣?10的上表面，以覆蓋掩?？蚣?10的框架開口 FAP，按 照與圖1中的掩模130相似的方式，掩模930包括與掩模框架110的框架開口 FAP相對應的 第一部分930a、與掩?？蚣?10的上表面接觸的第二部分930b以及結合在第一部分930a 和第二部分930b之間的第三部分930c。然而，掩模930的第一部分930a沿著從沉積材料供 應源160到基板S的方向（例如，在從掩模框架110到掩模930的方向）位于第二部分930b 的下方(例如，位于比第二部分930b低的位置)。
[0113] 延伸構件950布置在掩?？蚣?10的框架開口 FAP的邊緣的至少一部分中，并且 被固定地布置在掩模930的下部上，以堅直移動。延伸構件950可以包括移動墩塊(可以被 稱為墩塊）951、螺釘952、電機953和電機支撐部954。
[0114] 移動墩塊951可以向下堅直移動，并且在移動墩塊951固定到掩模930的狀態(tài)下 在水平方向上拉伸掩模930 (或者使掩模130在水平方向上延伸）。移動墩塊951可以按照 與圖3中的延伸構件150、圖13中的延伸構件250、圖14中的延伸構件350、圖15中的延伸 構件450、圖16中的延伸構件550、圖17中的延伸構件650和/或圖18中的延伸構件750 的布置方式基本上相同的布置方式來布置。另外，移動墩塊951可以具有形式與例如在圖4 到圖12中示出的延伸構件150、150a、150b、150c、150d、150e、150f、150g或150h的接觸部 分中的任意一種或者它們的組合的形式基本相同的接觸部分。
[0115] 移動墩塊951可以在它固定到掩模930的下部之前被布置在掩?？蚣?10的框架 開口 FAP的邊緣的至少一部分的下部。移動墩塊951可以向上堅直地移動，以被固定到掩 模930的下部，移動墩塊951可以利用螺釘固定到掩模930。
[0116] 螺釘952結合到移動墩塊951，并且在電機953的作用下旋轉，以使移動墩塊951 向上或向下堅直移動。在示例中，螺釘952的數(shù)量可以與移動墩塊951的數(shù)量相同，而為了 精確的控制，螺釘952的數(shù)量可以比移動墩塊951的數(shù)量多。
[0117] 電機953結合到螺釘952,并且產(chǎn)生用于使螺釘952旋轉的動力。電機953的數(shù)量 可以與螺釘952的數(shù)量相同。電機953的驅動可以通過獨立的控制部控制。
[0118] 電機支撐部954位于電機953的下部上，以支撐電機953。
[0119] 雖然圖21示出了延伸構件950包括移動墩塊951、螺釘952、電機953和電機支撐 部954,但是延伸構件可以由使用提升銷的移動構件或包括線性引導件和螺釘?shù)囊苿訕嫾?以及/或者類似物組成。
[0120] 在使用上述延伸構件950使掩模930在水平方向上延伸的情況下，多個掩模開口 (見圖2中的MAP)之間的間距可以改變(例如，變成扭曲)，并且考慮到這種變化(例如，扭 曲)，多個掩模開口 MAP可以在多個掩模開口 MAP之間的間距被調整的狀態(tài)下被初始地形成 在掩模930上。另外，延伸構件950可以被控制為在多個掩模開口 MAP之間的間距的變化 (例如，扭曲）所允許的范圍(例如，可接受的范圍）內在水平方向上拉伸掩模930 (或者使掩 模130在水平方向上延伸）。
[0121] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明又一實施例的沉積裝置900,通過將延伸構件950固定地布 置在掩?？蚣?10的框架開口 FAP的邊緣的至少一部分中并使延伸構件950向下移動從而 延伸構件950與掩模930接觸并按壓掩模930的下部，可以通過下述方式在水平方向上拉 伸掩模930 :將掩模930的第一部分930a設置得比掩模930的第二部分930b距離掩?？?架110的上表面遠，即，通過將第一部分930a在從掩模框架110到掩模930所指向的方向 上設置得比第二部分930b低。
[0122] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置900可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板S 的掩模930在沉積過程中下垂，由此可以防止發(fā)生陰影效應。當在將沉積材料沉積在基板S 上的同時由于掩模930的下垂導致形成的膜圖案的尺寸比期望的膜圖案大或小時，會發(fā)生 這種效應。
[0123] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置900可以防止因掩模930下垂而發(fā)生的在基 板S上的劣等沉積，并且在使用該沉積方法制造有機發(fā)光顯示裝置的情況下，沉積裝置能 夠解決當有機發(fā)光顯示裝置發(fā)光時的顏色混合等問題。
[0124] 接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的沉積裝置1000。
[0125] 圖22是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的沉積裝置的剖視圖。
[0126] 參照圖22,根據(jù)本發(fā)明的實施例的沉積裝置1000可以安裝在沉積室(例如，氣相 沉積室)中，并且可以包括掩模框架110、框架支撐件120、掩模930、傳送部分140、延伸構件 1050和沉積材料供應源160。
[0127] 除了掩模930和延伸構件1050外，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置1000具有與圖1 中的沉積裝置100的構造大體上相同的構造。因此，針對于根據(jù)本發(fā)明該實施例的沉積裝 置1000,將主要集中于對掩模930和延伸構件1050的解釋。
[0128] 掩模930結合到掩?？蚣?10的上表面，以覆蓋掩?？蚣?10的框架開口 FAP，按 照與圖1中的掩模130相似的方式，掩模930包括與掩?？蚣?10的框架開口 FAP相對應 的第一部分930a、與掩?？蚣?10的上表面接觸的第二部分930b以及在第一部分930a和 第二部分930b之間結合(例如，連接)的第三部分930c。然而，掩模930的第一部分930a沿 著從沉積材料供應源160到基板S的方向（例如，在從掩模框架110到掩模930的方向）位 于第二部分930b的下方(例如，位于比第二部分930b低的位置)。
[0129] 延伸構件1050布置在掩?？蚣?10的框架開口 FAP的邊緣的至少一部分中，并且 布置在掩模930的上部上，以向下移動。延伸構件1050可以由能夠被按壓的按壓墩塊(或 者可以稱為墩塊）組成。
[0130] 組成延伸構件1050的按壓墩塊1051可以向下堅直移動，并且在按壓墩塊1051隨 著對掩模930進行按壓通過與掩模930接觸而在水平方向上拉伸掩模930(或者使掩模130 在水平方向上延伸）。延伸構件1050可以按照與圖3中的延伸構件150、圖13中的延伸構件 250、圖14中的延伸構件350、圖15中的延伸構件450、圖16中的延伸構件550、圖17中的 延伸構件650和/或圖18中的延伸構件750的布置方式基本上相同的布置方式來布置。另 夕卜，延伸構件1050可以具有形成與例如在圖4到圖12中示出的延伸構件150、150a、150b、 150c、150d、150e、150f、150g或150h的接觸部分中的任意一種或者它們的組合的形式基本 相同的接觸部分。
[0131] 雖然未示出，但是由按壓墩塊組成的延伸構件1050還可以包括螺釘和電機，以向 下移動。
[0132] 另外，在使用上述延伸構件1050使掩模930在水平方向上延伸的情況下，多個掩 模開口（見圖2中的MAP)之間的間距可以改變(例如，變得扭曲），并且考慮到這種變化(例 如，扭曲)，多個掩模開口 MAP可以在多個掩模開口 MAP之間的間距被調整的狀態(tài)下被初始 地形成在掩模930上。另外，延伸構件1050可以被控制為在多個掩模開口 MAP之間的間距 的變化(例如，扭曲）所允許的范圍(例如，可接受的范圍）內在水位方向上拉伸掩模930。
[0133] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明又一實施例的沉積裝置900,通過將延伸構件1050布置在 掩?？蚣?10的框架開口 FAP的邊緣的至少一部分中并使延伸構件1050向下移動從而延 伸構件1050與掩模930接觸并按壓掩模930的下部，可以通過將掩模930的第一部分930a 設置得比掩模930的第二部分930b距離掩?？蚣?10的上表面遠而在水平方向上拉伸掩 模930，即，通過將第一部分930a在從掩模框架110到掩模930所指向的方向上設置得比第 二部分930b低而在水平方向上拉伸掩模930。
[0134] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置1000可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板S 的掩模930在沉積過程中下垂，由此可以防止發(fā)生陰影效應。在將沉積材料沉積在基板S 上的同時由于掩模930的下垂導致形成尺寸比期望的膜圖案大或小的膜圖案時，會發(fā)生這 種效應。
[0135] 因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積裝置1000可以防止因掩模930的下垂而發(fā)生的在 基板S上的劣等沉積，并且在使用該沉積方法制造有機發(fā)光顯示裝置的情況下，沉積裝置 能夠解決當有機發(fā)光顯示裝置發(fā)光時的顏色混合等問題。
[0136] 接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的應用于沉積裝置900或1000的掩模組 件。
[0137] 圖23是根據(jù)本發(fā)明另一示例實施例的應用于沉積裝置的掩模組件的剖視圖。
[0138] 參照圖23,根據(jù)本發(fā)明的實施例的應用于沉積裝置900或1000的掩模組件20包 括掩?？蚣?10和掩模930。
[0139] 掩?？蚣?10支撐掩模930,并且通過焊接結合到掩模930。掩?？蚣?10可以形 成為在通過掩模930在基板S上沉積沉積材料時不干擾沉積的結構。例如，掩?？蚣?10 中可以具有框架開口 FAP，并且掩?？蚣?10可以為帶狀。
[0140] 掩模930結合到掩模框架110的上表面，以覆蓋掩?？蚣?10的框架開口 FAP。掩 模930可以包括與掩模框架110的框架開口 FAP相對應的第一部分930a、與掩模框架110 的上表面接觸的第二部分930b以及結合在第一部分130a和第二部分130b之間的第三部 分930c。在該示例中，由于圖21或圖22中的延伸構件950或1050向下堅直移動，而在水 平方向上拉伸掩模930,因此第一部分930a可以在從掩?？蚣?10到掩模930的方向上位 于第二部分930b下方(例如，位于比第二部分930b低的位置)，結合在第一部分930a或第二 部分930b與第三部分930c之間的連接部分可以是彎曲的。另外，第三部分930c可以在延 伸構件950或1050的作用下在水平方向上延伸，第三部分930c可以具有比第一部分930a 的厚度和第二部分930b的厚度薄的厚度。
[0141] 通過對詳細的描述進行總結，本領域技術人員將理解的是，在總體上不脫離本發(fā) 明的原理的情況下，可以對優(yōu)選實施例進行許多變形和修改。因此，本發(fā)明的公開實施例僅 是以一般的且描述性的意思來使用，其目的并不在于限制。相反，本發(fā)明將由權利要求及其 等同物限定。
【權利要求】
1. 一種沉積裝置，所述沉積裝置包括： 掩?？蚣?，具有框架開口； 掩模，結合到掩?？蚣艿纳媳砻娌⑶冶粯嬙鞛楦采w框架開口； 延伸構件，被布置在框架開口的邊緣的至少一部分上，并且被構造為從掩模框架的上 表面突出并使掩模的與框架開口相對應的第一部分的堅直距離比掩模的與掩?？蚣艿纳?表面接觸的第二部分的堅直距離大，每個堅直距離均是從掩模框架的上表面測量的。
2. 如權利要求1所述的沉積裝置，其中，第一部分沿從掩?？蚣艿窖谀５姆较蛭挥诘?二部分上方。
3. 如權利要求1所述的沉積裝置，其中，延伸構件包括在框架開口中沿框架開口的邊 緣布置的一個墩塊。
4. 如權利要求1所述的沉積裝置，其中，延伸構件包括與掩模接觸的接觸部分，接觸部 分的橫截面具有多邊形、半球形、半橢圓形或它們的組合的形狀。
5. 如權利要求1所述的沉積裝置，其中，掩模包括結合在第一部分和第二部分之間的 第三部分，延伸構件包括與掩模的第一部分接觸的接觸部分，在第一部分和第三部分彼此 接觸的部分與接觸部分的側表面之間形成有間隙。
6. 如權利要求1所述的沉積裝置，其中，框架開口呈具有四個邊的矩形平面的形狀，延 伸構件包括被布置在所述四個邊中的至少一個邊上的墩塊。
7. 如權利要求1所述的沉積裝置，其中，框架開口呈具有四個邊的矩形平面的形狀，延 伸構件包括在所述四個邊中的至少一個邊上劃分的多個墩塊，所述多個墩塊被布置為彼此 接觸或彼此分隔開。
8. 如權利要求1所述的沉積裝置，所述沉積裝置還包括： 傳送部分，布置在與掩模的上表面分隔開的上部上并且被構造為使基板布置在掩模的 上表面上； 沉積材料供應源，布置在與掩模的下表面隔開的下部上并且被構造為通過掩模將沉積 材料供應到基板。
9. 一種沉積裝置，所述沉積裝置包括： 掩?？蚣?，具有框架開口； 掩模，結合到掩模框架的上表面并且覆蓋框架開口； 延伸構件，被布置在框架開口的邊緣的至少一部分的下部或上部，并且被構造為相應 地移動到所述上部或所述下部并使掩模的與框架開口相對應的第一部分的堅直距離比掩 模的與掩?？蚣艿纳媳砻娼佑|的第二部分的堅直距離大，每個堅直距離均是從掩?？蚣艿?上表面測量的。
10. 如權利要求9所述的沉積裝置，其中，第一部分沿從掩?？蚣艿窖谀５姆较蛭挥诘?二部分上方。
11. 如權利要求9所述的沉積裝置，其中，第一部分沿從掩?？蚣艿窖谀５姆较蛭挥诘?二部分下方。
12. 如權利要求9所述的沉積裝置，其中，延伸構件包括在框架開口中沿框架開口的邊 緣布置的一個墩塊。
13. 如權利要求9所述的沉積裝置，其中，延伸構件包括與掩模接觸的接觸部分，接觸 部分的橫截面具有多邊形、半球形、半橢圓形或它們的組合的形狀。
14. 如權利要求9所述的沉積裝置，其中，掩模包括結合在第一部分和第二部分之間的 第三部分，延伸構件包括與掩模的第一部分接觸的接觸部分，在第一部分和第三部分彼此 接觸的部分與接觸部分的側表面之間形成有間隙。
15. 如權利要求9所述的沉積裝置，其中，框架開口呈具有四個邊的矩形平面的形狀， 延伸構件包括被布置在所述四個邊中的至少一個邊上的墩塊。
16. 如權利要求9所述的沉積裝置，其中，框架開口呈具有四個邊的矩形平面的形狀， 延伸構件包括在所述四個邊中的至少一個邊上劃分的多個墩塊，所述多個墩塊被布置為彼 此接觸或彼此分隔開。
17. 如權利要求9所述的沉積裝置，所述沉積裝置還包括： 傳送部分，布置在與掩模的上表面分隔開的上部上并且被構造為使基板布置在掩模的 上表面上； 沉積材料供應源，布置在與掩模的下表面分隔開的下部上并且被構造為通過掩模將沉 積材料供應到基板。
18. -種掩模組件，所述掩模組件包括： 掩?？蚣?，具有框架開口； 掩模，結合到掩?？蚣艿纳媳砻娌⑶腋采w框架開口，掩模包括與框架開口相對應的第 一部分、與掩?？蚣艿纳媳砻娼佑|的第二部分以及結合在第一部分和第二部分之間并且厚 度比第一部分和第二部分的厚度薄的第三部分。
19. 如權利要求18所述的掩模組件，其中，第一部分沿從掩?？蚣艿窖谀５姆较蛭挥?第二部分上方。
20. 如權利要求18所述的掩模組件，其中，第一部分沿從掩?？蚣艿窖谀５姆较蛭挥?第二部分下方。
【文檔編號】H01L51/56GK104099561SQ201310475755
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年10月12日 優(yōu)先權日:2013年4月9日
【發(fā)明者】韓政洹 申請人:三星顯示有限公司