一種顯示基板和含有該顯示基板的柔性顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示基板、柔性顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板上的易損構(gòu)件可靠性差的問題。本發(fā)明的顯示基板，包括：基板和設(shè)置在該基板上的易損構(gòu)件，還包括設(shè)于所述的基板和所述的易損構(gòu)件之間的應(yīng)力吸收層；所述的易損構(gòu)件在基板上的投影不超出所述的應(yīng)力吸收層在基板上的投影區(qū)域；所述基板的部分位置沒有所述應(yīng)力吸收層。本發(fā)明的顯示基板、柔性顯示裝置具有應(yīng)力吸收層，在彎曲時產(chǎn)生的應(yīng)力可通過應(yīng)力吸收層之間的空隙進(jìn)行分散，保護(hù)易損構(gòu)件不受損壞，從而提高顯示基板和柔性顯示裝置的可靠性。
【專利說明】一種顯示基板和含有該顯示基板的柔性顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種顯示基板，含有該顯示基板的柔性顯示
裝直。
【背景技術(shù)】
[0002]柔性顯示技術(shù)是近幾年比較熱門的前瞻技術(shù)，柔性顯示裝置具有輕薄、可彎曲甚至卷曲、機(jī)械性能好的特點，越來越受到人們的重視。柔性顯示裝置包括顯示基板，顯示基板包括基板和位于基板上的結(jié)構(gòu)，基板為柔性基板，如聚酰亞胺(PI)基板，聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板，不銹鋼基板等，相比于普通玻璃基板，柔性基板具有可彎折的特性，而這就對器件的可靠性，尤其是易損構(gòu)件提出更高的要求。
[0003]隨著彎折次數(shù)的增加，彎折時產(chǎn)生應(yīng)力的聚集，使柔性顯示裝置的柔性基板上的各種易損構(gòu)件容易發(fā)生損壞。例如，作為易損構(gòu)件的薄膜晶體管(TFT)結(jié)構(gòu)由于彎折時應(yīng)力的聚集，可能導(dǎo)致膜層斷裂，勢必會對TFT性能產(chǎn)生影響，從而影響柔性顯示裝置的可靠性。因此，避免易損構(gòu)件被應(yīng)力破壞對柔性顯示裝置的可靠性至關(guān)重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板上的易損構(gòu)件可靠性差的問題，提供一種增強(qiáng)易損構(gòu)件可靠性的顯示基板。
[0005]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板，包括:基板和設(shè)置在該基板上的易損構(gòu)件，還包括設(shè)于所述的基板和所述的易損構(gòu)件之間的應(yīng)力吸收層；
[0006]所述的易損構(gòu)件在基板上的投影不超出所述的應(yīng)力吸收層在基板上的投影區(qū)域。
[0007]優(yōu)選的是，所述的易損構(gòu)件在基板上的投影與所述的應(yīng)力吸收層在基板上的投影重合。
[0008]優(yōu)選的是，所述的應(yīng)力吸收層的厚度為200nm-400nm。
[0009]優(yōu)選的是，所述的應(yīng)力吸收層的材料為氮化硅或氧化硅。
[0010]優(yōu)選的是，在所述的基板和所述的易損構(gòu)件之間還設(shè)有緩沖層。
[0011]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述的應(yīng)力吸收層設(shè)于所述的緩沖層與基板之間，所述的易損構(gòu)件設(shè)于所述的緩沖層上。
[0012]優(yōu)選的是，所述的緩沖層設(shè)于所述的應(yīng)力吸收層與所述的基板之間，所述的易損構(gòu)件設(shè)于所述的應(yīng)力吸收層上。
[0013]優(yōu)選的是，所述的緩沖層的材料為氮化硅或氧化硅。
[0014]優(yōu)選的是，所述的易損構(gòu)件包括薄膜晶體管、柵極線、數(shù)據(jù)線中的一種或幾種。
[0015]本發(fā)明的另一個目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中柔性顯示裝置的易損構(gòu)件可靠性差的問題，提供一種柔性顯示裝置，所述的柔性顯示裝置包括上述的顯示基板。
[0016]優(yōu)選的是，所述柔性顯示裝置為柔性有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
[0017]本發(fā)明的顯示基板和柔性顯示裝置由于只在易損構(gòu)件的下方設(shè)有應(yīng)力吸收層，而在其他位置沒有應(yīng)力吸收層，因此在彎曲時產(chǎn)生的應(yīng)力可通過應(yīng)力吸收層之間的空隙進(jìn)行分散，避免易損構(gòu)件處(即應(yīng)力吸收層處)產(chǎn)生應(yīng)力集中，由此保護(hù)易損構(gòu)件(例如TFT)不受損壞，從而提高顯示基板和柔性顯示裝置的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明實施例1中顯示基板制備應(yīng)力吸收層后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖2為本發(fā)明實施例1中顯示基板制備緩沖層后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖3為本發(fā)明實施例1中顯示基板制備TFT后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖4為本發(fā)明實施例2中顯不基板制備應(yīng)力吸收層后的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0022]圖5為本發(fā)明實施例2中顯示基板制備緩沖層后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖6為本發(fā)明實施例2中顯示基板制備TFT后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]其中:1.基板；2.緩沖層；3.應(yīng)力吸收層；4.柵極絕緣層；5.刻蝕阻擋層；6.平坦化層；7.氧化鋼錫層；8.棚極；9.有源層；10.源漏極。
【具體實施方式】
[0025]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0026]本發(fā)明提供一種顯示基板，包括:基板和設(shè)置在該基板上的易損構(gòu)件，還包括設(shè)于所述的基板和所述的易損構(gòu)件之間的應(yīng)力吸收層；所述的易損構(gòu)件在基板上的投影不超出所述的應(yīng)力吸收層在基板上的投影區(qū)域；所述基板的部分位置沒有所述應(yīng)力吸收層。
[0027]其中，所述的基板可以為聚酰亞胺(PI)基板，聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板，不銹鋼基板中一種；所述的易損構(gòu)件為薄膜晶體管、柵極線、數(shù)據(jù)線中的一種或幾種。
[0028]優(yōu)選的是，所述的易損構(gòu)件在基板上的投影與所述的應(yīng)力吸收層在基板上的投影重合。
[0029]優(yōu)選的是，所述的應(yīng)力吸收層的厚度為200nm_400nm。
[0030]優(yōu)選的是，所述的應(yīng)力吸收層的材料為氮化硅或氧化硅。
[0031]優(yōu)選的是，在所述的基板和所述的易損構(gòu)件之間還設(shè)有緩沖層。
[0032]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述的應(yīng)力吸收層設(shè)于所述的緩沖層與基板之間，所述的易損構(gòu)件設(shè)于所述的緩沖層上。
[0033]優(yōu)選的是，所述的緩沖層設(shè)于所述的應(yīng)力吸收層與所述的基板之間，所述的易損構(gòu)件設(shè)于所述的應(yīng)力吸收層上。
[0034]優(yōu)選的是，所述的緩沖層的材料為氮化硅或氧化硅。
[0035]本發(fā)明還提供一種柔性顯示裝置，所述的柔性顯示裝置包括上述的顯示基板。
[0036]優(yōu)選的是，所述柔性顯示裝置為柔性有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
[0037]實施例1
[0038]如圖1-3所示，本實施例提供一種顯示基板，包括:聚酰亞胺(PI)基板I和設(shè)置在該P(yáng)I基板上的TFT (易損構(gòu)件)，在所述的PI基板I和所述的TFT之間設(shè)有應(yīng)力吸收層3 ；所述的應(yīng)力吸收層3是經(jīng)過圖形化處理的，即對應(yīng)力吸收層3采用與TFT形狀相對應(yīng)的掩膜板進(jìn)行圖形化處理。[0039]如圖3所示，所述的TFT在PI基板I上的投影不超出所述的應(yīng)力吸收層3在PI基板I上的投影區(qū)域，優(yōu)選的，所述的TFT在基板上的投影與所述的應(yīng)力吸收層3在基板上的投影重合，即所述的應(yīng)力吸收層3只在TFT的下方設(shè)置，其它部分沒有設(shè)置。因此在彎曲時產(chǎn)生的應(yīng)力可通過應(yīng)力吸收層3之間的空隙進(jìn)行分散，避免TFT處(即應(yīng)力吸收層3處)產(chǎn)生應(yīng)力集中，由此保護(hù)TFT不受損壞，從而提高顯示基板和柔性顯示裝置的可靠性。
[0040]優(yōu)選的，所述的應(yīng)力吸收層3的厚度為200nm-400nm，實驗發(fā)現(xiàn)在該厚度范圍的應(yīng)力吸收層3更合適，太薄無法起到吸收應(yīng)力的作用，太厚了影響其它功能層的制作并且浪費(fèi)材料。
[0041]優(yōu)選的，所述的應(yīng)力吸收層3的材料為氮化硅或氧化硅，實驗發(fā)現(xiàn)氮化硅或氧化硅制作的應(yīng)力吸收層3其應(yīng)力吸收效果更為明顯。
[0042]優(yōu)選的，如圖2所示，在所述的應(yīng)力吸收層3上方設(shè)有緩沖層2，所述的緩沖層2也能部分吸收彎折產(chǎn)生的應(yīng)力；如圖3所示，所述的TFT設(shè)置于該緩沖層2上。
[0043]優(yōu)選的，所述的緩沖層2的采用氮化硅或氧化硅制備，例如，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備。
[0044]可以理解的是，本實施例中的TFT也可以是柵極線、數(shù)據(jù)線中的一種或幾種，當(dāng)然，只要是在柔性顯示裝置彎折時易于損壞的器件都可以適用。
[0045]上述的顯示基板按以下步驟制作:
[0046]步驟1，制備應(yīng)力吸收層。
[0047]在PI基板I上沉積應(yīng)力吸收層3，該應(yīng)力吸收層3為采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅獲得，沉積條件為:溫度350°C，NH3/SiH4=8: 1，總氣體流量為4320sCCm，壓力為170Pa，沉積時間為2100s，得到厚度為200nm的應(yīng)力吸收層3。當(dāng)然也可以調(diào)整沉積時間等參數(shù)，使應(yīng)力吸收層3的厚度在200nm-400nm之間。
[0048]對沉積得到的應(yīng)力吸收層3采用與易損構(gòu)件形狀相對應(yīng)的掩膜板進(jìn)行圖形化處理，本實施例中易損構(gòu)件為TFT，當(dāng)然也可以為其它需要保護(hù)的器件，例如數(shù)據(jù)線、柵極線等。具體的圖形化處理方法為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再一一贅述。
[0049]這樣就能獲得如圖1所示的圖形化的應(yīng)力吸收層3。
[0050]步驟2，制備緩沖層。
[0051]在完成步驟I的PI基板I上，緩沖層2為采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅獲得，沉積條件為:溫度350°C，NH3/SiH4=8: 1，總氣體流量為4320sCCm，壓力為170Pa，沉積時間為1800s，得到厚度為150nm的緩沖層2。
[0052]該緩沖層2將聚酰亞胺PI基板I整面覆蓋，獲得如圖2所示的PI基板I。
[0053]上述的緩沖層2起到如下作用:將基板I表面平坦化；使器件與基板I更好的結(jié)合；阻隔水、氧氣，保證器件性能。
[0054]步驟3，制備其它必要功能層。
[0055]在步驟2的PI基板I上制作其它必要功能層，如圖3所示的柵極絕緣層4、刻蝕阻擋層5、平坦化層6、氧化銦錫層7、柵極8、有源層9、源漏極10。上述功能層的制作為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再一一贅述。形成TFT以及其它必要的器件，從而完成柔性顯示基板制作，得到如圖3所示的顯示基板，其中，只在TFT (易損構(gòu)件)的下方保留應(yīng)力吸收層3 (圖形化處理獲得)，即TFT (易損構(gòu)件)在PI基板I上的投影位于所述的應(yīng)力吸收層3在PI基板I上的投影區(qū)域內(nèi)。當(dāng)然，也可以使TFT (易損構(gòu)件)在PI基板I上的投影與所述的應(yīng)力吸收層3在PI基板I上的投影相重合，主要取決于掩膜板的形狀，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以通過控制掩膜板的形狀，獲得應(yīng)力吸收層3的形狀。
[0056]本實施例制備的具有應(yīng)力吸收層3顯示基板，在彎曲時產(chǎn)生的應(yīng)力可通過應(yīng)力吸收層3之間的空隙進(jìn)行分散，保護(hù)TFT (例如易損構(gòu)件)不受損壞，從而提高顯示基板的可靠性。
[0057]實施例2
[0058]如圖4-6所示，本實施例提供一種顯示基板，包括:聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板I和設(shè)置在該P(yáng)ET基板I上的TFT (易損構(gòu)件)，在所述的PET基板I和所述的TFT之間設(shè)有應(yīng)力吸收層3 ;所述的應(yīng)力吸收層3是經(jīng)過圖形化處理的，即對應(yīng)力吸收層3采用與TFT (易損構(gòu)件)形狀相對應(yīng)的掩膜板進(jìn)行圖形化處理。
[0059]如圖6所示，所述的TFT在PET基板I上的投影不超出所述的應(yīng)力吸收層3在PET基板I上的投影區(qū)域，優(yōu)選的，所述的易損構(gòu)件在基板上的投影與所述的應(yīng)力吸收層3在基板上的投影重合。所述PI基板的部分位置沒有所述應(yīng)力吸收層3，即所述的應(yīng)力吸收層3只在TFT的下方設(shè)置，其它部分沒有。因此在彎曲時產(chǎn)生的應(yīng)力可通過應(yīng)力吸收層3之間的空隙進(jìn)行分散，避免TFT處(即應(yīng)力吸收層3處)產(chǎn)生應(yīng)力集中，由此保護(hù)TFT不受損壞，從而提高顯示基板和柔性顯示裝置的可靠性。
[0060]優(yōu)選的，所述的應(yīng)力吸收層3的厚度為200nm-400nm，實驗發(fā)現(xiàn)在該厚度范圍的應(yīng)力吸收層3更合適，太薄無法起到吸收應(yīng)力的作用，太厚了影響其它功能層的制作并且浪費(fèi)材料。
[0061]優(yōu)選的，所述的應(yīng)力吸收層3的材料為氮化硅或氧化硅，實驗發(fā)現(xiàn)氮化硅或氧化硅制作的應(yīng)力吸收層3其應(yīng)力吸收效果更為明顯。
[0062]優(yōu)選的，如圖5所示，在所述的應(yīng)力吸收層3下方設(shè)有緩沖層2，所述的緩沖層2也能部分吸收彎折產(chǎn)生的應(yīng)力；如圖6所示，所述的TFT設(shè)置于該應(yīng)力吸收層3上。
[0063]優(yōu)選的，所述的緩沖層2的采用氮化硅或氧化硅制備，例如，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備。
[0064]可以理解的是，本實施例中的TFT也可以是柵極線、數(shù)據(jù)線中的一種或幾種，當(dāng)然，只要是在柔性顯示裝置彎折時易于損壞的器件都可以適用。
[0065]上述的顯示基板按以下步驟制作:
[0066]步驟I，制備緩沖層。
[0067]在PET基板I上采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氧化硅獲得緩沖層2。沉積條件為:溫度350°C，NH3/SiH4=8: 1，總氣體流量為4320sccm，壓力為170Pa，沉積時間為2000s得到厚度為200nm的緩沖層2。
[0068]該緩沖層2將PET基板I整面覆蓋，獲得如圖4所示的PET基板I。
[0069]上述的緩沖層2起到如下作用:將基板I表面平坦化；使器件與基板I更好的結(jié)合；阻隔水、氧氣，保證器件性能。
[0070]步驟2，制備應(yīng)力吸收層。
[0071]在完成步驟I的PET基板I上沉積應(yīng)力吸收層3，該應(yīng)力吸收層3為采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氧化硅獲得，沉積條件為:溫度350°C，NH3/SiH4=8: I，總氣體流量為4320sCCm，壓力為170Pa，沉積時間為4200s得到厚度為400nm的應(yīng)力吸收層3。當(dāng)然也可以調(diào)整沉積時間等參數(shù)，使應(yīng)力吸收層3的厚度在200nm-400nm之間。
[0072]對沉積得到的應(yīng)力吸收層3采用與TFT形狀相對應(yīng)的掩膜板進(jìn)行圖形化處理，本實施例中易損構(gòu)件為TFT，當(dāng)然也可以為其它需要保護(hù)的器件，例如數(shù)據(jù)線、柵極線等。具體的圖形化處理方法為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再一一贅述。
[0073]這樣就能獲得如圖5所示的圖形化的應(yīng)力吸收層3。
[0074]步驟3，制備其它必要功能層。
[0075]在步驟2的PET基板I上制作其它必要功能層，如圖6所示的柵極絕緣層4、刻蝕阻擋層5、平坦化層6、氧化銦錫層7、柵極8、有源層9、源漏極10。上述功能層的制作為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再一一贅述。形成TFT以及其它必要的器件，從而完成柔性顯示基板制作，得到如圖3所示的顯示基板，其中，只在TFT (易損構(gòu)件)的下方保留應(yīng)力吸收層3 (圖形化處理獲得)，即TFT (易損構(gòu)件)在PET基板I上的投影位于所述的應(yīng)力吸收層3在PET基板I上的投影區(qū)域內(nèi)。當(dāng)然，也可以使TFT (易損構(gòu)件)在PET基板I上的投影與所述的應(yīng)力吸收層3在PET基板I上的投影相重合，主要取決于掩膜板的形狀，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以通過控制掩膜板的形狀，獲得應(yīng)力吸收層3的形狀。
[0076]本實施例制備的具有應(yīng)力吸收層3的顯示基板，在彎曲時產(chǎn)生的應(yīng)力可通過應(yīng)力吸收層3之間的空隙進(jìn)行分散，保護(hù)TFT (例如易損構(gòu)件)不受損壞，從而提高顯示基板的
可靠性。
[0077]實施例3
[0078]本實施例提供一種柔性顯示裝置，該柔性顯示裝置包括上述顯示基板和其它必要組件。優(yōu)選地，所述柔性顯示裝置為柔性有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
[0079]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示基板，包括:基板和設(shè)置在該基板上的易損構(gòu)件，其特征在于，還包括設(shè)于所述的基板和所述的易損構(gòu)件之間的應(yīng)力吸收層； 所述的易損構(gòu)件在基板上的投影不超出所述的應(yīng)力吸收層在基板上的投影區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述的易損構(gòu)件在基板上的投影與所述的應(yīng)力吸收層在基板上的投影重合。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述的應(yīng)力吸收層的厚度為200nm-400nmo
4.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述的應(yīng)力吸收層的材料為氮化硅或氧化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，在所述的基板和所述的易損構(gòu)件之間還設(shè)有緩沖層。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述的應(yīng)力吸收層設(shè)于所述的緩沖層與基板之間，所述的易損構(gòu)件設(shè)于所述的緩沖層上。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述的緩沖層設(shè)于所述的應(yīng)力吸收層與所述的基板之間，所述的易損構(gòu)件設(shè)于所述的應(yīng)力吸收層上。
8.如權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述的緩沖層的材料為氮化硅或氧化硅。
9.如權(quán)利要求1-8任一所述的顯示基板，其特征在于，所述的易損構(gòu)件包括薄膜晶體管、柵極線、數(shù)據(jù)線中的一種或幾種。
10.一種柔性顯示裝置，其特征在于，所述的柔性顯示裝置包括:如權(quán)利要求1-8任一所述的顯示基板。
11.如權(quán)利要求10所述的柔性顯示裝置，其特征在于，所述柔性顯示裝置為柔性有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
【文檔編號】H01L27/32GK103489880SQ201310475753
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月12日
【發(fā)明者】石領(lǐng), 李云飛, 永山和由 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司