一種器件隔離的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種器件隔離的方法，包括以下步驟，步驟一，在晶圓正面的兩個參雜區(qū)域之間進(jìn)行淺溝槽隔離，在晶圓正面進(jìn)行金屬互連；步驟二，對已完成金屬互連的晶圓背面進(jìn)行減薄處理；步驟三，在進(jìn)行減薄處理后的晶圓背面刻蝕出溝槽；步驟四，在晶圓背面刻蝕出的溝槽中填充隔離物質(zhì)。在硅襯底背面蝕刻溝槽，可以減少在晶圓正面刻蝕深溝槽造成的等離子體損傷，同時又能保證器件的隔離的效果。
【專利說明】—種器件隔離的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種器件隔離的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)由P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)和N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)構(gòu)成，因?yàn)樾枰獙MOS和NMOS同時形成在同一硅襯底上，故需要對其進(jìn)行隔離?，F(xiàn)有的隔離技術(shù)有L0C0S，STI，但是由于器件隔離的要求越來越高，正逐漸形成了深溝槽填充的新技術(shù)(DTI, deep trench isolation),因?yàn)樾枰g刻深溝槽,工藝難度較高，且會因更多的等離子體損傷，造成器件性能降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種簡單的、減少等離子體損傷、提高器件性能的器件隔離方法。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種器件隔離的方法，包括以下步驟，
[0005]步驟一，在晶圓正面的兩個參雜區(qū)域之間進(jìn)行淺溝槽隔離，在晶圓正面進(jìn)行金屬互連；
[0006]步驟二，對已完成金屬互連的晶圓背面進(jìn)行減薄處理；
[0007]步驟三，在進(jìn)行減薄處理后的晶圓背面刻蝕出溝槽；
[0008]步驟四，在晶圓背面刻蝕出的溝槽中填充隔離物質(zhì)。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:在硅襯底背面蝕刻溝槽，可以減少在晶圓正面刻蝕深溝槽造成的等離子體損傷，同時又能保證器件的隔離的效果。
[0010]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
[0011]進(jìn)一步，對已完成金屬互連的晶圓背面進(jìn)行減薄的厚度為200?300微米。
[0012]進(jìn)一步，所述步驟三中，在進(jìn)行減薄處理后的晶圓背面刻蝕溝槽的位置與晶圓正面的淺溝槽的位置相對應(yīng)，且所述晶圓背面刻蝕的溝槽與晶圓正面的淺溝槽相連。
[0013]進(jìn)一步，所述步驟四中，在晶圓背面刻蝕的溝槽中填充的隔離物質(zhì)為二氧化硅。
[0014]進(jìn)一步，對已完成金屬連線的硅晶圓背面進(jìn)行減薄處理所采用的方法為濕法刻蝕、研磨、化學(xué)機(jī)械研磨其中的一種或幾種方法的組合。
[0015]進(jìn)一步，在進(jìn)行減薄處理后的晶圓背面刻蝕出溝槽的方法采用的是干法刻蝕。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明一種器件隔離的方法的流程圖；
[0017]圖2為本發(fā)明一種器件隔離的方法的器件隔離過程的示意圖。
[0018]附圖中，各標(biāo)號所代表的部件列表如下:
[0019]1、已完成金屬連線的晶圓，2、背面減薄的晶圓，3、完成隔離的晶圓。【具體實(shí)施方式】
[0020]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0021]如圖1所示，一種器件隔離的方法，首先在晶圓正面進(jìn)行淺溝槽隔離，在晶圓正面進(jìn)行金屬互連，所述淺溝溝槽隔離是在0.25um以下，主要采用刻蝕一定深度的溝槽、填充溝槽、化學(xué)機(jī)械拋光平坦化技術(shù)進(jìn)行器件的隔離，所述金屬互連是指在集成電路片上淀積金屬薄膜，并通過光刻技術(shù)形成布線，把互相隔離的元件按一定要求互連成所需電路，在晶圓正面刻蝕的淺溝槽位于晶圓正面的兩個參雜區(qū)之間；然后，減薄晶圓背面，采用濕法蝕亥IJ，研磨，化學(xué)機(jī)械研磨等方法中的一種或幾種方法的組合對已完成金屬連線的晶圓背面進(jìn)行減薄處理，減薄的厚度為200?300微米；接著，在晶圓背面刻蝕溝槽，在進(jìn)行減薄處理后的晶圓背面采用干法刻蝕出溝槽，在晶圓背面刻蝕溝槽的位置與晶圓正面的淺溝槽的位置相對應(yīng)，且所述晶圓背面刻蝕的溝槽與晶圓正面的淺溝槽相連；最后，在晶圓背面溝槽中填充隔離物質(zhì)，所述隔離物質(zhì)為二氧化硅。
[0022]圖2為本發(fā)明一種器件隔離的方法的器件隔離過程的示意圖，在晶圓正面刻蝕淺溝槽，在晶圓正面安裝金屬連線，得到已完成金屬連線的晶圓1，減薄已完成金屬連線的晶圓I的背面，得到背面減薄的晶圓2，在背面減薄的晶圓2的背面刻蝕溝槽，并在溝槽中填充隔離物質(zhì)，得到完成隔離的晶圓3。
[0023]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種器件隔離的方法，其特征在于:包括以下步驟， 步驟一，在晶圓正面的兩個參雜區(qū)域之間進(jìn)行淺溝槽隔離，在晶圓正面進(jìn)行金屬互連； 步驟二，對已完成金屬互連的晶圓背面進(jìn)行減薄處理； 步驟三，在進(jìn)行減薄處理后的晶圓背面刻蝕出溝槽； 步驟四，在晶圓背面刻蝕出的溝槽中填充隔離物質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種器件隔離的方法，其特征在于:所述步驟二中，對已完成金屬互連的晶圓背面進(jìn)行減薄的厚度為200?300微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種器件隔離的方法，其特征在于:所述步驟三中，在進(jìn)行減薄處理后的晶圓背面刻蝕溝槽的位置與晶圓正面的淺溝槽的位置相對應(yīng)，且所述晶圓背面刻蝕的溝槽與晶圓正面的淺溝槽相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種器件隔離的方法，其特征在于:所述步驟四中，在晶圓背面刻蝕的溝槽中填充的隔離物質(zhì)為二氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種器件隔離的方法，其特征在于:對已完成金屬連線的硅晶圓背面進(jìn)行減薄處理所采用的方法為濕法刻蝕、研磨、化學(xué)機(jī)械研磨其中的一種或幾種方法的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種器件隔離的方法，其特征在于:在進(jìn)行減薄處理后的晶圓背面刻蝕出溝槽的方法采用的是干法刻蝕。
【文檔編號】H01L21/762GK103489820SQ201310456375
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】洪齊元, 黃海 申請人:武漢新芯集成電路制造有限公司