隔離型nldmos器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種隔離型NLDMOS器件。
【背景技術(shù)】
[0002]LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)由于具有耐高壓、大電流驅(qū)動(dòng)能力、極低功耗以及可與CMOS集成等優(yōu)點(diǎn)，目前在電源管理電路中被廣泛采用。
[0003]隔離型NLDMOS器件，既具有分立器件高壓大電流特點(diǎn)，又汲取了低壓集成電路高密度智能邏輯控制的優(yōu)點(diǎn)，單芯片實(shí)現(xiàn)原來(lái)多個(gè)芯片才能完成的功能，大大縮小了面積，降低了成本，提高了能效，符合現(xiàn)代電力電子器件小型化，智能化，低能耗的發(fā)展方向。擊穿電壓及導(dǎo)通電阻是衡量隔離型NLDMOS器件的關(guān)鍵參數(shù)。
[0004]現(xiàn)有一種隔離型NLDM0S(N型橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件，元胞(cell)區(qū)縱向截面結(jié)構(gòu)如圖1所示，在P型硅襯底101上形成有左N型深阱102a、右N型深阱102b兩個(gè)獨(dú)立的N型深阱，左N型深阱102a左部形成有P阱104，P阱104左部形成有P型重?fù)诫s區(qū)109及源端N型重?fù)诫s區(qū)108a，P阱104右部、左N型深阱102a右上方形成有柵氧化層106，左N型深阱102a同右N型深阱102b之間的P型硅襯底101上方，及右N型深阱102b左部上方形成有場(chǎng)氧103，右N型深阱102b右部形成有漏端N型重?fù)诫s區(qū)108b，場(chǎng)氧10左部及柵氧化層106上方形成有柵極多晶硅107a，場(chǎng)氧10右部上方形成有漏端多晶硅場(chǎng)板107b，層間介質(zhì)110覆蓋在器件表面，P型重?fù)诫s區(qū)109及源端N型重?fù)诫s區(qū)108a通過(guò)金屬111穿過(guò)層間介質(zhì)110的一金屬111短接在一起，漏端N型重?fù)诫s區(qū)108b同漏端多晶娃場(chǎng)板107b通過(guò)穿過(guò)層間介質(zhì)110的另一金屬111短接在一起，場(chǎng)氧10下方的P型娃襯底101及右N型深阱102b中形成有漂移P型注入?yún)^(qū)105b，P阱104中形成有一源端P型注入?yún)^(qū)105a。圖1所示的隔離型NLDMOS器件，其漂移區(qū)的漂移P型注入?yún)^(qū)105b的注入，能加速漂移區(qū)耗盡，使擊穿器件電壓增加，該種隔離型NLDMOS器件的元胞(cell)擊穿電壓足夠(600V以上)ο
[0005]為實(shí)現(xiàn)隔離型NLDMOS器件高的電流驅(qū)動(dòng)能力，必須通過(guò)終端結(jié)構(gòu)達(dá)到大面積電流，同時(shí)保證元胞(cell)與終端(terminal)都有足夠高的擊穿電壓，但加了終端結(jié)構(gòu)后該種隔離型NLDMOS器件的擊穿電壓會(huì)偏低。做失效分析看到擊穿發(fā)生在元胞區(qū)與終端的過(guò)渡區(qū)。
[0006]現(xiàn)有一種隔離型NLDMOS器件的元胞(cell)區(qū)與終端(terminal)的過(guò)渡區(qū)的一橫向截面局部結(jié)構(gòu)如圖3所示。沿如圖3中切線(xiàn)A的元胞(cell)區(qū)縱向截面結(jié)構(gòu)如圖1所示，沿如圖3中切線(xiàn)B的元胞(cell)區(qū)與終端(terminal)的過(guò)渡區(qū)的一縱向截面結(jié)構(gòu)如圖2所示。由切線(xiàn)A與切線(xiàn)B剖面圖的對(duì)比可以看到，元胞區(qū)與終端的過(guò)渡區(qū)漂移P型注入?yún)^(qū)105b尺寸變化太快，與右N型深阱102b尺寸變化不平衡，會(huì)導(dǎo)致?lián)舸╇妷浩汀?br>
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種的隔離型NLDMOS器件，能在提高電流驅(qū)動(dòng)能力的同時(shí)，提高擊穿電壓。
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的隔離型NLDMOS器件，終端位于元胞區(qū)的上端及下端；
[0009]所述元胞區(qū)，在P型硅襯底上形成有左N型深阱、右N型深阱兩個(gè)獨(dú)立的N型深阱；
[0010]所述左N型深阱，左部形成有一 P阱；
[0011]所述P阱，左部形成有一 P型重?fù)诫s區(qū)及一源端N型重?fù)诫s區(qū)；
[0012]所述P阱右部上方及所述左N型深阱右部上方，形成有柵氧化層；
[0013]所述左N型深阱同所述右N型深阱之間的P型硅襯底上方，及所述右N型深阱左部上方，形成有場(chǎng)氧；
[0014]所述右N型深阱，右部形成有一漏端N型重?fù)诫s區(qū)；
[0015]所述場(chǎng)氧左部上方及所述柵氧化層上方，形成有柵極多晶硅；
[0016]所述場(chǎng)氧下方的P型硅襯底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入?yún)^(qū)；
[0017]所述左N型深阱、右N型深阱、P阱、柵氧化層、場(chǎng)氧、漏端N型重?fù)诫s區(qū)、柵極多晶硅、漂移P型注入?yún)^(qū)，向上下兩端延伸至終端；
[0018]所述終端，其中的右N型深阱的左側(cè)右移，其中的漂移P型注入?yún)^(qū)的左側(cè)右移，并且漂移P型注入?yún)^(qū)整體都在右N型深阱內(nèi)部；
[0019]在元胞區(qū)同終端之間的過(guò)渡區(qū)，右N型深阱的左側(cè)位置為緩變過(guò)渡，漂移P型注入?yún)^(qū)的左側(cè)位置為緩變過(guò)渡。
[0020]較佳的，在元胞區(qū)同終端之間的過(guò)渡區(qū)，右N型深阱的左側(cè)位置為弧線(xiàn)型過(guò)渡；漂移P型注入?yún)^(qū)的左側(cè)位置為弧線(xiàn)型過(guò)渡。
[0021]較佳的，P型硅襯底、P阱、漂移P型注入?yún)^(qū)、P型重?fù)诫s區(qū)，P型摻雜濃度依次增加；
[0022]左N型深阱、右N型深阱的N型摻雜濃度，小于源端N型重?fù)诫s區(qū)、漏端N型重?fù)诫s區(qū)的N型摻雜濃度。
[0023]較佳的，所述場(chǎng)氧右部上方形成有漏端多晶硅場(chǎng)板；
[0024]層間介質(zhì)覆蓋在器件表面；
[0025]所述P型重?fù)诫s區(qū)同所述源端N型重?fù)诫s區(qū)，通過(guò)穿過(guò)層間介質(zhì)的一金屬短接在一起;
[0026]所述漏端N型重?fù)诫s區(qū)同所述漏端多晶硅場(chǎng)板，通過(guò)穿過(guò)層間介質(zhì)的另一金屬短接在一起。
[0027]較佳的，所述P阱中形成有一源端P型注入?yún)^(qū)。
[0028]本發(fā)明的隔離型NLDMOS器件，在元胞區(qū)與終端的過(guò)渡區(qū)，漂移P型注入?yún)^(qū)105b、右N型深阱102b由直角型改為弧線(xiàn)型過(guò)渡，使右N型深阱102b尺寸與漂移P型注入?yún)^(qū)105b尺寸變化相對(duì)緩和，兩者尺寸變化達(dá)到平衡，能在提高電流驅(qū)動(dòng)能力的同時(shí)，提高擊穿電壓。。
【附圖說(shuō)明】
[0029]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面對(duì)本發(fā)明所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1是現(xiàn)有一種隔離型NLDMOS器件元胞區(qū)縱向截面結(jié)構(gòu)圖；
[0031]圖2是現(xiàn)有一種隔離型NLDMOS器件元胞同終端過(guò)渡區(qū)縱向截面結(jié)構(gòu)圖；
[0032]圖3是現(xiàn)有一種隔離型NLDMOS器件元胞與終端的過(guò)渡區(qū)的橫向截面局部結(jié)構(gòu)圖；
[0033]圖4是本發(fā)明的隔離型NLDMOS器件一實(shí)施例終端縱向截面結(jié)構(gòu)圖；
[0034]圖5是本發(fā)明的隔離型NLDMOS器件一實(shí)施例過(guò)渡區(qū)的橫向截面局部結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都