發(fā)光模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種發(fā)光模塊。實(shí)施方式的發(fā)光模塊包括基板、設(shè)置于所述基板上的發(fā)光體、以及包含由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)的第一熒光體及第二熒光體的熒光層。所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰，所述第二熒光體在所述發(fā)光體的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)與所述第一熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)之間的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰。而且，所述第一熒光體的與所述基板垂直的方向上的密度分布具有朝向其兩端中的至少其中一端而增高的密度梯度。
【專利說(shuō)明】發(fā)光模塊
[0001]本申請(qǐng)基于并主張2013年2月21日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)案2013-032644號(hào)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全文以引用的方式并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]實(shí)施方式涉及一種發(fā)光模塊。
【背景技術(shù)】
[0003]多數(shù)作為照明器械的光源而使用的發(fā)光模塊包括藍(lán)色發(fā)光元件、及由該藍(lán)色發(fā)光元件的發(fā)射光而激發(fā)的熒光體，且輸出白色光，該白色光是將藍(lán)色發(fā)光元件發(fā)射的藍(lán)色光及熒光體發(fā)射的更長(zhǎng)的波長(zhǎng)的光進(jìn)行組合所得。而且，理想的是在用于將藍(lán)色光向長(zhǎng)波長(zhǎng)的光轉(zhuǎn)換的熒光體中，使用發(fā)光效率高且伴隨周圍溫度的上升而光束降低小的熒光體。例如，鑒于所述特性，使用發(fā)射黃色光的乾-招-石槽石(Yttrium Aluminium Garnet, YAG)熒光體或發(fā)射紅色光的CASN(CaAlSiN3:Eu)熒光體等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]實(shí)施方式的發(fā)光模塊包括基板、設(shè)置于所述基板上的發(fā)光體、以及包含由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)的第一熒光體及第二熒光體的熒光層。所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰,所述第二突光體在所述發(fā)光體的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)與所述第一熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)之間的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰。而且，所述第一熒光體的與所述基板垂直的方向上的密度分布具有朝向其兩端中的至少其中一端而增高的密度梯度。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0005]圖1(a)、圖1(b)是表示實(shí)施方式的發(fā)光模塊及照明裝置的示意剖面圖。
[0006]圖2(a)、圖2(b)是表示實(shí)施方式的熒光體的特性的曲線圖。
[0007]圖3 (a)、圖3(b)是表示實(shí)施方式的熒光體的分布的示意圖。
[0008]圖4是表示實(shí)施方式的熒光體的溫度特性的曲線圖。
[0009]圖5是表示實(shí)施方式的變形例的發(fā)光模塊的示意剖面圖。
[0010]符號(hào)的說(shuō)明
[0011]3:基板
[0012]3a:基板的上表面
[0013]5:發(fā)光體
[0014]7:擋堤
[0015]9:熒光層
[0016]10、20:發(fā)光模塊
[0017]13:透光性樹脂[0018]15:紅色熒光體
[0019]17:黃色熒光體
[0020]19:中間層
[0021]21:框體
[0022]23:絕緣盒
[0023]30:蓋
[0024]40:電力轉(zhuǎn)換部
[0025]41、42:導(dǎo)線
[0026]50:燈頭
[0027]100:照明裝置
[0028]A、B、C:曲線
[0029]Il:發(fā)光強(qiáng)度
[0030]Ip:紅色熒光體的發(fā)光波峰的相對(duì)強(qiáng)度 [0031]LE:下端
[0032]Nf:密度
[0033]PpP^P3:發(fā)光波峰
[0034]UE:上端
[0035]X:方向
[0036]Ci^a2:吸收波峰
[0037]aE:發(fā)光強(qiáng)度
[0038]λ:波長(zhǎng)
【具體實(shí)施方式】
[0039]實(shí)施方式的發(fā)光模塊包括基板、設(shè)置于所述基板上的發(fā)光體、以及包含由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)的第一熒光體及第二熒光體的熒光層。所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰,所述第二突光體在所述發(fā)光體的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)與所述第一熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)之間的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰。而且，所述第一熒光體的與所述基板垂直的方向上的密度分布具有朝向其兩端中的至少其中一端而增高的密度梯度(density gradient)。
[0040]被用作紅色熒光體的CASN熒光體或SCASN((Sr，Ca)AlSiN3:Eu)熒光體的發(fā)光光譜包含超過(guò)650nm的相對(duì)可見度(relative visibility)低的波帶(waveband),激發(fā)帶的長(zhǎng)波長(zhǎng)端也超過(guò)600nm。也就是，具有吸收相對(duì)可見度高的波長(zhǎng)區(qū)域的光，且發(fā)射相對(duì)可見度低的光的側(cè)面。因此，在包含大量的紅色熒光體的相關(guān)色溫低的發(fā)光模塊中，平均顯色性指數(shù)(color rendering index)及發(fā)光效率降低。對(duì)此，實(shí)施方式提供一種可提高顯色性及發(fā)光效率的發(fā)光模塊及照明裝置。
[0041]以下，一邊參照附圖一邊對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)附圖中的相同部分附上相同符號(hào)并適當(dāng)省略其詳細(xì)說(shuō)明，并對(duì)不同的部分進(jìn)行說(shuō)明。另外，附圖為示意性或概念性的圖，各部分的厚度與寬度的關(guān)系、部分間的大小比率等未必與現(xiàn)實(shí)的情況相同。而且，即便在表示相同部分的情況下，也有時(shí)根據(jù)附圖的不同而對(duì)彼此的尺寸或比率加以不同表示。[0042]圖1 (a)、圖1(b)是表示實(shí)施方式的發(fā)光模塊10及照明裝置100的示意剖面圖。圖1 (a)表示發(fā)光模塊10，圖1 (b)表示內(nèi)置有該發(fā)光模塊10的照明裝置100。
[0043]如圖1(a)所示，發(fā)光模塊10包括基板3、設(shè)置于基板3之上的發(fā)光體5、以及熒光層9。熒光層9包含由發(fā)光體5的發(fā)射光而激發(fā)的第一熒光體及第二熒光體。
[0044]第一熒光體為發(fā)射紅色光的紅色熒光體15。第二熒光體在發(fā)光體5的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)與紅色熒光體15的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)之間的波帶具有發(fā)光波峰。以下，對(duì)作為第二熒光體而使用發(fā)射黃色光的黃色熒光體17的例子進(jìn)行說(shuō)明，但當(dāng)然并不限定于此。例如，作為第二熒光體，也可使用綠色熒光體，還可使用混合了黃色熒光體與綠色熒光體的熒光體。
[0045]基板3例如為陶瓷基板。發(fā)光體5發(fā)射波長(zhǎng)400納米(nm)?480納米的光，并激發(fā)紅色熒光體15及黃色熒光體17。具體來(lái)說(shuō)，發(fā)光體5為發(fā)光二極管(Light EmittingDiode:LED)，例如發(fā)射主(dominant)波長(zhǎng)450nb?460nm的藍(lán)色光。
[0046]發(fā)光體5例如經(jīng)由黏接劑而安裝于基板3的上表面3a?；?上安裝多個(gè)發(fā)光體5，并使用金屬絲串聯(lián)或并聯(lián)連接。而且，以包圍安裝著多個(gè)發(fā)光體5的區(qū)域的周圍的方式設(shè)置著擋堤(bank)7。擋堤7例如包含白色樹脂。
[0047]此外，向擋堤7的內(nèi)側(cè)流入分散有紅色熒光體15及黃色熒光體17的透光性樹脂13并使其硬化。由此，設(shè)置覆蓋發(fā)光體5的熒光層9。紅色熒光體15例如包含由化學(xué)式K2SiF6 =Mn而表示的熒光體，黃色熒光體17例如為YAG熒光體。
[0048]發(fā)光模塊10例如作為光源而內(nèi)置于照明裝置100中。如圖1(b)所示，照明裝置100例如為燈泡形燈，包括發(fā)光模塊10、安裝發(fā)光模塊10的框體21、及覆蓋發(fā)光模塊10的蓋30。另外，此處所示的照明裝置100為一例，實(shí)施方式當(dāng)然并不限定于此。
[0049]在框體21的內(nèi)部，設(shè)置著對(duì)發(fā)光模塊10供給電力的電力轉(zhuǎn)換部40。電力轉(zhuǎn)換部40經(jīng)由導(dǎo)線41、導(dǎo)線42而與發(fā)光模塊10及燈頭50電連接。而且，電力轉(zhuǎn)換部40收容于設(shè)置在框體21的內(nèi)部的絕緣盒23中。電力轉(zhuǎn)換部40從未圖示的商用電源經(jīng)由燈頭50而接受交流電力的供給，例如，轉(zhuǎn)換為直流電力而供給至發(fā)光模塊10。
[0050]發(fā)光模塊10從電力轉(zhuǎn)換部40接受電力的供給并發(fā)射白色光。也就是，發(fā)出由混合底下光所得的白色光，即，將從發(fā)光體5發(fā)射的藍(lán)色光、從紅色熒光體15發(fā)射的紅色光及從黃色熒光體17發(fā)射的黃色光進(jìn)行混合所得。
[0051 ] 然后，參照?qǐng)D2 (a)、圖2 (b)?圖4對(duì)發(fā)光模塊10的特性進(jìn)行說(shuō)明。圖2 (a)?圖4是表示熒光層9中所包含的紅色熒光體15的特性的曲線圖。
[0052]圖2(a)是表示熒光體的發(fā)光光譜的曲線圖。橫軸是發(fā)光波長(zhǎng)λ，縱軸是發(fā)光強(qiáng)度Ip該圖中的曲線A表示紅色熒光體15的發(fā)光光譜，曲線B表示比較例的CASN熒光體的發(fā)光光譜。
[0053]如曲線A所示，紅色熒光體15在大于或等于610nm且小于650nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰P1、發(fā)光波峰P2及發(fā)光波峰P3。而且，大于或等于650nm的波長(zhǎng)區(qū)域的發(fā)光強(qiáng)度k為小于或等于發(fā)光波峰P1及發(fā)光波峰P2的1/2。另一方面，如曲線B所示，CASN熒光體在610nn?620nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰，其半寬值達(dá)到約170nm。而且，波長(zhǎng)650nm的發(fā)光強(qiáng)度大約為波峰波長(zhǎng)的發(fā)光強(qiáng)度的80%。
[0054]本實(shí)施方式的紅色熒光體15在相對(duì)可見度降低的大于或等于650nm的波帶的發(fā)光光譜的強(qiáng)度比CASN熒光體低。因此，如果相關(guān)色溫及平均顯色性指數(shù)相同，則使用紅色熒光體15的發(fā)光模塊的光束比使用CASN熒光體的發(fā)光模塊的光束大。也就是，發(fā)光效率聞。
[0055]圖2(b)是表示熒光體的激發(fā)光譜的曲線圖。橫軸是激發(fā)光的波長(zhǎng)λ，縱軸是相對(duì)的發(fā)光強(qiáng)度αΕ。該圖中的曲線A表示紅色熒光體15的激發(fā)光譜，曲線B表示比較例的CASN熒光體的激發(fā)光譜。
[0056]如曲線A所示，紅色熒光體15中，在大于或等于300nm且小于或等于550nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有激發(fā)帶，在波長(zhǎng)350nm及450nm的附近具有激發(fā)光的吸收波峰a i及吸收波峰α 2。另一方面，如曲線B所示，CASN熒光體具有例如從波長(zhǎng)300nm向長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)逐漸降低的光譜，且在從短于300nm的波長(zhǎng)側(cè)到超過(guò)600nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有激發(fā)帶。
[0057]此處，激發(fā)帶是熒光體吸收激發(fā)光的能量而發(fā)光的波長(zhǎng)范圍。
[0058]紅色熒光體15的激發(fā)波峰α 2重疊于藍(lán)色LED的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)。而且，大于或等于500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的紅色熒光體15的激發(fā)帶為小于或等于激發(fā)波峰α 2的10%。也就是，紅色熒光體15的激發(fā)帶的長(zhǎng)波長(zhǎng)端位于500nm附近，高效地吸收藍(lán)色LED的發(fā)射光，而幾乎不吸收黃色熒光體17的發(fā)射光。
[0059]與此相對(duì)，CASN熒光體的激發(fā)帶向長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)擴(kuò)展直至超過(guò)600nm的波長(zhǎng)為止。而且，CASN熒光體吸收黃色熒光體17的發(fā)射光并轉(zhuǎn)換成紅色光。也就是，在使用了 CASN熒光體的發(fā)光模塊中，其輸出光包含被黃色熒光體17及CASN熒光體這兩者吸收的成分。因此，發(fā)光模塊的發(fā)光效率降低。
[0060]這樣，理想的是第一熒光體的激發(fā)帶的長(zhǎng)波長(zhǎng)端位于比第二熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)短的波長(zhǎng)側(cè)。實(shí)施方式的紅色熒光體15中所含的K2SiF6 =Mn的激發(fā)帶為比520nm短的波長(zhǎng)側(cè)，幾乎不吸收黃色熒光體及綠色熒光體的發(fā)射光。因此，通過(guò)使用K2SiF6:Mn，而可提高發(fā)光模塊10的發(fā)光效率。
[0061]例如，如果以平均顯色性指數(shù)Ra為80、相關(guān)色溫為2800K(Kelvin，開氏溫度)的發(fā)光模塊進(jìn)行比較，則使用CASN熒光體的情況下的發(fā)光效率為83流明(Im)/瓦特(W)。另一方面，使用包含K2SiF6 =Mn的紅色熒光體15的情況下的發(fā)光效率為1001m/W。而且，在將發(fā)光效率設(shè)為相同的情況下，相對(duì)于使用了 CASN熒光體的發(fā)光模塊的平均顯色性指數(shù)80，使用了紅色熒光體15的發(fā)光模塊的平均顯色性指數(shù)為90。也就是，在使用包含K2SiF6:Mn的紅色熒光體15的發(fā)光模塊中，可提高發(fā)光效率及平均顯色性指數(shù)Ra中的至少任一個(gè)。
[0062]圖3(a)及圖3(b)是表示熒光層9的與基板3垂直的方向(圖1 (a)所示的X方向)上的熒光體的密度分布的示意圖。曲線A表示紅色熒光體15的密度分布，曲線C表示黃色熒光體17的密度分布。圖3(a)表示紅色熒光體15的平均粒徑比黃色熒光體17的粒徑大的情況。圖3(b)表示紅色熒光體15的平均粒徑與黃色熒光體17的平均粒徑相同或比其小的情況。
[0063]在作為熒光層9的主成分的透光性樹脂13中，例如使用硅酮(silicone)等熱硬化性樹脂。而且，其硬化過(guò)程中的透光性樹脂13的粘度通過(guò)加熱而降低。因此，分散于透光性樹脂13中的紅色熒光體15及黃色熒光體17根據(jù)其粒徑而重新分布。例如，粒徑大的熒光體向基板3的方向沉降，且粒徑越大則其沉降速度越快。
[0064]因此，如圖3(a)的曲線A所示，在紅色熒光體15的平均粒徑比黃色熒光體17大的情況下，紅色熒光體15更多地向基板3側(cè)沉降。因此，紅色熒光體15的密度Nf在其分布的下端LE側(cè)(基板3側(cè))成為高密度。而且，其分布具有向上端UE的方向降低的密度梯度。
[0065]例如，優(yōu)選將紅色熒光體15的平均粒徑設(shè)為大于或等于黃色熒光體17的平均粒徑的1.6倍。由此，可提高基板3側(cè)(發(fā)光體5側(cè))的紅色熒光體15的密度，從而提高激發(fā)光的吸收率。其結(jié)果，相比于使紅色熒光體15均勻地分布于熒光層9的情況，可減少紅色熒光體15的含量(重量百分比:wt% )。而且，如果增大熒光體的平均粒徑則激發(fā)光的吸收率提高。就該方面而言，也可減少使熒光層9中所含有的紅色熒光體15的量。也就是，可削減紅色熒光體15的使用量而實(shí)現(xiàn)低成本化。
[0066]另一方面，在紅色熒光體15的平均粒徑與黃色熒光體17相同或比黃色熒光體17小的情況下，紅色熒光體15的沉降得到抑制。例如，K2SiF6 =Mn的比重比YAG熒光體的比重輕。因此，如圖3(b)所示，紅色熒光體15在密度分布的上端UE側(cè)為高密度。而且，其分布具有從下端UE向上端UE的方向而密度Nf增高的密度梯度。
[0067]這樣，在紅色熒光體15分布的上端UE側(cè)(熒光層9的上端側(cè))也可提高其密度。由此，相比于使紅色熒光體15于熒光層9均勻地分布而可提高激發(fā)光的吸收率，且可減少熒光層9中的紅色熒光體15的含量。而且，通過(guò)使紅色熒光體15分布于熒光層9的上端側(cè)而與發(fā)光體5隔離，從而可減輕發(fā)光體5的溫度上升的影響。
[0068]如所述般，紅色突光體15的與基板3垂直的方向上的密度分布優(yōu)選具有朝向其上端UE及下端LE中的至少任一端而增高的密度梯度。由此，可抑制紅色熒光體15的使用量從而削減制造成本。
[0069]此外，通過(guò)增大紅色熒光體15的平均粒徑，而可減少其使用量。例如，在具備藍(lán)色LED作為發(fā)光體5的發(fā)光模塊中，在將相關(guān)色溫設(shè)為2800K的情況下，如果將黃色熒光體17的平均粒徑設(shè)為10 μ m,紅色熒光體15的平均粒徑設(shè)為16 μ m,則紅色熒光體15的含量為黃色熒光體17的含量的約5倍。與此相對(duì)，如果將紅色熒光體15的平均粒徑設(shè)為45 μ m,則其含量削減為黃色熒光體17的3.8倍。
[0070]而且，通過(guò)使用本實(shí)施方式的紅色熒光體15，也可抑制黃色熒光體17的使用量。例如，CASN熒光體的激發(fā)光譜擴(kuò)展至波長(zhǎng)650nm為止，因而吸收黃色熒光體17的發(fā)射光。因此，為了實(shí)現(xiàn)所需的相關(guān)色溫，必須增加補(bǔ)償CASN熒光體的吸收的量的黃色熒光體17。
[0071]另一方面，本實(shí)施方式的紅色熒光體15中所含的K2SiF6:Mn中，激發(fā)光譜的長(zhǎng)波長(zhǎng)端為520nm。因此，不吸收黃色熒光體17的發(fā)射光，從而不需要補(bǔ)償該吸收。因此，可削減黃色熒光體的含量。例如，在相關(guān)色溫為小于或等于3000K的發(fā)光模塊中，紅色熒光體15的含量)相對(duì)于黃色熒光體17的含量)為大于或等于3倍。例如，在相關(guān)色溫為2800K的發(fā)光模塊中，在將紅色熒光體15的平均粒徑設(shè)為20 μ m?30 μ m的情況下，其含量為黃色熒光體17 (YAG熒光體)的6倍?7倍。
[0072]圖4是表示實(shí)施方式的紅色熒光體15的溫度特性的曲線圖。橫軸是發(fā)光模塊10的溫度，縱軸是紅色熒光體15的發(fā)光波峰的相對(duì)強(qiáng)度Ip。
[0073]紅色熒光體15在大于或等于610nm且小于650nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有多個(gè)發(fā)光波峰P1、發(fā)光波峰P2及發(fā)光波峰P3 (參照?qǐng)D2 (a))。這些發(fā)光波峰與K2SiF6 =Mn的發(fā)光波峰相對(duì)應(yīng)，且波峰波長(zhǎng)分別為615nm、633nm及618nm。而且，其半寬值分別為小于或等于20nm。[0074]圖4中，以25°C時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度為基準(zhǔn)而表示各發(fā)光波峰的發(fā)光強(qiáng)度的溫度變化。如該圖所示，波長(zhǎng)615nm的發(fā)光波峰P1的發(fā)光強(qiáng)度不僅并未在25°C到200°C的溫度范圍內(nèi)降低，反而在25°C到100°C之間上升。另一方面，波峰波長(zhǎng)633nm及648nm的發(fā)光波峰P2、發(fā)光波峰P3的發(fā)光強(qiáng)度隨溫度上升而單調(diào)減少，200°C時(shí)會(huì)降低至25°C的約70%為止。
[0075]人類的相對(duì)可見度在波長(zhǎng)555nm處具有波峰，隨著變成長(zhǎng)波長(zhǎng)而降低。因此，紅色熒光體15中，相對(duì)可見度高的波峰波長(zhǎng)615nm的發(fā)光波峰P1的發(fā)光強(qiáng)度相對(duì)于模塊溫度的上升并未降低。另一方面，發(fā)光強(qiáng)度的溫度變化大的發(fā)光波峰P2及發(fā)光波峰P3中，其相對(duì)可見度低。因此，如果考慮相對(duì)可見度，則紅色熒光體15的發(fā)光強(qiáng)度的溫度變化得到抑制。
[0076]而且，紅色熒光體的斯托克斯損失(Stokes loss)大，其溫度容易上升。因此，只要在相對(duì)可見度高的波長(zhǎng)區(qū)域中能夠抑制伴隨溫度上升的發(fā)光強(qiáng)度的降低，則可提高發(fā)光模塊的溫度特性。例如，在使用了紅色熒光體15的發(fā)光模塊10中，可抑制大光量動(dòng)作下的溫度粹滅(temperature quenching)。
[0077]圖5是表示實(shí)施方式的變形例的發(fā)光模塊20的示意剖面圖。如該圖所示，發(fā)光模塊20包括基板3、設(shè)置于基板3之上的發(fā)光體5、以及熒光層9。而且，在基板3之上，還包括覆蓋發(fā)光體5的中間層19。熒光層9設(shè)置于中間層19之上。中間層19透過(guò)發(fā)光體5的發(fā)射光。此處，“透過(guò)”不限于透過(guò)發(fā)光體5的全部發(fā)射光，也包含吸收其一部分的情況。
[0078]中間層19例如為硅酮等透光性樹脂，包含透光性無(wú)機(jī)氧化物或玻璃等。而且，中間層19例如含有大于或等于20wt%的透光性無(wú)機(jī)氧化物或玻璃等。
[0079]例如，圖1(a)所示的發(fā)光模塊10中，因熒光層9直接覆蓋發(fā)光體5，所以熒光層9中的紅色熒光體15及黃色熒光體17的發(fā)光受到發(fā)光體5的溫度上升的影響。與此相對(duì)，發(fā)光模塊20中，中間層19將突光層9與發(fā)光體5隔離。由此,可減輕發(fā)光體5的溫度上升的影響，例如可抑制各熒光體的發(fā)光效率的降低或相關(guān)色溫的上升。
[0080]如所述般，本實(shí)施方式的發(fā)光模塊中，使用紅色熒光體15，紅色熒光體15不發(fā)射相對(duì)可見度低的大于或等于650nm的波長(zhǎng)區(qū)域的光，此外不吸收相對(duì)可見度高的可見光區(qū)域的發(fā)光。由此，可提高顯色性，且可在相關(guān)色溫低的模塊中獲得高發(fā)光效率。而且，熒光層9中，可將紅色熒光體15的密度分布控制成在其上端及下端中的至少任一端側(cè)為高密度。由此，可削減紅色熒光體15的含量，從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光模塊的低成本化。
[0081]對(duì)本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但這些實(shí)施方式僅為例示，并不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式能以其他的各種方式來(lái)實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種省略、替換、變更。這些實(shí)施方式或其變形包含在發(fā)明的范圍或主旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求書中記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光模塊，其特征在于包括: 基板； 發(fā)光體，設(shè)置于所述基板上；以及 熒光層，包含由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)的第一熒光體及第二熒光體，所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰，所述第二熒光體在所述發(fā)光體的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)與所述第一熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長(zhǎng)之間的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰，所述第一熒光體的與所述基板垂直的方向上的密度分布具有朝向所述第一熒光體的兩端中的至少其中一端而增高的密度梯度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的平均粒徑比所述第二熒光體的平均粒徑大， 所述第一熒光體以所述密度分布朝向所述基板側(cè)而增高的方式來(lái)設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的平均粒徑為大于或等于所述第二熒光體的平均粒徑的1.6倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的平均粒徑與所述第二熒光體的平均粒徑相同或比其小， 所述第一熒光體以所述密度分布隨著離開所述基板而增高的方式來(lái)設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的大于或等于650nm的波長(zhǎng)區(qū)域的發(fā)光強(qiáng)度，小于或等于所述第一熒光體的所述發(fā)光波峰的強(qiáng)度的1/2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一突光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有多個(gè)所述發(fā)光波峰， 所述多個(gè)發(fā)光波峰中位于短波長(zhǎng)側(cè)的發(fā)光波峰的發(fā)光強(qiáng)度的溫度變化，比位于長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的發(fā)光波峰的發(fā)光強(qiáng)度的溫度變化小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體在大于或等于300nm且小于或等于550nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有激發(fā)帶，在波長(zhǎng)350nm及450nm的附近具有激發(fā)光的吸收波峰。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的大于或等于500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的激發(fā)帶的強(qiáng)度為小于或等于所述吸收波峰的強(qiáng)度的10%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的含量為大于或等于所述第二熒光體的含量的3倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的含量為大于或等于所述第二熒光體的含量的3.8倍且小于或等于5倍。
【文檔編號(hào)】H01L25/075GK104009148SQ201310421507
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月21日
【發(fā)明者】渡邊美保 申請(qǐng)人:東芝照明技術(shù)株式會(huì)社