有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法和供體襯底的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的一種有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示裝置包括襯底、形成在襯底上的薄膜晶體管、像素電極、像素限定層、發(fā)射層以及中間層，其中，像素電極形成在薄膜晶體管上并且電連接至薄膜晶體管，像素限定層形成在像素電極上并且限定出像素區(qū)，發(fā)射層形成在像素電極上并且接觸像素區(qū)中的像素電極，以及中間層形成在像素限定層上并且接觸發(fā)射層的一部分。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法和供體襯底
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明概括地涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法以及用于制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的供體襯底，更具體地，涉及具有從供體襯底轉(zhuǎn)移的有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]用于平板顯示器的有機(jī)發(fā)光元件包括陽(yáng)極、陰極和設(shè)置在陽(yáng)極與陰極之間的有機(jī)膜。有機(jī)膜包括發(fā)射層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)。根據(jù)形成有機(jī)膜(具體為發(fā)射層)的材料，有機(jī)發(fā)光元件被分為高分子有機(jī)發(fā)光兀件和低分子有機(jī)發(fā)光兀件。
[0003]為了使有機(jī)發(fā)光元件實(shí)現(xiàn)全色彩，必須對(duì)有機(jī)膜進(jìn)行構(gòu)圖。構(gòu)圖方法包括在低分子有機(jī)發(fā)光元件的情況下使用蔭罩板(shadow mask)的方法。在有機(jī)發(fā)光元件的情況下使用通過(guò)噴墨印刷或激光束的激光熱轉(zhuǎn)印(LITI)方法。
[0004]LITI方法的優(yōu)勢(shì)在于對(duì)有機(jī)膜進(jìn)行精細(xì)構(gòu)圖，并且有利于干法工序，而噴墨印刷是濕法工序。
[0005]根據(jù)LITI方法形成聚合物有機(jī)膜的圖形的方法需要光源、受體襯底和供體膜。受體襯底是其上將形成有機(jī)膜的顯示器襯底，供體膜包括基底膜、光熱轉(zhuǎn)換層和由有機(jī)膜制成的轉(zhuǎn)移層。
[0006]當(dāng)光源輸出的激光束被供體膜的光熱轉(zhuǎn)換層吸收然后轉(zhuǎn)換為熱能時(shí)，有機(jī)膜被構(gòu)圖在受體襯底上，形成轉(zhuǎn)移層的有機(jī)膜通過(guò)熱能轉(zhuǎn)移到受體襯底上。
[0007]然而，在轉(zhuǎn)移過(guò)程中，被激光輻照待轉(zhuǎn)移至襯底的一部分有機(jī)層可能沒(méi)有轉(zhuǎn)移，而留在轉(zhuǎn)移層上。
[0008]在在本【背景技術(shù)】部分公開(kāi)的以上信息僅僅是為了增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解，因此其可以包含不形成本國(guó)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的實(shí)施方式提供了有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置和制造方法，該制造方法在通過(guò)熱轉(zhuǎn)移形成有機(jī)發(fā)射層的過(guò)程中，使得供體襯底的轉(zhuǎn)移區(qū)的轉(zhuǎn)移層沉積并同時(shí)在轉(zhuǎn)移區(qū)附近與外圍轉(zhuǎn)移層完全分離。
[0010]本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供了一種供體襯底，其將轉(zhuǎn)移區(qū)的轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移并同時(shí)在轉(zhuǎn)移區(qū)附近與轉(zhuǎn)移層完全分離。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED )顯示裝置包括襯底、形成在襯底上的薄膜晶體管、形成在薄膜晶體管上并且電連接至薄膜晶體管的像素電極、形成在像素電極上并且限定出像素區(qū)的像素限定層、形成在像素電極上并且接觸像素區(qū)中的像素電極的發(fā)射層、以及形成在像素限定層上并且接觸發(fā)射層的一部分的中間層。
[0012]中間層可由粘合材料制成。[0013]中間層可由熱硬化材料或光硬化材料制成。
[0014]中間層可為可附接/可拆分材料。
[0015]中間層可根據(jù)發(fā)射層的邊緣形成。
[0016]中間層可形成為環(huán)形形狀。
[0017]發(fā)射層可覆蓋中間層和像素區(qū)的像素電極。
[0018]發(fā)射層可覆蓋中間層的一部分。
[0019]中間層可覆蓋像素限定層的一部分。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED )顯示裝置的方法包括:在襯底上形成薄膜晶體管；在薄膜晶體管上形成電連接至薄膜晶體管的像素電極；在像素電極上形成限定出像素區(qū)的像素限定層；在像素限定層上形成中間層；以及形成接觸像素區(qū)中的像素電極并覆蓋像素電極和中間層的發(fā)射層。
[0021]在形成發(fā)射層的步驟中，發(fā)射層可覆蓋中間層的一部分。
[0022]形成發(fā)射層的步驟可包括:在像素區(qū)上設(shè)置供體襯底，供體襯底的一個(gè)表面處形成有用于形成發(fā)射層的轉(zhuǎn)移層；以及將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移至像素區(qū)上。
[0023]在形成中間層的步驟中可將粘合材料或可附接/可拆分材料相對(duì)于發(fā)射層的邊緣放置在轉(zhuǎn)移層的下方；以及當(dāng)轉(zhuǎn)移層被轉(zhuǎn)移到像素區(qū)上時(shí)，將粘合材料或可附接/可拆分材料轉(zhuǎn)移到像素限定層上。
[0024]轉(zhuǎn)移層可覆蓋像素電極和中間層。
[0025]中間層可覆蓋像素限定層的一部分。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的供體襯底，其用于將轉(zhuǎn)移材料轉(zhuǎn)移到由有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的像素限定層所限定的像素區(qū)，該供體襯底包括基底層、形成在基底層上的光熱轉(zhuǎn)換層、轉(zhuǎn)移層以及粘合層，其中轉(zhuǎn)移層形成在光熱轉(zhuǎn)換層上并且由有機(jī)發(fā)射材料制成，粘合層形成在轉(zhuǎn)移層上并且包括開(kāi)口，開(kāi)口的形狀與像素區(qū)對(duì)應(yīng)。
[0027]開(kāi)口可等于或大于像素區(qū)的面積。
[0028]粘合層可被形成為環(huán)形形狀。
[0029]粘合層可由粘合材料制成。
[0030]粘合層可由熱硬化材料或光硬化材料制成。
[0031]粘合層可由可附接/可拆分材料形成。
[0032]在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置中，被激光輻照的供體襯底的轉(zhuǎn)移層完全與供體襯底分離，從而形成有機(jī)發(fā)射層。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法可防止被激光輻照的轉(zhuǎn)移區(qū)的轉(zhuǎn)移層部分留在供體襯底的缺陷。
[0034]在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的供體襯底中，被激光輻照的轉(zhuǎn)移區(qū)的轉(zhuǎn)移層完全分離，從而可防止轉(zhuǎn)移層部分殘留的缺陷。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]通過(guò)參照詳細(xì)的描述連同附圖，本發(fā)明的以上及其它特征和優(yōu)勢(shì)將變得顯而易見(jiàn)。在附圖中:
[0036]圖1是根據(jù)本發(fā)明的原理的一個(gè)實(shí)施方式所構(gòu)建的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的俯視圖；
[0037]圖2是沿圖1的線I1-1I所取的截面圖；
[0038]圖3至圖5是相繼示出根據(jù)本發(fā)明的原理的一個(gè)實(shí)施方式所構(gòu)建的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法的視圖；
[0039]圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的供體襯底的截面圖；以及
[0040]圖7是示出將轉(zhuǎn)移層從圖6的供體襯底轉(zhuǎn)移的過(guò)程的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]將在下文參照附圖詳細(xì)地描述發(fā)明的示例性實(shí)施方式，使得本發(fā)明領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，所描述的實(shí)施方式可以以各種不同的方式修改，而不偏離本發(fā)明的精神或范圍。附圖和說(shuō)明被認(rèn)為在本質(zhì)上是示例性的而非限制性的。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的參考標(biāo)號(hào)指示相同的元件。
[0042]此外，由于為了更好地理解和易于描述，附圖中所示的組成部件的尺寸和厚度被任意夸大，所以本發(fā)明不限于所示的尺寸和厚度。
[0043]在附圖中，為清楚起見(jiàn)，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度被夸大。在附圖中，為了更好地理解和易于描述，一些層和區(qū)域的厚度被夸大。應(yīng)該理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或襯底的元件被稱為“在”另一個(gè)元件“上”時(shí)，其可直接在另一元件上，或者在它們之間也可存在其它元件或中間元件。
[0044]此外，除非明確地相反描述，用語(yǔ)“包括(compri se ) ”及其變體諸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”將被理解意指包括所指元件,但不排除任何其他元件。而且，在說(shuō)明書(shū)中，對(duì)目標(biāo)部分的上部的描述指示目標(biāo)部分的上部或下部，但是并不是指目標(biāo)部分總是位于根據(jù)重力方向的上側(cè)。
[0045]圖1是根據(jù)本發(fā)明的原理的一個(gè)實(shí)施方式所構(gòu)建的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的俯視圖。圖2是沿圖1的線I1-1I所取的截面圖。參見(jiàn)圖1和圖2，在根據(jù)本發(fā)明的原理的一個(gè)實(shí)施方式所構(gòu)建的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置中，被激光輻照的供體襯底的轉(zhuǎn)移層與供體襯底完全分離，從而形成有機(jī)發(fā)射層。
[0046]根據(jù)本發(fā)明的原理的一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)建的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置包括襯底110、薄膜晶體管130、像素電極150、像素限定層170、發(fā)射層160以及中間層180。
[0047]接下來(lái)，將參照?qǐng)D1根據(jù)沉積順序描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的結(jié)構(gòu)。這里，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的結(jié)構(gòu)是驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管發(fā)射光的發(fā)射層的結(jié)構(gòu)。
[0048]此時(shí)，襯底110由絕緣襯底形成，絕緣襯底由玻璃、石英、陶瓷、塑料等構(gòu)成。然而，本發(fā)明不限于此，襯底110也可形成為由不銹鋼等構(gòu)成的金屬襯底。
[0049]在襯底110上形成緩沖層121。緩沖層121用于阻止雜質(zhì)元素滲透其表面并使其平坦化。
[0050]緩沖層121可由能夠擔(dān)當(dāng)此角色的各種材料形成。作為示例，氮化硅(SiNx)層、氧化硅(Si02)層和氮氧化硅(SiOxNy)層中的任何一個(gè)均可用作緩沖層121。然而，緩沖層121并非總是必要的配置，而是可根據(jù)顯示裝置襯底110的種類和工序條件省略。
[0051]在緩沖層121上形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層137。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層137可以是多晶硅膜。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層137包括溝道區(qū)135以及源極區(qū)134和漏極區(qū)136，其中，在溝道區(qū)135中不摻雜雜質(zhì)，在源極區(qū)134和漏極區(qū)136中摻雜雜質(zhì)，源極區(qū)134和漏極區(qū)136形成在溝道區(qū)135的相對(duì)側(cè)。在這種情況下，待摻雜的離子材料是P型雜質(zhì)，例如硼(B)，主要使用B2H6。這里，雜質(zhì)可根據(jù)薄膜晶體管的種類而改變。
[0052]在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層137上形成柵絕緣層122，柵絕緣層122由氮化硅(SiNx)或氧化硅(Si02)形成。在柵絕緣層122上形成包括驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O133的柵極線。此外，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O133被形成為與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層137的至少一部分(具體地為溝道區(qū)135)重疊。
[0053]在柵絕緣層122上形成覆蓋驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O133的層間絕緣層123。柵絕緣層122和層間絕緣層123 —起具有暴露驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層137的源極區(qū)134和漏極區(qū)136的通孔。如同在柵絕緣層122中的那樣，使用諸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(Si02)等的陶瓷系列材料來(lái)制備層間絕緣層123。
[0054]在層間絕緣層123上形成包括驅(qū)動(dòng)源電極131和驅(qū)動(dòng)漏電極132的數(shù)據(jù)線。此外，驅(qū)動(dòng)源電極131和驅(qū)動(dòng)漏電極132通過(guò)形成在層間絕緣層123和柵絕緣層122中的通孔分別連接至驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層137的源極區(qū)134和漏極區(qū)136。
[0055]如上形成包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層137、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O133、驅(qū)動(dòng)源電極131和驅(qū)動(dòng)漏電極132的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管130。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管130的構(gòu)造不限于上述實(shí)施例，而是可以任意改變?yōu)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員可容易實(shí)現(xiàn)的已知構(gòu)造。
[0056]在層間絕緣層123上形成覆蓋數(shù)據(jù)線的平坦化層140。平坦化層140用于消除步驟差異并使其平整，以便增加待形成于其上的有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光效率。此外，平坦化層140具有電極接觸孔141，電極接觸孔141暴露漏電極132的一部分。
[0057]平坦化層140可利用諸如丙烯酸類樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、聚酰胺類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、不飽和聚酯類樹(shù)脂、聚亞苯基類樹(shù)脂、聚苯硫醚類樹(shù)脂以及苯并環(huán)丁烯(BCB)中的一種或多種材料來(lái)制備。
[0058]而且，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式不限于上述結(jié)構(gòu)，在一些情況下可省略平坦化層140和層間絕緣層123之一。
[0059]在平坦化層140上形成有機(jī)發(fā)光元件的像素電極150。即，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置包括為多個(gè)像素分別設(shè)置的多個(gè)像素電極150。這里，多個(gè)像素電極150彼此分開(kāi)。各像素電極150穿過(guò)平坦化層140的電極接觸孔141連接至漏電極132。
[0060]此外，在平坦化層140上形成像素限定層170，像素限定層170具有暴露像素電極150的開(kāi)口。即，像素限定層170具有為每個(gè)像素單獨(dú)形成的多個(gè)開(kāi)口?？舍槍?duì)由像素限定層170所形成的每個(gè)開(kāi)口形成發(fā)射層160。因此，可由像素限定層170限定其中形成有各發(fā)射層的像素區(qū)。
[0061]此外，第一電極150被設(shè)置為對(duì)應(yīng)于像素限定層170的開(kāi)口。然而，像素電極150可設(shè)置在像素限定層170的下方、與像素限定層170部分重疊。
[0062]像素限定層170可由樹(shù)脂或硅石組的無(wú)機(jī)材料諸如聚丙烯酸酯樹(shù)脂和聚酰亞胺制成。
[0063]同時(shí)，在像素電極150上形成發(fā)射層160，具體為有機(jī)發(fā)射層160。而且，可在有機(jī)發(fā)射層160上形成公共電極(未示出)。如上所述，形成了包括像素電極150、有機(jī)發(fā)射層160和公共電極的有機(jī)發(fā)光兀件。[0064]有機(jī)發(fā)射層160由低分子有機(jī)材料或高分子有機(jī)材料制成。有機(jī)發(fā)射層160被形成為包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)的多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)包括所有這些時(shí)，HIL被設(shè)置在為正電極的像素電極150上，HTL、發(fā)射層、ETL和EIL相繼層疊于其上。
[0065]此時(shí)，像素電極150和公共電極可分別由透明傳導(dǎo)材料形成，或者可由半透明或反射傳導(dǎo)材料形成。根據(jù)形成像素電極150和公共電極的種類，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置可以是頂部發(fā)射型、底部發(fā)射型或者兩側(cè)發(fā)射型。
[0066]另一方面，在公共電極上可設(shè)置封裝襯底(未示出)。在頂部發(fā)射型或兩側(cè)發(fā)射型的情況下，封裝襯底可由透明材料諸如玻璃或塑料形成，而在底部發(fā)射型的情況下，封裝襯底可由不透明材料諸如金屬形成。
[0067]參見(jiàn)圖1和圖2，在根據(jù)本發(fā)明的原理的一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)建的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置中，在像素限定層170上形成中間層180。中間層180接觸形成在像素電極150上的有機(jī)發(fā)射層160的一部分。
[0068]具體地，如圖2所示，有機(jī)發(fā)射層160的邊緣部分位于中間層180上。有機(jī)發(fā)射層160的邊緣被布置成覆蓋中間層180的全部或中間層180的一部分。因此，有機(jī)發(fā)射層160被形成為覆蓋由像素限定層170暴露的、像素電極150和中間層180的一部分。
[0069]參見(jiàn)圖1，中間層180可具有與發(fā)射層160的邊緣一致的環(huán)形形狀。
[0070]另一方面，中間層180可形成為覆蓋像素限定層170的一部分。S卩，如圖2所示，中間層180可覆蓋像素限定層170的一部分。然而，不限于此，中間層180可覆蓋整個(gè)像素限定層170。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，中間層180在轉(zhuǎn)移區(qū)的附近將通過(guò)激光所轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移區(qū)的轉(zhuǎn)移層與外圍轉(zhuǎn)移層完全分離。將在描述根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法時(shí)對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0071]中間層180由具有粘合力或可附接/可拆分力的材料制成。即，中間層180由粘合材料或可附接/可拆分材料制成。當(dāng)中間層180由可附接/可拆分材料制成時(shí)，中間層180可首先從中間層180最初所附接的臨時(shí)層(未示出)拆分，然后分開(kāi)后的中間層180被設(shè)置在像素限定層170與發(fā)射層160的重疊部分之間，以使像素限定層170和發(fā)射層160彼此附接。
[0072]當(dāng)中間層180由粘合材料形成時(shí)，其可由熱硬化或光硬化材料形成。在熱硬化材料被熱固化后，熱硬化材料使分別設(shè)置在熱硬化材料的相對(duì)側(cè)上的兩層粘合，即接合。在光硬化材料通過(guò)光例如紫外(UV)光固化后，光硬化材料使分別設(shè)置在光硬化材料的相對(duì)側(cè)上的兩層粘合，即接合。而且，中間層180可由可用作粘合劑的任何粘合材料形成。在轉(zhuǎn)移工序中，轉(zhuǎn)移區(qū)域中的轉(zhuǎn)移層的邊緣被粘合或附接至中間層180，使得轉(zhuǎn)移層可在轉(zhuǎn)移區(qū)域附近與外圍轉(zhuǎn)移層完全分離。
[0073]圖3至圖5是相繼示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法的視圖。
[0074]在根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法中，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造工序中，在轉(zhuǎn)移區(qū)“A”附近將通過(guò)激光所轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的轉(zhuǎn)移層13從轉(zhuǎn)移層13的外圍完全分離，并將其沉積在顯示器襯底上的像素區(qū)中。即，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED )顯示裝置的制造方法防止轉(zhuǎn)移層留在供體襯底的轉(zhuǎn)移區(qū)“A”內(nèi)。
[0075]首先，參見(jiàn)圖3，在襯底110上形成薄膜晶體管。薄膜晶體管可包括所描述的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管130和開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(未示出)。在襯底110上形成薄膜晶體管的工序使用公開(kāi)的薄膜晶體管的形成工序，并省略對(duì)其詳細(xì)的描述。
[0076]接下來(lái)，在薄膜晶體管上形成像素電極150。具體地，如圖3所示，像素電極150被形成為電連接至薄膜晶體管的漏電極132。
[0077]接下來(lái)，在像素電極150上形成像素限定層170。像素限定層170限定其中設(shè)置有機(jī)發(fā)光元件的像素區(qū)。像素限定層170具有暴露像素電極150的開(kāi)口。
[0078]而且，在形成像素限定層170后，在像素限定層170上形成中間層180?？赏ㄟ^(guò)使用掩模在像素限定層170上形成中間層180。掩模可以為曝光掩?；蛭⒓?xì)金屬掩模(FMM)。而且，掩模必須具有開(kāi)口以形成中間層180。
[0079]然而，不限于在像素限定層170上直接形成中間層180，也可在供體襯底10的轉(zhuǎn)移層13的下方布置粘合材料或可附接/可拆分材料后，再轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移層和粘合材料，從而形成中間層。而且，可通過(guò)使用稍后描述的根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的供體襯底300來(lái)形成中間層。因此，圖6和圖7的供體襯底300的粘合層340可用于形成中間層。
[0080]如圖1和圖2所示，中間層180可形成為覆蓋像素限定層170的一部分。即，中間層180可形成為覆蓋像素限定層170的一部分。然而不限于此，中間層180可形成為覆蓋整個(gè)像素限定層170。
[0081]此時(shí)，中間層180由具有預(yù)定粘合力或預(yù)定可附接/可拆分力的材料制成。即，中間層180可由粘合材料或可附接/可拆分材料制成。
[0082]當(dāng)中間層180由粘合材料形成時(shí)，中間層180可由熱硬化或光硬化材料形成。在轉(zhuǎn)移工序中，轉(zhuǎn)移區(qū)中的轉(zhuǎn)移層的邊緣被粘合或附接至中間層180，以使轉(zhuǎn)移層可在轉(zhuǎn)移區(qū)附近與外圍轉(zhuǎn)移層完全分離。
[0083]接下來(lái)，在像素區(qū)中形成覆蓋像素電極150和中間層180的有機(jī)發(fā)射層160。如圖5所示，有機(jī)發(fā)射層160被設(shè)置為覆蓋由像素限定層170的開(kāi)口所暴露的像素電極150和中間層180。
[0084]此時(shí)，形成發(fā)射層160包括在像素區(qū)上設(shè)置供體襯底10，并將形成轉(zhuǎn)移層13的轉(zhuǎn)移材料從像素區(qū)上的供體襯底10轉(zhuǎn)移。將參照?qǐng)D3至圖5描述形成發(fā)射層160。
[0085]如圖3所示，供體襯底10包括基底層11、轉(zhuǎn)移層13和光熱轉(zhuǎn)換層12，光熱轉(zhuǎn)換層12被插置于基底層11與轉(zhuǎn)移層13之間。基底層11必須是透明的以將光透射至光熱轉(zhuǎn)換層12。例如，基底層11由選自聚酯、丙烯酸、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯和聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中的至少一個(gè)聚合物材料制成或由玻璃制成。
[0086]同時(shí)，光熱轉(zhuǎn)換層12吸收在紅外光至可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光并將光部分轉(zhuǎn)換為熱。光熱轉(zhuǎn)換層12期望包括光吸收材料。
[0087]光熱轉(zhuǎn)換層12為由Al、Ag或它們的氧化物和硫化物制成的金屬膜，或?yàn)橛砂ㄌ己凇⑹蚣t外染料制成的有機(jī)膜?？赏ㄟ^(guò)使用真空沉積、電子束沉積或?yàn)R射來(lái)形成光熱轉(zhuǎn)換層12。而且，可通過(guò)使用諸如輥式涂布(為常見(jiàn)的膜涂布法)、凹面涂布、擠壓涂布、旋涂或刮刀涂布的公開(kāi)的涂布方法形成光熱轉(zhuǎn)換層12。
[0088]可通過(guò)從光熱轉(zhuǎn)換層12透射的熱能將轉(zhuǎn)移層13與供體襯底10分離。轉(zhuǎn)移層13可形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的有機(jī)發(fā)射層。這里，有機(jī)發(fā)射層為形成于暴露像素電極的像素限定層的開(kāi)口中的有機(jī)發(fā)光元件。
[0089]轉(zhuǎn)移層13為有機(jī)發(fā)光元件的空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、空穴抑制層、電子傳輸層(ETL)或電子傳輸層(ETL)，或者為包括它們中的兩個(gè)或更多個(gè)層的多層。因此，轉(zhuǎn)移層13可包括公開(kāi)的用于形成有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)層的材料中的任何一種。
[0090]在形成發(fā)射層160的步驟中，如圖3所示，在像素區(qū)上設(shè)置供體襯底10。此時(shí)，供體襯底10被設(shè)置使得供體襯底10的轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的邊緣“B”與中間層180重疊。這里，轉(zhuǎn)移區(qū)“A”是通過(guò)輻照激光將轉(zhuǎn)移層13從供體襯底10轉(zhuǎn)移到像素區(qū)的區(qū)域。
[0091]轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的邊緣“B”可與中間層180的上表面的一部分或整個(gè)上表面重疊。因此，轉(zhuǎn)移層13的被轉(zhuǎn)移的邊緣“B”可與中間層180的上表面重疊。
[0092]這里，供體襯底10的轉(zhuǎn)移層13和中間層180可設(shè)置為間隔預(yù)定距離。轉(zhuǎn)移層13與中間層180的間隔距離為轉(zhuǎn)移層13可在轉(zhuǎn)移層13的邊緣“B”的下側(cè)的方向彎曲以接觸中間層180的距離。
[0093]接下來(lái)，向供體襯底10的轉(zhuǎn)移區(qū)“A”輻照激光。如果激光被輻照至供體襯底10，則當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層12的溫度因光熱轉(zhuǎn)換而增加時(shí)，供體襯底10的光熱轉(zhuǎn)換層12會(huì)膨脹。因此，設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層12下方的轉(zhuǎn)移層13彎曲光熱轉(zhuǎn)換層12所膨脹的量而到達(dá)下側(cè)。
[0094]此時(shí)，轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的邊緣“B”接觸中間層180。如果轉(zhuǎn)移層13在轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的邊緣“B”處接觸中間層180，則轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的轉(zhuǎn)移層13通過(guò)中間層180的粘合而從供體襯底10完全分離。
[0095]具體地，通過(guò)轉(zhuǎn)移層在分離轉(zhuǎn)移層13的轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的邊界表面的自身粘合無(wú)法完成分離。然而，通過(guò)將轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的邊緣“B”粘合至中間層180，轉(zhuǎn)移層13的轉(zhuǎn)移區(qū)“A”在轉(zhuǎn)移區(qū)“A”附近通過(guò)粘合而從外圍轉(zhuǎn)移層13完全分離。因此，在轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的邊緣“B”處，可減少與轉(zhuǎn)移層13的外圍的不完全分離。
[0096]與供體襯底10分離并被轉(zhuǎn)移到像素區(qū)中的轉(zhuǎn)移層13形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的有機(jī)發(fā)射層160。而且，轉(zhuǎn)移層13由轉(zhuǎn)移材料形成，轉(zhuǎn)移材料沉積在像素區(qū)中從而形成有機(jī)發(fā)射層160。形成轉(zhuǎn)移層13的轉(zhuǎn)移材料可以是有機(jī)材料。
[0097]如上所述，如圖5所示，有機(jī)發(fā)射層160覆蓋像素電極150和中間層180。有機(jī)發(fā)射層160可以僅覆蓋中間層180的一部分。
[0098]圖6和圖7涉及根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的供體襯底,下面將描述供體襯底300從外圍轉(zhuǎn)移層330在轉(zhuǎn)移區(qū)“A”附近與轉(zhuǎn)移區(qū)“A”中的轉(zhuǎn)移層330正確分離。
[0099]參見(jiàn)圖6，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的供體襯底300包括基底層310、光熱轉(zhuǎn)換層320、轉(zhuǎn)移層330以及粘合層340。
[0100]相繼層疊基底層310、光熱轉(zhuǎn)換層320、轉(zhuǎn)移層330和粘合層340以形成供體襯底300。
[0101]基底層310必須是透明的以將光透射至光熱轉(zhuǎn)換層320。例如，基底層310由選自聚酯、丙烯酸、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯和聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中的至少一種聚合物材料制成或由玻璃制成。
[0102]同時(shí)，光熱轉(zhuǎn)換層320吸收在紅外光至可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光并將光部分轉(zhuǎn)換為熱。光熱轉(zhuǎn)換層320期望包括光吸收材料。[0103]光熱轉(zhuǎn)換層320為由Al、Ag或它們的氧化物和硫化物制成的金屬膜，或?yàn)橛砂ㄌ己?、石墨或紅外染料制成的有機(jī)膜。可通過(guò)使用真空沉積、電子束沉積或?yàn)R射來(lái)形成光熱轉(zhuǎn)換層320。而且，可通過(guò)使用諸如輥式涂布(為常見(jiàn)的膜涂布法)、凹面涂布、擠壓涂布、旋涂或刮刀涂布的公開(kāi)的涂布方法形成光熱轉(zhuǎn)換層320。
[0104]可通過(guò)從光熱轉(zhuǎn)換層320透射的熱能將轉(zhuǎn)移層330與供體襯底300分離。轉(zhuǎn)移層330可形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的有機(jī)發(fā)射層。這里，有機(jī)發(fā)射層為形成于暴露像素電極的像素限定層的開(kāi)口中的有機(jī)發(fā)光元件。
[0105]轉(zhuǎn)移層330為有機(jī)發(fā)光元件的空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、空穴抑制層、電子傳輸層(ETL)或電子傳輸層(ETL)，或者為包括它們中的兩個(gè)或更多個(gè)層的多層。因此，轉(zhuǎn)移層330可包括公開(kāi)的用于形成有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)層的材料中的任何一個(gè)。
[0106]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，粘合層340形成在轉(zhuǎn)移層330上。粘合層340用于使轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的轉(zhuǎn)移層330在轉(zhuǎn)移區(qū)“A”附近與供體襯底300完全分離并被轉(zhuǎn)移到像素區(qū)“D”。
[0107]如上所述，可通過(guò)粘合層340的粘合使轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的轉(zhuǎn)移層330與供體襯底300
完全分離。
[0108]具體地，通過(guò)轉(zhuǎn)移層在分離轉(zhuǎn)移層330的轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的邊界表面的自身粘合無(wú)法完成分離。然而，通過(guò)將位于轉(zhuǎn)移區(qū)“A”的邊緣的粘合層180粘合至像素限定層170，轉(zhuǎn)移層330的轉(zhuǎn)移區(qū)“A”在轉(zhuǎn)移區(qū)“A”附近通過(guò)粘合與外圍轉(zhuǎn)移層330完全分離。因此，可減少轉(zhuǎn)移區(qū)“A”與轉(zhuǎn)移層330的外圍的不完全分離。
[0109]參見(jiàn)圖7，在粘合層340中形成開(kāi)口“C”。開(kāi)口“C”可形成為與像素區(qū)“D”一致的形狀。例如，當(dāng)像素區(qū)“D”是矩形時(shí)，開(kāi)口“C”可以是矩形。轉(zhuǎn)移層330被粘合層340的開(kāi)口 “C”暴露。
[0110]開(kāi)口“C”被形成為等于或大于像素區(qū)“D”的區(qū)域。當(dāng)開(kāi)口“C”與以上區(qū)域相同時(shí)，如圖7所示，轉(zhuǎn)移層330可位于像素限定層170上。
[0111]而且，粘合層340可形成為環(huán)形，該環(huán)形在中心具有開(kāi)口 “C”。即，當(dāng)在豎直方向上觀看供體襯底300時(shí)，粘合層340被形成為圓環(huán)形狀，該圓環(huán)形狀具有與開(kāi)口“C”的圓周對(duì)應(yīng)的預(yù)定寬度。
[0112]可通過(guò)掩模將粘合層340形成在轉(zhuǎn)移層330上。掩?？梢詾槠毓庋谀；蛭⒓?xì)金屬掩模。
[0113]這里，粘合層340由具有粘合力或可附接/可拆分力的材料制成。即，粘合層340由粘合材料或可附接/可拆分材料制成。
[0114]當(dāng)粘合層340由粘合材料形成時(shí)，粘合層340可由熱硬化或光硬化材料形成。
[0115]參見(jiàn)圖6，轉(zhuǎn)移層330被轉(zhuǎn)移到粘合層340的外部周邊表面內(nèi)部的轉(zhuǎn)移區(qū)“A”中。
[0116]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法以及供體襯底，通過(guò)將被激光輻照的供體襯底的轉(zhuǎn)移層與供體襯底完全分離，可阻止轉(zhuǎn)移區(qū)的轉(zhuǎn)移層沒(méi)有完全轉(zhuǎn)移而部分留在供體襯底的轉(zhuǎn)移缺陷。
[0117]雖然所描述的本發(fā)明與目前視為實(shí)際的示例性實(shí)施方式有關(guān)，應(yīng)該知道，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施方式，然而相反，本發(fā)明將覆蓋包括在所附的權(quán)利要求的精神和范圍之內(nèi)的各種修改和等同設(shè)置。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括: 襯底； 薄膜晶體管，形成在所述襯底上； 像素電極，形成在所述薄膜晶體管上并與所述薄膜晶體管電連接； 像素限定層，形成在所述像素電極上并限定出像素區(qū)； 發(fā)射層，形成在所述像素電極上并在所述像素區(qū)中接觸所述像素電極；以及 中間層，形成在所述像素限定層上并接觸所述發(fā)射層的一部分。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述中間層由粘合材料制成。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述中間層由熱硬化材料或光硬化材料制成。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述中間層為可附接/可拆分材料。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述中間層沿所述發(fā)射層的邊緣形成。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述中間層形成為環(huán)形形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述發(fā)射層覆蓋中間層和所述像素區(qū)的像素電極。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述發(fā)射層覆蓋所述中間層的一部分。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述中間層覆蓋所述像素限定層的一部分。
10.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法，所述方法包括: 在襯底上形成薄膜晶體管； 在所述薄膜晶體管上形成與所述薄膜晶體管電連接的像素電極； 在所述像素電極上形成限定出像素區(qū)的像素限定層； 在所述像素限定層上形成中間層；以及 形成在所述像素區(qū)中接觸所述像素電極并覆蓋所述像素電極和所述中間層的發(fā)射層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，在形成發(fā)射層的步驟中，所述發(fā)射層覆蓋所述中間層的一部分。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成發(fā)射層的步驟包括: 在所述像素區(qū)上設(shè)置供體襯底，所述供體襯底的一個(gè)表面處形成有用于形成所述發(fā)射層的轉(zhuǎn)移層；以及 將所述轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移至所述像素區(qū)上。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成中間層的步驟包括: 將粘合材料或可附接/可拆分材料相對(duì)于所述發(fā)射層的邊緣設(shè)置在所述轉(zhuǎn)移層的下方；以及 當(dāng)所述轉(zhuǎn)移層被轉(zhuǎn)移到所述像素區(qū)上時(shí)，將所述粘合材料或所述可附接/可拆分材料轉(zhuǎn)移到所述像素限定層上。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)移層覆蓋所述像素電極和所述中間層。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述中間層覆蓋所述像素限定層的一部分。
16.一種供體襯底，用于將轉(zhuǎn)移材料轉(zhuǎn)移到由有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的像素限定層所限定的像素區(qū)，所述供體襯底包括: 基底層； 光熱轉(zhuǎn)換層，形成在所述基底層上； 轉(zhuǎn)移層，形成在所述光熱轉(zhuǎn) 換層上并由有機(jī)發(fā)射材料制成；以及 粘合層，形成在所述轉(zhuǎn)移層上并包括開(kāi)口，所述開(kāi)口的形狀與所述像素區(qū)對(duì)應(yīng)。
17.如權(quán)利要求16所述的供體襯底，其中，所述開(kāi)口等于或大于所述像素區(qū)的面積。
18.如權(quán)利要求16所述的供體襯底，其中，所述粘合層被形成為環(huán)形形狀。
19.如權(quán)利要求16所述的供體襯底，其中，所述粘合層由粘合材料制成。
20.如權(quán)利要求19所述的供體襯底，其中，所述粘合層由熱硬化材料或光硬化材料制成。
21.如權(quán)利要求16所述的供體襯底，其中，所述粘合層由可附接/可拆分材料形成。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104009059SQ201310412390
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月27日
【發(fā)明者】金南珍, 樸徹桓 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司