用于多芯片模塊和系統(tǒng)級(jí)封裝的過壓保護(hù)的制作方法
【專利摘要】本公開涉及用于多芯片模塊和系統(tǒng)級(jí)封裝的過壓保護(hù)。在一個(gè)實(shí)施方案中，一種裝置包括封裝，所述封裝包圍至少第一集成電路小片和第二集成電路小片。所述第一集成電路小片附接至所述封裝并且包括一個(gè)或多個(gè)電氣過應(yīng)力/靜電放電(EOS/ESD)保護(hù)電路。所述第二集成電路小片附接至所述封裝，并且電連接至所述第一集成電路小片，以使得所述第二集成電路小片中的至少一個(gè)部件由所述第一集成電路小片保護(hù)以免發(fā)生EOS/ESD。
【專利說明】用于多芯片模塊和系統(tǒng)級(jí)封裝的過壓保護(hù)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方案涉及電子系統(tǒng)，并且更具體地說，涉及對(duì)集成電路封裝中的集成電路的過壓保護(hù)。
【背景技術(shù)】
[0002]某些電子系統(tǒng)可能遭遇瞬態(tài)電氣事件、或具有快速變化的電壓和高功率的持續(xù)時(shí)間相對(duì)短的電氣信號(hào)。瞬態(tài)電氣事件可以包括(例如)由電荷從物體或人突然釋放到電子系統(tǒng)所引起的電氣過應(yīng)力/靜電放電(E0S/ESD)事件。
[0003]瞬態(tài)電氣事件可能因集成電路(IC)的相對(duì)小的區(qū)域上的過壓狀況和/或高功率耗散水平而損壞電子系統(tǒng)的1C。高功率耗散可以增加IC溫度，并且ESD可能引起許多其它問題，如柵氧化物穿透、結(jié)點(diǎn)損壞、金屬損壞以及表面電荷累積。此外，瞬態(tài)電氣事件可以包括閂鎖(換句話說，意外產(chǎn)生低阻抗路徑)，從而中斷IC運(yùn)作并且可能引起對(duì)IC的永久損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了對(duì)本公開進(jìn)行概述，已在本文中對(duì)本發(fā)明的某些方面、優(yōu)點(diǎn)以及新穎特征進(jìn)行描述。將理解，并非所有此類優(yōu)點(diǎn)一定都可以根據(jù)在本文所公開的任何具體實(shí)施方案實(shí)現(xiàn)。因此，本文所公開的本發(fā)明可以通過以下方式實(shí)施或進(jìn)行:實(shí)現(xiàn)或優(yōu)化如本文中所教導(dǎo)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或若干優(yōu)點(diǎn)，而不一定實(shí)現(xiàn)如本文中可能教導(dǎo)或提出的其它優(yōu)點(diǎn)。
[0005]根據(jù)一些實(shí)施方案，一種裝置可以包括封裝、第一集成電路小片(die)以及第二集成電路小片。所述封裝可以包圍至少所述第一集成電路小片和所述第二集成電路小片。所述第一集成電路小片可以附接至所述封裝，并且所述第一集成電路小片可以包括一個(gè)或多個(gè)電氣過應(yīng)力/靜電放電(E0S/ESD)保護(hù)電路。所述第二集成電路小片可以附接至所述封裝，并且所述第二集成電路小片可以電連接至所述第一集成電路小片，以使得所述第二集成電路小片中的至少一個(gè)部件可以由所述第一集成電路小片保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD。
[0006]前述段落中的所述裝置可以包括以下特征中的一個(gè)或多個(gè)的組合:所述第一集成電路小片進(jìn)一步可以包括功能集成電路，并且所述第二集成電路小片進(jìn)一步可以包括功能集成電路和其自己的一個(gè)或多個(gè)E0S/ESD保護(hù)電路。所述第一集成電路小片和所述第二集成電路小片的每個(gè)功能集成電路可以包括放大器、振蕩器、混頻器、濾波器、鎖相環(huán)、調(diào)制器、解調(diào)器、編碼器、解碼器、信號(hào)處理器、均衡器、接收器、發(fā)射器、定時(shí)器、微處理器、存儲(chǔ)器或轉(zhuǎn)換器。第一集成電路小片進(jìn)一步可以包括功能集成電路，并且第二集成電路小片進(jìn)一步可以包括集成無源裝置小片。第二集成電路小片可以通過接合導(dǎo)線來電連接至第一集成電路小片。第二集成電路小片的電源連接部被電連接至第一集成電路小片。第二集成電路小片的電源連接部可以通過接合導(dǎo)線來電連接至第一集成電路小片的電源連接部。第二集成電路小片的電源連接部可以通過一個(gè)或多個(gè)二極管或者一個(gè)或多個(gè)可控硅整流器來電連接至第一集成電路小片的電源連接部。第一集成電路小片的所述電源連接部被配置來在第一電壓下進(jìn)行操作，并且第二集成電路小片的所述電源連接部被配置來在不同于所述第一電壓的第二電壓下進(jìn)行操作。所述一個(gè)或多個(gè)二極管可以被配置來在反向偏壓模式下進(jìn)行操作。
[0007]在一些實(shí)施方案中，公開了一種提供保護(hù)以免發(fā)生電氣過應(yīng)力/靜電放電(E0S/ESD)的方法。所述方法可以包括將至少第一集成電路小片和第二集成電路小片組裝在共同封裝內(nèi)。第一集成電路小片可以包括一個(gè)或多個(gè)E0S/ESD保護(hù)電路。另外，所述方法可以包括通過第一集成電路小片的至少一個(gè)E0S/ESD保護(hù)電路來保護(hù)第二集成電路小片的至少一個(gè)部件。
[0008]前述段落中的所述方法可以包括以下特征中的一個(gè)或多個(gè)的組合:所述第一集成電路小片進(jìn)一步可以包括功能集成電路，并且所述第二集成電路小片進(jìn)一步可以包括功能集成電路和其自己的一個(gè)或多個(gè)E0S/ESD保護(hù)電路。所述第一集成電路小片和所述第二集成電路小片的每個(gè)功能集成電路可以包括放大器、振蕩器、混頻器、濾波器、鎖相環(huán)、調(diào)制器、解調(diào)器、編碼器、解碼器、信號(hào)處理器、均衡器、接收器、發(fā)射器、定時(shí)器、微處理器、存儲(chǔ)器或轉(zhuǎn)換器。第一集成電路小片進(jìn)一步可以包括功能集成電路，并且第二集成電路小片進(jìn)一步可以包括集成無源裝置小片。第二集成電路小片可以通過接合導(dǎo)線來電連接至第一集成電路小片。第二集成電路小片的電源連接部被電連接至第一集成電路小片。第二集成電路小片的電源連接部可以通過接合導(dǎo)線來電連接至第一集成電路小片的電源連接部。第二集成電路小片的電源連接部可以通過一個(gè)或多個(gè)二極管或者一個(gè)或多個(gè)可控硅整流器來電連接至第一集成電路小片的電源連接部。第一集成電路小片的所述電源連接部被配置來在第一電壓下進(jìn)行操作，并且第二集成電路小片的所述電源連接部被配置來在不同于所述第一電壓的第二電壓下進(jìn)行操作。所述一個(gè)或多個(gè)二極管可以被配置來在反向偏壓模式下進(jìn)行操作。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是包括處于同一封裝內(nèi)的多個(gè)集成電路的實(shí)例集成電路組件的框圖。
[0010]圖2是一個(gè)實(shí)例集成電路組件的示意性框圖，其中一個(gè)集成電路由另一集成電路保護(hù)以免發(fā)生電氣過應(yīng)力/靜電放電(E0S/ESD)事件。
[0011]圖3是另一實(shí)例集成電路組件的示意性框圖，其中所述集成電路組件的一個(gè)集成電路由所述集成電路組件的另一集成電路保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。
[0012]圖4是一個(gè)實(shí)例集成電路組件的示意性框圖，其中所述集成電路組件的一個(gè)集成電路由所述集成電路組件的多于一個(gè)其它集成電路保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。
[0013]圖5是另一實(shí)例集成電路組件的示意性框圖，其中所述集成電路組件的一個(gè)集成電路由所述集成電路組件的多于一個(gè)其它集成電路保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。
[0014]圖6示出包括集成電路封裝的集成電路組件的一個(gè)實(shí)例的布局和電路圖，其中所述集成電路組件的一個(gè)集成電路由所述集成電路組件的多于一個(gè)其它集成電路保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。
[0015]圖7示出包括集成電路封裝的集成電路組件的另一實(shí)例的布局和電路圖，其中所述集成電路組件的一個(gè)集成電路由所述集成電路組件的多于一個(gè)其它集成電路保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。[0016]圖8是包括處于同一封裝內(nèi)的多個(gè)集成電路的實(shí)例集成電路組件的電路圖，其中示出從所述封裝的一個(gè)引腳到所述封裝的另一引腳的ESD路徑。
[0017]圖9是用于將集成電路小片置于封裝內(nèi)的過程的一個(gè)實(shí)施方案。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下對(duì)某些實(shí)施方案的詳細(xì)描述呈現(xiàn)了對(duì)本發(fā)明的特定實(shí)施方案的各種描述。然而，本發(fā)明可以通過如權(quán)利要求書所界定并且涵蓋的眾多不同方式實(shí)施。在本說明書中，參照了附圖，其中類似參考數(shù)字指示相同或功能上相似的元件。
[0019]多個(gè)有源和無源集成電路(IC)小片可以被包括在用于封裝或包圍所述IC小片的IC封裝或引線框架中以形成IC組件。本文所用術(shù)語“1C組件”包括IC封裝和被封裝在所述IC封裝內(nèi)的IC小片。IC封裝可以使得不同IC小片能夠集成為單一單元，如芯片上的系統(tǒng)，所述單一單元可以連接至其它部件。此外，IC封裝可以針對(duì)多個(gè)IC小片提供支持，從而防止物理性損壞和腐蝕并且提供電觸點(diǎn)以用于將IC組件聯(lián)接至其它部件。
[0020]IC封裝的連接引腳可能遭遇如電氣過應(yīng)力/靜電放電(E0S/ESD)事件的瞬態(tài)電氣事件，所述瞬態(tài)電氣事件可能損壞IC封裝中的一個(gè)或多個(gè)IC小片。瞬態(tài)電氣事件可為快速變化的高能信號(hào)或與由(例如)用戶接觸IC封裝所引起的過壓事件相關(guān)聯(lián)。存在由各種機(jī)構(gòu)(如聯(lián)合電子設(shè)備工程協(xié)會(huì)(Joint Electronic Device Engineering Council ；JEDEC)、國際電工委員會(huì)(International Electrotechnical Commission ；IEC)以及汽車工程協(xié)會(huì)(Automotive Engineering Council ;AEC))設(shè)定的用于測(cè)試ESD敏感性的各種標(biāo)準(zhǔn)。為了提供保護(hù)以免發(fā)生瞬態(tài)電氣事件，可以使用各種方法來對(duì)IC封裝中的一個(gè)或多個(gè)IC小片進(jìn)行保護(hù)。在本公開中，瞬態(tài)電氣事件和E0S/ESD事件在下文可以互換引用和使用來表明遭遇相同事件。
[0021]在一些系統(tǒng)中，用于IC組件的E0S/ESD保護(hù)被提供在IC組件的外部并且電連接至IC組件的IC封裝也與之連接的板。在IC組件外部的E0S/ESD保護(hù)可以包括如一個(gè)或多個(gè)齊納二極管或瞬態(tài)電壓抑制器的部件。當(dāng)IC組件遭遇E0S/ESD事件時(shí)，E0S/ESD保護(hù)可以針對(duì)E0S/ESD提供除了穿過IC組件外的放電路徑。然而，加入處于IC組件外部的EOS/ESD保護(hù)使得系統(tǒng)中的部件數(shù)量增加并且會(huì)進(jìn)一步使系統(tǒng)的成本和尺寸增加。此外，在這種配置中，IC組件自身可能無法滿足具體ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的要求，從而可能影響IC組件的商業(yè)價(jià)值。
[0022]在一些系統(tǒng)中，專用E0S/ESD保護(hù)IC小片與所述IC組件一起封裝并且起到對(duì)IC封裝中的一個(gè)或多個(gè)其它IC小片提供E0S/ESD保護(hù)的唯一功能。所述專用E0S/ESD保護(hù)IC小片可以針對(duì)由E0S/ESD事件所引起的穿過IC封裝的電流提供放電路徑，從而避開一個(gè)或多個(gè)其它IC小片。然而，加入專用E0S/ESD保護(hù)IC小片使得IC組件的部件的數(shù)量增加并且會(huì)增加系統(tǒng)的成本和尺寸。此外，專用E0S/ESD保護(hù)IC小片會(huì)增加制造復(fù)雜性、時(shí)間以及風(fēng)險(xiǎn)，并且會(huì)要求修改IC封裝或接合選項(xiàng)以支持所述專用E0S/ESD保護(hù)IC小片。另夕卜，專用E0S/ESD保護(hù)IC小片會(huì)在系統(tǒng)中引入寄生效應(yīng)并且影響IC封裝中所包括的其它IC小片的功能性。
[0023]在一些系統(tǒng)中，E0S/ESD保護(hù)元件被并入與IC組件一起封裝的一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)IC小片中的每一個(gè)中。然而，由于E0S/ESD保護(hù)元件可以提供不同程度或種類的E0S/ESD保護(hù)，因此具有EOS/ESD保護(hù)元件的一個(gè)或多個(gè)IC小片可能要比IC組件的其它IC小片更易遭受EOS/ESD事件。結(jié)果，當(dāng)來自EOS/ESD事件的電流穿過各種IC小片從封裝的一個(gè)連接引腳通向封裝的另一連接引腳時(shí)，可能不太能夠保護(hù)所述封裝中的一個(gè)或多個(gè)IC小片免受EOS/ESD事件的損壞。
[0024]有利地，在本公開中所討論的某些實(shí)施方案中，將IC組件的一個(gè)或多個(gè)有源或無源IC小片連接以共用E0S/ESD保護(hù)元件。例如，可以將高速放大器(HSA) IC小片連接至電流反饋放大器(CFA) IC小片，以使得CFA IC小片的至少一個(gè)部件由HAS IC小片的E0S/ESD保護(hù)元件保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。通過共用E0S/ESD保護(hù)元件，IC組件中包括的部件數(shù)量可以減少，并且系統(tǒng)的成本和尺寸可以減小。另外，可對(duì)IC封裝的一個(gè)或多個(gè)IC小片提供增加的E0S/ESD保護(hù)，從而使IC組件產(chǎn)生更大總體穩(wěn)健性并且使一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)IC小片產(chǎn)生更少E0S/ESD相關(guān)故障。另外，由于可能發(fā)生更少的與E0S/ESD相關(guān)的故障，因此可以減少用于防止E0S/ESD事件的具有嚴(yán)格控制的成本。
[0025]圖1是IC組件100的實(shí)施例的框圖，所述IC組件包括IC封裝102和封裝于IC
封裝102內(nèi)的多個(gè)IC小片102a、102b、......、102n。IC封裝102可使得能夠?qū)⒍鄠€(gè)IC小
片102a、102b........102η集成為單一單元，其可進(jìn)一步經(jīng)由IC封裝102的電接點(diǎn)來連接
至其它部件。IC封裝102可為多個(gè)IC小片102a、102b、......、102η提供支持以便防止多
個(gè)IC小片102a、102b........102η的物理性損壞和腐蝕。在某些實(shí)施方案中，使用IC封
裝102可有利地減少系統(tǒng)的板級(jí)寄生效應(yīng)并且使得與使用其它方法相比能夠?qū)⒍鄠€(gè)IC小片102a、102b、.......102η置于更小區(qū)域中。
[0026]IC封裝102可對(duì)應(yīng)于例如系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)或多芯片模塊(MCM)等。SiP可為一個(gè)或多個(gè)IC小片垂直地堆疊于IC封裝中的IC封裝，并且MCM可為一個(gè)或多個(gè)IC小片彼此相鄰地水平放置的IC封裝。在一些實(shí)施方案中，一個(gè)或多個(gè)IC小片可一起安裝于IC封裝102中的共同基板上。多個(gè)小片的其它形式的IC封裝可為適用的。
[0027]包含于IC封裝102中的多個(gè)IC小片102a、102b、......、102η可包括各種部件或
執(zhí)打各種功能。在一些實(shí)施方案中，IC小片可基于IC小片的構(gòu)成部件或由IC小片執(zhí)彳丁的功能來歸類為有源IC小片或無源IC小片。有源IC小片可包括電路部件如晶體管或二極管并且充當(dāng)功能元件、E0S/ESD保護(hù)(ESDP)元件或連接器元件。無源IC小片可包括無源元件如電阻器、電感器或電容器，其為集成無源裝置(IPD)小片的部件。
[0028]由于多個(gè)IC小片102a、102b、......、102η可包括不同部件或執(zhí)行不同功能，因此
每個(gè)IC小片可具有一個(gè)或多個(gè)不同ESDP元件(未展示)，其被設(shè)計(jì)成保護(hù)IC小片以免遭遇E0S/ESD事件。兩個(gè)或更多個(gè)所述IC小片可在不同時(shí)間、在不同限制下以及使用不同方法來設(shè)計(jì)，因此與其它元件相比，一些E0S/ESD保護(hù)元件可能夠更好地保護(hù)IC小片以免遭遇E0S/ESD。此外，基于IC小片設(shè)計(jì)的一個(gè)或多個(gè)不同E0S/ESD保護(hù)元件，不同IC小片設(shè)計(jì)可得到不同的E0S/ESD保護(hù)等級(jí)。在一些實(shí)施方案中，E0S/ESD保護(hù)等級(jí)是指示由EOS/ESD保護(hù)元件提供的防止遭遇瞬態(tài)電氣事件的程度或特征的值，并且較高的E0S/ESD保護(hù)等級(jí)可對(duì)應(yīng)于對(duì)遭遇E0S/ESD事件的更大保護(hù)和E0S/ESD事件導(dǎo)致IC小片故障或損壞的減小的可能性。E0S/ESD保護(hù)等級(jí)可與E0S/ESD等級(jí)規(guī)格比較，所述規(guī)格如人體模型(HBM)規(guī)格和帶電裝置模型(CDM)規(guī)格。E0S/ESD等級(jí)規(guī)格可提供IC小片或封裝在如醫(yī)學(xué)應(yīng)用的具體應(yīng)用中使用時(shí)的穩(wěn)健性標(biāo)準(zhǔn)。[0029]有利地，在某些實(shí)施方案中，IC組件的共同封裝內(nèi)的多個(gè)IC小片102a、
102b、......、102n中的一個(gè)或多個(gè)IC小片可相連接以共用EOS/ESD保護(hù)元件。具體地說，
具有一些或較好E0S/ESD保護(hù)能力或較高E0S/ESD保護(hù)等級(jí)的一個(gè)或多個(gè)IC小片可連接
至其它IC小片以便向所述其它IC小片提供E0S/ESD保護(hù)。多個(gè)IC小片102a、102b........102η可按以下方式連接，即使得最低限度地或可忽略地影響共用EOS/ESD保護(hù)元件的IC封裝102的IC小片的性能。
[0030]圖2是IC組件200的電氣部件的示意性框圖，在所述IC組件所包括的IC封裝202中，一個(gè)IC小片由另一個(gè)IC小片保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。IC封裝202包括并聯(lián)連接的第一 IC小片102a和第二 IC小片102b。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的示意圖中的頂部連接部被連接至正電源電壓或干線+Vs，并且第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的示意圖中的底部連接部被連接至負(fù)電源電壓或干線-Vs。應(yīng)了解“頂部”和“底部”是圖2-圖8中的示意性表示并且不一定是指具體小片的物理位置或定向。第一 IC小片102a包括并聯(lián)連接的第一功能元件204a和第一 ESDP元件206a。第二 IC小片102b包括并聯(lián)連接的第二功能元件204b和第二 ESDP元件206b。
[0031]除了一個(gè)或多個(gè)任選的無源電路部件如電阻器、電容器或電感器以外，第一和第二功能元件204a、204b還可包括一個(gè)或多個(gè)有源電路部件如晶體管。第一和第二功能元件204a、204b可使得每個(gè)IC小片能夠執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)功能，例如作為放大器、振蕩器、混頻器、濾波器、鎖相環(huán)、調(diào)制器、解調(diào)器、編碼器、解碼器、信號(hào)處理器、均衡器、接收器、發(fā)送器、定時(shí)器、微處理器、存儲(chǔ)器或轉(zhuǎn)換器(例如模數(shù)轉(zhuǎn)換器或數(shù)模轉(zhuǎn)換器)等。在一些實(shí)施方案中，由第一和第二功能元件204a、204b提供的特征可為將第一和第二 IC小片102a、102b —起封裝在IC封裝202內(nèi)的商業(yè)上重要原因。
[0032]第一和第二 ESDP元件206a、206b可包括一個(gè)或多個(gè)E0S/ESD保護(hù)部件，其被配置來增強(qiáng)個(gè)別IC小片的可靠性并且保護(hù)部件以免遭遇E0S/ESD事件。例如，第一 ESDP元件206a可被配置來保護(hù)第一功能元件204a以免遭遇第一種類型或嚴(yán)重程度的E0S/ESD事件，并且第二 ESDP元件206b可被配置來保護(hù)第二功能元件204b以免遭遇第二種類型或嚴(yán)重程度的E0S/ESD事件。第一或第二 ESDP元件206a、206b中的至少一個(gè)元件可通過在EOS/ESD事件的電壓達(dá)到觸發(fā)電壓時(shí)從高阻抗?fàn)顟B(tài)過渡到低阻抗?fàn)顟B(tài)而將功能元件204a、204b兩端的電壓水平保持在預(yù)定安全范圍內(nèi)。其后，在瞬態(tài)電氣事件的電壓達(dá)到正或負(fù)故障電壓，從而可能導(dǎo)致IC小片損壞的最常見原因之一之前，第一或第二 ESDP元件206a、206b中的至少一個(gè)元件可將與E0S/ESD事件相關(guān)的電流的至少一部分從正電源電壓+Vs分流至負(fù)電源電壓_Vs,或反之亦然。在一些實(shí)施方案中，正電源電壓+Vs或負(fù)電源電壓-Vs可電連接至低阻抗功率低電源，如接地。
[0033]在一個(gè)實(shí)施方案中，與第二 ESDP元件206b的保護(hù)部件相比，第一 ESDP元件206a的保護(hù)部件具有不同E0S/ESD保護(hù)等級(jí)。E0S/ESD保護(hù)等級(jí)可取決于E0S/ESD保護(hù)部件的特征，如部件響應(yīng)速度或時(shí)機(jī)(例如，感測(cè)電壓變化可能比感測(cè)閾值電壓水平更快)、響應(yīng)準(zhǔn)確度(例如，是否在實(shí)際上存在E0S/ESD事件時(shí)將所述事件指示為存在)、響應(yīng)觸發(fā)電壓(例如，正和負(fù)瞬態(tài)電氣事件的較高電壓閾值或敏感性)等。
[0034]例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，與第二 ESDP元件206b相比，第一 ESDP元件206a可具有更好E0S/ESD保護(hù)能力或更高E0S/ESD保護(hù)等級(jí)。第一 ESDP元件206a可包括使用SiGe工藝來制造的有源瞬態(tài)觸發(fā)雙極供電鉗，而第二 ESDP元件206b可使用第一代雙極工藝來制造并且提供更有限的EOS/ESD保護(hù)。有利地，通過分別連接第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的正電源電壓+Vs和負(fù)電源電壓-Vs，第二 IC小片102b的第二功能元件204b可由第一 IC小片102a的第一 ESDP元件206a來保護(hù)以免遭遇EOS/ESD事件。假定第一 ESDP元件206a的更好EOS/ESD保護(hù)能力或更高EOS/ESD保護(hù)等級(jí)，在第二 ESDP元件206b將由EOS/ESD事件產(chǎn)生的電流分流之前，第一 ESDP元件206a可將由EOS/ESD事件產(chǎn)生的電流分流而遠(yuǎn)離第二功能元件204b。另外,在不使包括第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的IC封裝202的功率效率或封裝效率降級(jí)的情況下，第二 IC小片102b可相應(yīng)地得到增加的EOS/ESD事件防護(hù)。
[0035]圖3是IC組件300的另一個(gè)實(shí)施例的示意性框圖，在所述IC組件所包括的IC封裝302中，一個(gè)IC由另一個(gè)IC保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。圖3類似于圖2，除了第一 IC小片102a和第二 IC小片102b并非并聯(lián)連接以外。替代地，第一 IC小片102a的連接器元件308a將第一 IC小片102a連接至第二 IC小片102b。
[0036]在圖3中，第一 IC小片102a包括第一功能元件304a、第一 ESDP元件306a和連接器元件308a，其為并聯(lián)連接。第一 IC小片102a的示意圖中的頂部連接部被連接至第一正電源電壓+Vs1,并且第一 IC小片102a的示意圖中的底部連接部被連接至第一負(fù)電源電壓_VSl。第二 IC小片102b包括并聯(lián)連接的第二功能元件304b和第二 ESDP元件306b。第二 IC小片102b的示意圖中的頂部連接部被連接至第二正電源電壓+Vs2,并且第二 IC小片102b的示意圖中的底部連接部被連接至第二負(fù)電源電壓-Vs2。連接器元件308a的一個(gè)輸出連接部被連接至第二正電源電壓+Vs2，并且連接器元件308b的另一個(gè)輸出連接部被連接至第二負(fù)電源電壓_Vs2。
[0037]有利地，即使當(dāng)?shù)谝?IC小片102a和第二 IC小片102b被配置來以不同電源電壓操作時(shí)，連接器元件308a可使得第一 IC小片102a和第二 IC小片102b能夠共用第一和第二 ESDP元件306a、306b。在一些實(shí)施方案中，連接器元件308a包括一個(gè)或多個(gè)二極管、可控硅整流器(SCR)或晶體管，如雙極面結(jié)型晶體管(BJT)。例如，連接器元件308a可包括串聯(lián)的兩個(gè)二極管，其并聯(lián)連接至串聯(lián)的兩個(gè)其它二極管。此外，連接器元件308a的每個(gè)輸出連接部可連接在每一組兩個(gè)串聯(lián)二極管的二極管之間，并且一個(gè)或多個(gè)二極管可被配置來在正常操作期間以反向偏壓模式操作。第一正電源電壓+Vs1可保持大于或等于第二正電源電壓+Vs2并且第一負(fù)電源電壓-Vs1可保持小于或等于第二負(fù)電源電壓_Vs2。連接器元件308a可將由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流在第一和第二正電源+Vs1和+Vs2與第一和第二負(fù)電源電壓-VsjP -Vs2之間傳送。然后，由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流可經(jīng)由第一或第二 ESDP元件306a、306b來分流，這取決于例如觸發(fā)特征，其可體現(xiàn)在具有更好的E0S/ESD保護(hù)能力或更高的E0S/ESD保護(hù)等級(jí)。在一些實(shí)施方案中，連接器元件308a中所包括的二極管或晶體管的數(shù)量可取決于不同供電干線之間的電壓差。另外，在一些實(shí)施方案中，在不同供應(yīng)干線之間的電壓差可能較大時(shí)，連接器元件308a可包括一個(gè)或多個(gè)SCR而非一個(gè)或多個(gè)二極管或晶體管，因?yàn)橐粋€(gè)或多個(gè)SCR可提供與串聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)二極管或晶體管類似的EOS/ESD保護(hù)能力或E0S/ESD保護(hù)等級(jí)，同時(shí)與一個(gè)或多個(gè)二極管或晶體管可能使用的IC小片的面積相比，使用更小的IC小片面積。連接器元件稍后結(jié)合圖6、7和8來更詳細(xì)地描述。
[0038]圖4是IC組件400的實(shí)施例的示意性框圖，在所述IC組件所包括的IC封裝402中，一個(gè)IC由多于一個(gè)IC保護(hù)以免發(fā)生EOS/ESD事件。圖4類似于圖3，除了三個(gè)IC小片102a、102b、103c現(xiàn)在包括于IC封裝402中并且兩個(gè)連接器元件408a、408b連接至第三IC小片102c以外。
[0039]在圖4中，第一 IC小片102a包括第一功能元件404a、第二 ESDP元件406a和第一連接器元件408a，其為并聯(lián)連接。類似地，第二 IC小片102b包括第二功能元件404b、第二 ESDP元件406b和第二連接器元件408b，其為并聯(lián)連接。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的示意圖中的頂部連接部被連接至第一正電源電壓+Vs1，并且第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的示意圖中的底部連接部被連接至第一負(fù)電源電壓_VSl。第三IC小片102c包括并聯(lián)連接的功能元件404c和ESDP元件406c。第三IC小片102c的示意圖中的頂部連接部被連接至第二正電源電壓+Vs2,并且第三IC小片102c的示意圖中的底部連接部被連接至第二負(fù)電源電壓-Vs2。第一連接器元件408a的輸出連接部被連接至第二正電源電壓+Vs2，并且第二連接器元件408b的輸出連接部被連接至第二負(fù)電源電壓-Vs2。
[0040]有利地，當(dāng)?shù)谝?IC小片102a和第二 IC小片102b被配置來以與第三IC小片102c不同的電源電壓操作時(shí)，第一和第二連接器元件408a、408b可使得第一 IC小片102a、第二IC小片102b和第三IC小片102c能夠共用ESDP元件406a、406b和406c。在一些實(shí)施方案中，第一和第二連接器元件408a、408b包括一個(gè)或多個(gè)二極管、可控硅整流器(SCR)或晶體管，如雙極面結(jié)型晶體管(BJT)。例如，每個(gè)連接器元件可包括串聯(lián)連接的兩個(gè)二極管。此外，每個(gè)連接器元件的輸出連接部可連接在這一組兩個(gè)串聯(lián)二極管的二極管之間，并且一個(gè)或多個(gè)二極管可被配置來在正常操作期間以反向偏壓模式操作。第一正電源電壓+Vs1可保持大于或等于第二正電源電壓+Vs2并且第一負(fù)電源電壓-Vsl可保持小于或等于第二負(fù)電源電壓_Vs2。第一和第二連接器元件408a、408b可將由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流在正電源電壓+Vs1和+Vs2與負(fù)電源電壓-Vs1和-Vs2之間傳送。然后，由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流可經(jīng)由ESDP元件406a、406b或406c中的一個(gè)或多個(gè)元件來分流,這取決于例如觸發(fā)特征，其可體現(xiàn)在具有更好的E0S/ESD保護(hù)能力或更高的E0S/ESD保護(hù)等級(jí)。在一些實(shí)施方案中，第一和第二連接器元件408a、408b中所包括的二極管或晶體管的數(shù)量可取決于不同供電干線之間的電壓差。另外，在一些實(shí)施方案中，在不同供應(yīng)干線之間的電壓差可能較大時(shí)，第一和第二連接器元件408a、408b可包括一個(gè)或多個(gè)SCR而非一個(gè)或多個(gè)二極管或晶體管，因?yàn)橐粋€(gè)或多個(gè)SCR可提供與串聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)二極管或晶體管類似的E0S/ESD保護(hù)能力或E0S/ESD保護(hù)等級(jí)，同時(shí)與一個(gè)或多個(gè)二極管或晶體管可能使用的IC小片的面積相比，使用更小的IC小片面積。
[0041]圖5是IC組件500的另一個(gè)實(shí)施例的示意性框圖，在所述IC組件所包括的IC封裝502中，一個(gè)IC由多于一個(gè)IC保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。圖5類似于圖4，除了第三IC小片102c包括無源元件510c而非第三功能元件404c和第三ESDP元件406c以外。在以下情況時(shí)圖5的配置可為有利的，即當(dāng)?shù)谌齀C小片102c連接至IC封裝502的一個(gè)或多個(gè)外部連接部，以使得第三IC小片102c可具有對(duì)遭遇E0S/ESD事件的保護(hù)措施時(shí)。
[0042]在圖5中，第一 IC小片102a包括第一功能元件504a、第一 ESDP元件506a和第一連接器元件508a，其為并聯(lián)連接。類似地，第二 IC小片102b包括第二功能元件504b、第二ESDP元件506b和第二連接器元件508b，其為并聯(lián)連接。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的示意圖中的頂部連接部被連接至正電源電壓+Vs，并且第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的示意圖中的底部連接部被連接至負(fù)電源電壓-Vs。第三IC小片102c包括無源元件510c，如集成無源裝置(IPD)。第三IC小片102c的示意圖中的頂部連接部被連接至連接器元件508a的輸出連接部，并且第三IC小片102c的示意圖中的底部連接部被連接至連接器元件508b的輸出連接部。
[0043]有利地，第一和第二連接器元件508a、508b可使得第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c能夠共用第一和第二 ESDP元件506a、506b。在一些實(shí)施方案中，第一和第二連接器元件508a、508b包括一個(gè)或多個(gè)二極管、可控硅整流器(SCR)或晶體管，如雙極面結(jié)型晶體管(BJT)。例如，每個(gè)連接器元件可包括串聯(lián)的兩個(gè)二極管，并且連接器元件的輸出連接部可連接至兩個(gè)二極管之間。一個(gè)或多個(gè)二極管或晶體管可被配置來在正常操作期間以反向偏壓模式操作。一個(gè)或多個(gè)二極管或晶體管可將由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流在正電源電壓+Vs與負(fù)電源電壓-Vs之間傳送，并且反之亦然。然后，由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流可經(jīng)由ESDP元件506a、506b中的任何一個(gè)或多個(gè)來分流，這取決于哪一個(gè)或多個(gè)元件具有更好E0S/ESD保護(hù)能力或更高E0S/ESD保護(hù)等級(jí)。作為另一個(gè)實(shí)施例，每個(gè)連接器元件可包括被配置來接通或斷開的一個(gè)或多個(gè)SCR。當(dāng)一個(gè)或多個(gè)SCR可在正常操作期間斷開時(shí)，一個(gè)或多個(gè)SCR可例如將由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流在第一或第二連接器元件508a、508b的輸出連接部與負(fù)電源電壓-Vs之間傳送。
[0044]電路圖集成電路實(shí)施方案
[0045]圖6示出IC組件的實(shí)施例的布置和電路圖，在所述IC組件所包括的IC封裝602中，一個(gè)IC小片由多于一個(gè)IC小片保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。圖6的電路圖實(shí)施方案可對(duì)應(yīng)于圖2的示意性框圖實(shí)施方案，其中IC小片與電耦合的電源連接部并聯(lián)連接。圖6的IC封裝602封裝第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c，其為并聯(lián)連接。圖6的示意圖中的第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c的頂部連接部通過接合導(dǎo)線來電耦合至正電源電壓或干線+Vs的來源。應(yīng)了解，關(guān)于第一、第二和第三小片102a、102b、102c而言的“頂部”和“底部”僅僅是示意性表示并且不一定是指具體小片上的物理位置或定向。第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c的底部連接部通過接合導(dǎo)線來電耦合至負(fù)電源電壓或干線-Vs的來源。干線+Vs或干線-Vs的來源可為例如IC封裝602內(nèi)的電路板中的跡線或平面，其進(jìn)而可連接至引腳以便連接至IC封裝602外部。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b包括并聯(lián)連接的功能元件和ESDP元件。第三IC小片102c包括并聯(lián)連接的功能元件和ESDP元件。
[0046]在一個(gè)非限制實(shí)施例中，第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的功能元件可對(duì)應(yīng)于高速放大器(HSA)，并且第三IC小片102c的功能元件可對(duì)應(yīng)于電流反饋放大器(CFA)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的每個(gè)ESDP元件可為使用SiGe工藝制造的有源瞬態(tài)觸發(fā)雙極供電鉗。有源瞬態(tài)觸發(fā)雙極供電鉗可響應(yīng)于隨著時(shí)間的電壓變化來觸發(fā)以便分流電流。另外，有源瞬態(tài)觸發(fā)雙極供電鉗可包括電流放大特征以便放大放電能力、降低通態(tài)電阻并且實(shí)現(xiàn)正電源與負(fù)電源之間的完全放電。第三IC小片102c的ESDP元件可為使用第一代雙極工藝制造的反向偏壓二極管，其依賴于二極管面結(jié)擊穿以便實(shí)現(xiàn)E0S/ESD保護(hù)。因此，與第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的ESDP元件相比，第三IC小片102c的ESDP元件可提供更有限的E0S/ESD保護(hù)。此外，與第三IC小片102c的ESDP元件相比，第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的ESDP元件可提供更好E0S/ESD保護(hù)能力或更高EOS/ESD保護(hù)等級(jí)。
[0047]有利地，第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c的連接的電源使得IC小片能夠共用ESDP元件。因?yàn)榈谝?IC小片102a和第二 IC小片102b的ESDP元件可提供更好的E0S/ESD保護(hù)能力或更高的E0S/ESD保護(hù)等級(jí)，所以在由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流可能另外通過第三IC小片102c的ESDP元件來分流之前，電流可經(jīng)由第一 IC小片102a或第二 IC小片102b的ESDP元件來分流。
[0048]圖7示出IC組件的另一個(gè)實(shí)施例的布置和電路圖，在所述IC組件所包括的IC封裝702中，一個(gè)IC由多于一個(gè)IC保護(hù)以免發(fā)生E0S/ESD事件。圖7的電路圖實(shí)施方案可對(duì)應(yīng)于圖4的示意性框圖實(shí)施方案，其中兩個(gè)IC小片與電耦合的電源連接部并聯(lián)連接，并且進(jìn)一步經(jīng)由連接器元件連接至第三IC小片。
[0049]圖7的IC封裝702封裝第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的頂部連接部通過接合導(dǎo)線來電耦合至正電源電壓或干線+Vsl的來源。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的底部連接部通過接合導(dǎo)線來電耦合至負(fù)電源電壓或干線-Vsl的來源。干線+Vs或干線-Vs的來源可為例如IC封裝702內(nèi)的電路板中的跡線或平面，其進(jìn)而可連接至引腳以便連接至IC封裝702外部。第一IC小片102a和第二 IC小片102b包括功能元件、ESDP元件和連接器元件(例如，在所說明的實(shí)施例中展示為二極管)，其為并聯(lián)連接。第三IC小片102c包括并聯(lián)連接的功能元件和ESDP元件。第三IC小片102c的頂部連接部通過接合導(dǎo)線電耦合至正電源電壓或干線+Vs2。第三IC小片102c的底部連接部通過接合導(dǎo)線電耦合至負(fù)電源電壓或干線-Vs2。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的連接器元件(在所說明的實(shí)施例中的串聯(lián)連接的若干組兩個(gè)二極管)的輸出連接部分別連接至正電源電壓+Vs2和負(fù)電源電壓_Vs2。
[0050]在一些實(shí)施方案中，連接器元件的輸出連接部可有利地利用一個(gè)或多個(gè)IC小片的否則不使用的引腳，如預(yù)先指定為“無連接”(NC)引腳的引腳、額外焊盤或虛設(shè)焊盤。由于以前存在的NC引腳在正常情況下不連接至每個(gè)IC小片的功能元件，因此額外E0S/ESD保護(hù)不應(yīng)有損于IC小片的一個(gè)或多個(gè)功能元件的性能或特征。當(dāng)然，在預(yù)先指定的NC引腳用于E0S/ESD保護(hù)之后，引腳應(yīng)不再指定為NC。當(dāng)NC引腳可能不可用于一個(gè)或多個(gè)IC小片上時(shí)，可執(zhí)行IC小片修正以便并入NC引腳或接合焊盤，或ESDP元件可并入NC引腳或接合焊盤之下。此外，一個(gè)或多個(gè)NC引腳可使用一個(gè)或多個(gè)SCR或基于升降壓二極管的方法來參考接地，以便將來自E0S/ESD事件的電流分流而遠(yuǎn)離一個(gè)或多個(gè)功能元件。
[0051]有利地，第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的連接器元件使得第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c能夠共用ESDP元件。因?yàn)榈谝?IC小片102a和第二 IC小片102b的ESDP元件可提供更好的E0S/ESD保護(hù)能力或更高的E0S/ESD保護(hù)等級(jí)，所以在由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流可能另外通過第三IC小片102c的ESDP元件來分流之前，電流應(yīng)經(jīng)由第一 IC小片102a或第二 IC小片102b的ESDP元件來分流。
[0052]圖8示出包括IC封裝802的IC組件的實(shí)施例的布置和電路圖，其示出從IC封裝802的一個(gè)引腳到IC封裝802的另一個(gè)引腳的ESD路徑。圖8的電路圖實(shí)施方案可對(duì)應(yīng)于圖5的示意性框圖實(shí)施方案，其中兩個(gè)IC小片與電耦合的電源連接部并聯(lián)連接，并且進(jìn)一步經(jīng)由連接器元件連接至第三IC小片。如關(guān)于圖5所討論，在以下情況時(shí)圖8的配置可為有利的，即當(dāng)?shù)谌齀C小片102c連接至IC封裝802的一個(gè)或多個(gè)外部連接部(例如，如經(jīng)由引腳12、引腳20或引腳23，如圖8中示出)，以使得第三IC小片102c具有遭遇EOS/ESD事件的保護(hù)措施時(shí)。
[0053]圖8的IC封裝802封裝第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c。在所說明的配置中，第一小片102a和第二小片102b堆疊于第三小片102c頂部上。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的頂部連接部通過接合導(dǎo)線來電耦合至正電源電壓或干線+Vs的來源。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的底部連接部通過接合導(dǎo)線來電耦合至負(fù)電源電壓或干線-Vs的來源。干線+Vs或干線-Vs的來源可為例如IC封裝602內(nèi)的電路板中的跡線或平面，其進(jìn)而可連接至引腳以便連接至IC封裝602外部。另外，應(yīng)了解，關(guān)于第一、第二或第三小片102a、102b、102c而言的“頂部”和“底部”僅僅是示意性表示并且不一定是指具體小片上的物理位置或定向。第一 IC小片102a和第二 IC小片102b包括功能元件、ESDP元件和連接器元件(例如，在所說明的實(shí)施例中展示為二極管)，其為并聯(lián)連接。第三IC小片102c包括IB)并且可不包括ESDP元件。第三IC小片102c的頂部連接部電耦合至第一 IC小片102a的連接器元件的輸出連接部，并且第三IC小片102c的底部連接部電耦合至第二 IC小片102b的連接器元件的輸出連接部。
[0054]在一些實(shí)施方案中，連接器元件的輸出連接部可有利地利用一個(gè)或多個(gè)IC小片的否則不使用的引腳，如預(yù)先指定為NC引腳的引腳、額外焊盤或虛設(shè)焊盤。由于以前存在的NC引腳在正常情況下不連接至每個(gè)IC小片的功能元件，因此額外E0S/ESD保護(hù)不應(yīng)有損于IC小片的一個(gè)或多個(gè)功能元件的性能或特征。當(dāng)然，在預(yù)先指定的NC引腳用于EOS/ESD保護(hù)之后，引腳應(yīng)不再指定為NC。當(dāng)NC引腳可能不可用于一個(gè)或多個(gè)IC小片上時(shí)，可執(zhí)行IC小片修正以便并入NC引腳或接合焊盤，或ESDP元件可并入NC引腳或接合焊盤之下。此外，一個(gè)或多個(gè)NC弓I腳可使用一個(gè)或多個(gè)SCR或基于升降壓二極管的方法來參考接地，以便將來自E0S/ESD事件的電流分流而遠(yuǎn)離一個(gè)或多個(gè)功能元件。
[0055]有利地，第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的連接器元件使得第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c能夠共用ESDP元件。在所說明的實(shí)施例中，與第二 IC小片102b的ESDP元件相比，第一 IC小片102a的ESDP元件可具有更好E0S/ESD保護(hù)能力或更高E0S/ESD保護(hù)等級(jí)。因此，除了將電流分流而遠(yuǎn)離第一 IC小片102a的功能元件之外，第一 IC小片102a的ESDP元件可將由E0S/ESD事件產(chǎn)生的電流分流而遠(yuǎn)離第二 IC小片102b和第三IC小片102c。這樣可允許IC組件有資格用于第二 IC小片102b和第三IC小片102c否則將不符合要求的應(yīng)用。然而，因?yàn)榈谝?IC小片102a和第二 IC小片102b，以及第三IC小片102c可共用ESDP元件，所以IC組件的每個(gè)IC小片可具有共同E0S/ESD保護(hù)能力或E0S/ESD保護(hù)等級(jí)，其等于IC封裝802中所封裝的個(gè)別ESDP元件的最佳E0S/ESD保護(hù)能力或最高E0S/ESD保護(hù)等級(jí)。
[0056]一個(gè)實(shí)例靜電放電路徑在圖8中示出。所述靜電放電路徑展示為一系列虛線箭頭，其描繪穿過第一 IC小片102a、第二 IC小片102b和第三IC小片102c的部件的路徑。最初，第三IC小片102c經(jīng)由IC封裝802的INl引腳23而遭遇靜電放電。由所述靜電放電產(chǎn)生的電流從INl引腳23行進(jìn)至第三IC小片102c的焊盤804。然后，電流從第三IC小片102c行進(jìn)至第一 IC小片102a的NC引腳。接著，電流經(jīng)由最近的二極管移動(dòng)至正電源+Vs0然后，第一 IC小片102a的ESDP元件806將電流分流至負(fù)電源-Vs。最終，電流經(jīng)由最后一個(gè)二極管傳送至IC封裝802的OUT-引腳15。如圖可見，第一 IC小片102a的ESDP元件有效地保護(hù)第二 IC小片102b和第三IC小片102c以免由靜電放電產(chǎn)生的電流所造成的損壞。
[0057]封裝工藝實(shí)施方案
[0058]圖9是將IC小片置于IC封裝內(nèi)的工藝900的實(shí)施方案。為了將IC小片置于IC封裝內(nèi)，IC小片和封裝可加以處理以便降低E0S/ESD事件危害一個(gè)或多個(gè)IC小片的可能性。具體地說，IC小片和封裝可加以處理以使得在IC小片連接至IC封裝的引腳之前將一個(gè)或多個(gè)IC小片的ESDP元件在IC小片之間連接并且共用，如本公開所討論。因此，在IC小片連接至IC封裝的引腳之前，可經(jīng)由IC封裝的引腳來保護(hù)IC小片以免發(fā)生E0S/ESD事件。
[0059]在方框905處，將IC小片置于IC封裝內(nèi)。在方框910處，將具有無源部件的IC小片連接至具有有源部件的IC小片。例如，圖8的第三IC小片102c可連接至圖8的第一 IC小片102a和第二 IC小片102b。在方框915處，將具有有源部件的IC小片的電源連接部相連接。例如，圖8的第一 IC小片102a和第二 IC小片102b的+Vs引腳可通過接合導(dǎo)線來連接，如圖8中示出。在方框920處，將電源連接部連接至IC封裝。例如，圖8的第一 IC小片102a的+Vs引腳可連接至圖8的IC封裝802的+Vs引腳22，并且第二 IC小片102b的+Vs引腳可連接至圖8的IC封裝802的+Vs引腳21。另外，IC封裝的接地引線可連接至IC封裝的一個(gè)或多個(gè)IC小片。在方框925處，將IC小片的輸入和輸出連接部連接至IC封裝。例如，圖8的第一 IC小片102a的IN+和IN-引腳和第三IC小片102c的輸入引腳可連接至IC封裝802的IN+引腳3和IN-引腳4，并且圖8的第二 IC小片102b的OUT-和OUT+引腳和第三IC小片102c的輸出引腳可連接至圖8的IC封裝的OUT-引腳15和OUT+引腳16。在一些實(shí)施方案中，可首先連接與其它IC小片相比具有更好E0S/ESD保護(hù)能力或更高E0S/ESD保護(hù)等級(jí)的IC小片的輸入和輸出引腳。
[0060]應(yīng)用
[0061]盡管一些系統(tǒng)在上文中已被說明為包括兩個(gè)或三個(gè)IC小片且每個(gè)小片具有一個(gè)ESDP元件或不具有ESDP元件，但可以包括更多或更少的IC小片和ESDP元件以滿足系統(tǒng)規(guī)格。
[0062]采用上述保護(hù)方案的裝置可以被實(shí)施到各種電子設(shè)備和接口應(yīng)用中。所述電子設(shè)備的實(shí)例可以包括但不限于:消費(fèi)電子產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品零件、電子測(cè)試設(shè)備、高穩(wěn)健性工業(yè)和汽車應(yīng)用等。電子設(shè)備的實(shí)例還可以包括光學(xué)網(wǎng)絡(luò)或其它通信網(wǎng)絡(luò)的電路。消費(fèi)電子產(chǎn)品可以包括但不限于:移動(dòng)電話、電話、電視、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、計(jì)算機(jī)、手持式計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、汽車、車輛發(fā)動(dòng)機(jī)管理控制器、傳輸控制器、座椅安全帶控制器、防鎖制動(dòng)系統(tǒng)控制器、攝像錄像機(jī)、相機(jī)、數(shù)字相機(jī)、便攜式存儲(chǔ)芯片、洗衣機(jī)、干燥機(jī)、洗衣機(jī)/干燥機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、掃描儀、多功能外圍設(shè)備等。另外，電子器件可以包括半成品，包括用于工業(yè)、醫(yī)學(xué)以及汽車應(yīng)用的那些。
[0063]以上描述和權(quán)利要求書可能將元件或特征稱作是“連接(connected) ”或“聯(lián)接(coupled)”在一起。除非另外指明，否則本文所用術(shù)語“連接”是指一個(gè)元件/特征直接或間接連接至另一元件/特征，并且不一定是機(jī)械連接。同樣，除非另外指明，否則本文所用術(shù)語“聯(lián)接”是指一個(gè)元件/特征直接或間接聯(lián)接至另一元件/特征，并且不一定是機(jī)械聯(lián)接。因此，盡管附圖中所示出的各種示意圖描繪的是元件和部件的實(shí)例布置，但另外的介入元件、設(shè)備、特征或部件也可以存在于實(shí)際實(shí)施方案中(假定所描繪的電路的功能性不會(huì)受到不利影響)。
[0064]盡管已經(jīng)根據(jù)某些實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，但對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員顯而易見的其它實(shí)施方案也在本發(fā)明的范圍內(nèi)，其中包括并未完全提供在此闡明的所有特征和優(yōu)點(diǎn)的實(shí)施方案。此外，可以組合上述各種實(shí)施方案以提供進(jìn)一步的實(shí)施方案。另外，在一個(gè)實(shí)施方案的上下文中示出的某些特征也可以并入其它實(shí)施方案中。因此，本發(fā)明的范圍僅僅參照所附權(quán)利要求書進(jìn)行界定。
【權(quán)利要求】
1.一種裝置，其包括: 封裝，其包圍至少第一集成電路小片和第二集成電路小片； 附接至所述封裝的所述第一集成電路小片，所述第一集成電路小片包括一個(gè)或多個(gè)電氣過應(yīng)力/靜電放電(EOS/ESD)保護(hù)電路；以及 附接至所述封裝的所述第二集成電路小片，所述第二集成電路小片電連接至所述第一集成電路小片，以使得所述第二集成電路小片中的至少一個(gè)部件由所述第一集成電路小片保護(hù)以免發(fā)生EOS/ESD。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置: 其中所述第一集成電路小片進(jìn)一步包括功能集成電路；并且 其中所述第二集成電路進(jìn)一步包括功能集成電路和其自己的一個(gè)或多個(gè)EOS/ESD保護(hù)電路。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述第一集成電路小片和所述第二集成電路小片的每個(gè)功能集成電路包括放大器、振蕩器、混頻器、濾波器、鎖相環(huán)、調(diào)制器、解調(diào)器、編碼器、解碼器、信號(hào)處理器、均衡器、接收器、發(fā)射器、定時(shí)器、微處理器、存儲(chǔ)器或轉(zhuǎn)換器。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置: 其中所述第一集成電路小片進(jìn)一步包括功能集成電路；并且 其中所述第二集成電 路小片進(jìn)一步包括集成無源裝置小片。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二集成電路小片通過接合導(dǎo)線來電連接至所述第一集成電路小片。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二集成電路小片的電源連接部被電連接至所述第一集成電路小片。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二集成電路小片的電源連接部通過接合導(dǎo)線來電連接至所述第一集成電路小片的電源連接部。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二集成電路小片的電源連接部通過一個(gè)或多個(gè)二極管或者一個(gè)或多個(gè)可控硅整流器來電連接至所述第一集成電路小片的電源連接部。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述第一集成電路小片的所述電源連接部被配置來在第一電壓下進(jìn)行操作，并且所述第二集成電路小片的所述電源連接部被配置來在不同于所述第一電壓的第二電壓下進(jìn)行操作。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)二極管被配置來在反向偏壓模式下進(jìn)行操作。
11.一種提供保護(hù)以免發(fā)生電氣過應(yīng)力/靜電放電(EOS/ESD)的方法，所述方法包括: 將至少第一集成電路小片和第二集成電路小片組裝在共同封裝內(nèi)，其中所述第一集成電路小片包括一個(gè)或多個(gè)EOS/ESD保護(hù)電路；以及 通過所述第一集成電路小片的至少一個(gè)EOS/ESD保護(hù)電路來保護(hù)所述第二集成電路小片的至少一個(gè)部件。
12.如權(quán)利要求11所述的方法: 其中所述第一集成電路小片進(jìn)一步包括功能集成電路；并且 其中所述第二集成電路進(jìn)一步包括功能集成電路和其自己的一個(gè)或多個(gè)EOS/ESD保護(hù)電路。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一集成電路小片和所述第二集成電路小片的每個(gè)功能集成電路包括放大器、振蕩器、混頻器、濾波器、鎖相環(huán)、調(diào)制器、解調(diào)器、編碼器、解碼器、信號(hào)處理器、均衡器、接收器、發(fā)射器、定時(shí)器、微處理器、存儲(chǔ)器或轉(zhuǎn)換器。
14.如權(quán)利要求11所述的方法: 其中所述第一集成電路小片進(jìn)一步包括功能集成電路；并且 其中所述第二集成電路小片進(jìn)一步包括集成無源裝置小片。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二集成電路小片通過接合導(dǎo)線來電連接至所述第一集成電路小片。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二集成電路小片的電源連接部被電連接至所述第一集成電路小片。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二集成電路小片的電源連接部通過接合導(dǎo)線來電連接至所述第一集成電路小片的電源連接部。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二集成電路小片的電源連接部通過一個(gè)或多個(gè)二極管或者一個(gè)或多個(gè)可控硅整流器來電連接至所述第一集成電路小片的電源連接部。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第一集成電路小片的所述電源連接部被配置來在第一電壓下進(jìn)行操作，并且所述第二集成電路小片的所述電源連接部被配置來在不同于所述第一電壓的第二電壓下進(jìn)行操作。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)二極管被配置來在反向偏壓模式下進(jìn)行操作。`
【文檔編號(hào)】H01L23/62GK103681630SQ201310411055
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月11日
【發(fā)明者】S·帕薩薩拉希, C·埃爾-庫利, F·薩托斯, N·R·卡特 申請(qǐng)人:美國亞德諾半導(dǎo)體公司