有源式有機電致發(fā)光器件背板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有源式有機電致發(fā)光器件背板及其制作方法，所述器件背板包括：基板（20）、設置在基板（20）上的數(shù)個有源薄膜晶體管像素陣列及設置在有源薄膜晶體管像素陣列上的有機平坦層（228）、有機電致發(fā)光電極（229）、像素定義層（25）及支撐體（28），每一有源薄膜晶體管像素陣列包括驅(qū)動薄膜晶體管（22）及開關薄膜晶體管（24），驅(qū)動薄膜晶體管（22）的柵極絕緣層（220）的厚度大于開關薄膜晶體管（24）的柵極絕緣層（240）的厚度，通過加厚驅(qū)動薄膜晶體管的柵極絕緣層，以降低驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電容，進而增大驅(qū)動薄膜晶體管的亞閾值擺幅，可以很好的定義灰階，同時保持開關薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度不變，使開關薄膜晶體管的亞閾值擺幅保持較小，可以降低操作電壓與增加電路操作速度，有效提高品質(zhì)。
【專利說明】有源式有機電致發(fā)光器件背板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及平面顯示領域，尤其涉及一種有源式有機電致發(fā)光器件背板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]平面顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用?，F(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)及有機電致發(fā)光器件(Organic Electroluminescence Device, OELD),也稱為有機發(fā)光二極管(Organic LightEmitting Diode, 0LED)。
[0003]現(xiàn)有的液晶顯示器一般為背光型液晶顯示器，其包括:殼體、設于殼體內(nèi)的液晶顯示面板及設于殼體內(nèi)的背光模組(Backlight Module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，并在兩玻璃基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)，從而將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]有機電致發(fā)光器件具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示裝置，被廣泛應用在手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視機等領域。有機電致發(fā)光器件與傳統(tǒng)的液晶顯示器不同，其無需背光源，直接在玻璃基板上設置非常薄的有機材料涂層，當有電流通過時，這些有機材料涂層就會發(fā)光。
[0005]現(xiàn)有的有機發(fā)光二極管按驅(qū)動方式分類，包括:無源矩陣式有機發(fā)光二極管(Passive-matrix organic light emitting diode, PMOLED)與有源矩陣式有機發(fā)光二極管(Active-matrix organic light emitting diode,AM0LED),其中，請參閱圖1,所述有源矩陣式有機發(fā)光二極管一般包括:基板502、形成于基板502上的薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT) 504及形成于薄膜晶體管504上的有機發(fā)光二極管506，所述薄膜晶體管504驅(qū)動有機發(fā)光二極管506發(fā)光，進而顯示相應畫面。
[0006]薄膜晶體管包括驅(qū)動薄膜晶體管(Driving TFT)、開關薄膜晶體管(switch TFT)及其他電路薄膜晶體管，在有機電致發(fā)光器件制備時，該驅(qū)動薄膜晶體管、開關薄膜晶體管及其他電路薄膜晶體管的柵極絕緣層(GI)同時形成，厚度相同，這就使得驅(qū)動薄膜晶體管、開關薄膜晶體管及其他電路薄膜晶體管的柵極電容(Ci)的大小相等，而薄膜晶體管的亞閾值擺幅(sub-threshold swing, S.S.),根據(jù)公式:S.S.=kT/q InlO (1+Cd/Ci),可知，該薄膜晶體管的亞閾值擺幅取決于柵極電容大小，而柵極電容大小取決于柵極絕緣層的厚度(C= e A/d)，那么當驅(qū)動薄膜晶體管、開關薄膜晶體管及其他電路薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度相等時，就導致驅(qū)動薄膜晶體管、開關薄膜晶體管及其他電路薄膜晶體管亞閾值擺幅的大小也相等。
[0007]薄膜晶體管亞閾值擺幅物理意義在于柵極電壓與漏極電流之間的波形曲線(Curving)在亞閾值區(qū)的斜率，通常認為斜率在亞閾值區(qū)間內(nèi)很高的曲線表現(xiàn)形式，將不利于用于反映灰階變化的控制電壓的輸入控制；而在亞閾值區(qū)間內(nèi)的斜率較低的曲線表現(xiàn)形式，將利于控制反映灰階變化的控制電壓，可知，當驅(qū)動薄膜晶體管亞閾值擺幅較小時，會導致有機電致發(fā)光器的灰階不好定義，如果增加柵極絕緣層的厚度以增加驅(qū)動薄膜晶體管亞閾值擺幅，以便定義灰階，那么就會導致開關薄膜晶體管及其他電路薄膜晶體管的亞閾值擺幅也隨之増大，増大操作電壓、降低電路的操作速度。
[0008]可見，驅(qū)動薄膜晶體管亞閾值擺幅與開關薄膜晶體管及其他電路薄膜晶體管的亞閾值擺幅之間存在矛盾，那么發(fā)明ー種解決兩者之間矛盾的方案，對進ー步提高有機電致發(fā)光器的品質(zhì)是非常必要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種有源式有機電致發(fā)光器件背板，結(jié)構簡単，灰階定義好，且操作電壓小，電路操作速度快。
[0010]本發(fā)明的另一目的在于提供一種有源式有機電致發(fā)光器件背板的制作方法，其制程簡單，能在保持開關薄膜晶體管亞閾值擺幅較小的前提下有效提高驅(qū)動薄膜晶體管的亞閾值擺幅，進而在不影響操作電壓及電路操作速度的情況下，可以很好的定義灰階，提升有機電致發(fā)光器件的品質(zhì)。
[0011]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種有源式有機電致發(fā)光器件背板，包括:基板、設置在基板上的數(shù)個有源薄膜晶體管像素陣列及設置在所述有源薄膜晶體管像素陣列上的有機平坦層、有機電致發(fā)光電極、像素定義層及支撐體，每一有源薄膜晶體管像素陣列包括驅(qū)動薄膜晶體管及開關薄膜晶體管，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度大于所述開關薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度。
[0012]所述驅(qū)動薄膜晶體管包括設置在基板上的結(jié)晶半導體層，設置在結(jié)晶半導體層上的第一柵極絕緣層、設置在第一柵極絕緣層上柵極絕緣結(jié)構、設置在柵極絕緣結(jié)構上的柵極、設置在柵極上的保護層、及設置在保護層上的源扱/漏極，所述第一柵極絕緣層與柵極絕緣結(jié)構共同形成所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極絕緣層，所述柵極絕緣結(jié)構用于減小驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電容，進而増大驅(qū)動薄膜晶體管的亞閾值擺幅，以利于實現(xiàn)灰階定義。
[0013]所述開關薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度小于或等于所述驅(qū)動薄膜晶體管第一柵極絕緣層的厚度。
[0014]所述有機平坦化層設置在源/漏極之上。
[0015]所述保護層包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述有機電致發(fā)光電極的材料包含有氧化銦錫或銀中至少ー種或其組合。
[0016]所述第一柵極絕緣層為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述柵極絕緣結(jié)構為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合。
[0017]還包括緩沖層，該緩沖層設置于基板與所述有源薄膜晶體管像素陣列之間。
[0018]本發(fā)明還提供一種有源式有機電致發(fā)光器件背板的制作方法，包括以下步驟:
[0019]步驟1、提供一基板；
[0020]步驟2、在基板上形成緩沖層；
[0021]步驟3、在緩沖層上形成結(jié)晶半導體層；
[0022]步驟4、在結(jié)晶半導體層上依次沉積下層柵極絕緣層與上層柵極絕緣層；
[0023]步驟5、圖案化該上層柵極絕緣層以形成驅(qū)動薄膜晶體管的柵極絕緣結(jié)構；所述下層柵極絕緣層形成驅(qū)動薄膜晶體管的第一柵極絕緣層及開關薄膜晶體管的柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層與柵極絕緣結(jié)構共同形成所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極絕緣層；
[0024]步驟6、在驅(qū)動薄膜晶體管的柵極絕緣層上形成驅(qū)動薄膜晶體管的柵極、保護層、及源扱/漏極，同時，在開關薄膜晶體管的柵極絕緣層形成開關薄膜晶體管的柵極、保護層、及源扱/漏扱；
[0025]步驟7、在驅(qū)動薄膜晶體管的源扱/漏極及開關薄膜晶體管的源扱/漏極形成有機平坦化層；
[0026]步驟8、在有機平坦化層上形成有機電致發(fā)光電極，該有機電致發(fā)光電極連接于所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極/漏極上。
[0027]還包括步驟9、在有機平坦化層上形成像素定義層，在像素定義層上形成支撐體。
[0028]所述第一柵極絕緣層為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述柵極絕緣結(jié)構為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述保護層包括氧化娃層、氮化娃層之一或其組合；所述有機電致發(fā)光電極的材料包含有氧化銦錫或銀中至少ー種或其組合。
[0029]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的有源式有機電致發(fā)光器件背板及其制作方法，通過加厚驅(qū)動薄膜晶體管的柵極絕緣層，以降低驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電容，進而増大了驅(qū)動薄膜晶體管的亞閾值擺幅，可以很好的定義灰階，同時，保持開關薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度不變，使得開關薄膜晶體管的亞閾值擺幅保持較小，可以降低操作電壓與増加電路操作速度，有效提高機電致發(fā)光器件的品質(zhì)。
[0030]為了能更進一歩了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0032]附圖中，
[0033]圖1為現(xiàn)有的有源矩陣式有機發(fā)光二極管的大體結(jié)構示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明有源式有機電致發(fā)光器件背板的內(nèi)部結(jié)構示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明有源式有機電致發(fā)光器件背板制作方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0036]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0037]請參閱圖2，本發(fā)明提供一種有源式有機電致發(fā)光器件背板，包括:基板20、設置在基板20上的數(shù)個有源薄膜晶體管像素陣列及設置在所述有源薄膜晶體管像素陣列上的有機平坦層228、有機電致發(fā)光電極229、像素定義層25及支撐體28，每一有源薄膜晶體管像素陣列包括驅(qū)動薄膜晶體管22及開關薄膜晶體管24，所述驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極絕緣層220的厚度大于所述開關薄膜晶體管24的柵極絕緣層240的厚度，使得所述驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極電容值小于所述開關薄膜晶體管24的柵極電容值，進而使得所述驅(qū)動薄膜晶體管22的亞閾值擺幅大于所述開關薄膜晶體管24的亞閾值擺幅，由于驅(qū)動薄膜晶體管22的亞閾值擺幅較大，可以很好的定義灰階，同時由于開關薄膜晶體管24的亞閾值擺幅較小，可以降低操作電壓與増加電路操作速度。
[0038]具體地，請參閱圖2，所述驅(qū)動薄膜晶體管22包括設置在基板20上的結(jié)晶半導體層221，設置在結(jié)晶半導體層221上的第一柵極絕緣層222、設置在第一柵極絕緣層222上柵極絕緣結(jié)構224、設置在柵極絕緣結(jié)構224上的柵極225、設置在柵極225上的保護層226、及設置在保護層226上的源極/漏極227，所述第一柵極絕緣層222與柵極絕緣結(jié)構224共同形成所述驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極絕緣層220，所述柵極絕緣結(jié)構224用于減小驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極電容，進而増大驅(qū)動薄膜晶體管22的亞閾值擺幅，以利于實現(xiàn)灰階定義。
[0039]在有機電致發(fā)光器件的生產(chǎn)制程中，所述開關薄膜晶體管24的柵極絕緣層240與所述驅(qū)動薄膜晶體管22第一柵極絕緣層222同時形成，使得所述開關薄膜晶體管24的柵極絕緣層240的厚度小于或等于所述驅(qū)動薄膜晶體管22第一柵極絕緣層222的厚度，優(yōu)選的，所述柵極絕緣結(jié)構224的厚度大于第一柵極絕緣層222的厚度，使得驅(qū)動薄膜晶體管22的亞閾值擺幅足夠大的同時，開關薄膜晶體管24的亞閾值擺幅足夠小。
[0040]所述第一柵極絕緣層222為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述柵極絕緣結(jié)構224為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組
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[0041]所述保護層226包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述有機電致發(fā)光電極229的材料包含有氧化銦錫或銀中至少ー種或其組合。
[0042]進ー步的，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件還包括緩沖層26，該緩沖層26設置于基板20與所述有源薄膜晶體管像素陣列之間，以防止雜質(zhì)擴散至所述有源薄膜晶體管像素陣列。
[0043]請參閱圖3，并參考圖2，本發(fā)明還提供一種有源式有機電致發(fā)光器件背板的制作方法，包括以下步驟:
[0044]步驟1、提供一基板20。
[0045]所述基板20為透明基板，優(yōu)選的，在本實施例中，所述基板20為玻璃基板。
[0046]步驟2、在基板20上形成緩沖層26。
[0047]該緩沖層26包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合，以防止雜質(zhì)擴散至所述有源薄膜晶體管像素陣列。
[0048]步驟3、在緩沖層26上形成結(jié)晶半導體層221。
[0049]具體地，先在緩沖層26形成非晶硅層，再通過激光退火エ藝將該非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，并圖案化該多晶硅層，最后對多晶硅層進行摻雜制程，形成結(jié)晶半導體層221。
[0050]步驟4、在結(jié)晶半導體層221上依次沉積下層柵極絕緣層與上層柵極絕緣層。
[0051]該下層柵極絕緣層與上層柵極絕緣層均可為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化娃層之ー或其組合。
[0052]步驟5、圖案化該上層柵極絕緣層以形成驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極絕緣結(jié)構224 ；所述下層柵極絕緣層形成驅(qū)動薄膜晶體管22的第一柵極絕緣層222及開關薄膜晶體管24的柵極絕緣層240，所述第一柵極絕緣層222與柵極絕緣結(jié)構224共同形成所述驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極絕緣層220。
[0053]具體為，在預定驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極225的下方形成柵極絕緣結(jié)構224，該柵極絕緣結(jié)構224為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合。
[0054]其具體エ藝可為:在上層柵極絕緣層覆ー層感光(photo-sensitive)材料,該層感光材料即為所謂的光阻，然后使得光線通過光罩照射于光阻上以將該光阻曝光。由于光罩上具有柵極絕緣結(jié)構224的圖案，將使光線得以穿過光罩而照射于光阻上，使得光阻的曝光具有選擇性，同時借此將光罩上的圖案完整的復印至光阻上。然后，利用合適的顯影液齊!Kdeveloper)除去部分光阻，使得光阻顯現(xiàn)所需要的圖案。
[0055]由于所述驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極絕緣層220由第一柵極絕緣層222與柵極絕緣結(jié)構224共同形成，其厚度大于開關薄膜晶體管24的柵極絕緣層240，使得所述驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極電容值小于所述開關薄膜晶體管24的柵極電容值，進而使得所述驅(qū)動薄膜晶體管22的亞閾值擺幅大于所述開關薄膜晶體管24的亞閾值擺幅，由于驅(qū)動薄膜晶體管22的亞閾值擺幅較大，可以很好的定義灰階，同時由于開關薄膜晶體管24的亞閾值擺幅較小，可以降低操作電壓與増加電路操作速度。
[0056]步驟6、在驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極絕緣層220上形成驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極225、保護層226、及源極/漏極227，同時，在開關薄膜晶體管24的柵極絕緣層240形成開關薄膜晶體管24的柵極245、保護層246、及源極/漏極247。
[0057]所述保護層226包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合。
[0058]步驟7、在驅(qū)動薄膜晶體管22的源極/漏極227及開關薄膜晶體管24的源極/漏極247形成有機平坦化層228。
[0059]所述有機平坦化層228用于平坦化整個有源薄膜晶體管像素陣列的結(jié)構，是便于實現(xiàn)后續(xù)制程。
[0060]步驟8、在有機平坦化層228上形成有機電致發(fā)光電極229，該有機電致發(fā)光電極229連接于所述驅(qū)動薄膜晶體管22的源極/漏極227上。
[0061]所述有機電致發(fā)光電極229的材料包含有氧化銦錫或銀中至少ー種或其組合。
[0062]步驟9、在有機平坦化層228上形成像素定義層25，在像素定義層25上形成支撐體28。
[0063]所述支撐體28用于支撐封裝蓋板(未圖示)，其可通過光罩制程形成。
[0064]綜上所述，本發(fā)明的有源式有機電致發(fā)光器件背板及其制作方法，通過加厚驅(qū)動薄膜晶體管的柵極絕緣層，以降低驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電容，進而増大了驅(qū)動薄膜晶體管的亞閾值擺幅，可以很好的定義灰階，同時，保持開關薄膜晶體管的柵極絕緣層的厚度不變，使得開關薄膜晶體管的亞閾值擺幅保持較小，可以降低操作電壓與増加電路操作速度，有效提聞機電致發(fā)光器件的品質(zhì)。
[0065]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
【權利要求】
1.一種有源式有機電致發(fā)光器件背板，其特征在于，包括:基板(20)、設置在基板(20)上的數(shù)個有源薄膜晶體管像素陣列及設置在所述有源薄膜晶體管像素陣列上的有機平坦層(228)、有機電致發(fā)光電極(229)、像素定義層(25)及支撐體(28)，每一有源薄膜晶體管像素陣列包括驅(qū)動薄膜晶體管(22)及開關薄膜晶體管(24)，所述驅(qū)動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣層(220)的厚度大于所述開關薄膜晶體管(24)的柵極絕緣層(240)的厚度。
2.如權利要求1所述的有源式有機電致發(fā)光器件背板，其特征在于，所述驅(qū)動薄膜晶體管(22)包括設置在基板(20)上的結(jié)晶半導體層(221)，設置在結(jié)晶半導體層(221)上的第一柵極絕緣層(222)、設置在第一柵極絕緣層(222)上柵極絕緣結(jié)構(224)、設置在柵極絕緣結(jié)構(224)上的柵極(225)、設置在柵極(225)上的保護層(226)、及設置在保護層(226)上的源扱/漏極(227)，所述第一柵極絕緣層(222)與柵極絕緣結(jié)構(224)共同形成所述驅(qū)動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣層(220)，所述柵極絕緣結(jié)構(224)用于減小驅(qū)動薄膜晶體管(22)的柵極電容，進而増大驅(qū)動薄膜晶體管(22)的亞閾值擺幅，以利于實現(xiàn)灰階定義。
3.如權利要求2所述的有源式有機電致發(fā)光器件背板，其特征在于，所述開關薄膜晶體管(24)的柵極絕緣層(240)的厚度小于或等于所述驅(qū)動薄膜晶體管(22)第一柵極絕緣層(222)的厚度。
4.如權利要求2所述的有源式有機電致發(fā)光器件背板，其特征在于，所述有機平坦化層(228)設置在源極/漏極(227)之上。
5.如權利要求2所述的有源式有機電致發(fā)光器件背板，其特征在于，所述保護層(226)包括氧化娃層、氮化娃層之一或其組合；所述有機 電致發(fā)光電極(229)的材料包含有氧化銦錫或銀中至少ー種或其組合。
6.如權利要求2所述的有源式有機電致發(fā)光器件背板，其特征在于，所述第一柵極絕緣層(222)為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述柵極絕緣結(jié)構(224)為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合。
7.如權利要求1所述的有源式有機電致發(fā)光器件背板，其特征在于，還包括緩沖層(26)，該緩沖層(26)設置于基板(20)與所述有源薄膜晶體管像素陣列之間。
8.一種有源式有機電致發(fā)光器件背板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、提供一基板(20); 步驟2、在基板(20)上形成緩沖層(26)； 步驟3、在緩沖層(26)上形成結(jié)晶半導體層(221)； 步驟4、在結(jié)晶半導體層(221)上依次沉積下層柵極絕緣層與上層柵極絕緣層； 步驟5、圖案化該上層柵極絕緣層以形成驅(qū)動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣結(jié)構(224)；所述下層柵極絕緣層形成驅(qū)動薄膜晶體管(22)的第一柵極絕緣層(222)及開關薄膜晶體管(24)的柵極絕緣層(240)，所述第一柵極絕緣層(222)與柵極絕緣結(jié)構(224)共同形成所述驅(qū)動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣層(220)； 步驟6、在驅(qū)動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣層(220)上形成驅(qū)動薄膜晶體管(22)的柵極(225)、保護層(226)、及源扱/漏極(227)，同時，在開關薄膜晶體管(24)的柵極絕緣層(240)形成開關薄膜晶體管(24)的柵極(245)、保護層(246)、及源扱/漏極(247)； 步驟7、在驅(qū)動薄膜晶體管(22)的源扱/漏極(227)及開關薄膜晶體管(24)的源扱/漏極(247)形成有機平坦化層(228)； 步驟8、在有機平坦化層(228 )上形成有機電致發(fā)光電極(229 )，該有機電致發(fā)光電極(229)連接于所述驅(qū)動薄膜晶體管(22)的源扱/漏極(227)上。
9.如權利要求8所述的有源式有機電致發(fā)光器件背板的制作方法，其特征在于，還包括步驟9、在有機平坦化層(228)上形成像素定義層(25)，在像素定義層(25)上形成支撐體(28)。
10.如權利要求8所述的有源式有機電致發(fā)光器件背板的制作方法，其特征在于，所述第一柵極絕緣層(222)為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述柵極絕緣結(jié)構(224)為單層或多層結(jié)構，其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述保護層(226)包括氧化娃層、氮化娃層之一或其組合；所述有機電致發(fā)光電極(229)的材料包含有氧化銦錫或銀中 至少ー種或其組合。
【文檔編號】H01L51/56GK103456765SQ201310410909
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年9月10日 優(yōu)先權日:2013年9月10日
【發(fā)明者】徐源竣 申請人:深圳市華星光電技術有限公司