專利名稱：一種硅基oled顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于信息科學技術(shù)學科的微電子應用技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法的領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
OLED (Organic Light Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)為電流驅(qū)動器件，要 求背板電路能提供精確、穩(wěn)定的電流控制。早期的有源背板采用的是a-Si (amorphous silicon，非晶硅)TFT技術(shù)，但是由于非晶硅的遷移率較低及閾值電壓的不穩(wěn)定等原因并 沒有獲得成功，之后便轉(zhuǎn)移到LTPS (Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶硅)TFT技 術(shù)。相比非晶硅而言，LTPS的遷移率要高得多，但是閾值電壓仍存在均勻性不一致問題，因 而在像素電路的設(shè)計中要進行一定的電路補償，目前已有的OLED顯示器大部分采用的都 是LTPS TFT背板技術(shù)。而在大尺寸OLED量產(chǎn)方面，LTPS的制造技術(shù)尚不成熟，沒有統(tǒng)一 的標準生產(chǎn)線，要制備LTPS TFT背板必須投巨資建造專用生產(chǎn)線。而硅基OLED微型顯示器件采用單晶硅CMOS基板技術(shù)，相比其他基板技術(shù)而言，單 晶硅具有載流子遷移率高、閾值電壓穩(wěn)定等優(yōu)點，可以將像素矩陣及周邊驅(qū)動電路等都集 成在顯示屏上，大大減小整個顯示系統(tǒng)的體積及成本，同時成熟的CMOS集成電路工藝也為 硅基OLED微型顯示器件的基板制作提供了便利，且單晶硅CMOS基板生產(chǎn)工藝流程標準化， 僅需支付小額的加工費用就可以在任何一家標準的單晶硅CMOS基板生產(chǎn)線上制備基板； 同時硅基OLED基板上的每個像素面積可以做得很小，利于顯示分辨率的提高。在單晶硅 CMOS基板芯片的設(shè)計上，主要考慮的是如何精確控制流過OLED的電流，從而實現(xiàn)良好的灰 度圖象顯示。同時芯片功耗也非常重要，因為硅基OLED微型顯示器件也就可以用于便攜式 近眼顯示，由普通手機電池供電，低功耗電路可延長電池的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題，本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有LTPS TFT背板像素電路存在的缺陷， 提供基于單晶硅CMOS基板技術(shù)的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法。一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，所述硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu) 包括至少由讀入 PMOS 管源極以及讀入 PM0S(P_channel Metal Oxide Semiconductor, P型溝道金屬氧化物半導體)管柵極以及讀入PMOS管漏極構(gòu)成的讀入PMOS管、 至少由PIP電容器低阻多晶硅上電極以及PIP電容器高阻多晶硅下電極構(gòu)成的 PIP(PolySi-insulator-Poly Si，多晶硅-絕緣層-多晶硅)電容器、至少由驅(qū)動PMOS管 源極以及驅(qū)動PMOS管柵極以及驅(qū)動PMOS管漏極構(gòu)成的驅(qū)動PMOS管、至少由寫出PMOS管 源極以及寫出PMOS管柵極以及寫出PMOS管漏極構(gòu)成的寫出PMOS管、至少由地線保護PMOS 管源極以及地線保護PMOS管柵極以及地線保護PMOS管漏極構(gòu)成的地線保護PMOS管、通過 讀入PMOS管源極連線與所述讀入PMOS管源極相連接的視頻數(shù)據(jù)串行位線、同時連接PIP 上電極連線和驅(qū)動PMOS管源極連線的電源線、通過地線保護PMOS管漏極連線與所述地線保護PMOS管漏極相連接的OV地線、通過讀入PMOS管柵極連線與所述讀入PMOS管柵極相 連接的正相行選通線、通過寫出PMOS管柵極連線與所述寫出PMOS管柵極相連接的負相行 選通線、與驅(qū)動電極連接線相連接的OLED發(fā)光層驅(qū)動電極；所述PIP上電極連線連接到所述PIP電容器低阻多晶硅上電極；所述驅(qū)動PMOS管源極連線連接到所述驅(qū)動PMOS管源極；所述PIP電容器高阻多晶硅下電極通過PIP下電極連線連接到把所述讀入PMOS 管漏極與所述驅(qū)動PMOS管柵極連通的漏柵極連接線上；所述驅(qū)動PMOS管漏極與所述寫出PMOS管源極通過源漏極連接線相連通；所述地線保護PMOS管柵極、所述地線保護PMOS管源極、所述寫出PMOS管漏極分 別通過地線保護PMOS管柵極連線、地線保護PMOS管源極連線、寫出PMOS管漏極連線與所 述驅(qū)動電極連接線相連接；所述電源線、所述正相行選通線、所述負相行選通線、所述OV地線沿水平方向設(shè) 置，且互不相交連通；所述視頻數(shù)據(jù)串行位線沿垂直方向設(shè)置，且與所述電源線、所述正相行選通線、所 述負相行選通線、所述OV地線互不連通；所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極由純度超過99%的鋁金屬制成，且所述OLED發(fā)光層驅(qū) 動電極覆蓋的面積不超過所述硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)面積的90%。所述電源線上承載不低于3. 3V的恒定電位值；所述視頻數(shù)據(jù)串行位線中交替承載高電位信號和低電位信號，且所述高電位信號 數(shù)值不低于所述電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值，所述低電位信號數(shù)值不高于 比所述高電位信號數(shù)值低0. 5V的數(shù)值；所述正相選通線和所述負相選通線上承載的信號為互不交疊反相電壓信號；所述一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)采用PMOS制程工藝在N型單晶硅襯底 上生產(chǎn)實現(xiàn)；本發(fā)明用于所述硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)的驅(qū)動方法，包括如下階段上電后循環(huán)完成如下階段第一階段視頻數(shù)據(jù)信號第1位輸入，順序完成如下兩個步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第1位， 承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線、所述讀入PMOS管、所述漏柵極連接線、PIP下電 極連線傳入所述PIP電容器進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信 號的數(shù)值低于比所述電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏 柵極連接線啟動所述驅(qū)動PMOS管進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS 管允許不超過100納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述 源漏極連接線；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線啟動所述 驅(qū)動PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述源漏極連接線，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線啟動所述寫出PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所 述寫出PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS管流進 所述寫出PMOS管漏極連線，

2)本階段開始后的10至800微秒之后的3000至4000微秒時間內(nèi)所述正相選通 線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的3000至4000微秒時間 內(nèi)所述負相選通線上輸入OV電位，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管只允許不超過1 納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述漏柵極連接線或 從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述讀入PMOS管源極連線，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管導通，如果所述驅(qū)動PMOS管 處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PM0S、 所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極；如果所述驅(qū) 動PMOS管處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述 寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極，第二階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第1位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第2位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第2位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線、所述讀入PMOS管、所述漏柵極連接線、PIP下電 極連線傳入所述PIP電容器進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信 號的數(shù)值低于比所述電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏 柵極連接線啟動所述驅(qū)動PMOS管進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS 管允許不超過100納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述 源漏極連接線；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線啟動所述 驅(qū)動PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管只允許不超過1納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述源漏極連接線，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線啟動所述寫出PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所 述寫出PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS管流進 所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的1500至2000微秒時間內(nèi)所述正相選通 線上承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的1500至2000微秒時間 內(nèi)所述負相選通線上承載OV電位，
承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管只允許不超過1 納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述漏柵極連接線或 從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述讀入PMOS管源極連線， 承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管導通，如果所述驅(qū)動PMOS管 處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PM0S、 所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極；如果所述驅(qū) 動PMOS管處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述 寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極，第三階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第2位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第3位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第3位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線、所述讀入PMOS管、所述漏柵極連接線、PIP下電 極連線傳入所述PIP電容器進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信 號的數(shù)值低于比所述電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏 柵極連接線啟動所述驅(qū)動PMOS管進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS 管允許不超過100納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述 源漏極連接線；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線啟動所述 驅(qū)動PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管只允許不超過1納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述源漏極連接線，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線啟動所述寫出PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所 述寫出PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS管流進 所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的750至1000微秒時間內(nèi)所述正相選通線 上承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的750至1000微秒時間內(nèi) 所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管只允許不超過1 納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述漏柵極連接線或 從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述讀入PMOS管源極連線，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管導通，如果所述驅(qū)動PMOS管 處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PM0S、 所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極；如果所述驅(qū) 動PMOS管處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極，第四階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第3位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第4位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第4位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線、所述讀入PMOS管、所述漏柵極連接線、PIP下電 極連線傳入所述PIP電容器進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信 號的數(shù)值低于比所述電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏 柵極連接線啟動所述驅(qū)動PMOS管進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS 管允許不超過100納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述 源漏極連接線；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線啟動所述 驅(qū)動PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管只允許不超過1納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述源漏極連接線，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線啟動所述寫出PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所 述寫出PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS管流進 所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的350至500微秒時間內(nèi)所述正相選通線 上承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的350至500微秒時間內(nèi)所 述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管只允許不超過1 納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述漏柵極連接線或 從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述讀入PMOS管源極連線，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管導通，如果所述驅(qū)動PMOS管 處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PM0S、 所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極；如果所述驅(qū) 動PMOS管處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述 寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極，第五階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第4位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第5位寫入，分 別完成如下步驟 1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第5位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線、所述讀入PMOS管、所述漏柵極連接線、PIP下電極連線傳入所述PIP電容器進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信 號的數(shù)值低于比所述電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏 柵極連接線啟動所述驅(qū)動PMOS管進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS 管允許不超過100納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述 源漏極連接線；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線啟動所述 驅(qū)動PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管只允許不超過1納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述源漏極連接線，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線啟動所述寫出PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所 述寫出PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS管流進 所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的150至250微秒時間內(nèi)所述正相選通線 上承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的150至250微秒時間內(nèi)所 述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管只允許不超過1 納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述漏柵極連接線或 從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述讀入PMOS管源極連線，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管導通，如果所述驅(qū)動PMOS管 處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PM0S、 所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極；如果所述驅(qū) 動PMOS管處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述 寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極，第六階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第5位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第6位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第6位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線、所述讀入PMOS管、所述漏柵極連接線、PIP下電 極連線傳入所述PIP電容器進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信 號的數(shù)值低于比所述電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏 柵極連接線啟動所述驅(qū)動PMOS管進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS 管允許不超過100納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述 源漏極連接線；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線啟動所述 驅(qū)動PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管只允許不超過1納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述源漏極連接線，
承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線啟動所述寫出PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所 述寫出PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS管流進 所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的75至150微秒時間內(nèi)所述正相選通線上 承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的75至150微秒時間內(nèi)所述 負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管只允許不超過1 納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述漏柵極連接線或 從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述讀入PMOS管源極連線，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管導通，如果所述驅(qū)動PMOS管 處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PM0S、 所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極；如果所述驅(qū) 動PMOS管處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述 寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極，第七階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第6位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第7位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第7位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線、所述讀入PMOS管、所述漏柵極連接線、PIP下電 極連線傳入所述PIP電容器進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信 號的數(shù)值低于比所述電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏 柵極連接線啟動所述驅(qū)動PMOS管進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS 管允許不超過100納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述 源漏極連接線；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線啟動所述 驅(qū)動PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管只允許不超過1納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述源漏極連接線，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線啟動所述寫出PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所 述寫出PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS管流進 所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的35至100微秒時間內(nèi)所述正相選通線上 承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的35至100微秒時間內(nèi)所述 負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所
17述讀入PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管只允許不超過1 納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述漏柵極連接線或 從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述讀入PMOS管源極連線，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管導通，如果所述驅(qū)動PMOS管 處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PM0S、 所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極；如果所述驅(qū) 動PMOS管處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述 寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極，第八階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第7位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第8位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第8位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線、所述讀入PMOS管、所述漏柵極連接線、PIP下電 極連線傳入所述PIP電容器進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信 號的數(shù)值低于比所述電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏 柵極連接線啟動所述驅(qū)動PMOS管進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS 管允許不超過100納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述 源漏極連接線；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線傳入PIP電容器的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線啟動所述 驅(qū)動PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管只允許不超過1納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述源漏極連接線，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線啟動所述寫出PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所 述寫出PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS管流進 所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的15至50微秒時間內(nèi)所述正相選通線上 承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的15至50微秒時間內(nèi)所述負 相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管只允許不超過1 納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述漏柵極連接線或 從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述讀入PMOS管源極連線，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管導通，如果所述驅(qū)動PMOS管 處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PM0S、 所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極；如果所述驅(qū) 動PMOS管處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述 寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極，
第九階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第8位寫入階段后進入黑屏信號寫入，分別完成如 下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線上輸入不低于3. 3V的恒定電位值，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線上承載的不低于3. 3V的恒定電位值經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線、所述讀入PMOS管、 所述漏柵極連接線、PIP下電極連線傳入所述PIP電容器進行存儲，且所述漏柵極連接線啟 動所述驅(qū)動PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管只允許不超 過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管流進所述源漏極連接 線，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線啟動所述寫出PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所 述寫出PMOS管只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線經(jīng)由所述寫出PMOS管流進 所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的250至350微秒時間內(nèi)所述正相選通線 上承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的250至350微秒時間內(nèi)所 述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管只允許不超過1 納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述漏柵極連接線或 從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述讀入PMOS管流進所述讀入PMOS管源極連線，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管導通，且所述驅(qū)動PMOS管處 于截止工作狀態(tài)，則只有不超過ι納安的電流從所述漏柵極連接線經(jīng)由所述寫出PM0S、所 述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極。有益效果本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法采用單晶硅CMOS制 程技術(shù)實現(xiàn)，相比現(xiàn)有LTPS TFT背板技術(shù)而言具備以下優(yōu)勢1)單晶硅具有載流子遷移率高、閾值電壓穩(wěn)定等優(yōu)點，可以將像素矩陣及周邊驅(qū) 動電路等都集成在顯示屏上，大大減小整個顯示系統(tǒng)的體積及成本；2)單晶硅CMOS基板生產(chǎn)工藝流程標準化，僅需支付小額的加工費用就可以在任 何一家標準的單晶硅CMOS基板生產(chǎn)線上制備基板；3)硅基OLED微型顯示芯片上每個像素尺寸可以制造到10微米以下，因而只有常 規(guī)OLED顯示器像素尺寸的十分之一到百分之一，有利于顯示分辨率的大幅度提高；4)采用CMOS集成電路技術(shù)制造的基板芯片屬于低功耗器件，可以將硅基OLED微 型顯示器件的應用領(lǐng)域擴展到便攜式顯示產(chǎn)品中，從而延長電池的使用壽命。5)所述地線保護PMOS管保證本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)所承 受的電壓差不超過所述電源線上所承載的電壓值，通過對OLED發(fā)光層的公共電極電位施 加負電壓的方法，就實現(xiàn)了低壓單晶硅CMOS工藝完成高壓驅(qū)動OLED發(fā)光層的目的；




圖，
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圖1是本發(fā)明的
(I)電源線
(3)讀入PMOS管源極 (5)讀入PMOS管漏極 (7) PIP上電極連線 (9) PIP電容器
(II)漏柵極連接線 (13)驅(qū)動PMOS管柵極 (15)驅(qū)動PMOS管源極 (17)源漏極連接線 (19)寫出PMOS管 (21)寫出PMOS管漏極連線 (23)讀入PMOS管柵極 (25)正相行選通線
(27)負相行選通線
(29)地線保護PMOS管源極連線
(31)地線保護PMOS管
(33)地線保護PMOS管漏極連線
(35)地線保護PMOS管柵極連線
(37)驅(qū)動電極連接線
種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，其中 (2)讀入PMOS管源極連線 (4)讀入PMOS管
(6)PIP電容器低阻多晶硅上電極 (S)PIP電容器高阻多晶硅下電極 (IO)PIP下電極連線 (12)驅(qū)動PMOS管 (14)驅(qū)動PMOS管源極連線 (16)驅(qū)動PMOS管漏極 (18)寫出PMOS管源極 (20)寫出PMOS管漏極 (22)視頻數(shù)據(jù)串行位線 (24)讀PMOS管柵極連接線 (26)寫出PMOS管柵極 (28)寫出PMOS管柵極連線 (30)地線保護PMOS管源極 (32)地線保護PMOS管漏極 (34)地線保護PMOS管柵極 (36) OV地線
(38) OLED發(fā)光層驅(qū)動電極
圖2是本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法的第-
階段控制流程
圖3是本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法的第二階段控制流I
圖4是本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法的第三階段控制流禾丨
圖5是本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法的第四階段控制流程
圖6是本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法的第五階段控制流程
圖7是本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法的第六階段控制流I
圖8是本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法的第七階段控制流程
圖9是本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法的第八階段控制流I
圖10是本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法的第九階段控制流程
具體實施例方式下面結(jié)合附圖1對本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)作進一步具體 說明所述硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)包括至少由讀入PMOS管源極(3)以及讀 入PMOS管柵極以及讀入PMOS管漏極(5)構(gòu)成的讀入PMOS管(4)、至少由PIP電容器低阻 多晶硅上電極(6)以及PIP電容器高阻多晶硅下電極⑶構(gòu)成的PIP電容器(9)、至少由 驅(qū)動PMOS管源極(15)以及驅(qū)動PMOS管柵極(13)以及驅(qū)動PMOS管漏極(16)構(gòu)成的驅(qū)動 PMOS管(12)、至少由寫出PMOS管源極(18)以及寫出PMOS管柵極(26)以及寫出PMOS管 漏極(20)構(gòu)成的寫出PMOS管(19)、至少由地線保護PMOS管源極(30)以及地線保護PMOS 管柵極(34)以及地線保護PMOS管漏極(32)構(gòu)成的地線保護PMOS管(31)、通過讀入PMOS 管源極連線(2)與所述讀入PMOS管源極(3)相連接的視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)、同時連接 PIP上電極連線(7)和驅(qū)動PMOS管源極連線(14)的電源線(1)、通過地線保護PMOS管漏 極連線(33)與所述地線保護PMOS管漏極(32)相連接的OV地線(36)、通過讀入PMOS管柵 極連線(24)與所述讀入PMOS管柵極(23)相連接的正相行選通線(25)、通過寫出PMOS管 柵極連線(28)與所述寫出PMOS管柵極(26)相連接的負相行選通線(27)、與驅(qū)動電極連接 線(37)相連接的OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)；所述PIP上電極連線(7)連接到所述PIP電容器低阻多晶硅上電極(6)；所述驅(qū)動PMOS管源極連線(14)連接到所述驅(qū)動PMOS管源極(15)；所述PIP電容器高阻多晶硅下電極(8)通過PIP下電極連線(10)連接到把所述 讀入PMOS管漏極(5)與所述驅(qū)動PMOS管柵極(13)連通的漏柵極連接線(11)上；所述驅(qū)動PMOS管漏極(16)與所述寫出PMOS管源極(18)通過源漏極連接線(17) 相連通；所述地線保護PMOS管柵極(34)、所述地線保護PMOS管源極(30)、所述寫出PMOS 管漏極(20)分別通過地線保護PMOS管柵極連線(35)、地線保護PMOS管源極連線(29)、寫 出PMOS管漏極連線(21)與所述驅(qū)動電極連接線(37)相連接；所述電源線(1)、所述正相行選通線(25)、所述負相行選通線(27)、所述OV地線沿 水平方向設(shè)置，且互不相交連通；所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)沿垂直方向設(shè)置，且與所述電源線(1)、所述正相行 選通線(25)、所述負相行選通線(27)、所述OV地線互不連通；所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)由純度超過99%的鋁金屬制成，且所述OLED發(fā)光 層驅(qū)動電極(38)覆蓋的面積不超過所述硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)面積的90%。所述電源線(1)上承載不低于3. 3V的恒定電位值；所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)中交替承載高電位信號和低電位信號，且所述高電 位信號數(shù)值不低于所述電源線(1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值，所述低電位信號數(shù) 值不高于比所述高電位信號數(shù)值低0. 5V的數(shù)值，所述正相選通線和所述負相選通線上承載的信號為互不交疊反相電壓信號。所述一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)采用PMOS制程工藝在N型單晶硅襯底 上生產(chǎn)實現(xiàn)；下面結(jié)合附圖2、附圖3、附圖4、附圖5、附圖6、附圖7、附圖8、附圖9、附圖10對本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法作進一步具體說明本發(fā)明用于所述硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)的驅(qū)動方法，包括如下階段上電后循環(huán)完成如下階段第一階段視頻數(shù)據(jù)信號第1位輸入，順序完成如下兩個步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電 位，同時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第1位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串 行位線(22)中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線(2)、所述讀入PMOS管(4)、所述漏 柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的 不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS 管(12)進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線 (17)；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線⑴上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11) 啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12) 只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進 所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通 過所述寫出PMOS管柵極連線(28)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截 止工作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17) 經(jīng)由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線(21)，2)本階段開始后的10至800微秒之后的3000至4000微秒時間內(nèi)所述正相選通 線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的3000至4000微秒 時間內(nèi)所述負相選通線上輸入OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟 動所述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只 允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流 進所述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述讀入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動 PMOS管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng) 由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光 層驅(qū)動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安 的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所 述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第二階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第1位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第2位寫入，分 別完成如下步驟
1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電 位，同時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第2位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串 行位線(22)中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線(2)、所述讀入PMOS管(4)、所述漏 柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的 不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS 管(12)進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線 (17)；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線(1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11) 啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12) 只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進 所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通 過所述寫出PMOS管柵極連線(28)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截 止工作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17) 經(jīng)由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線(21)，2)本階段開始后的10至800微秒之后的1500至2000微秒時間內(nèi)所述正相選通 線上承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的1500至2000微秒 時間內(nèi)所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟 動所述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只 允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流 進所述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述讀入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動 PMOS管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng) 由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光 層驅(qū)動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安 的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所 述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第三階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第2位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第3位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電 位，同時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第3位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線(2)、所述讀入PMOS管(4)、所述漏 柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的 不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS 管(12)進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線 (17)；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線⑴上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11) 啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12) 只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進 所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通 過所述寫出PMOS管柵極連線(28)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截 止工作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17) 經(jīng)由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線(21)，2)本階段開始后的10至800微秒之后的750至1000微秒時間內(nèi)所述正相選通線 上承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的750至1000微秒時 間內(nèi)所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟 動所述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只 允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流 進所述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述讀入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動 PMOS管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng) 由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光 層驅(qū)動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安 的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所 述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第四階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第3位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第4位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電 位，同時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第4位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串 行位線(22)中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線(2)、所述讀入PMOS管(4)、所述漏 柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的 不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線 (17)；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線(1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11) 啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12) 只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進 所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通 過所述寫出PMOS管柵極連線(28)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截 止工作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17) 經(jīng)由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線(21)，2)本階段開始后的10至800微秒之后的350至500微秒時間內(nèi)所述正相選通線 上承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的350至500微秒時間 內(nèi)所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟 動所述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只 允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流 進所述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述讀入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動 PMOS管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng) 由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光 層驅(qū)動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安 的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所 述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第五階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第4位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第5位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電 位，同時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第5位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串 行位線(22)中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線(2)、所述讀入PMOS管(4)、所述漏 柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的 不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS 管(12)進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線 (17)；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線(1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)
25啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12) 只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進 所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通 過所述寫出PMOS管柵極連線(28)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截 止工作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17) 經(jīng)由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線(21)，2)本階段開始后的10至800微秒之后的150至250微秒時間內(nèi)所述正相選通線 上承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的150至250微秒時間 內(nèi)所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟 動所述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只 允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流 進所述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述讀入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動 PMOS管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng) 由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光 層驅(qū)動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安 的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所 述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)， 第六階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第5位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第6位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電 位，同時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第6位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串 行位線(22)中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線(2)、所述讀入PMOS管(4)、所述漏 柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的 不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS 管(12)進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線 (17)；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線⑴上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11) 啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12) 只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進 所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所述寫出PMOS管柵極連線(28)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截 止工作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17) 經(jīng)由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線(21)，2)本階段開始后的10至800微秒之后的75至150微秒時間內(nèi)所述正相選通線上 承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的75至150微秒時間內(nèi) 所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟 動所述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只 允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流 進所述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述讀入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動 PMOS管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng) 由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光 層驅(qū)動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安 的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所 述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第七階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第6位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第7位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電 位，同時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第7位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串 行位線(22)中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線(2)、所述讀入PMOS管(4)、所述漏 柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的 不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS 管(12)進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線 (17)；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線⑴上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11) 啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12) 只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進 所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通 過所述寫出PMOS管柵極連線(28)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截 止工作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17) 經(jīng)由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線(21)，2)本階段開始后的10至800微秒之后的35至100微秒時間內(nèi)所述正相選通線上承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的35至100微秒時間內(nèi) 所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟 動所述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只 允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流 進所述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述讀入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動 PMOS管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng) 由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光 層驅(qū)動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安 的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所 述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第八階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第7位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第8位寫入，分 別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電 位，同時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第8位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串 行位線(22)中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線(2)、所述讀入PMOS管(4)、所述漏 柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的 不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS 管(12)進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納 安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線 (17)；如果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述 電源線⑴上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11) 啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12) 只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進 所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通 過所述寫出PMOS管柵極連線(28)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截 止工作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17) 經(jīng)由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線(21)，2)本階段開始后的10至800微秒之后的15至50微秒時間內(nèi)所述正相選通線上 承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的15至50微秒時間內(nèi)所 述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟 動所述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流 進所述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述讀入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動 PMOS管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng) 由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光 層驅(qū)動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安 的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所 述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第九階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第8位寫入階段后進入黑屏信號寫入，分別完成如 下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至 2微秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電 位，同時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)上輸入不低于3. 3V的恒定電位 值，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串 行位線(22)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線(2)、所述 讀入PMOS管(4)、所述漏柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9) 進行存儲，且所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入截止工作狀態(tài)，進入 截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏 極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通 過所述寫出PMOS管柵極連線(28)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截 止工作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17) 經(jīng)由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線(21)，2)本階段開始后的10至800微秒之后的250至350微秒時間內(nèi)所述正相選通線 上承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的250至350微秒時間 內(nèi)所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟 動所述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只 允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流 進所述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述讀入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，且所述驅(qū)動PMOS 管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所 述寫出PMOS、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極 (38)。綜上所述，本發(fā)明實施例提供了 一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動 方法，通過該方法減少了整機空間的尺寸以及降低了整機功耗、。
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本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解附圖只是一個優(yōu)選實施例的示意圖，上述本發(fā)明實施例 序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少由讀入PMOS管源極(3)以 及讀入PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor, P型溝道金屬氧化物半導體)管柵 極以及讀入PMOS管漏極(5)構(gòu)成的讀入PMOS管0)、至少由PIP電容器低阻多晶硅上電極 (6)以及PIP電容器高阻多晶硅下電極(8)構(gòu)成的PIP(Poly Si-insulator-Poly Si，多晶 硅-絕緣層-多晶硅)電容器、至少由驅(qū)動PMOS管源極(15)以及驅(qū)動PMOS管柵極(13) 以及驅(qū)動PMOS管漏極(16)構(gòu)成的驅(qū)動PMOS管(12)、至少由寫出PMOS管(19)源極(18) 以及寫出PMOS管(19)柵極以及寫出PMOS管(19)漏極構(gòu)成的寫出PMOS管(19)、至少由地 線保護PMOS管源極(30)以及地線保護PMOS管柵極(34)以及地線保護PMOS管漏極(32) 構(gòu)成的地線保護PMOS管(31)、通過讀入PMOS管源極連線(2)與所述讀入PMOS管源極(3) 相連接的視頻數(shù)據(jù)串行位線(22)、同時連接PIP上電極連線(7)和驅(qū)動PMOS管源極連線 (14)的電源線(1)、通過地線保護PMOS管漏極連線(33)與所述地線保護PMOS管漏極(32) 相連接的OV地線、通過讀入PMOS管柵極連線與所述讀入PMOS管柵極相連接的正相 行選通線(25)、通過寫出PMOS管(19)柵極連線與所述寫出PMOS管(19)柵極相連接的負 相行選通線(27)、與驅(qū)動電極連接線(37)相連接的OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述 PIP上電極連線(7)連接到所述PIP電容器低阻多晶硅上電極(6)，所述驅(qū)動PMOS管源極 連線(14)連接到所述驅(qū)動PMOS管源極(15)，所述PIP電容器高阻多晶硅下電極(8)通過 PIP下電極連線(10)連接到把所述讀入PMOS管漏極(5)與所述驅(qū)動PMOS管柵極(13)連 通的漏柵極連接線(11)上，所述驅(qū)動PMOS管漏極(16)與所述寫出PMOS管(19)源極(18) 通過源漏極連接線(17)相連通，所述地線保護PMOS管柵極(34)、所述地線保護PMOS管源 極(30)、所述寫出PMOS管(19)漏極分別通過地線保護PMOS管柵極連線(35)、地線保護 PMOS管源極連線( )、寫出PMOS管(19)漏極連線與所述驅(qū)動電極連接線(37)相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電 源線(1)、所述正相行選通線(25)、所述負相行選通線(27)、所述OV地線沿水平方向設(shè)置， 且互不相交連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線02)沿垂直方向設(shè)置，且與所述電源線(1)、所述正相行選通線(25)、所述 負相行選通線(27)、所述OV地線互不連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述 OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)由純度超過99%的鋁金屬制成，且所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極 (38)覆蓋的面積不超過所述硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)面積的90%。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電 源線(1)上承載不低于3. 3V的恒定電位值。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述視 頻數(shù)據(jù)串行位線0 中交替承載高電位信號和低電位信號，且所述高電位信號數(shù)值不低 于所述電源線(1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值，所述低電位信號數(shù)值不高于比所述 高電位信號數(shù)值低0. 5V的數(shù)值，所述正相選通線和所述負相選通線上承載的信號為互不 交疊反相電壓信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)采用PMOS制程工藝在N型單晶硅襯底上生產(chǎn)實現(xiàn)。
9.適于本發(fā)明的一種硅基OLED顯示芯片像素電路驅(qū)動方法，其特征在于，包括上電后 循環(huán)完成如下階段第一階段視頻數(shù)據(jù)信號第1位輸入，順序完成如下兩個步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至2微 秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第1位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線0 中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線O)、所述讀入PMOS管G)、所述漏柵極連 接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù) 串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的不低于 3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12) 進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納安的電 流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線(17)；如 果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述電源線 (1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所 述驅(qū)動PMOS管(1 進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(1 只允 許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述 源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管(19)柵極連線啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工 作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17)經(jīng) 由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管(19)漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的3000至4000微秒時間內(nèi)所述正相選通線上 輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0.5V的電位，同時的3000至4000微秒時間 內(nèi)所述負相選通線上輸入OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許 不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所述讀 入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動PMOS 管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所 述寫出PM0S、所述寫出PMOS管(19)漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū) 動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電 流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管(19)漏極連線、所述驅(qū) 動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第二階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第1位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第2位寫入，分別完 成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至2微 秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第2位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線0 中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線O)、所述讀入PMOS管G)、所述漏柵極連 接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù) 串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的不低于 3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12) 進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納安的電 流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述源漏極連接線(17)；如 果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述電源線 (1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所 述驅(qū)動PMOS管(1 進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(1 只允 許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述 源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管(19)柵極連線啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工 作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17)經(jīng) 由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管(19)漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的1500至2000微秒時間內(nèi)所述正相選通線上 承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的1500至2000微秒時間 內(nèi)所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許 不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所述讀 入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動PMOS 管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所 述寫出PM0S、所述寫出PMOS管(19)漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū) 動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電 流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管(19)漏極連線、所述驅(qū) 動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第三階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第2位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第3位寫入，分別完 成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至2微 秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第3位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線O)、所述讀入PMOS管G)、所述漏柵極連 接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù) 串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的不低于 3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12) 進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納安的電 流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線(17)；如 果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述電源線 (1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所 述驅(qū)動PMOS管(1 進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(1 只允 許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述 源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管(19)柵極連線啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工 作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17)經(jīng) 由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的750至1000微秒時間內(nèi)所述正相選通線上承 載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的750至1000微秒時間內(nèi) 所述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許 不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所述讀 入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動PMOS 管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所 述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū) 動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電 流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū) 動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第四階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第3位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第4位寫入，分別完 成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至2微 秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第4位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線0 中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線O)、所述讀入PMOS管G)、所述漏柵極連 接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù) 串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的不低于 3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12)進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納安的電 流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線(17)；如 果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述電源線 (1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所 述驅(qū)動PMOS管(1 進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(1 只允 許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述 源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線08)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工 作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17)經(jīng) 由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的350至500微秒時間內(nèi)所述正相選通線上承 載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的350至500微秒時間內(nèi)所 述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許 不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所述讀 入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動PMOS 管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所 述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū) 動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電 流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū) 動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第五階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第4位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第5位寫入，分別完 成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至2微 秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第5位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線0 中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線O)、所述讀入PMOS管G)、所述漏柵極連 接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù) 串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的不低于 3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12) 進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納安的電 流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線(17)；如 果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述電源線 (1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(1 進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(1 只允 許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述 源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線08)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工 作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17)經(jīng) 由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的150至250微秒時間內(nèi)所述正相選通線上承 載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的150至250微秒時間內(nèi)所 述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許 不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所述讀 入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動PMOS 管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所 述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū) 動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電 流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū) 動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第六階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第5位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第6位寫入，分別完 成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至2微 秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第6位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線0 中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線O)、所述讀入PMOS管G)、所述漏柵極連 接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù) 串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的不低于 3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12) 進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納安的電 流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線(17)；如 果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述電源線 (1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所 述驅(qū)動PMOS管(1 進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(1 只允 許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述 源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所述寫出PMOS管柵極連線08)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工 作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17)經(jīng) 由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的75至150微秒時間內(nèi)所述正相選通線上承載 不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的75至150微秒時間內(nèi)所述 負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許 不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所述讀 入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動PMOS 管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所 述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū) 動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電 流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū) 動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第七階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第6位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第7位寫入，分別完 成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至2微 秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第7位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線0 中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線O)、所述讀入PMOS管G)、所述漏柵極連 接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù) 串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線(1)上承載的不低于 3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12) 進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納安的電 流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線(17)；如 果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述電源線 (1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所 述驅(qū)動PMOS管(1 進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(1 只允 許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述 源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線08)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工 作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17)經(jīng) 由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的35至100微秒時間內(nèi)所述正相選通線上承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的35至100微秒時間內(nèi)所述 負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許 不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所述讀 入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動PMOS 管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所 述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū) 動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電 流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū) 動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第八階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第7位寫入階段后進入視頻數(shù)據(jù)信號第8位寫入，分別完 成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至2微 秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 上輸入視頻數(shù)據(jù)信號第8位，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線0 中的信號經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線O)、所述讀入PMOS管G)、所述漏柵極連 接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行存儲，如果從所述視頻數(shù)據(jù) 串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值低于比所述電源線⑴上承載的不低于 3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(12) 進入線性工作狀態(tài)，進入線性工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(12)允許不超過100納安的電 流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述源漏極連接線(17)；如 果從所述視頻數(shù)據(jù)串行位線02)傳入PIP電容器(9)的信號的數(shù)值不低于比所述電源線 (1)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值低0. 5V的數(shù)值，則所述漏柵極連接線(11)啟動所 述驅(qū)動PMOS管(1 進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(1 只允 許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(1 流進所述 源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線08)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工 作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17)經(jīng) 由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的15至50微秒時間內(nèi)所述正相選通線上承載 不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的15至50微秒時間內(nèi)所述負 相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所述讀 入PMOS管源極連線(2)，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，如果所述驅(qū)動PMOS 管(12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所 述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū) 動電極(38)；如果所述驅(qū)動PMOS管(12)處于線性工作狀態(tài)，則允許不超過100納安的電 流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線(21)、所述驅(qū) 動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極(38)，第九階段完成視頻數(shù)據(jù)信號第8位寫入階段后進入黑屏信號寫入，分別完成如下步驟1)本階段開始后的1至2微秒時間內(nèi)所述正相選通線上輸入OV電位，同時的1至2微 秒時間內(nèi)所述負相選通線上輸入不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同 時的1至2微秒時間內(nèi)所述視頻數(shù)據(jù)串行位線0 上輸入不低于3. 3V的恒定電位值，承載OV電位的所述正相選通線啟動所述讀入PMOS管(4)導通，所述視頻數(shù)據(jù)串行位 線02)上承載的不低于3. 3V的恒定電位值經(jīng)過所述讀入PMOS管源極連線O)、所述讀入 PMOS管G)、所述漏柵極連接線(11)、PIP下電極連線(10)傳入所述PIP電容器(9)進行 存儲，且所述漏柵極連接線(11)啟動所述驅(qū)動PMOS管(1 進入截止工作狀態(tài)，進入截止 工作狀態(tài)的所述驅(qū)動PMOS管(1 只允許不超過1納安的電流從所述驅(qū)動PMOS管漏極連 線經(jīng)由所述驅(qū)動PMOS管(12)流進所述源漏極連接線(17)，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述負相選通線通過所 述寫出PMOS管柵極連線08)啟動所述寫出PMOS管(19)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工 作狀態(tài)的所述寫出PMOS管(19)只允許不超過1納安的電流從所述源漏極連接線(17)經(jīng) 由所述寫出PMOS管(19)流進所述寫出PMOS管漏極連線，2)本階段開始后的10至800微秒之后的250至350微秒時間內(nèi)所述正相選通線上承 載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位，同時的250至350微秒時間內(nèi)所 述負相選通線上承載OV電位，承載不低于所述電源線(1)上所承載的電位值0. 5V的電位的所述正相選通線啟動所 述讀入PMOS管(4)進入截止工作狀態(tài)，進入截止工作狀態(tài)的所述讀入PMOS管(4)只允許 不超過1納安的電流或從所述讀入PMOS管源極連線(2)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所 述漏柵極連接線(11)或從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述讀入PMOS管(4)流進所述讀 入PMOS管源極(3)連線⑵，承載OV電位的所述負相選通線啟動所述寫出PMOS管(19)導通，且所述驅(qū)動PMOS管 (12)處于截止工作狀態(tài)，則只有不超過1納安的電流從所述漏柵極連接線(11)經(jīng)由所述 寫出PM0S、所述寫出PMOS管漏極連線、所述驅(qū)動電極連線進入所述OLED發(fā)光層驅(qū)動電極 (38)。
全文摘要
一種硅基OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法。像素電路結(jié)構(gòu)至少有讀入PMOS管、PIP電容器、驅(qū)動PMOS管、寫出PMOS管、地線保護PMOS管、視頻數(shù)據(jù)串行位線、同時連接PIP上電極連線和驅(qū)動PMOS管源極連線的電源線、通過地線保護PMOS管漏極連線與所述地線保護PMOS管漏極相連接的0V地線、通過讀入PMOS管柵極連線與所述讀入PMOS管柵極相連接的正相行選通線、通過寫出PMOS管柵極連線與所述寫出PMOS管柵極相連接的負相行選通線、與驅(qū)動電極連接線相連接的OLED發(fā)光層驅(qū)動電極。驅(qū)動方法有九個階段，上電后循環(huán)完成。本發(fā)明降低了生產(chǎn)成本，降低了控制驅(qū)動電路的重量和空間體積，降低整機功耗。
文檔編號G09G3/32GK102074195SQ201010623538
公開日2011年5月25日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者代永平, 凌代年, 彭華軍, 邱成峰, 郭海成, 黃飚 申請人:廣東中顯科技有限公司