一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件及其制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件及其制作工藝，所述封裝件主要由引線框架、鍍銀層、植球、芯片、鍵合線和塑封體組成。所述引線框架與芯片通過鍍銀層相連，鍵合線從芯片連接到引線框架上，鍍銀層上有植球，塑封體包圍了引線框架、鍍銀層、植球、芯片和鍵合線，芯片、鍵合線、植球和引線框架構(gòu)成了電路的電源和信號通道。所述引線框架上有鍍銀層，鍍銀層上有植球和芯片，植球在芯片的兩端，鍍銀層、植球和芯片都在引線框架的一側(cè)。所述制作工藝的主要流程如下：晶圓減薄→劃片→框架鍍銀層→鍍銀層上植球→上芯→壓焊→塑封→蝕刻引線框架→成品。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)在框架上直接進(jìn)行芯片的焊接，省去設(shè)計(jì)框架的繁瑣步驟以及較高的生產(chǎn)成本。
【專利說明】一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架CSP封裝件及其制作工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明專利涉及一種基于框架CSP的封裝領(lǐng)域，更進(jìn)一步說是一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架CSP封裝件及其制作工藝，屬于集成電路封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]CSP (Chip Scale Package)封裝,是芯片級封裝的意思。CSP封裝是最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。CSP封裝內(nèi)存不但體積小，同時(shí)也更薄，大大提高了內(nèi)存芯片在長時(shí)間運(yùn)行后的可靠性，而且線路阻抗顯著減小，芯片運(yùn)行速度也隨之得到大幅度提高。CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導(dǎo)距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時(shí)間比有極大提高。還具有多輸入/輸出端數(shù)、電性能好和熱性能好等特點(diǎn)。
[0003]現(xiàn)有csp框架產(chǎn)品開發(fā)均要先設(shè)計(jì)框架再開發(fā)框架，設(shè)計(jì)周期以及開發(fā)周期都比較長，使得生產(chǎn)成本高和生產(chǎn)效率較低。
[0004]
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對上述常規(guī)框架的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架CSP封裝件及其制作工藝，使IC芯片在封裝過程中不再受框架設(shè)計(jì)的限制，可以直接和框架連接，省去設(shè)計(jì)框架的步驟。由于芯片不再需要制作特殊的圖形，節(jié)約了生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。
[0006]一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件，主要由引線框架、鍍銀層、植球、芯片、鍵合線和塑封體組成。所述引線框架與芯片通過鍍銀層相連，鍵合線從芯片連接到引線框架上，鍍銀層上有植球，塑封體包圍了引線框架、鍍銀層、植球、芯片和鍵合線，芯片、鍵合線、植球和引線框架構(gòu)成了電路的電源和信號通道。所述引線框架上有鍍銀層，鍍銀層上有植球和芯片，植球在芯片的兩端，鍍銀層、植球和芯片都在引線框架的一側(cè)。
[0007]植球?yàn)榻?、銅或者合金球。
[0008]鍵合線為金線、銅線或合金線。
[0009]一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件的制作工藝，主要流程如下:晶圓減薄—劃片一框架鍍銀層一鍍銀層上植球一上芯一壓焊一塑封一蝕刻引線框架一成品。
[0010]
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為引線框架剖面圖；
圖2為引線框架鍍銀后剖面圖；
圖3為引線框架植球剖面圖； 圖4為上芯后廣品首I]面圖；
圖5為壓焊后產(chǎn)品剖面圖；
圖6為塑封后產(chǎn)品剖面圖；
圖7為蝕刻引線框架后產(chǎn)品剖面圖。
圖中，I為引線框架，2為鍍銀層，3為植球，4為芯片，5為鍵合線，6為塑封體。
[0012]
【具體實(shí)施方式】
[0013]如圖所示，一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件，主要由引線框架1、鍍銀層
2、植球3、芯片4、鍵合線5和塑封體6組成。所述引線框架I與芯片4通過鍍銀層2相連，鍵合線5從芯片4連接到引線框架I上，鍍銀層2上有植球3，塑封體6包圍了引線框架1、鍍銀層2、植球3、芯片4和鍵合線5，芯片4、鍵合線5、植球3和引線框架I構(gòu)成了電路的電源和信號通道。所述引線框架I上有鍍銀層2，鍍銀層2上有植球3和芯片4，植球3在芯片4的兩端，鍍銀層2、植球3和芯片4都在引線框架I的一側(cè)。
[0014]植球3為金、銅或者合金球。
[0015]鍵合線5為金線、銅線或合金線。
[0016]一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件的制作工藝，主要流程如下:晶圓減薄—劃片一框架鍍銀層一鍍銀層上植球一上芯一壓焊一塑封一蝕刻引線框架一成品。
[0017]如圖所示，一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件的制作工藝，其按照如下具體步驟進(jìn)行:
(一)晶圓減薄:減薄厚度50μ m?200 μ m,粗糙度Ra 0.1Omm?0.05mm ；
(二)劃片:150μπι以上晶圓同普通QFN劃片工藝，但厚度在150μπι以下晶圓，使用雙刀劃片機(jī)及其工藝；
(三)框架鍍銀層，鍍銀層上植球:鍍銀層2及植球同常規(guī)csp工藝，不同的是，鍍銀層2和植球3都在引線框架I的同一側(cè)；
(四)上芯、壓焊、塑封:上芯、壓焊、塑封同常csp工藝，不同的是，芯片4和鍍銀層2、植球3都在引線框架I的同一側(cè)；
(五)蝕刻引線框架:在產(chǎn)品完成塑封后，使用蝕刻液將引線框架I全部蝕刻后，鍍銀層2會全部露出，即可做接觸點(diǎn)直接形成連通。
[0018]本發(fā)明可用于單芯片封裝也可用于多芯片堆疊式封裝。
[0019]本發(fā)明采用一種新型植球工藝，該工藝通過植球，即可實(shí)現(xiàn)在框架上直接進(jìn)行芯片的焊接，省去設(shè)計(jì)框架的繁瑣步驟以及較高的生產(chǎn)成本，此法靈活性高，進(jìn)一步提高產(chǎn)品生產(chǎn)總值，顯著提高產(chǎn)品可靠性，并實(shí)現(xiàn)降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本。
【權(quán)利要求】
1.一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架CSP封裝件，其特征在于:主要由引線框架(I)、鍍銀層(2)、植球(3)、芯片(4)、鍵合線(5)和塑封體(6)組成；所述引線框架(I)與芯片(4)通過鍍銀層(2)相連，鍵合線(5)從芯片(4)連接到引線框架(I)上，鍍銀層(2)上有植球(3)，塑封體(6)包圍了引線框架(I)、鍍銀層(2)、植球(3)、芯片(4)和鍵合線(5)，芯片(4)、鍵合線(5)、植球(3)和引線框架(I)構(gòu)成了電路的電源和信號通道；所述引線框架(I)上有鍍銀層(2)，鍍銀層(2)上有植球(3)和芯片(4)，植球(3)在芯片(4)的兩端，鍍銀層(2)、植球(3)和芯片(4)都在引線框架(I)的一側(cè)。
2.一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件的制作工藝，其特征在于:其按照如下具體步驟進(jìn)行: (一)晶圓減薄:減薄厚度50μ m?200 μ m,粗糙度Ra 0.1Omm?0.05mm ； (二)劃片:150μπι以上晶圓同普通QFN劃片工藝，但厚度在150μπι以下晶圓，使用雙刀劃片機(jī)及其工藝； (三)框架鍍銀層，鍍銀層上植球:鍍銀層(2)及植球同常規(guī)csp工藝，不同的是，鍍銀層(2)和植球(3)都在引線框架(I)的同一側(cè)； (四)上芯、壓焊、塑封:上芯、壓焊、塑封同常csp工藝，不同的是，芯片(4)和鍍銀層(2)、植球(3)都在引線框架(I)的同一側(cè)； (五)蝕刻引線框架:在產(chǎn)品完成塑封后，使用蝕刻液將引線框架(I)全部蝕刻后，鍍銀層(2)會全部露出，即可做接觸點(diǎn)直接形成連通。
【文檔編號】H01L23/495GK103560122SQ201310387861
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月31日
【發(fā)明者】郭小偉, 劉建軍, 謝建友, 李萬霞, 李站, 崔夢 申請人:華天科技（西安）有限公司