具有靜電自防護能力的基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有靜電自防護能力的基板及其制造方法，所述基板包括：面板區(qū)域；第一柵極金屬層和源/漏極金屬層，位于所述面板區(qū)域的至少一側(cè)外，所述第一柵極金屬層與所述源/漏極金屬層在其長度方向上平行設(shè)置且相互鄰近，并且從所述第一柵極金屬層向所述源/漏極金屬層延伸出至少一個尖端，和/或從所述源/漏極金屬層向所述第一柵極金屬層延伸出至少一個尖端。
【專利說明】具有靜電自防護能力的基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種具有靜電自防護能力的基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的不斷進步，為了降低制造成本，提高競爭力，TFT-1XD制造業(yè)世代線逐步提高，對工藝技術(shù)和控制要求更高，靜電防護也成為高世代線需要面對的問題之一。通常為了防止制造過程中的靜電擊穿現(xiàn)象的發(fā)生，在面板設(shè)計的時候都會加入短路線等設(shè)計，但這些設(shè)計通常僅針對于回路形成后的制造過程中的靜電防護。目前，高世代線的玻璃基板尺寸不斷增大，同時大塊金屬易于積累電荷，因此由連續(xù)大面積金屬形成的面板區(qū)外公共電極成為TFT陣列基板制造過程中靜電放電(ESD)的常見發(fā)生源。由于大片金屬容易聚集電荷，在諸如PECVD設(shè)備等的等離子環(huán)境，或是設(shè)備的滾輪摩擦玻璃邊緣的環(huán)境等，都會造成局部電場不均，容易導(dǎo)致尖端放電，使得不同層金屬發(fā)生ESD。此類靜電相關(guān)不良一直沒有徹底的解決方案。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中為了使面板內(nèi)部公共電極電壓分布均勻，外圍公共電極金屬采用寬度大且無跨接設(shè)計。但是這種設(shè)計的缺點是:當(dāng)局部產(chǎn)生電勢差，導(dǎo)致尖端放電時，靜電能量大，容易造成ESD不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是面板區(qū)域易發(fā)生ESD導(dǎo)致產(chǎn)品不良的問題。
[0005]為此目的，本發(fā)明提出了一種具有靜電自防護能力的基板，包括:面板區(qū)域；第一柵極金屬層和源/漏極金屬層，位于所述面板區(qū)域的至少一側(cè)外，所述第一柵極金屬層與所述源/漏極金屬層在其長度方向上平行設(shè)置且相互鄰近，并且從所述第一柵極金屬層向所述源/漏極金屬層延伸出至少一個尖端，和/或從所述源/漏極金屬層向所述第一柵極金屬層延伸出至少一個尖端。
[0006]優(yōu)選地，所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在其長度方向上被劃分成至少兩段。
[0007]優(yōu)選地，所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層設(shè)置在所述基板上所述面板區(qū)域相對的兩側(cè)外。
[0008]優(yōu)選地，上述基板還包括:第二柵極金屬層，所述第二柵極金屬層位于所述基板上設(shè)置有所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層的所述面板區(qū)域側(cè)的相鄰側(cè)外，并且從所述第二柵極金屬層向所述源/漏極金屬層延伸出至少一個尖端，和/或從所述源/漏極金屬層向所述第二柵極金屬層延伸出至少一個尖端。
[0009]優(yōu)選地，所述第二柵極金屬層設(shè)置在所述基板上所述面板區(qū)域相對的兩側(cè)外。
[0010]優(yōu)選地，所述第二柵極金屬層的寬度大于所述第一柵極金屬層的寬度。
[0011]優(yōu)選地，所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層設(shè)置在所述基板上所述面板區(qū)域相對的兩側(cè)外，并且所述第二柵極金屬層設(shè)置在所述基板上所述面板區(qū)域相對的另外兩側(cè)外。
[0012]優(yōu)選地，所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在所述基板上的投影之間具有間距或至少部分重疊。
[0013]優(yōu)選地，所述第二柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在所述基板上的投影之間具有間距或至少部分重疊。
[0014]本發(fā)明還公開了一種具有靜電自防護能力的基板的制造方法，包括:在所述基板上形成柵極金屬膜；對所述柵極金屬膜進行構(gòu)圖工藝，以在所述基板上面板區(qū)域的至少一側(cè)外形成第一柵極金屬層；在所述第一柵極金屬層上形成源/漏極金屬膜；對所述源/漏極金屬膜進行構(gòu)圖工藝，以在所述基板上所述面板區(qū)域的所述至少一側(cè)外形成源/漏極金屬層；其中，所述第一柵極金屬層與所述源/漏極金屬層在其長度方向上平行設(shè)置且相互鄰近，并且從所述第一柵極金屬層向所述源/漏極金屬層延伸出至少一個尖端，和/或從所述源/漏極金屬層向所述第一柵極金屬層延伸出至少一個尖端。
[0015]優(yōu)選地，上述方法還包括:在所述第一柵極金屬層與所述源/漏極金屬層之間形成柵極絕緣膜和半導(dǎo)體有源層，其中，所述柵極絕緣膜覆蓋所述第一柵極金屬層，并且同時對所述源/漏極金屬層和所述半導(dǎo)體有源層進行構(gòu)圖工藝。
[0016]優(yōu)選地，所述對所述柵極金屬膜進行構(gòu)圖工藝還包括:在所述基板上形成有所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層的所述面板區(qū)域側(cè)的相鄰側(cè)外，形成第二柵極金屬層，并且從所述第二柵極金屬層向所述源/漏極金屬層延伸出至少一個尖端，和/或從所述源/漏極金屬層向所述第二柵極金屬層延伸出至少一個尖端。
[0017]優(yōu)選地，所述第二柵極金屬層的寬度大于所述第一柵極金屬層的寬度。
[0018]優(yōu)選地，所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在所述基板上的投影之間具有間距或至少部分重疊。
[0019]優(yōu)選地，所述第二柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在所述基板上的投影之間具有間距或至少部分重疊。
[0020]通過采用本發(fā)明所公開的上述基板及其制造方法，能夠誘導(dǎo)制造工藝過程中產(chǎn)生的靜電轉(zhuǎn)移到基板周邊，從而減少了面板區(qū)域發(fā)生靜電放電的可能性，有效提高了產(chǎn)品良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點，附圖是示意性的而不理解為對本發(fā)明進行任何限制，在附圖中:
[0022]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有靜電自防護能力的玻璃基板的示意圖；
[0023]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有靜電自防護能力的玻璃基板的制造工藝的流程圖；
[0024]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有靜電自防護能力的玻璃基板的示意圖；以及
[0025]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有靜電自防護能力的玻璃基板的制造工藝的流程圖?！揪唧w實施方式】
[0026]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0027]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有靜電自防護能力的基板的示意圖。如圖1所示，基板I的中部具有面板區(qū)域2，面板區(qū)域2的相對兩側(cè)外均具有第一柵極金屬層3和源/漏極金屬層5，并且面板區(qū)域2的另外兩個相對側(cè)外均具有第二柵極金屬層4，并且第一柵極金屬層3的寬度小于第二柵極金屬層4的寬度，第二柵極金屬層4要積累靜電電荷，因此需要的寬度要寬一些。第二柵極金屬層4和源/漏極金屬層5用于積累制造工藝中產(chǎn)生的靜電電荷，避免面板區(qū)域2中的靜電積累。第一柵極金屬層3和源/漏極金屬層5在其長度方向上平行設(shè)置且相互鄰近，并且沿其長度方向被劃分為若干段，在圖2中被示例性地劃分為兩段。
[0028]第二柵極金屬層4向源/漏極金屬層5延伸出若干尖端，和/或源/漏極金屬層5向第一柵極金屬層3延伸出若干尖端。當(dāng)積累的靜電能量過大時，由于第二柵極金屬層4與源/漏極金屬層5之間的電勢差不同，能量在這里通過第二柵極金屬層4向源/漏極金屬層5延伸出的若干尖端而最先釋放，使得這兩層金屬層短路。在短路之后，金屬層上的靜電聚集的能量將在離該短路位置最近的位置繼續(xù)釋放，即源/漏極金屬層5向第一柵極金屬層3延伸出若干尖端，從而減小了第二柵極金屬層4與源/漏極金屬層5之間的靜電能量。這樣的設(shè)計不僅可以將制造工藝中產(chǎn)生的靜電誘導(dǎo)至玻璃基板I外圍的第二柵極金屬層4和源/漏極金屬層5，而且可以通過器件自身的靜電放電來避免增加玻璃基板周邊較粗金屬造成的靜電能量聚集過大的問題。通過上述結(jié)構(gòu)，避免面板區(qū)域2發(fā)生靜電放電。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，也可以制作從源/漏極金屬層5向第二柵極金屬層4延伸的若干尖端或者是從第一柵極金屬層3向源/漏極金屬層5延伸出的若干尖端，這樣也可以實現(xiàn)尖端放電的作用。
[0029]優(yōu)選地，第一、第二柵極金屬層和源/漏極金屬層由Mo/Al/Mo三層金屬疊層構(gòu)成。在本實施例中，第一、第二柵極金屬層與源/漏極金屬層在基板上的投影存在間距。
[0030]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有靜電自防護能力的基板的制造工藝的流程圖，其中圖2所示的截面圖為沿圖1中的虛線A-A和B-B所截取的截面的截面圖。如圖2所示，首先在玻璃基板I上沉積柵極金屬膜；通過曝光蝕刻的構(gòu)圖工藝對柵極金屬膜進行構(gòu)圖，形成第一柵極金屬層3和/或第二柵極金屬層4 ;在柵極金屬層上沉積柵極絕緣層6以覆蓋第一柵極金屬層3和/或第二柵極金屬層4 ;在柵極絕緣層6上依次沉積半導(dǎo)體有源層7、歐姆接觸層8和源/漏極金屬膜；通過曝光蝕刻的構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體有源層7、歐姆接觸層8和源/漏極金屬膜進行構(gòu)圖，形成源/漏極金屬層5 ;沉積保護層9。
[0031]由此，完成了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有靜電自防護能力的基板的制造。上述制造工藝過程與面板的制造工藝是同步進行的，并不會引入額外的工藝步驟，并且面板的后續(xù)制造工藝不影響所形成的結(jié)構(gòu)。
[0032]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有靜電自防護能力的基板的示意圖。圖3中所示的玻璃基板與圖1中所示的基板類似，其區(qū)別僅在于第二柵極金屬層4上延伸出的尖端與源/漏極金屬層5在基板上的投影至少部分重疊，源/漏極金屬層5上延伸出的尖端與第一柵極金屬層3在基板上的投影至少部分重疊。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，也可以制作從源/漏極金屬層5向第二柵極金屬層4延伸的若干尖端或者是從第一柵極金屬層3向源/漏極金屬層5延伸出的若干尖端，這樣也可以實現(xiàn)尖端放電的作用。
[0033]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有靜電自防護能力的基板的制造工藝的流程圖，其中圖4所示的截面圖為沿圖3中的虛線A-A和B-B所截取的截面的截面圖。圖4中所示的制造工藝流程與圖2中所示的制造工藝流程類似，在此不再累述。
[0034]應(yīng)當(dāng)注意，上述實施例只是本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非限制本發(fā)明。事實上，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)在玻璃基板上制造面板的邊緣裕度而選擇合適的靜電自防護結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以選擇將第一柵極金屬層和源/漏極金屬層僅設(shè)置在面板區(qū)域的一側(cè)外，或者設(shè)置在面板區(qū)域的多側(cè)外而無需設(shè)置第二柵極金屬層。為了節(jié)省掩膜曝光的成本，根據(jù)本發(fā)明實施例的具有靜電自防護能力的基板的結(jié)構(gòu)是對稱的，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，也可以將基板的設(shè)置成非對稱的。諸如此類的變型或修改均落入本發(fā)明的精神與教導(dǎo)之內(nèi)。
[0035]通過采用本發(fā)明所公開的基板及其制造方法，能夠誘導(dǎo)制造工藝過程中產(chǎn)生的靜電轉(zhuǎn)移到基板周邊，從而減少了面板區(qū)域發(fā)生靜電放電的可能性，有效提高產(chǎn)品良率；并且通過自身柵極金屬層與源/漏極金屬層產(chǎn)生靜電放電，從而釋放了周邊金屬層聚集的靜電能量，避免了不同工藝階段的靜電累積，使TFT基板具備自防護能力。
[0036]雖然結(jié)合附圖描述了本發(fā)明的實施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下作出各種修改和變型，這樣的修改和變型均落入由所附權(quán)利要求所限定的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有靜電自防護能力的基板，包括； 面板區(qū)域；第一柵極金屬層和源/漏極金屬層，位于所述面板區(qū)域的至少一側(cè)外，所述第一柵極金屬層與所述源/漏極金屬層在其長度方向上平行設(shè)置且相互鄰近，并且從所述第一柵極金屬層向所述源/漏極金屬層延伸出至少一個尖端，和/或從所述源/漏極金屬層向所述第一柵極金屬層延伸出至少一個尖端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在其長度方向上被劃分成至少兩段。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層設(shè)置在所述基板上所述面板區(qū)域相對的兩側(cè)外。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，還包括:第二柵極金屬層，所述第二柵極金屬層位于所述基板上設(shè)置有所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層的所述面板區(qū)域側(cè)的相鄰側(cè)夕卜，并且從所述第二柵極金屬層向所述源/漏極金屬層延伸出至少一個尖端，和/或從所述源/漏極金屬層向所述第二柵極金屬層延伸出至少一個尖端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板，其中所述第二柵極金屬層設(shè)置在所述基板上所述面板區(qū)域相對的兩側(cè)外。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板，其中所述第二柵極金屬層的寬度大于所述第一柵極金屬層的覽度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板，其中所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層設(shè)置在所述基板上所述面板區(qū) 域相對的兩側(cè)外，并且所述第二柵極金屬層設(shè)置在所述基板上所述面板區(qū)域相對的另外兩側(cè)外。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的基板，其中所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在所述基板上的投影之間具有間距或至少部分重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求4至7中的任一項所述的基板，其中所述第二柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在所述基板上的投影之間具有間距或至少部分重疊。
10.一種具有靜電自防護能力的基板的制造方法，包括: 在所述基板上形成柵極金屬膜； 對所述柵極金屬膜進行構(gòu)圖工藝，以在所述基板上面板區(qū)域的至少一側(cè)外形成第一柵極金屬層； 在所述第一柵極金屬層上形成源/漏極金屬膜； 對所述源/漏極金屬膜進行構(gòu)圖工藝，以在所述基板上所述面板區(qū)域的所述至少一側(cè)外形成源/漏極金屬層； 其中，所述第一柵極金屬層與所述源/漏極金屬層在其長度方向上平行設(shè)置且相互鄰近，并且從所述第一柵極金屬層向所述源/漏極金屬層延伸出至少一個尖端，和/或從所述源/漏極金屬層向所述第一柵極金屬層延伸出至少一個尖端。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括: 在所述第一柵極金屬層與所述源/漏極金屬層之間形成柵極絕緣膜和半導(dǎo)體有源層， 其中，所述柵極絕緣膜覆蓋所述第一柵極金屬層，并且同時對所述源/漏極金屬層和所述半導(dǎo)體有源層進行構(gòu)圖工藝。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述對所述柵極金屬膜進行構(gòu)圖工藝還包括:在所述基板上形成有所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層的所述面板區(qū)域側(cè)的相鄰側(cè)外，形成第二柵極金屬層，并且 從所述第二柵極金屬層向所述源/漏極金屬層延伸出至少一個尖端，和/或從所述源/漏極金屬層向所述第二柵極金屬層延伸出至少一個尖端。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第二柵極金屬層的寬度大于所述第一柵極金屬層的覽度。
14.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其中所述第一柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在所述基板上的投影之間具有間距或至少部分重疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其中所述第二柵極金屬層和所述源/漏極金屬層在所述基板 上的投影之間具有間距或至少部分重疊。
【文檔編號】H01L21/77GK103441130SQ201310384921
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】陳曦, 馮玉春, 袁劍峰 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司