專利名稱：改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED芯片結(jié)構(gòu)，尤其是一種改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)及其制作方法，屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
靜電學(xué)是十八世紀(jì)以庫侖定律為基礎(chǔ)建立起來的，以研究靜止電荷及磁場作用規(guī)律的學(xué)科，是物理學(xué)中電磁學(xué)的一個重要組成部分。
靜電是在我們平時生活中到處存在的，但是在二十世紀(jì)40-50年代，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)很少有靜電問題，因為那時是晶體三級管和二極管，而所產(chǎn)生的靜電也不如現(xiàn)在普遍。在60 年代，隨著對靜電非常敏感的MOS器件的出現(xiàn)，靜電問題逐漸被人們所關(guān)注。70-90年代，隨著集成電路的密度越來越大，一方面其二氧化硅膜的厚度越來越薄(微米一納米)，其承受的靜電電壓越來越低；另一方面，產(chǎn)生和積累靜電的材料如塑料，橡膠等大量使用，使得靜電現(xiàn)象越來越普遍存在。
在二十世紀(jì)中期，很多靜電問題都是由于人們沒有ESD (Electro-Static discharge，靜電釋放)意識而造成的。即使現(xiàn)在也有很多人懷疑ESD是否會對電子產(chǎn)品造成損壞，這是因為大多數(shù)ESD損害發(fā)生在人的感覺以外。因為人體對靜電放電的感知電壓約為3KV，而·許多電子元件在幾百伏甚至幾十伏時就會損壞，通常電子器件對被ESD損壞后沒有明顯的界限，把元件安裝在PCB板上以后再檢測，結(jié)果出現(xiàn)很多問題，分析也相當(dāng)困難。特別是潛在損壞，即使用精密儀器也很難測量出其性能有明顯變化，所以很多電子工程師和設(shè)計人員都懷疑ESD的危害，但近年實驗證實，這種潛在損壞在一定時間以后，電子產(chǎn)品的可靠性明顯下降。
所以，隨著現(xiàn)在半導(dǎo)體工藝水平的提高，電子產(chǎn)品也制作的越來越精細(xì)。對于電子產(chǎn)品的靜電防護(hù)是相當(dāng)必要的。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)及其制作方法，能夠改善靜電所帶來的危害，提高靜電防護(hù)的效果，延長LED芯片器件使用壽命。
按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，包括襯底、 N型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層、第一電極和第二電極，襯底上依次設(shè)置緩沖層和N型半導(dǎo)體層，緩沖層覆蓋于襯底上，N型半導(dǎo)體層覆蓋于緩沖層上，其特征是所述N型半導(dǎo)體層和緩沖層區(qū)分成第一島狀結(jié)構(gòu)、第二島狀結(jié)構(gòu)和第三島狀結(jié)構(gòu)；在所述第二島狀結(jié)構(gòu)和第三島狀結(jié)構(gòu)上依次設(shè)置有源層和P型半導(dǎo)體層，在第三島狀結(jié)構(gòu)上的P型半導(dǎo)體層上設(shè)置透明導(dǎo)電層；在所述第一島狀結(jié)構(gòu)、第二島狀結(jié)構(gòu)上的P型半導(dǎo)體層、透明導(dǎo)電層上設(shè)置鈍化層，該鈍化層包覆第一島狀結(jié)構(gòu)、第一島狀結(jié)構(gòu)與第二島狀結(jié)構(gòu)之間的溝槽、第二島狀結(jié)構(gòu)與第三島狀結(jié)構(gòu)之間的溝槽、第二島狀結(jié)構(gòu)及第二島狀結(jié)構(gòu)上的P型半導(dǎo)體層和有源層、第三島狀結(jié)構(gòu)及第三島狀結(jié)構(gòu)上的透明導(dǎo)電層、P型半導(dǎo)體層和有源層；所述第一電極分別穿過鈍化層與透明導(dǎo)電層和第二島狀結(jié)構(gòu)中的N型半導(dǎo)體層連接；所述第二電極分別穿過鈍化層與第一島狀結(jié)構(gòu)中的N型半導(dǎo)體層和第二島狀結(jié)構(gòu)上的P型半導(dǎo)體層連接；所述第一電極、第一島狀結(jié)構(gòu)、第三島狀結(jié)構(gòu)、第三島狀結(jié)構(gòu)上的有源層和P型半導(dǎo)體層構(gòu)成主級二極管，所述第二電極、第二島狀結(jié)構(gòu)、第二島狀結(jié)構(gòu)上的有源層和P型半導(dǎo)體層構(gòu)成次級二次管。
所述第一島狀結(jié)構(gòu)和第二島狀結(jié)構(gòu)之間的溝槽、以及第二島狀結(jié)構(gòu)和第三島狀結(jié)構(gòu)之間的溝槽的深度為7 μ m。
所述次級二極管的面積 < 主級二極管面積的10%。
所述鈍化層的材料為二氧化硅或氮化硅。
所述襯底為藍(lán)寶石基板或碳化硅基板。
所述第一電極、第二電極為單層或多層金屬。
所述第一電極、第二電極為Cr、Pt、Au多層金屬或者Ni、Au多層金屬，Ti> Au多層金屬或者Ti、Pt、Au多層金屬。
所述透明導(dǎo)電層的材料為單層金屬、多層金屬、單層金屬氧化物或多層金屬氧化物。
本發(fā)明所述改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的制作方法，包括以下工藝步驟(1)提供清洗過的外延片，該外延片從下至上依次包括襯底、緩沖層、N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層；(2)在外延片上用光刻出圖案，然后將該圖案刻蝕至襯底，從而將外延片區(qū)分成圖案內(nèi)部的次級二極管區(qū)和圖案外部的主級二極管區(qū)；(3)在主級二極管區(qū)和次級二極管區(qū)光刻出主級二極管和次級二級管的圖形，再進(jìn)行刻蝕，使得主級二極管區(qū)和次級二極管區(qū)的N型半導(dǎo)體層部分裸露出來，在主級二級管區(qū)和次級二極管區(qū)分別形成N型半導(dǎo)體層平臺；(4)將步驟(3)處理后的外延片表面進(jìn)行清洗后，對主級二極管區(qū)的未刻蝕區(qū)域濺射一層透明導(dǎo)電層，并沿透明導(dǎo)電層的邊緣腐蝕出輪廓，該輪廓的寬度為6 μ m ;(5)在經(jīng)步驟(4)處理后的外延層的表面沉積一層鈍化層，再在主級二極管區(qū)的透明導(dǎo)電層和N型半導(dǎo)體層平臺處的鈍化層上開出第一電極窗口，在次級二極管區(qū)的P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體導(dǎo)平臺上的鈍化層上開出第二電極窗口；(6)在第一電極窗口和第二電極窗口分別鍍第一電極和第二電極；所述第一電極連接于透明導(dǎo)電層和次級二極管區(qū)的N型半導(dǎo)體層平臺之間，所述第二電極連接于主級二極管區(qū)的N型半導(dǎo)體層平臺和次級二極管區(qū)的P型半導(dǎo)體層之間。
本發(fā)明所述發(fā)光二極管的優(yōu)點為(一)、由于次級二極管的面積較少，對主二極管的發(fā)光效率基本不產(chǎn)生太大影響；(二)、結(jié)構(gòu)簡單緊湊，與現(xiàn)有加工工藝相兼容，完全可以實現(xiàn)量產(chǎn)制作；(三)、有效的提高了靜電防護(hù)，減少靜電帶來的損傷，延長了LED芯片使用壽命，安全可O


CN 102945853 A說明書3/4頁
圖I為本發(fā)明所述二級管結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)剖視圖。 圖3為圖2的俯視圖。
圖4為本發(fā)明所使用的外延片的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖5為得到主級二極管區(qū)和次級二極管區(qū)的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖6為圖5的俯視圖。
圖7為得到N型半導(dǎo)體層平臺的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖8為圖7的俯視圖。
圖9為得到透明導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖10為圖9的俯視圖。
圖11為得到鈍化層的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖12為圖11中次級二極管區(qū)的俯視圖。
圖13為得到發(fā)光二極管后的結(jié)構(gòu)剖視圖。
具體實施方式

下面結(jié)合具體附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
如圖疒圖13所示本發(fā)明包括P型半導(dǎo)體層I、有源層2、N型半導(dǎo)體層3、緩沖層4、襯底5、透明導(dǎo)電層6、鈍化層7、第一電極8、第一島狀結(jié)構(gòu)9、第二島狀結(jié)構(gòu)10、第三島狀結(jié)構(gòu)11、第二電極12、主級二極管100、次級二極管200。
如圖2所示，本發(fā)明包括襯底5，襯底5上依次設(shè)置緩沖層4和N型半導(dǎo)體層3，緩沖層4覆蓋于襯底5上，N型半導(dǎo)體層3覆蓋于緩沖層4上，并且，所述N型半導(dǎo)體層3和緩沖層4區(qū)分成第一島狀結(jié)構(gòu)9、第二島狀結(jié)構(gòu)10和第三島狀結(jié)構(gòu)11 ;在所述第二島狀結(jié)構(gòu)10和第三島狀結(jié)構(gòu)11上依次設(shè)置有源層2和P型半導(dǎo)體層I，在第三島狀結(jié)構(gòu)11上的 P型半導(dǎo)體層I上設(shè)置透明導(dǎo)電層6 ;在所述第一島狀結(jié)構(gòu)9、第二島狀結(jié)構(gòu)10上的P型半導(dǎo)體層I、透明導(dǎo)電層6上設(shè)置鈍化層7，該鈍化層7包覆第一島狀結(jié)構(gòu)9、第一島狀結(jié)構(gòu)9 與第二島狀結(jié)構(gòu)10之間的溝槽、第二島狀結(jié)構(gòu)10與第三島狀結(jié)構(gòu)11之間的溝槽、第二島狀結(jié)構(gòu)10及第二島狀結(jié)構(gòu)10上的P型半導(dǎo)體層I和有源層2、第三島狀結(jié)構(gòu)11及第三島狀結(jié)構(gòu)11上的透明導(dǎo)電層6、P型半導(dǎo)體層I和有源層2 ；如圖2所示，所述第一電極8分別穿過鈍化層7與透明導(dǎo)電層6和第二島狀結(jié)構(gòu)11中的N型半導(dǎo)體層3連接；所述第二電極12分別穿過鈍化層7與第一島狀結(jié)構(gòu)9中的N型半導(dǎo)體層3和第二島狀結(jié)構(gòu)10上的P型半導(dǎo)體層I連接；此外，所述第一電極8、第一島狀結(jié)構(gòu)9、第三島狀結(jié)構(gòu)11、第三島狀結(jié)構(gòu)11上的有源層2和P型半導(dǎo)體層I構(gòu)成主級二極管 100，而所述第二電極12、第二島狀結(jié)構(gòu)10、第二島狀結(jié)構(gòu)10上的有源層2和P型半導(dǎo)體層 I構(gòu)成次級二次管200 ;從而，主級二極管100和次級二極管200首尾連接，主級二極管100 的P級與次級二極管200的N級相連，主級二極管100的N級與次級二極管200的P級相連，形成回路；所述主級二極管100和次級二極管200首尾相連，但彼此獨(dú)立且次級二極管 200不影響主級二極管200的發(fā)光強(qiáng)度；所述第一島狀結(jié)構(gòu)9和第二島狀結(jié)構(gòu)10之間的溝槽、以及第二島狀結(jié)構(gòu)10和第三島狀結(jié)構(gòu)11之間的溝槽的深度為7 μ m ;為了使次級二極管200不影響主級二極管100的發(fā)光強(qiáng)度，所述次級二極管200的面6積 < 主級二極管100面積的10% ；所述透明導(dǎo)電層6為單層金屬、多層金屬、單層金屬氧化物或多層金屬氧化物；所述鈍化層7的材料為二氧化硅或氮化硅；所述襯底5為藍(lán)寶石基板或碳化硅基板；所述第一電極8、第二電極12為Cr、Pt、Au多層金屬或者Ni、Au多層金屬，Ti、Au多層金屬或者Ti、Pt、Au多層金屬。
如13所示本發(fā)明所述發(fā)光二級管通過下述工藝步驟實現(xiàn)(1)如圖4所示，提供清洗過的外延片，該外延片從下至上依次包括襯底5、緩沖層4、N 型半導(dǎo)體層3、有源層2和P型半導(dǎo)體層I ;(2)如圖5、圖6所示，在外延片上用光刻的方法制造出圖案，然后利用干法或濕法刻蝕將該圖案刻蝕至襯底5，刻蝕深度為7μπι (圖6中陰影部分為刻蝕部分)，從而將外延片區(qū)分成圖案內(nèi)部的次級二極管區(qū)201和圖案外部的主級二極管區(qū)101 ;主級二極管區(qū)101和次級二極管區(qū)201相互獨(dú)立，互不相通；(3)如圖7、圖8所示，在主級二極管區(qū)101和次級二極管區(qū)201利用光刻制作出主級二極管100和次級二級管200的圖形，再利用干法或濕法進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度為1.5μπι，使得主級二極管區(qū)101和次級二極管區(qū)201的N型半導(dǎo)體層3部分裸露出來，在主級二級管區(qū)101和次級二極管區(qū)201分別形成N型半導(dǎo)體層平臺14、15 (圖8中陰影部分為非刻蝕區(qū))；步驟(3)的目的在于便于后續(xù)在N型半導(dǎo)體層3制作電極；(4)如圖9、圖10所示，將步驟(3)處理后的外延片表面進(jìn)行清洗后，對主級二極管區(qū) 201的未刻蝕區(qū)域濺射一層透明導(dǎo)電層6，并沿透明導(dǎo)電層6的邊緣采用濕法腐蝕出輪廓， 該輪廓的寬度為6 μ m,以防止透明導(dǎo)電層6進(jìn)入到P型半導(dǎo)體層I和N型半導(dǎo)體層3的溝道中，引起漏電；該透明導(dǎo)電層6的透射率達(dá)到90%以上，制作透明導(dǎo)電層6的目的在于制作歐姆接觸(圖10中的陰影部分為透明導(dǎo)電層6)；(5)如圖3、圖11、圖12、圖13所示，在經(jīng)步驟(4)處理后的外延層的表面利用化學(xué)氣相沉積法鍍一層鈍化層7，用于保護(hù)芯片不受空氣、酸、堿溶液的侵蝕，同時防止主級二極管 100、次級二極管200的連接電極搭在步驟(2)刻蝕形成的溝道中，引起PN的直接導(dǎo)通，引起漏電；由于沉積法蒸鍍的鈍化層7沉積在外延層的所有表面，需要在主級二極管區(qū)101的透明導(dǎo)電層6和N型半導(dǎo)體層平臺15開出第一電極窗口 16，在次級二極管區(qū)201的P型半導(dǎo)體層I和N型半導(dǎo)體導(dǎo)平臺14上開出第二電極窗口 17 ；(6)利用電子束蒸鍍、派射法或者其他蒸鍍方法,在第一電極窗口16和第二電極窗口 17分別鍍第一電極8和第二電極12，再通過剝離形成所需電極的形貌；所述第一電極8和第二電極12可采用Cr、Pt、Au多層金屬，Ni> Au多層金屬，Ti> Au多層金屬或者Ti、Pt、Au 多層金屬，第一電極8和第二電極12的高度為10000埃，若為Au則高度至少6000埃以上； 由于現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的打線線寬要求，電極的的半徑或者寬度至少為70 μ m以上。
如圖I所示，為圖2的二極管結(jié)構(gòu)的等效電路圖，本發(fā)明將兩個二極管P級與N級串聯(lián)起來，給其中一個二極管一個正向?qū)妷?，另一個二極管由于單向?qū)ㄔ?，處于不?dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)源電壓突然增加給出一個較大的電壓值時，該設(shè)計可以提供一個電流回路，避免因為大電壓直接作用在一個二極管上，將二極管擊穿。該設(shè)計可以有效的達(dá)到防靜電的目的。
權(quán)利要求
1.一種改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，包括襯底(5)、N型半導(dǎo)體層(3)、P型半導(dǎo)體層(I)、第一電極(8)和第二電極(12)，襯底(5)上依次設(shè)置緩沖層(4)和N型半導(dǎo)體層 (3)，緩沖層(4)覆蓋于襯底(5)上，N型半導(dǎo)體層(3)覆蓋于緩沖層(4)上，其特征是所述 N型半導(dǎo)體層(3)和緩沖層(4)區(qū)分成第一島狀結(jié)構(gòu)(9)、第二島狀結(jié)構(gòu)(10)和第三島狀結(jié)構(gòu)(11);在所述第二島狀結(jié)構(gòu)(10)和第三島狀結(jié)構(gòu)(11)上依次設(shè)置有源層(2)和P型半導(dǎo)體層(1)，在第三島狀結(jié)構(gòu)(11)上的P型半導(dǎo)體層(I)上設(shè)置透明導(dǎo)電層(6);在所述第一島狀結(jié)構(gòu)(9)、第二島狀結(jié)構(gòu)(10)上的P型半導(dǎo)體層(I)、透明導(dǎo)電層(6)上設(shè)置鈍化層(7)，該鈍化層(7)包覆第一島狀結(jié)構(gòu)(9)、第一島狀結(jié)構(gòu)(9)與第二島狀結(jié)構(gòu)(10)之間的溝槽、第二島狀結(jié)構(gòu)(10)與第三島狀結(jié)構(gòu)(11)之間的溝槽、第二島狀結(jié)構(gòu)(10)及第二島狀結(jié)構(gòu)(10)上的P型半導(dǎo)體層(I)和有源層(2)、第三島狀結(jié)構(gòu)(11)及第三島狀結(jié)構(gòu)(11)上的透明導(dǎo)電層(6 )、P型半導(dǎo)體層(I)和有源層(2 );所述第一電極(8 )分別穿過鈍化層(7 )與透明導(dǎo)電層(6)和第二島狀結(jié)構(gòu)(11)中的N型半導(dǎo)體層(3)連接；所述第二電極(12)分別穿過鈍化層(7)與第一島狀結(jié)構(gòu)(9)中的N型半導(dǎo)體層(3)和第二島狀結(jié)構(gòu)(10)上的P型半導(dǎo)體層(I)連接；所述第一電極(8)、第一島狀結(jié)構(gòu)(9)、第三島狀結(jié)構(gòu)(11)、第三島狀結(jié)構(gòu)(11)上的有源層(2)和P型半導(dǎo)體層(I)構(gòu)成主級二極管(100)，所述第二電極(12)、第二島狀結(jié)構(gòu)(10)、第二島狀結(jié)構(gòu)(10)上的有源層(2)和P型半導(dǎo)體層(I)構(gòu)成次級二次管 (200)。
2.如權(quán)利要求I所述的改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，其特征是所述第一島狀結(jié)構(gòu)(9)和第二島狀結(jié)構(gòu)(10)之間的溝槽、以及第二島狀結(jié)構(gòu)(10)和第三島狀結(jié)構(gòu)(11) 之間的溝槽的深度為7 μ m。
3.如權(quán)利要求I所述的改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，其特征是所述次級二極管(200)的面積<主級二極管(100)面積的10%。
4.如權(quán)利要求I所述的改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，其特征是所述鈍化層(7) 的材料為二氧化硅或氮化硅。
5.如權(quán)利要求I所述的改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，其特征是所述襯底(5)為藍(lán)寶石基板或碳化硅基板。
6.如權(quán)利要求I所述的改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，其特征是所述第一電極(8)、第二電極(12)為單層或多層金屬。
7.如權(quán)利要求6所述的改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，其特征是所述第一電極(8)、第二電極(12)為Cr、Pt、Au多層金屬或者Ni、Au多層金屬，Ti、Au多層金屬或者Ti、 Pt、Au多層金屬。
8.如權(quán)利要求I所述的改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，其特征是所述透明導(dǎo)電層(6 )的材料為單層金屬、多層金屬、單層金屬氧化物或多層金屬氧化物。
9.一種改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的制作方法，其特征是，包括以下工藝步驟(1)提供清洗過的外延片，該外延片從下至上依次包括襯底(5)、緩沖層(4)、N型半導(dǎo)體層(3)、有源層(2)和P型半導(dǎo)體層(I);(2)在外延片上用光刻出圖案，然后將該圖案刻蝕至襯底(5)，從而將外延片區(qū)分成圖案內(nèi)部的次級二極管區(qū)(201)和圖案外部的主級二極管區(qū)(101);(3)在主級二極管區(qū)(101)和次級二極管區(qū)(201)光刻出主級二極管(100)和次級二級管(200)的圖形，再進(jìn)行刻蝕，使得主級二極管區(qū)(101)和次級二極管區(qū)(201)的N型半導(dǎo)體層(3)部分裸露出來，在主級二級管區(qū)(101)和次級二極管區(qū)(201)分別形成N型半導(dǎo)體層平臺(14、15)；(4)將步驟(3)處理后的外延片表面進(jìn)行清洗后，對主級二極管區(qū)(201)的未刻蝕區(qū)域濺射一層透明導(dǎo)電層(6)，并沿透明導(dǎo)電層(6)的邊緣腐蝕出輪廓，該輪廓的寬度為6μπι;(5)在經(jīng)步驟(4)處理后的外延層的表面沉積一層鈍化層(7)，再在主級二極管區(qū) (101)的透明導(dǎo)電層(6)和N型半導(dǎo)體層平臺(15)處的鈍化層(7)上開出第一電極窗口 (16)，在次級二極管區(qū)(201)的P型半導(dǎo)體層(I)和N型半導(dǎo)體導(dǎo)平臺(14)上的鈍化層(7) 上開出第二電極窗口(17);(6)在第一電極窗口(16)和第二電極窗口(17)分別鍍第一電極(8)和第二電極(12); 所述第一電極(8)連接于透明導(dǎo)電層(6)和次級二極管區(qū)(201)的N型半導(dǎo)體層平臺(14) 之間，所述第二電極(12)連接于主級二極管區(qū)(101)的N型半導(dǎo)體層平臺(15)和次級二極管區(qū)(201)的P型半導(dǎo)體層(I)之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種改善靜電防護(hù)的發(fā)光二級管的結(jié)構(gòu)，包括襯底、第一電極和第二電極，襯底上依次設(shè)置緩沖層和N型半導(dǎo)體層，其特征是所述N型半導(dǎo)體層和緩沖層區(qū)分成第一島狀結(jié)構(gòu)、第二島狀結(jié)構(gòu)和第三島狀結(jié)構(gòu)，在第二島狀結(jié)構(gòu)和第三島狀結(jié)構(gòu)上依次設(shè)置有源層和P型半導(dǎo)體層，在第三島狀結(jié)構(gòu)上的P型半導(dǎo)體層上設(shè)置透明導(dǎo)電層；在所述第一島狀結(jié)構(gòu)、第二島狀結(jié)構(gòu)上的P型半導(dǎo)體層、透明導(dǎo)電層上設(shè)置鈍化層，第一電極穿過鈍化層與透明導(dǎo)電層和第二島狀結(jié)構(gòu)中的N型半導(dǎo)體層連接，第二電極穿過鈍化層與第一島狀結(jié)構(gòu)中的N型半導(dǎo)體層和第二島狀結(jié)構(gòu)上的P型半導(dǎo)體層連接。本發(fā)明有效的提高了靜電防護(hù)，減少靜電帶來的損傷，延長了LED芯片使用壽命。
文檔編號H01L33/20GK102945853SQ20121038818
公開日2013年2月27日 申請日期2012年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月13日
發(fā)明者張淋, 杜高云, 鄧群雄 申請人:江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司