有機(jī)發(fā)光顯示面板與其的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種有機(jī)發(fā)光顯示面板與其的制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示面板包含基板、主動(dòng)元件、保護(hù)層、反射層、平坦層、第一電極、像素定義層、發(fā)光層與第二電極。主動(dòng)元件設(shè)置于基板上。保護(hù)層覆蓋主動(dòng)元件。反射層覆蓋至少部分的保護(hù)層。平坦層覆蓋反射層與保護(hù)層。第一電極設(shè)置于平坦層上，第一電極通過(guò)位于保護(hù)層以及平坦層中的第一開(kāi)口接觸與電連接主動(dòng)元件。第一電極于垂直投影方向上未與反射層重疊。像素定義層覆蓋第一電極與平坦層，且具有第二開(kāi)口以暴露出第一電極。發(fā)光層設(shè)置于第一電極上，且位于第二開(kāi)口內(nèi)。第二電極覆蓋發(fā)光層以及像素定義層。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光顯示面板與其的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]一般的鏡面顯示器在顯示面板上加一層反射層，使得顯示器具有鏡面效果。如此一來(lái)，在顯示面板未開(kāi)啟時(shí)，鏡面顯示器呈現(xiàn)鏡面狀態(tài)，而當(dāng)顯示面板開(kāi)啟時(shí)，使用者不但可看到顯示面板所顯示的內(nèi)容，同時(shí)也可看到自反射層反射的影像。
[0003]然而傳統(tǒng)的鏡面顯示器，其反射層通常會(huì)覆蓋顯示元件，因此顯示元件所發(fā)出的光在經(jīng)過(guò)反射層后，亮度將大幅降低，因此往往需增加顯示元件的光輸出量以補(bǔ)償其損失。不過(guò)如此一來(lái)顯示面板的效率便會(huì)降低，且也會(huì)消耗大量的功率。因此如何兼顧反射層的反射能力以及顯示元件的顯示能力，為業(yè)界急需解決的問(wèn)題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的一態(tài)樣提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，其包含基板、主動(dòng)元件(也稱有源元件)、保護(hù)層、反射層、平坦層、第一電極、像素定義層、發(fā)光層與第二電極。主動(dòng)元件設(shè)置于基板上。保護(hù)層覆蓋主動(dòng)元件。反射層覆蓋至少部分的保護(hù)層。平坦層覆蓋反射層與保護(hù)層。第一電極設(shè)置于平坦層上。第一電極通過(guò)位于保護(hù)層以及平坦層中的第一開(kāi)口接觸且電連接于主動(dòng)兀件，其中第一電極于垂直投影方向上未與反射層重疊。像素定義層覆蓋第一電極以及平坦層，且像素定義層具有第二開(kāi)口，以暴露出部分的第一電極。發(fā)光層設(shè)置于第一電極上，且位于第二開(kāi)口內(nèi)。第二電極覆蓋發(fā)光層以及像素定義層。
[0005]在一實(shí)施方式中，第一電極與該反射層在垂直投影方向上互補(bǔ)。
[0006]在一實(shí)施方式中，像素定義層的材質(zhì)為丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester ；NQD Ester)、二苷醇乙醚(Diethyleneglycolmethyl ethyl ether ；MEC)與乙酸丁酯(n-Butyl acetate ；BA)的組合。
[0007]在一實(shí)施方式中，像素定義層的材質(zhì)為丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester ；NQD Ester)、二苷醇乙醚(Diethyleneglycolmethyl ethyl ether ；MEC)與丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate ；PGMEA)的組合。
[0008]在一實(shí)施方式中，反射層的厚度實(shí)質(zhì)上介于40納米(nm)至IOOnm之間。
[0009]反射層的材質(zhì)包含金屬、金屬合金或上述的任意組合。
[0010]在一實(shí)施方式中，主動(dòng)元件包含圖案化半導(dǎo)體層、柵極介電層、柵極、介電層、源極與漏極。緩沖層設(shè)置于基板上。圖案化半導(dǎo)體層設(shè)置于基板上。圖案化半導(dǎo)體層具有半導(dǎo)體通道層、源極接觸部與漏極接觸部。柵極介電層覆蓋圖案化半導(dǎo)體層。柵極設(shè)置于柵極介電層上，且柵極于垂直投影方向上完全重疊于半導(dǎo)體通道層。介電層覆蓋柵極與柵極介電層。源極與漏極設(shè)置于部分的介電層上。源極接觸且電連接于源極接觸部，且漏極通過(guò)接觸且電連接于漏極接觸部。[0011]在一實(shí)施方式中，圖案化半導(dǎo)體層的源極接觸部與漏極接觸部的材質(zhì)包含P型摻雜多晶娃。
[0012]在一實(shí)施方式中，平坦層的材質(zhì)為丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester ；NQD Ester)、二苷醇乙醚(Diethyleneglycolmethyl ethyl ether ；MEC)與乙酸丁酯(n-Butyl acetate ；BA)的組合。
[0013]在一實(shí)施方式中，平坦層的材質(zhì)為丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester ；NQD Ester)、二苷醇乙醚(Diethyleneglycolmethyl ethyl ether ；MEC)與丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate ；PGMEA)的組合。
[0014]本發(fā)明的另一態(tài)樣提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，包含下列步驟:提供基板。于基板上形成主動(dòng)元件。形成保護(hù)層，保護(hù)層覆蓋主動(dòng)元件。形成圖案化反射層。形成平坦層，平坦層覆蓋圖案化反射層與保護(hù)層。于平坦層與保護(hù)層中形成第一開(kāi)口，第一開(kāi)口暴露出主動(dòng)元件的漏極。形成第一電極于平坦層上，第一電極通過(guò)第一開(kāi)口接觸且電連接于主動(dòng)元件的漏極。形成像素定義層，像素定義層覆蓋平坦層與第一電極。于像素定義層中形成第二開(kāi)口，第二開(kāi)口暴露出部分的第一電極。于第三開(kāi)口中形成發(fā)光層。于像素定義層上形成第二電極，第二電極接觸且電連接至發(fā)光層。
[0015]在一實(shí)施方式中，第一電極于垂直投影方向上未與圖案化反射層重疊。
[0016]在一實(shí)施方式中，上述的形成主動(dòng)元件的步驟包含:形成圖案化半導(dǎo)體層于基板上。形成柵極介電層覆蓋圖案化半導(dǎo)體層。形成柵極于柵極介電層上，柵極于垂直投影方向上部分重疊于圖案化半導(dǎo)體層。進(jìn)行摻雜制作工藝，以于未被柵極所遮蔽的圖案化半導(dǎo)體層中形成源極接觸部以及漏極接觸部，且于柵極所遮蔽的圖案化半導(dǎo)體層中形成半導(dǎo)體通道層。形成介電層覆蓋柵極。于介電層與柵極介電層中形成源極連通孔與漏極連通孔，以分別暴露出源極接觸部與漏極接觸部。形成源極與漏極于介電層上，其中源極與漏極分別通過(guò)源極連通孔與漏極連通孔，接觸且電連接至源極接觸部與漏極接觸部。
[0017]上述的鏡面顯示器，其先行制作反射層，再制作顯示元件(即上述的第一電極、像素定義層、發(fā)光層與第二電極)，因此顯示元件所發(fā)出的光便不需經(jīng)過(guò)反射層，也就不會(huì)損失其亮度。更甚者，第一電極與反射層于垂直投影方向呈現(xiàn)互補(bǔ)的關(guān)系，因此第一電極與反射層可合并成一鏡面結(jié)構(gòu)，以達(dá)到鏡面反射的效果。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視圖；
[0019]圖2?圖17為沿圖1剖面線A-A的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制造方法的示意圖。
[0020]符號(hào)說(shuō)明
[0021]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不面板，包含: 基板； 主動(dòng)元件，設(shè)置于該基板上； 保護(hù)層，覆蓋該主動(dòng)元件； 反射層，覆蓋至少部分的該保護(hù)層； 平坦層，覆蓋該反射層與該保護(hù)層； 第一電極，設(shè)置于該平坦層上，該第一電極通過(guò)位于該保護(hù)層以及該平坦層中的一第一開(kāi)口接觸且電連接于該主動(dòng)元件，其中該第一電極于一垂直投影方向上未與該反射層重置; 像素定義層，覆蓋該第一電極以及該平坦層，且該像素定義層具有一第二開(kāi)口，以暴露出部分的該第一電極； 發(fā)光層，設(shè)置于該第一電極上，且位于該第二開(kāi)口內(nèi)；以及 第二電極，覆蓋該發(fā)光層以及該像素定義層。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該第一電極與該反射層的圖案在該垂直投影方向上呈現(xiàn)互補(bǔ)。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該像素定義層的材質(zhì)為丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester ；NQD Ester)、二苷醇乙醚(Diethyleneglycol methyl ethyl ether ；MEC)與乙酸丁酯(n-Butyl acetate ；BA)的組合。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該像素定義層的材質(zhì)為丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester ；NQD Ester)、二苷醇乙醚(Diethyleneglycol methyl ethyl ether ；MEC)與丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate ；PGMEA)的組合。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該反射層的厚度實(shí)質(zhì)上介于40納米(nm)至 IOOnm 之間。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯不面板，其中該反射層的材質(zhì)包含金屬、金屬合金或上述的任意組合。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該主動(dòng)元件包含: 圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上，該圖案化半導(dǎo)體層具有半導(dǎo)體通道層、源極接觸部與漏極接觸部； 柵極介電層，覆蓋該圖案化半導(dǎo)體層； 柵極，設(shè)置于該柵極介電層上，且該柵極于該垂直投影方向上完全重疊于該半導(dǎo)體通道層； 介電層，覆蓋該柵極與該柵極介電層；以及 源極與該漏極，設(shè)置于部分的該介電層上，其中該源極接觸且電連接于該源極接觸部，且該漏極接觸且電連接于該漏極接觸部。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該圖案化半導(dǎo)體層的該源極接觸部與該漏極接觸部的材質(zhì)包含P型摻雜多晶硅。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該平坦層的材質(zhì)為丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester ；NQD Ester)、二苷醇乙醚(Diethyleneglycol methyl ethyl ether ；MEC)與乙酸丁酯(n-Butyl acetate ；BA)的組合。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該平坦層的材質(zhì)為丙烯酸樹(shù)脂(Acrylic resin)、二疊氮基萘醌酯(Naphthoquinonediazide Ester ；NQD Ester)、二苷醇乙醚(Diethyleneglycol methyl ethyl ether ；MEC)與丙二醇甲醚醋酸酯(Propyleneglycolmonomethyletheracetate ；PGMEA)的組合。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，包含下列步驟: 提供一基板； 于該基板上形成一主動(dòng)元件； 依序形成一保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋該主動(dòng)元件； 形成一圖案化反射層； 形成一平坦層，該平坦層覆蓋該圖案化反射層與該保護(hù)層； 于該平坦層與該保護(hù)層中形成一第一開(kāi)口，該第一開(kāi)口暴露出該主動(dòng)元件的一漏極；形成一第一電極于該平坦層上，該第一電極通過(guò)該第一開(kāi)口接觸且電連接于該主動(dòng)元件的該漏極； 形成一像素定義層，該像素定義層覆蓋該平坦層與該第一電極； 于該像素定義層中形成一第二開(kāi)口，該第二開(kāi)口暴露出部分的該第一電極； 于該第三開(kāi)口中形成一發(fā)光層；以及` 于該像素定義層上形成一第二電極，該第二電極接觸且電連接該發(fā)光層。
12.如權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中該第一電極于一垂直投影方向上未與該圖案化反射層重疊。
13.如權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其中形成該主動(dòng)元件的步驟包含: 形成一圖案化半導(dǎo)體層于該基板上； 形成一柵極介電層覆蓋該圖案化半導(dǎo)體層； 形成一柵極于該柵極介電層上，該柵極于該垂直投影方向上部分重疊于該圖案化半導(dǎo)體層； 進(jìn)行一摻雜制作工藝，以于未被該柵極所遮蔽的該圖案化半導(dǎo)體層中形成一源極接觸部以及一漏極接觸部，且于該柵極所遮蔽的該圖案化半導(dǎo)體層中形成一半導(dǎo)體通道層；形成一介電層覆蓋該柵極； 于該介電層與該柵極介電層中形成一源極連通孔與一漏極連通孔，以分別暴露出該源極接觸部與該漏極接觸部；以及 形成一源極與該漏極于該介電層上，其中該源極與該漏極分別通過(guò)該源極連通孔與該漏極連通孔，接觸且電連接至該源極接觸部與該漏極接觸部。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103531607SQ201310363240
【公開(kāi)日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月3日
【發(fā)明者】楊朝舜 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司