技術總結
本發(fā)明提供半導體裝置。在一些情況下，閾值電壓在薄膜晶體管的制造過程中沿負或正方向偏移某個未指定因子。如果離0?V的偏移量很大，則驅(qū)動電壓增加，這引起半導體裝置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的樹脂層作為覆蓋氧化物半導體層的第一保護絕緣膜而形成，然后第二保護絕緣膜通過低功率條件下的濺射方法或者等離子體CVD方法在樹脂層之上形成。此外，為了將閾值電壓調(diào)整到預期值，柵電極設置在氧化物半導體層之上和之下。

技術研發(fā)人員：山崎舜平;阿部貴征;宍戶英明
受保護的技術使用者：株式會社半導體能源研究所
文檔號碼：201310329571
技術研發(fā)日：2010.03.29
技術公布日：2017.08.11