技術(shù)特征：
1.一種顯示裝置，包括晶體管，所述晶體管包括：在襯底之上的第一柵電極；在所述第一柵電極之上的第一柵極絕緣層；在所述第一柵極絕緣層之上的氧化物半導(dǎo)體層；以及在所述第一柵電極之上的第二柵電極；平坦化絕緣層；像素電極，電連接至所述氧化物半導(dǎo)體層；包括氮化硅的絕緣層，位于所述像素電極與所述平坦化絕緣層之間，并且位于所述第二柵電極和所述平坦化絕緣層之間；陽電極，在所述包括氮化硅的絕緣層之上；以及阻擋膜，與所述陽電極重疊，其中，所述陽電極具有透光性質(zhì)，其中，所述氧化物半導(dǎo)體層、所述陽電極以及所述阻擋膜彼此重疊，其中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括所述晶體管的溝道形成區(qū)，并且其中，所述第二柵電極和所述像素電極通過處理透明導(dǎo)電膜而形成。2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包含銦和鋅。3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包含銦、鎵和鋅。4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述襯底包含塑料。5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述晶體管是溝道蝕刻型。6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層是非單晶。7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括在所述氧化物半導(dǎo)體層之上的源電極和漏電極。8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述溝道形成區(qū)包括I型區(qū)。