技術(shù)總結(jié)
硅納米管陣列作為太陽能電池的表面微納結(jié)構(gòu)的應用，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。其中硅納米管的外半徑為20?200nm，內(nèi)外徑之比小于1，長徑比大于10，硅納米管的陣列填充率為0.1?0.785；硅納米管陣列具有優(yōu)異的減反陷光性能，可進一步提高陷光效果，并且解決了傳統(tǒng)的陷光結(jié)構(gòu)受晶粒取向限制的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：張銘;李青柳;嚴輝;王如志;汪浩;王波;侯育冬;朱滿康;宋雪梅;劉晶冰
受保護的技術(shù)使用者：北京工業(yè)大學
文檔號碼：201310287086
技術(shù)研發(fā)日：2013.07.09
技術(shù)公布日：2017.03.01