本發(fā)明涉及對(duì)硅基板實(shí)施處理的基板處理方法以及基板處理裝置。

背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，例如逐張（一張一張）地對(duì)硅半導(dǎo)體晶片（wafer，以下僅稱為“晶片”）進(jìn)行處理。具體來(lái)說(shuō)，對(duì)晶片表面供給藥液，從而利用藥液對(duì)該晶片表面進(jìn)行處理。然后，對(duì)晶片表面供給DIW（脫離子化后的水），利用該DIW來(lái)沖洗掉附著在晶片表面的藥液（沖洗處理）。沖洗掉藥液之后，使晶片高速旋轉(zhuǎn)，甩掉晶片表面的DIW，使晶片干燥。另外，已知這種技術(shù)：為了抑制產(chǎn)生水斑，對(duì)晶片表面供給比水沸點(diǎn)低的IPA（異丙醇），將附著在晶片表面的DIW置換為IPA。置換為IPA后，通過(guò)使晶片高速旋轉(zhuǎn)，將附著在晶片表面的IPA從基板上除去，進(jìn)而干燥晶片。通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)來(lái)使晶片干燥的原因在于，與使DIW從晶片周緣飛散的效果相比，更主要的效果是DIW會(huì)從高速旋轉(zhuǎn)的晶片表面蒸發(fā)。因此，在沖洗處理后的晶片表面上殘留的DIW的液滴中含有異物的情況下，在晶片開(kāi)始高速旋轉(zhuǎn)后，如果在異物被從晶片上甩脫之前DIW在此處蒸發(fā)，則有可能僅是異物殘留在晶片表面上。另外，IPA等的有機(jī)溶劑價(jià)高，因此從降低運(yùn)行成本的觀點(diǎn)出發(fā)，希望不使用IPA來(lái)抑制產(chǎn)生水斑。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于，提供一種能夠防止在硅基板的表面上殘留異物殘留并且使硅基板干燥的基板處理方法以及基板處理裝置。另外，本發(fā)明的其它目的在于，提供一種不使用有機(jī)溶劑就能夠抑制產(chǎn)生水斑的基板處理方法以及基板處理裝置。本發(fā)明的基板處理方法提供一種基板處理方法，包括：沖洗工序，對(duì)硅基板的表面供給第一溫度的水，利用該水對(duì)所述硅基板的表面實(shí)施沖洗處理；第二溫度水供給（涂敷）工序，在所述沖洗工序之后，對(duì)所述硅基板的表面供給比所述第一溫度低的第二溫度的水；干燥工序，在所述第二溫度水供給工序之后，使所述硅基板旋轉(zhuǎn)，從而將該硅基板的表面的水甩向硅基板的周?chē)?，使所述硅基板干燥。通過(guò)本發(fā)明的方法，在使用第一溫度的水進(jìn)行沖洗處理之后，在干燥處理開(kāi)始前，對(duì)硅基板的表面供給比第一溫度低的第二溫度的水。因此，在干燥處理開(kāi)始時(shí)，在硅基板的表面附著溫度比較低的第二溫度的水。低溫的第二溫度的水比第一溫度的水難以蒸發(fā)。在硅基板的表面上附著低溫的第二溫度的水的狀態(tài)下，即使通過(guò)使硅基板旋轉(zhuǎn)而開(kāi)始干燥處理，附著在硅基板表面的第二溫度的水也不會(huì)在干燥處理開(kāi)始后立即蒸發(fā)。因此，在第二溫度的水中含有異物的情況下，在干燥處理開(kāi)始后的短期間期間內(nèi)，在異物的周?chē)嬖诘诙囟鹊乃?。然后，通過(guò)硅基板的高速旋轉(zhuǎn)，水使每個(gè)異物都從硅基板的表面甩出。由此，能夠防止硅基板的表面殘留異物，同時(shí)能夠使硅基板干燥。另外，利用比第二溫度高的第一溫度的水，對(duì)硅基板的表面進(jìn)行沖洗處理。利用比較高的溫度的第一溫度的水進(jìn)行沖洗處理，比利用比較低的溫度的第二溫度的水進(jìn)行沖洗處理的處理效率高。因此，能夠?qū)杌灞砻鎸?shí)施良好的沖洗處理。另外，在硅基板的表面附著有水的情況下，與該水為第一溫度時(shí)相比，該水為更低溫的第二溫度時(shí)，能夠抑制從硅基板向該水溶出硅（Si）。在硅基板的表面上附著有比較的低溫的第二溫度的水的狀態(tài)下開(kāi)始干燥處理，因此，在干燥處理開(kāi)始時(shí)附著在硅基板表面的水幾乎不含有成為水斑原因的硅。因此，在干燥處理后，在硅基板的表面不易產(chǎn)生水斑。由此，不使用IPA等的有機(jī)溶劑也能夠抑制產(chǎn)生水斑。第一溫度可以是常溫（約25℃）。另外，也可以是比常溫高的溫度（例如40℃～80℃）。第二溫度只要是比常溫低的溫度（并且是比水的凝固點(diǎn)高的溫度）即可。例如，可以是5～10℃的范圍的溫度。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理方法，還包括基板旋轉(zhuǎn)工序，該基板旋轉(zhuǎn)工序與所述沖洗工序以及所述第二溫度水供給工序并行執(zhí)行，用于使所述硅基板旋轉(zhuǎn)。通過(guò)該方法，與供給第二溫度的水並行地使硅基板旋轉(zhuǎn)，由此，能夠使第二溫度的水遍布硅基板的整個(gè)表面。由此，能夠防止在硅基板的整個(gè)表面上異物殘留，并且，能夠在硅基板的整個(gè)表面上抑制產(chǎn)生水斑。所述基板處理方法，還可以包括在執(zhí)行所述沖洗工序之前執(zhí)行的藥液供給工序，在該藥液供給工序中，對(duì)所述硅基板的表面供給藥液，利用所述藥液對(duì)該硅基板的表面實(shí)施處理。藥液可以是對(duì)硅基板的表面進(jìn)行清洗的清洗液，也可以是對(duì)硅基板的表面的膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻液。所述基板處理方法，還可以包括在執(zhí)行所述沖洗工序之前執(zhí)行的氫氟酸供給工序，在該氫氟酸供給工序中，對(duì)所述硅基板的表面供給氫氟酸，利用所述氫氟酸對(duì)該硅基板的表面實(shí)施處理。使用氫氟酸進(jìn)行處理后的硅基板的表面變?yōu)槭杷悦?。從疏水性面容以溶出硅。通過(guò)本發(fā)明的方法，即使硅基板的表面為疏水性面，由于與干燥處理開(kāi)始時(shí)的硅基板的表面接觸的水為低溫的第二溫度，因此從疏水性面中也難以向該水中溶出硅。因此，在干燥處理開(kāi)始時(shí)，硅基板的表面上殘留的水中幾乎不含有硅。由此，即使在使用氫氟酸進(jìn)行處理后的干燥處理中，也能夠抑制產(chǎn)生水斑。所述基板處理方法，還可以包括與所述干燥工序并行執(zhí)行的氣體供給工序，在該氣體供給工序中，使具有對(duì)置面的對(duì)置構(gòu)件與所述硅基板向相同方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)對(duì)所述對(duì)置面與所述硅基板的表面之間供給氣體，所述對(duì)置面與所述硅基板的表面相對(duì)置。本發(fā)明的基板處理裝置包括：基板旋轉(zhuǎn)單元，其保持硅基板進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；第一溫度水供給單元，其用于對(duì)由所述基板旋轉(zhuǎn)單元保持的所述硅基板的表面供給第一溫度的水；第二溫度水供給單元，其用于對(duì)由所述基板旋轉(zhuǎn)單元保持的所述硅基板的表面供給比所述第一溫度低的第二溫度的水；控制單元，其對(duì)所述基板旋轉(zhuǎn)單元、第一溫度水供給單元以及第二溫度水供給單元進(jìn)行控制，來(lái)執(zhí)行沖洗工序、第二溫度水供給工序、干燥工序。在所述沖洗工序中，對(duì)所述硅基板的表面供給第一溫度的水，利用該水對(duì)所述硅基板的表面實(shí)施沖洗處理；在所述第二溫度水供給工序中，在所述沖洗工序之后，對(duì)所述硅基板的表面供給第二溫度的水；在干燥工序中，在所述第二溫度水供給工序之后，使所述硅基板旋轉(zhuǎn)，從而將該硅基板的表面的水甩向硅基板的周?chē)顾龉杌甯稍?。?yōu)選所述第一溫度是常溫以上的溫度，此時(shí)，所述第二溫度水供給單元可以包括冷卻單元，該冷卻單元用于將水冷卻到比常溫低的溫度。本發(fā)明的上述的或其它的目的特征以及效果，由參照附圖記述的實(shí)施方式的說(shuō)明中表明。附圖說(shuō)明圖1是示意表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示圖1所示的基板處理裝置進(jìn)行的清洗處理的工序圖。圖3是示意表示圖2的旋轉(zhuǎn)脫水時(shí)的晶片的狀態(tài)的圖。圖4是示意表示比較例的晶片的狀態(tài)的圖。具體實(shí)施方式圖1是示意表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理裝置1的結(jié)構(gòu)的圖。該基板處理裝置1是單張式的裝置，針對(duì)作為硅基板的一例的圓形半導(dǎo)體晶片W（以下，僅稱為“晶片W”）上的裝置形成區(qū)域側(cè)的表面，利用藥液以及DIW，實(shí)施用于除去污染物質(zhì)的清洗處理。在本實(shí)施方式中，舉例說(shuō)明使用氫氟酸（HF水溶液）作為藥液的情況。在基板處理裝置1中，在由間隔壁（未圖示）劃分的處理室2內(nèi)，具有：旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)（基板旋轉(zhuǎn)單元）3，其將晶片W保持為大致水平姿勢(shì)，同時(shí)使晶片W圍繞通過(guò)其中心的大致鉛直的旋轉(zhuǎn)軸線C進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；藥液噴嘴14，其向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3上的晶片W的表面供給藥液（氫氟酸等）。另外，在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3的上方設(shè)有遮擋板（對(duì)置構(gòu)件）19，該遮擋板19用于將保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3上的晶片W的表面附近的環(huán)境從其周?chē)趽醭鰜?lái)（將其與周?chē)h(huán)境相隔開(kāi)）。旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3具有：旋轉(zhuǎn)馬達(dá)4；圓盤(pán)狀的旋轉(zhuǎn)基座6，其利用該旋轉(zhuǎn)馬達(dá)4的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)力而圍繞旋轉(zhuǎn)軸線C旋轉(zhuǎn)；多個(gè)夾持構(gòu)件7，以大致等間隔設(shè)在旋轉(zhuǎn)基座6的周緣的多處，用于夾持晶片W而使其為大致水平的姿勢(shì)。由此，旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3在利用多個(gè)夾持構(gòu)件7夾持晶片W的狀態(tài)下，利用旋轉(zhuǎn)馬達(dá)4的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)力使旋轉(zhuǎn)基座6旋轉(zhuǎn)，由此，能夠使保持大致水平姿勢(shì)的晶片W與旋轉(zhuǎn)基座6一起圍繞旋轉(zhuǎn)軸線C旋轉(zhuǎn)。作為旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3，不限于夾持式的卡盤(pán)，例如也可以采用真空吸附式的卡盤(pán)（真空卡盤(pán)）。真空卡盤(pán)對(duì)晶片W的背面進(jìn)行真空吸附，由此使晶片W保持水平姿勢(shì)，進(jìn)而在該狀態(tài)下圍繞鉛直的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)，從而使保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3上的晶片W旋轉(zhuǎn)。藥液噴嘴14例如是以連續(xù)流的狀態(tài)噴出藥液的直線型噴嘴，以該噴出口朝向下方的狀態(tài)，安裝在大致水平延伸的機(jī)械臂15的前端部。機(jī)械臂15能夠圍繞規(guī)定旋轉(zhuǎn)軸線進(jìn)行擺動(dòng)。在機(jī)械臂15上，結(jié)合有用于使機(jī)械臂15在規(guī)定角度范圍內(nèi)擺動(dòng)的機(jī)械臂擺動(dòng)機(jī)構(gòu)16。通過(guò)機(jī)械臂15的擺動(dòng)，藥液噴嘴14在晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C上的位置（與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心對(duì)置的位置）和設(shè)在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3側(cè)方的位置（homeposition：原位置）之間移動(dòng)。藥液噴嘴14與液體供給管17相連接，該液體供給管17用于供給來(lái)自氫氟酸供給源的常溫的氫氟酸（約25℃）。在液體供給管17的途中部，安裝有用于開(kāi)閉該液體供給管17的流路的藥液閥18。如果打開(kāi)藥液閥18，則從液體供給管17向藥液噴嘴14供給氫氟酸，從藥液噴嘴14噴出氫氟酸。遮擋板19為圓板狀，直徑與晶片W的直徑大致相同徑或在其以上。并且，遮擋板19配置在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3的上方，呈大致水平的姿勢(shì)，其中心位于晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C上。在遮擋板19的下表面，形成有與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3上的晶片W的表面相對(duì)置的圓形的對(duì)置面19A。對(duì)置面19A與晶片W的整個(gè)表面對(duì)置。在遮擋板19的表面上固定有旋轉(zhuǎn)軸20，該旋轉(zhuǎn)軸20以穿過(guò)遮擋板19中心的鉛直軸線（與晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C一致的鉛直軸線）為中心軸線。旋轉(zhuǎn)軸20形成為中空形狀，其內(nèi)部被液體供給管21以在鉛直方向上延伸的狀態(tài)插穿。在液體供給管21上連接有冷卻DIW供給管22。對(duì)冷卻DIW供給管22供給來(lái)自DIW供給源的常溫（約25℃）的DIW（第一溫度的水。以下稱為“常溫DIW”）。在冷卻DIW供給管22上，從上游向下游按順序安裝有冷卻DIW閥23及冷卻單元60。冷卻DIW閥23使冷卻DIW供給管22的流路開(kāi)閉。另外，冷卻單元60是對(duì)來(lái)自DIW供給源的常溫DIW進(jìn)行冷卻的一次通過(guò)（onepass）方式的單元，將在冷卻DIW供給管22內(nèi)流通的DIW冷卻至規(guī)定低溫（第二溫度（例如約5～10℃））。例如在基板處理裝置1的運(yùn)轉(zhuǎn)中（接通電源時(shí)）冷卻單元60一直工作。在冷卻單元60工作時(shí)如果打開(kāi)冷卻DIW閥23，則從冷卻DIW供給管22向液體供給管21供給低溫的DIW（第二溫度的水。以下稱為“冷卻DIW”）。在液體供給管21上還連接有常溫DIW供給管28。在常溫DIW供給管28上，安裝有用于使常溫DIW供給管28的流路開(kāi)閉的常溫DIW閥29。在旋轉(zhuǎn)軸20的內(nèi)壁面與液體供給管21之間，形成有氣體流通路24。在遮擋板19的下表面，氣體流通路24的下端在液體供給管21的周?chē)纬森h(huán)狀開(kāi)口。在氣體流通路24上連接有干燥用氣體供給管25。在干燥用氣體供給管25上，安裝有用于使干燥用氣體供給管25開(kāi)閉的干燥用氣體閥26。如果打開(kāi)干燥用氣體閥26，則從干燥用氣體供給管25向氣體流通路24供給干燥用氣體。被供給至氣體流通路24的干燥用氣體，從氣體流通路24的下端的環(huán)狀開(kāi)口向下方噴出。作為干燥用氣體，例如使用非活性氣體。作為非活性氣體，優(yōu)選氮?dú)?，但除了氮?dú)庖酝?，例如也能夠使用氬氣、氦氣等。旋轉(zhuǎn)軸20安裝在機(jī)械臂27上，該機(jī)械臂27在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3的上方大致水平延伸，旋轉(zhuǎn)軸20被設(shè)為從該機(jī)械臂27垂下的狀態(tài)。在機(jī)械臂27上，結(jié)合有用于使機(jī)械臂27升降的機(jī)械臂升降機(jī)構(gòu)31。通過(guò)機(jī)械臂27的升降，使遮擋板19在遠(yuǎn)離位置和接近位置之間升降，所述遠(yuǎn)離位置是指向旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3的上方大幅度遠(yuǎn)離的位置，所述接近位置是指與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3上的晶片W的表面以微小間隔接近的位置。對(duì)晶片W進(jìn)行處理時(shí)，遮擋板19配置在使其對(duì)置面19A與晶片W的表面相隔規(guī)定間隔的規(guī)定位置。另外，在遮擋板19上，經(jīng)由機(jī)械臂27而結(jié)合有用于使遮擋板19旋轉(zhuǎn)的遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32。另外，基板處理裝置1具備含有微型計(jì)算機(jī)的控制單元30?？刂茊卧?0按照預(yù)先設(shè)定的程序，對(duì)旋轉(zhuǎn)馬達(dá)4、機(jī)械臂擺動(dòng)機(jī)構(gòu)16、機(jī)械臂升降機(jī)構(gòu)31以及遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。另外，控制單元30按照預(yù)先設(shè)定的程序，控制閥23、26、29的開(kāi)閉。圖2是表示基板處理裝置1所進(jìn)行的清洗處理流程的工序圖。參照?qǐng)D1以及圖2來(lái)說(shuō)明該清洗處理。通過(guò)搬送機(jī)械手（未圖示）將處理對(duì)象的晶片W搬入處理室2內(nèi)（步驟S1），以使其表面（處理對(duì)象面）朝向上方的狀態(tài)將晶片W交接至旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3（步驟S2）。此時(shí)，為了不妨礙晶片W的搬入，遮擋板19退避至旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3的上方而與旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3遠(yuǎn)離的位置。另外，藥液噴嘴14配置在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3的側(cè)方的原位置。在晶片W被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3上之后，控制單元30控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)4，以液處理旋轉(zhuǎn)速度（例如300～1000rpm）使晶片W旋轉(zhuǎn)（步驟S3（基板旋轉(zhuǎn)工序））。另外，控制單元30使機(jī)械臂15擺動(dòng)，將藥液噴嘴14從原位置移動(dòng)至晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C上。如果移動(dòng)完藥液噴嘴14，則控制單元30打開(kāi)藥液閥18，從藥液噴嘴14供給氫氟酸（步驟S4（藥液供給工序、氫氟酸供給工序）），由此，對(duì)晶片W的表面使用氫氟酸實(shí)施處理。如果從藥液噴嘴14噴出氫氟酸開(kāi)始經(jīng)過(guò)了規(guī)定時(shí)間，則控制單元30關(guān)閉藥液閥18，停止從藥液噴嘴14供給氫氟酸。然后，通過(guò)機(jī)械臂15的擺動(dòng)，使藥液噴嘴14從晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C上回到原位置。使用氫氟酸實(shí)施了氫氟酸處理后的晶片W的表面，成為疏水性（hydrophobicity）面。在步驟S4的藥液處理中，控制單元30也可以控制機(jī)械臂擺動(dòng)機(jī)構(gòu)16，使機(jī)械臂15在規(guī)定角度范圍內(nèi)擺動(dòng)。由此，例如在從晶片W的旋轉(zhuǎn)中心（晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C上）至晶片W的周緣的范圍內(nèi)，晶片W表面的氫氟酸的供給位置以描畫(huà)圓弧狀軌跡的方式移動(dòng)。接下來(lái)，利用常溫DIW實(shí)施沖洗處理。控制單元30控制機(jī)械臂升降機(jī)構(gòu)31，使遮擋板19下降至沖洗處理位置。沖洗處理位置是指，調(diào)整遮擋板19的高度而使遮擋板19的對(duì)置面19A與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3上的晶片W的表面之間相隔例如10mm左右的位置。如果遮擋板19下降完畢，則控制單元30打開(kāi)常溫DIW閥29，從液體供給管21的下端噴出例如2（升/分）的常溫DIW（步驟S5（沖洗工序））。從液體供給管21噴出的常溫DIW，被供給至旋轉(zhuǎn)中的晶片W的表面的中心部。供給至晶片W表面的常溫DIW，受到因晶片W旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力的作用而在晶片W的表面上流向周緣，從而擴(kuò)散到晶片W的整個(gè)表面。由此，通過(guò)常溫DIW沖洗掉附著在晶片W表面上的氫氟酸。在預(yù)先設(shè)定的常溫沖洗時(shí)間（例如10秒鐘）內(nèi)，一直進(jìn)行利用該常溫DIW的沖洗處理。如果進(jìn)行從液體供給管21的下端噴出常溫DIW的處理持續(xù)進(jìn)行了常溫沖洗時(shí)間，則控制單元30關(guān)閉常溫DIW閥29，停止噴出常溫DIW。接下來(lái)，對(duì)晶片W的表面涂敷冷卻DIW。控制單元30打開(kāi)冷卻DIW閥23，從液體供給管21例如以2（升/分）的速度噴出冷卻DIW（步驟S6（第二溫度水供給工序））。從液體供給管21噴出的冷卻DIW，被供給至旋轉(zhuǎn)中的晶片W的表面的中心部。供給至晶片W表面的冷卻DIW，受到因晶片W旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力作用而在晶片W的表面上流向周緣，從而擴(kuò)展到晶片W的整個(gè)表面。因此，晶片W的表面的常溫DIW被置換為冷卻DIW，最終，晶片W的整個(gè)表面被冷卻DIW的液膜覆蓋。由此，在晶片W的整個(gè)表面上涂敷了冷卻DIW。在預(yù)先設(shè)定的冷卻DIW供給時(shí)間（例如10秒鐘）內(nèi)，一直供給冷卻DIW。如果從液體供給管21噴出冷卻DIW的處理持續(xù)進(jìn)行了冷卻DIW供給時(shí)間，則控制單元30關(guān)閉冷卻DIW閥23，停止噴出該冷卻DIW。然后，控制單元30控制機(jī)械臂升降機(jī)構(gòu)31，將遮擋板19下降至干燥位置，該干燥位置是指，調(diào)整遮擋板19而使其對(duì)置面19A與晶片W的表面隔開(kāi)微小間隔（例如0.5～3mm左右）而對(duì)置的位置。另外，控制單元30控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)4，使晶片W的旋轉(zhuǎn)速度加速至規(guī)定高旋轉(zhuǎn)速度（例如1500～2500rpm左右）（步驟S7：旋轉(zhuǎn)脫水（干燥工序））。另外，控制單元30控制遮擋板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32，使遮擋板19以與晶片W相同方向并且大致相同速度進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)。另外，控制單元30打開(kāi)干燥用氣體閥26，從形成在遮擋板19上的氣體流通路24的開(kāi)口噴出干燥用氣體。其結(jié)果，在晶片W的表面與遮擋板19的對(duì)置面19A之間的空間內(nèi)，產(chǎn)生從晶片W的中心部流向周緣的干燥用氣體的穩(wěn)定氣流，從而將晶片W的表面附近的環(huán)境從其周?chē)姓趽蹰_(kāi)來(lái)（將該環(huán)境與其周?chē)指糸_(kāi)來(lái)）。并且，如果晶片W的高速旋轉(zhuǎn)持續(xù)了規(guī)定時(shí)間，則控制單元30關(guān)閉干燥用氣體閥26，停止從氣體流通路24噴出干燥用氣體。另外，控制單元30控制機(jī)械臂升降機(jī)構(gòu)31，使遮擋板19上升至旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3的上方并且遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)3的位置。然后，停止晶片W的旋轉(zhuǎn)。由此，對(duì)一張晶片W的清洗處理結(jié)束，通過(guò)搬送機(jī)械手將處理完的晶片W從處理室2內(nèi)搬出（步驟S8）。如上述，根據(jù)本實(shí)施方式，在步驟S5的沖洗處理后，在步驟S7的旋轉(zhuǎn)脫水開(kāi)始前，對(duì)晶片W的表面供給冷卻DIW，對(duì)其整個(gè)表面涂敷冷卻DIW。冷卻DIW的水溫為5～10℃，與約25℃的常溫DIW相比，不易蒸發(fā)。如圖3所示，在冷卻DIW的涂敷（步驟S6）結(jié)束后，在晶片W的表面附著冷卻DIW。在該狀態(tài)下，即使將晶片W的旋轉(zhuǎn)速度提高為高旋轉(zhuǎn)速度來(lái)開(kāi)始旋轉(zhuǎn)脫水，附著在晶片W表面上的冷卻DIW也不會(huì)在開(kāi)始旋轉(zhuǎn)脫水后立即蒸發(fā)。因此，在該低溫DIW中含有污染物質(zhì)等的異物70的情況下，在旋轉(zhuǎn)脫水開(kāi)始后的短期間期間內(nèi)，在異物70的周?chē)嬖诘蜏谼IW。然后，通過(guò)晶片W的高速旋轉(zhuǎn)，DIW使每個(gè)異物70都從晶片W的表面甩出。由此，能夠防止晶片W的表面殘留異物，同時(shí)能夠使晶片W干燥。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，利用常溫DIW對(duì)晶片W的表面進(jìn)行沖洗處理。利用常溫DIW進(jìn)行沖洗處理，比利用冷卻DIW進(jìn)行沖洗處理的處理效率高。因此，能夠?qū)琖的表面實(shí)施良好的沖洗處理。另外，在晶片W的表面附著DIW的情況下，與該DIW為常溫時(shí)相比，該DIW為低溫（5～10℃）時(shí)能夠抑制從晶片W向該DIW溶出硅（Si）。雖然使用氫氟酸進(jìn)行處理之后的晶片W的表面成為硅溶出量比較多的疏水性面，但此時(shí)硅對(duì)冷卻DIW的溶出量也不多。通過(guò)本實(shí)施方式，在晶片W的表面附著有冷卻DIW的狀態(tài)下開(kāi)始旋轉(zhuǎn)脫水，因此，在旋轉(zhuǎn)脫水開(kāi)始時(shí)附著在晶片W表面的DIW中幾乎不含硅。因此，在旋轉(zhuǎn)脫水后，在晶片W的表面不會(huì)產(chǎn)生因溶出硅導(dǎo)致的水斑。由此，在不使用IPA等有機(jī)溶劑的情況下，也能夠抑制產(chǎn)生水斑。另一方面，如圖4所示，研究如下情況（比較例）：在沖洗處理（步驟S5：常溫DIW供給）之后立即進(jìn)行旋轉(zhuǎn)脫水（步驟S7）。在該情況下，晶片W表面附著有常溫DIW。在該狀態(tài)下，如果將晶片W的旋轉(zhuǎn)速度提高至高旋轉(zhuǎn)速度而開(kāi)始旋轉(zhuǎn)脫水，則附著在晶片W表面上的常溫DIW會(huì)向晶片W的周方向移動(dòng)，但由于蒸發(fā)而導(dǎo)致在此時(shí)氣化的成分比較多。因此，在該DIW中含有污染物質(zhì)等的異物70的情況下，因旋轉(zhuǎn)脫水開(kāi)始后異物70周?chē)某谼IW會(huì)蒸發(fā)，導(dǎo)致異物70附著在晶片W上的可能性變高，因此，異物70會(huì)附著在晶片W的表面上，此時(shí)即使晶片W高速旋轉(zhuǎn)也無(wú)法將其甩掉。其結(jié)果，在干燥處理后的晶片W的表面上有可能殘留異物70。以上，說(shuō)明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，但本發(fā)明也可以實(shí)施為其它方式。第二溫度例如可以是其它溫度，只要是比常溫低的溫度（并且是比水的凝固點(diǎn)高的溫度）即可。即，作為第二溫度的水，也能夠采用溫度大于水的凝固點(diǎn)并且小于5℃的液溫的水，也能夠采用大于10℃并且小于常溫（約25℃）的液溫的水。另外，作為第一溫度的水，也能夠采用比常溫高的溫度（例如40℃～80℃）的液溫的水。作為水，舉例說(shuō)明了DIW。但是，作為第一溫度或第二溫度的水，并不限于DIW，也能夠采用碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度（例如，10～100ppm左右）的鹽酸水、還原水（富氫水）等。作為在沖洗處理前對(duì)基板供給的藥液，可以根據(jù)要對(duì)晶片W表面進(jìn)行處理的內(nèi)容來(lái)選擇使用。例如，如果是用于從晶片W表面除去顆粒的清洗處理，則使用SC1（ammonia-hydrogenperoxidemixture：氨過(guò)氧化氫水）等的清洗液。另外，如果是用于從晶片W表面蝕刻氧化膜等的清洗處理，則使用含有氫氟酸、BHF（BufferedHF：緩沖氫氟酸）等藥液的清洗液。如果是用于除去在抗蝕膜剝離后的晶片W表面成為聚合物而殘留的抗蝕膜殘?jiān)木酆衔锍ヌ幚?，則使用SPM（sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture：硫酸過(guò)氧化氫水）、SC1（ammonia-hydrogenperoxidemixture：氨過(guò)氧化氫水）等的聚合物除去液。在用于除去金屬污染物的清洗處理中，使用氫氟酸、SC2（hydrochloricacid/hydrogenperoxidemixture：鹽酸過(guò)氧化氫水）、SPM（sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture：硫酸過(guò)氧化氫水）等的藥液。雖然詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但這些只是為了說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容而使用的具體例子，本發(fā)明并不被這些具體例限定，而僅由權(quán)利要求書(shū)限定。本申請(qǐng)與2012年3月29日向日本國(guó)特許廳提出的JP特愿2012－78235號(hào)對(duì)應(yīng)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容皆引用組合于此。