技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種場(chǎng)電子激勵(lì)下的紫外光源結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括陰極發(fā)射體和與陰極發(fā)射體之間以真空為間隔的受激發(fā)光體，陰極發(fā)射體與受激發(fā)光體的間距為100～1000μm；所述陰極發(fā)射體包括金屬或半導(dǎo)體襯底和至少部分覆蓋于金屬或半導(dǎo)體襯底上的場(chǎng)發(fā)射陣列；所述受激發(fā)光體包括從外到內(nèi)依次設(shè)置的透明襯底、導(dǎo)電層、寬禁帶半導(dǎo)體納米晶層和金屬反射層。該結(jié)構(gòu)將以納米冷陰極材料為基礎(chǔ)的陰極發(fā)射體和以寬禁帶半導(dǎo)體納米材料為基礎(chǔ)的受激發(fā)光體相配合，在電子束激勵(lì)下顯示了很好的帶邊紫外熒光發(fā)射，并且該結(jié)構(gòu)制備工藝簡(jiǎn)單，成本低，發(fā)光效率高，環(huán)境污染小，具有很大的應(yīng)用價(jià)值。

技術(shù)研發(fā)人員：李春;宋科田;蘭長(zhǎng)勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201310279611
技術(shù)研發(fā)日：2013.06.26
技術(shù)公布日：2017.05.10