技術(shù)編號(hào):11732772
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體紫外發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及基于寬禁帶半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的場(chǎng)電子激勵(lì)下的紫外光源結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),人類(lèi)約1/3的電能消耗用于發(fā)光,因此,發(fā)掘更高效能、更低成本、環(huán)境友好型發(fā)光器件是光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基本目標(biāo)之一。在節(jié)能減排、綠色環(huán)保的時(shí)代主題下,傳統(tǒng)紫外汞燈和汞熒光燈帶來(lái)的環(huán)境污染問(wèn)題已備受關(guān)注。紫外光源在環(huán)境凈化、有機(jī)聚合、熒光激發(fā)源、半導(dǎo)體工藝等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。以ZnO、GaN、AlN等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料是制備新型高效率半導(dǎo)體紫外發(fā)光器件的基礎(chǔ)。對(duì)于半導(dǎo)體...
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