技術(shù)特征：
1.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括：柵極、柵極絕緣層、源極、漏極、像素電極和有源區(qū)，其特征在于，所述陣列基板的制作方法包括以下步驟：在基板上通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖形，并形成柵極絕緣層；在完成上述步驟的基板上通過構(gòu)圖工藝形成包括有源區(qū)和刻蝕阻擋區(qū)的圖形；形成透明導(dǎo)電層薄膜，通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成包括源極、漏極的圖形；通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成包括像素電極的圖形；所述形成透明導(dǎo)電層薄膜，通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成包括源極、漏極的圖形具體包括：依次形成透明導(dǎo)電層薄膜、過渡層薄膜、金屬層薄膜，所述過渡層的材料為重?fù)诫s的非晶硅；通過構(gòu)圖工藝去除與有源區(qū)相對應(yīng)的金屬層薄膜、過渡層薄膜和透明導(dǎo)電層薄膜，以及各像素單元之間區(qū)域的金屬層薄膜、過渡層薄膜、透明導(dǎo)電層薄膜和有源層薄膜，形成包括源連接層、源過渡層、源極和漏極的圖形；所述通過構(gòu)圖工藝用透明導(dǎo)電層薄膜形成像素電極的圖形具體包括：形成鈍化層，并在鈍化層上涂覆光刻膠層；對光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，其中顯示區(qū)無剩余光刻膠層；通過干刻法去除顯示區(qū)無光刻膠層遮擋的鈍化層；通過濕刻法去除顯示區(qū)無光刻膠層遮擋的金屬層薄膜；通過干刻法去除顯示區(qū)無光刻膠遮擋的過渡層薄膜，使透明導(dǎo)電層薄膜暴露形成像素電極；去除剩余的光刻膠層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝形成包括有源區(qū)和刻蝕阻擋區(qū)的圖形具體包括：依次形成有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，其中，有源層薄膜與所述柵極對應(yīng)的部分構(gòu)成有源區(qū)，并在刻蝕阻擋層薄膜上涂覆光刻膠層；對光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，保留刻蝕阻擋區(qū)的光刻膠層；去除無光刻膠遮擋的刻蝕阻擋層薄膜，形成刻蝕阻擋區(qū)的圖形；去除剩余的光刻膠層。3.一種陣列基板，包括多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)，所述薄膜晶體管區(qū)設(shè)有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵極、柵極絕緣層、有源區(qū)，其特征在于，所述薄膜晶體管區(qū)和顯示區(qū)還包括透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層在薄膜晶體管區(qū)構(gòu)成薄膜晶體管的源極和漏極，在顯示區(qū)構(gòu)成像素電極；其中，所述陣列基板是通過權(quán)利要求1-2中任一方法制成；所述陣列基板還包括：位于所述源極上的源過渡層和位于所述源過渡層上的源連接層，所述源過渡層的材料為重?fù)诫s的非晶硅。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述源極、源過渡層、源連接層圖案相同。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述源連接層為鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦、銅中的一種或多種材料形成的單層或多層復(fù)合疊層。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管區(qū)。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述有源區(qū)的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括設(shè)于有源區(qū)上的刻蝕阻擋區(qū)。9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求3～8中任意一項(xiàng)的陣列基板。