一種檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法
【專利摘要】一種檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法，采用KT電子掃描顯微鏡對源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后的表面進(jìn)行檢測，KT電子掃描顯微鏡持續(xù)發(fā)射原生入射電子對源極多晶硅表面進(jìn)行掃描，源極多晶硅表面的價(jià)電子被激發(fā)，形成二次電子，然后KT電子掃描顯微鏡偵測源極多晶硅表面被激發(fā)出的二次電子并成像，異常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。本發(fā)明能夠簡單有效地檢測到源極多晶硅的表面異常，降低了晶片受損的可能性。
【專利說明】—種檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造工藝中，對源極多晶硅進(jìn)行CMP化學(xué)機(jī)械研磨之后，需要對源極多晶硅表面進(jìn)行檢測，確認(rèn)表面無異常后，再進(jìn)行下一步源極多晶硅回刻蝕制程。若直接對具有表面異常的源極多晶硅進(jìn)行后續(xù)制程，會(huì)導(dǎo)致源極蝕刻線寬標(biāo)準(zhǔn)差超出可控范圍，使得晶片容易損壞，甚至需要重做，增加了成本，降低了效率。
[0003]目前使用Hitachi日立生產(chǎn)的一種量測線寬的量測設(shè)備，名為日立電子掃描顯微鏡來對進(jìn)行了 CMP化學(xué)機(jī)械研磨之后的源極多晶硅表面進(jìn)行檢測，日立電子掃描顯微鏡首先是對需要量測的區(qū)域拍照，然后針對照片進(jìn)行量測。圖1是采用日立電子掃描顯微鏡對源極多晶硅異常表面區(qū)域拍攝的照片，與正常表面的拍攝結(jié)果沒有差異，圖1中，中間區(qū)域是源極多晶硅，圖中波形代表二次電子的強(qiáng)度。，采用日立電子掃描顯微鏡看不出正常表面和異常表面有明顯區(qū)別，且在量測過程中沒有持續(xù)一定時(shí)間的電子掃描，因此難以準(zhǔn)確分辨出源極多晶硅表面是否存在異常，導(dǎo)致檢測結(jié)果不可靠。
[0004]因此，急需一種能夠簡單有效地檢測源極多晶硅表面異常的設(shè)備和方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法，能夠簡單有效地檢測到源極多晶硅的表面異常，降低了晶片受損的可能性。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法，采用KT電子掃描顯微鏡對源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后的表面進(jìn)行檢測，該方法包含以下步驟:
步驟1、KT電子掃描顯微鏡發(fā)射原生入射電子對源極多晶硅表面進(jìn)行掃描，源極多晶硅表面的價(jià)電子被激發(fā)，形成二次電子；
KT電子掃描顯微鏡持續(xù)對源極多晶娃表面進(jìn)行掃描，持續(xù)時(shí)間為3-5S ；
步驟2、KT電子掃描顯微鏡偵測源極多晶硅表面被激發(fā)出的二次電子并成像，判斷是否存在表面異常。
[0007]異常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。
[0008]本發(fā)明能夠簡單有效地檢測到源極多晶硅的表面異常，降低了晶片受損的可能性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是【背景技術(shù)】中采用日立電子掃描顯微鏡對源極多晶硅表面區(qū)域拍攝的照片。
[0010]圖2是本發(fā)明的原理圖。
[0011]圖3是本發(fā)明拍攝的源極多晶硅異常表面的照片。
[0012]圖4是本發(fā)明拍攝的源極多晶硅正常表面的照片。

【具體實(shí)施方式】
[0013]以下根據(jù)圖2?圖4，具體說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
[0014]本發(fā)明采用KT電子掃描顯微鏡對源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后的表面進(jìn)行檢測。
[0015]KT是廠商名稱的縮寫，全稱是KLA-Tencor (科磊半導(dǎo)體)，KT電子掃描顯微鏡是一種量測線寬的量測設(shè)備。
[0016]如圖2所示，該檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法包含以下步驟:
步驟1、ΚΤ電子掃描顯微鏡發(fā)射原生入射電子對源極多晶硅表面(包含原子核和價(jià)電子)進(jìn)行掃描，源極多晶硅表面的價(jià)電子被激發(fā)，形成二次電子；
ΚΤ電子掃描顯微鏡持續(xù)對源極多晶娃表面進(jìn)行掃描，持續(xù)時(shí)間為3-5S ；
步驟2、ΚΤ電子掃描顯微鏡偵測源極多晶硅表面被激發(fā)出的二次電子并成像，判斷是否存在表面異常；
當(dāng)被檢測的物源極多晶硅表面有異常時(shí)，其表面物質(zhì)發(fā)生變化，所以原子核及價(jià)電子與正常表面不同，相同的原生入射電子激發(fā)出的二次電子的量也會(huì)不同，異常表面被激發(fā)出的二次電子的量大于正常表面，因此異常表面的成像亮度會(huì)大于正常表面的成像亮度。
[0017]如圖3所示，是本發(fā)明拍攝的源極多晶硅異常表面的照片，而圖4是本發(fā)明拍攝的源極多晶硅正常表面的照片。從照片中可以看出，異常表面的亮度明顯高于正常表面的亮度。
[0018]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法，其特征在于，采用KT電子掃描顯微鏡對源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后的表面進(jìn)行檢測，該方法包含以下步驟: 步驟1、KT電子掃描顯微鏡發(fā)射原生入射電子對源極多晶硅表面進(jìn)行掃描，源極多晶硅表面的價(jià)電子被激發(fā)，形成二次電子； KT電子掃描顯微鏡持續(xù)對源極多晶娃表面進(jìn)行掃描； 步驟2、KT電子掃描顯微鏡偵測源極多晶硅表面被激發(fā)出的二次電子并成像，判斷是否存在表面異常。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法，其特征在于，KT電子掃描顯微鏡持續(xù)對源極多晶娃表面掃描3-5S。
3.如權(quán)利要求1所述的檢測源極多晶硅經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后表面異常的方法，其特征在于，異常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。
【文檔編號】H01L21/66GK104253061SQ201310266284
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】楊興 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司