專利名稱：化學(xué)機(jī)械研磨的方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體集成電路制造工藝的日益進(jìn)步，線寬越做越小，為減小后段互連結(jié)構(gòu) 的電容延遲(RC delay)，通常采用低介電常數(shù)的介質(zhì)材料作為介質(zhì)層，并采用銅金屬作為 互連線的材料；由于銅金屬難以研磨，業(yè)界引入鑲嵌工藝或雙鑲嵌工藝制造銅互連線；在 銅互連線的制造方法中，首先形成低介電常數(shù)的介質(zhì)層；接著，在該介質(zhì)層中形成開口 ’然 后，在所述開口中和介質(zhì)層上沉積金屬銅，并通過化學(xué)機(jī)械研磨進(jìn)行平坦化，移除所述介質(zhì) 層上的銅，在開口中形成銅互連線。公開號(hào)為CN1931518A的中國專利申請文獻(xiàn)中，公開了一種銅化學(xué)機(jī)械研磨方法。 圖1至圖5為所述的中國專利申請文件公開的銅化學(xué)機(jī)械研磨方法的示意圖。圖1為銅化 學(xué)機(jī)械研磨的系統(tǒng)，其中包括第一研磨頭10，第二研磨頭20，第三研磨頭30。如圖2所示的 剖面示意圖，銅金屬層110為待研磨層，該銅金屬層110覆蓋于具有開口 102的基底100之 上，并填滿所述開口 102。在所述基底100和銅金屬層110之間具有阻擋層104。如圖3所 示的剖面示意圖，進(jìn)行第一步研磨，第一步研磨是利用第一研磨頭10，去除銅金屬層110的 部分厚度，完成該第一步的研磨后，銅金屬層110保留于基底100表面的厚度為2000埃。如 圖4所示，進(jìn)行第二步的研磨，第二步研磨是利用第二研磨頭20，以完全去除開口 102以外 的銅金屬層，保留于所述開口 102中的銅金屬層為110a;同時(shí)，開口 102以外的阻擋層104 也可能被去除部分厚度，在第二步研磨中是利用阻擋層作為刻蝕停止層。如圖5所示，進(jìn)行 第三步的研磨，第三步研磨是利用第三研磨頭30，繼續(xù)研磨開口 102中的銅金屬層1 IOa,直 到完全去除所述開口 102以外的阻擋層104，所述開口 102中剩余的銅金屬層為112。上述方法中，第一步研磨和第二步研磨是以阻擋層104作為研磨停止的節(jié)點(diǎn)，因 此研磨的偏差不大。但第三步研磨通常是以特定的研磨時(shí)間做為研磨停止的節(jié)點(diǎn)，由于在 研磨的過程中研磨速率會(huì)發(fā)生變化，因此這樣造成了不同的晶片在采用相同的研磨時(shí)間進(jìn) 行第三步研磨時(shí)，可能造成有的晶片在第三步研磨中沒有將阻擋層去除干凈，而有的晶片 阻擋層下的半導(dǎo)體基底被損傷。除上述的在制作雙鑲嵌工藝制造銅互連線的機(jī)械研磨中存在這種問題之外，在其 它的以時(shí)間為研磨停止節(jié)點(diǎn)的化學(xué)機(jī)械研磨中，同樣存在上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是更精確控制化學(xué)機(jī)械研磨的停止節(jié)點(diǎn)。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種化學(xué)機(jī)械研磨的方法，包括步驟獲取當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)；根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研磨，去 掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間，所述研磨時(shí)間隨所述基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)的增加而減少；采用所述研磨時(shí)間對晶片表面的所述膜層研磨?？蛇x的，還包括步驟預(yù)先對至少兩片晶片進(jìn)行研磨，并進(jìn)行測試，得到當(dāng)前研磨 基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一次研磨去掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間的二元一次 方程；所述根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研 磨，具體為將研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)帶入所述二元一次方程，得到研磨基臺(tái)進(jìn)行下 一次研磨去掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間。可選的，所述膜層為黑鉆石材料層，所述預(yù)定厚度為1750埃，所述二元一次方程 為研磨時(shí)間=60-0. 0564X晶片數(shù)，研磨時(shí)間的單位為S?？蛇x的，在所述采用所述研磨時(shí)間對晶片表面的所述膜層研磨步驟之前還包括步 驟提供晶片，所述晶片包括半導(dǎo)體基底，在所述半導(dǎo)體基底上覆蓋有阻擋層；在所述 半導(dǎo)體基底和所述阻擋層中具有溝槽，在所述溝槽內(nèi)和所述阻擋層表面覆蓋有金屬銅；對所述晶片進(jìn)行研磨，去除所述阻擋層表面的金屬銅；所述膜層為所述阻擋層。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種化學(xué)機(jī)械研磨的系統(tǒng)，包括獲取裝置，用于獲取當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)；時(shí)間計(jì)算裝置，用于根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái) 進(jìn)行下一次研磨，去掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間，所述研磨時(shí)間隨所述基臺(tái)連續(xù)研 磨過的晶片數(shù)的增加而減少；研磨基臺(tái)，采用所述研磨時(shí)間對晶片表面的所述膜層研磨?？蛇x的，還包括測試裝置，對預(yù)先研磨的至少兩片晶片研磨去掉的膜層厚度進(jìn)行測試；公式計(jì)算裝置，用于根據(jù)所述研磨前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一次研磨 去掉的膜層厚度，得到當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一次研磨去掉預(yù)定厚度的膜 層所需的研磨時(shí)間的二元一次方程。可選的，所述膜層為黑鉆石材料層，所述預(yù)定厚度為1750埃，所述二元一次方程 為研磨時(shí)間=60-0. 0564X晶片數(shù)，研磨時(shí)間的單位為S。可選的，所述晶片包括半導(dǎo)體基底，在所述半導(dǎo)體基底上覆蓋有阻擋層；在所述半 導(dǎo)體基底和所述阻擋層中具有溝槽，在所述溝槽內(nèi)覆蓋有金屬銅；所述膜層為所述阻擋層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明主要具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過獲取當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)；并根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研 磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研磨，去掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間， 所述研磨時(shí)間隨所述基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)的增加而減少，從而避免了采用單一的研磨 時(shí)間，化學(xué)機(jī)械研磨的停止節(jié)點(diǎn)不精確而造成的有的晶片表面膜層去除不干凈，而有的晶 片表面膜層下的半導(dǎo)體基底被損傷的問題。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按 實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為一種現(xiàn)有的銅化學(xué)機(jī)械研磨的系統(tǒng)的示意圖；圖2至圖5為一種現(xiàn)有的銅化學(xué)機(jī)械研磨方法的示意圖；圖6為本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨的方法的流程圖；圖7至圖9為本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨的方法一實(shí)施例的示意圖；圖10為本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨的系統(tǒng)一實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式由背景技術(shù)可知，在鑲嵌結(jié)構(gòu)或雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造中，采用傳統(tǒng)方法進(jìn)行化學(xué)機(jī) 械研磨時(shí)，第三步研磨通常是以特定的研磨時(shí)間做為研磨停止的節(jié)點(diǎn)，但是由于在研磨的 過程中研磨速率會(huì)發(fā)生變化，因此這樣造成了不同的晶片在采用相同的研磨時(shí)間進(jìn)行第三 步研磨時(shí)，可能造成有的晶片在第三步研磨中沒有將表面膜層去除干凈，而有的晶片表面 膜層下的半導(dǎo)體基底被損傷。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)研究后認(rèn)為，通常隨著基臺(tái) 連續(xù)研磨過的晶片數(shù)的增加，基臺(tái)的研磨速率會(huì)增快，這樣研磨同樣厚度的膜層所使用的 研磨時(shí)間就會(huì)減少，因此研磨速率變快，而再采用相同的研磨時(shí)間，則會(huì)造成阻擋層下的半 導(dǎo)體基底被損傷。因此本發(fā)明的發(fā)明人通過下列方法解決了上述問題，利用獲取當(dāng)前研磨 基臺(tái)連續(xù)研磨的晶片數(shù)；根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研磨的晶片數(shù)，得到研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次 研磨去掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間，所述研磨時(shí)間隨所述晶片數(shù)的增加而減少；采 用所述研磨時(shí)間對晶片表面的膜層研磨。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。SlO 獲取當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)。通常在研磨基臺(tái)內(nèi)部具有存儲(chǔ)器件，可以存儲(chǔ)基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，從而通 過讀取該存儲(chǔ)器件就可以獲得當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)。S20:根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研 磨，去掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間，所述研磨時(shí)間隨所述基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù) 的增加而減少。發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)隨著基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)的增加，基臺(tái)的研磨速率會(huì)增 快，因此研磨同樣厚度的膜層所需要的研磨時(shí)間就會(huì)減少。所以在該步驟中，根據(jù)當(dāng)前研 磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，來確定研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研磨去掉晶片預(yù)定厚度的研磨時(shí) 間，可以更精確的控制化學(xué)機(jī)械研磨的停止節(jié)點(diǎn)。
在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，可以包括下列步驟預(yù)先對至少兩片晶片進(jìn)行研磨，并進(jìn)行測試，得到當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶 片數(shù)和下一次研磨去掉預(yù)定厚度的膜層所需要的研磨時(shí)間的二元一次方程。具體的，例如提供5片待研磨的晶片，依次在研磨基臺(tái)上進(jìn)行研磨，在每一片晶片 研磨之前先從基臺(tái)的存儲(chǔ)器件中獲取當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，例如0片、1片、 2片、3片、4片。在研磨之后測試晶片表面研磨掉的膜層的厚度，例如在第一片研磨后研磨 掉的膜層厚度為1000埃，第二片研磨后研磨掉的膜層厚度為1010埃，第三片研磨后研磨 掉的膜層厚度為1020埃等等。從而可以得到研磨掉預(yù)定厚度的膜層(研磨第一片、第二
片......的時(shí)候去掉預(yù)定厚度的膜層，例如1750埃)，所需要的研磨時(shí)間。然后，再對5片
晶片進(jìn)行完研磨及測試之后，就可以得到當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一次研磨 去掉預(yù)定厚度的膜層所需要的研磨時(shí)間的二元一次方程。例如可以根據(jù)5片晶片的研磨， 繪制當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一次研磨去掉預(yù)定厚度膜層所需要的研磨時(shí) 間的直線，該直線即為表示二元一次方程的直線。另外也可以提供4片或者3片待研磨的 晶片，依次在研磨基臺(tái)上進(jìn)行研磨，并進(jìn)行測試。例如在本實(shí)施例中，所述化學(xué)機(jī)械研磨的具體參數(shù)為選用SiO2拋光液，拋光液的 ra值為10至11. 5，拋光液的流量為120毫升每分鐘至170毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的 轉(zhuǎn)速為65轉(zhuǎn)每分鐘至80轉(zhuǎn)每分鐘，研磨頭的轉(zhuǎn)速為55轉(zhuǎn)每分鐘至70轉(zhuǎn)每分鐘，拋光工藝的 壓力為200帕至350帕。具體的，所述膜層為黑鉆石材料(BD)層，對BD層研磨，預(yù)定厚度為 1750埃，則得到的二元一次方程為研磨時(shí)間=60-0. 0564X晶片數(shù)，研磨時(shí)間的單位為S。在得到二元一次方程后，在開始下一次研磨晶片之前就可以將獲取的當(dāng)前研磨 基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)帶入所述二元一次方程，得到研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研磨去掉預(yù) 定厚度膜層的研磨時(shí)間。例如本實(shí)施例中，基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)為10，則研磨時(shí)間為 59.436s。優(yōu)選的，本發(fā)明應(yīng)用在鑲嵌結(jié)構(gòu)或雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的制造工藝中，因此參考圖7，在該 步驟后還可以包括步驟提供晶片210，所述晶片210包括半導(dǎo)體基底211，在所述半導(dǎo)體基底211上覆蓋 有阻擋層212 ；在所述半導(dǎo)體基底211和所述阻擋層212中具有溝槽213，在所述溝槽213 內(nèi)和所述阻擋層212表面覆蓋有金屬銅214，所述阻擋層212即為所述膜層。如圖8所示，對所述晶片210進(jìn)行研磨，去除所述阻擋層212表面的金屬銅214。除此之外，本發(fā)明也可以用在STI的制造工藝中。S30 采用所述研磨時(shí)間對晶片表面的所述膜層研磨。在本實(shí)施例中，如圖9所示，采用所述研磨時(shí)間，例如59. 436s，對晶片表面膜層， 即阻擋層212研磨。所述化學(xué)機(jī)械研磨的具體參數(shù)為選用SiO2拋光液，拋光液的PH值為10至11. 5， 拋光液的流量為120毫升每分鐘至170毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的轉(zhuǎn)速為65轉(zhuǎn)每分 鐘至80轉(zhuǎn)每分鐘，研磨頭的轉(zhuǎn)速為55轉(zhuǎn)每分鐘至70轉(zhuǎn)每分鐘，拋光工藝的壓力為200帕 至350帕。因?yàn)檠心セ_(tái)的研磨速率會(huì)隨著連續(xù)研磨過的晶片數(shù)的增加而增加，因此在本發(fā) 明中對不同的晶片進(jìn)行研磨的時(shí)間不是采用固定的時(shí)間，而是每一次研磨前都根據(jù)當(dāng)前研磨基臺(tái)的情況，如研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，重新設(shè)定研磨時(shí)間，從而避免了采用固定 的研磨時(shí)間，使化學(xué)機(jī)械研磨的停止節(jié)點(diǎn)不精確，而造成的有的晶片表面膜層去除不干凈， 而有的晶片表面膜層下的半導(dǎo)體基底被損傷的問題。相應(yīng)的，如圖10所示，本發(fā)明還提供了一種化學(xué)機(jī)械研磨的系統(tǒng)，包括獲取裝置 310，用于獲取當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)；時(shí)間計(jì)算裝置320，用于根據(jù)所述研磨 基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研磨，去掉預(yù)定厚度的膜層所需 的研磨時(shí)間，所述研磨時(shí)間隨所述基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)的增加而減少；研磨基臺(tái)330， 采用所述研磨時(shí)間對晶片表面的所述膜層研磨。優(yōu)選的，還包括測試裝置340，對預(yù)先研磨的至少兩片晶片研磨去掉的膜層厚度 進(jìn)行測試；公式計(jì)算裝置350，用于根據(jù)所述研磨前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一 次研磨去掉的膜層厚度，得到當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一次研磨去掉預(yù)定厚 度的膜層所需的研磨時(shí)間的二元一次方程。優(yōu)選的，所述膜層為BD，所述預(yù)定厚度為1750埃，所述二元一次方程為研磨時(shí)間 =60-0. 0564X晶片數(shù)，研磨時(shí)間的單位為S。優(yōu)選的，所述晶片包括半導(dǎo)體基底，在所述半導(dǎo)體基底上覆蓋有阻擋層；在所述半 導(dǎo)體基底和所述阻擋層中具有溝槽，在所述溝槽內(nèi)覆蓋有金屬銅；所述膜層為所述阻擋層。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。任 何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方 法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí) 施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做 的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，包括步驟獲取當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)；根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研磨，去掉預(yù) 定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間，所述研磨時(shí)間隨所述基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)的增加而減 少；采用所述研磨時(shí)間對晶片表面的所述膜層研磨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，還包括步驟預(yù)先對至少 兩片晶片進(jìn)行研磨，并進(jìn)行測試，得到當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一次研磨去 掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間的二元一次方程；所述根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研磨，具 體為將研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)帶入所述二元一次方程，得到研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次 研磨去掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，所述膜層為黑鉆石材料 層，所述預(yù)定厚度為1750埃，所述二元一次方程為研磨時(shí)間=60-0. 0564X晶片數(shù)，研磨 時(shí)間的單位為S。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法，其特征在于，在所述采用所述研磨時(shí) 間對晶片表面的所述膜層研磨步驟之前還包括步驟提供晶片，所述晶片包括半導(dǎo)體基底，在所述半導(dǎo)體基底上覆蓋有阻擋層；在所述半導(dǎo) 體基底和所述阻擋層中具有溝槽，在所述溝槽內(nèi)和所述阻擋層表面覆蓋有金屬銅；對所述晶片進(jìn)行研磨，去除所述阻擋層表面的金屬銅；所述膜層為所述阻擋層。
5.一種化學(xué)機(jī)械研磨的系統(tǒng)，其特征在于，包括獲取裝置，用于獲取當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)；時(shí)間計(jì)算裝置，用于根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái)進(jìn)行 下一次研磨，去掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間，所述研磨時(shí)間隨所述基臺(tái)連續(xù)研磨過 的晶片數(shù)的增加而減少；研磨基臺(tái)，采用所述研磨時(shí)間對晶片表面的所述膜層研磨。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械研磨的系統(tǒng)，其特征在于，還包括測試裝置，對預(yù)先研磨的至少兩片晶片研磨去掉的膜層厚度進(jìn)行測試；公式計(jì)算裝置，用于根據(jù)所述研磨前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一次研磨去掉 的膜層厚度，得到當(dāng)前研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)和下一次研磨去掉預(yù)定厚度的膜層所 需的研磨時(shí)間的二元一次方程。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化學(xué)機(jī)械研磨的系統(tǒng)，其特征在于，所述膜層為黑鉆石材料 層，所述預(yù)定厚度為1750埃，所述二元一次方程為研磨時(shí)間=60-0. 0564X晶片數(shù)，研磨 時(shí)間的單位為S。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械研磨的系統(tǒng)，其特征在于，所述晶片包括半導(dǎo)體基 底，在所述半導(dǎo)體基底上覆蓋有阻擋層；在所述半導(dǎo)體基底和所述阻擋層中具有溝槽，在所 述溝槽內(nèi)覆蓋有金屬銅；所述膜層為所述阻擋層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種化學(xué)機(jī)械研磨的方法及系統(tǒng)，該方法包括步驟獲取研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)；根據(jù)所述研磨基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)，得到所述研磨基臺(tái)進(jìn)行下一次研磨，去掉預(yù)定厚度的膜層所需的研磨時(shí)間，所述研磨時(shí)間隨所述基臺(tái)連續(xù)研磨過的晶片數(shù)的增加而減少；采用所述研磨時(shí)間對晶片表面的所述膜層研磨。本發(fā)明可以更精確控制化學(xué)機(jī)械研磨的停止節(jié)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L21/302GK102091995SQ20091020118
公開日2011年6月15日 申請日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者鄧武鋒 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司