技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種采用Si基襯底的二極管，它涉及一種二極管。它包括背面Au電極、Si襯底、AlN緩沖層、AlGaN緩沖層、AlN/GaN超晶格層、粘貼金屬、金屬反射鏡、GaN外延層和正面Au電極，背面Au電極上設(shè)置有Si襯底，Si襯底上依次設(shè)置有AlN緩沖層、AlGaN緩沖層、AlN/GaN超晶格層、粘貼金屬、金屬反射鏡和GaN外延層，GaN外延層外部設(shè)置有正面Au電極。本發(fā)明襯底熱導(dǎo)率高，可靠性高，發(fā)光層背面為金屬反射鏡，表面有粗化結(jié)構(gòu)，取光效率高。

技術(shù)研發(fā)人員：黃志文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南寧市柳川華邦電子有限公司
文檔號(hào)碼：201310242986
技術(shù)研發(fā)日：2013.06.19
技術(shù)公布日：2016.12.28