示例實(shí)施方式涉及感光晶體管、其制造方法以及使用感光晶體管的顯示面板。

背景技術(shù)：
薄膜晶體管廣泛用于各種領(lǐng)域，具體地，用作顯示器領(lǐng)域中的開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)器件。近來(lái)，已經(jīng)提出了使用薄膜晶體管作為感光元件，用于光學(xué)觸摸屏。觸摸屏裝置是用于在屏幕上直接輸入數(shù)據(jù)的裝置。換句話說(shuō)，當(dāng)用戶的手指或觸針（例如，筆）觸摸觸摸屏裝置的顯示屏上的特定位置時(shí)，利用軟件執(zhí)行一系列進(jìn)程。當(dāng)前，廣泛使用的觸摸屏裝置采用通過(guò)使用手指或筆來(lái)直接觸摸顯示裝置的屏幕的方法。然而，隨著顯示裝置的尺寸增大，用戶與顯示裝置之間的距離增大，因此可能難以使用直接觸摸法。光學(xué)觸摸屏裝置是通過(guò)感測(cè)光而不是通過(guò)手指或筆的接觸來(lái)執(zhí)行與常規(guī)觸摸屏相同的功能的裝置。光學(xué)觸摸屏裝置被期望不僅用于用戶與終端之間的通信而且用于用戶之間的通信。當(dāng)感光晶體管用于光學(xué)觸摸屏裝置且液晶面板用作顯示面板時(shí)，輸入的光穿過(guò)偏光膜并且入射到感光晶體管。當(dāng)光穿過(guò)偏光膜時(shí)發(fā)生光損失。此外，光損失的程度根據(jù)入射角而改變。光電流關(guān)于特定的入射角而減少大約10%，使得感光晶體管可能不對(duì)入射光作出反應(yīng)。因此，存在研究解決方案以提高感光效率的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
示例實(shí)施方式涉及感光晶體管、其制造方法和使用感光晶體管的顯示面板。提供了用于具有以下結(jié)構(gòu)的感光晶體管的方法和裝置：感光晶體管的溝道層可以被有效地暴露于光，還提供了制造該感光晶體管的方法以及使用該感光晶體管的光學(xué)觸摸顯示面板。另外的方面將通過(guò)后面的描述而部分地闡述，并通過(guò)該描述而部分地顯見，或者可以通過(guò)實(shí)踐當(dāng)前實(shí)施方式而習(xí)之。根據(jù)示例實(shí)施方式，一種感光晶體管包括∶柵極層；柵絕緣層，在柵極層上；溝道層，在柵絕緣層上；蝕刻停止層，在溝道層的部分區(qū)域上；源極和漏極，在溝道層上并彼此分離開，其中蝕刻停止層插置在源極和漏極之間；以及鈍化層，覆蓋源極、漏極和蝕刻停止層，其中源極與蝕刻停止層分離開。溝道層的相應(yīng)于源極與蝕刻停止層之間的空間的區(qū)域可以具有比溝道層的任何其他區(qū)域高的電導(dǎo)率。源極和漏極可以由透明電極材料形成。源極和漏極可以由金屬材料形成。漏極可以與蝕刻停止層分離開。溝道層的相應(yīng)于源極與蝕刻停止層之間的空間的區(qū)域以及溝道層的相應(yīng)于漏極與蝕刻停止層之間的空間的區(qū)域可以具有比溝道層的任何其他區(qū)域高的電導(dǎo)率。源極和漏極可以由透明電極材料形成。源極和漏極可以由金屬材料形成。溝道層可以由包括從銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）、鋁（Al）及其組合中選擇出的至少一個(gè)的氧化物形成。溝道層可以由半導(dǎo)體材料形成。根據(jù)示范實(shí)施方式，一種光學(xué)觸摸顯示面板包括∶顯示單元，配置為根據(jù)圖像信息而在開啟狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)之間被控制；以及如上所述的感光晶體管，其中感光晶體管配置為感測(cè)入射光。漏極可以與蝕刻停止層分離開。源極和漏極可以由透明電極材料形成。源極和漏極可以由金屬材料形成。顯示單元可以包括液晶材料。根據(jù)示例實(shí)施方式，一種制造感光晶體管的方法，該方法包括∶在柵極層上順序形成柵絕緣層和由半導(dǎo)體材料形成的溝道層；在溝道層的部分區(qū)域上形成蝕刻停止層；形成導(dǎo)電材料層以完全覆蓋溝道層和蝕刻停止層；蝕刻導(dǎo)電材料層的部分區(qū)域以暴露蝕刻停止層，其中導(dǎo)電材料層被分離成源極和漏極，源極與蝕刻停止層分離開形成；以及形成鈍化層以覆蓋源極、漏極和 蝕刻停止層。導(dǎo)電材料層可以由透明電極材料形成。導(dǎo)電材料層可以由金屬材料形成。漏極可以與蝕刻停止層分離開。溝道層可以由包括從銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）、鋁（Al）及其組合中選擇出的至少一個(gè)的氧化物形成。溝道層可以由半導(dǎo)體材料形成。附圖說(shuō)明通過(guò)下文結(jié)合附圖對(duì)示例實(shí)施方式的描述，上述和/或其他方面將變得明顯且更易于理解，附圖中：圖1是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2A和圖2B分別是根據(jù)比較例的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖以及根據(jù)光束位置的光電流的曲線圖；圖3是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖4是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖5是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖6A至圖6G是用于解釋根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的制造方法的截面圖；圖7是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的顯示面板的結(jié)構(gòu)的截面圖；以及圖8是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的顯示面板的結(jié)構(gòu)的截面圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在將參考其中示出一些示例實(shí)施方式的附圖更充分地描述不同的示例實(shí)施方式。然而，在此詳細(xì)公開的具體的結(jié)構(gòu)和功能僅是代表性的，用于描述示例實(shí)施方式。因此，本發(fā)明可以以許多替換形式實(shí)現(xiàn)并且不應(yīng)理解為僅限于在此闡述的示例實(shí)施方式。因此，應(yīng)當(dāng)理解不旨在將示例實(shí)施方式限制到公開的具體形式，相反，示例實(shí)施方式旨在覆蓋落入本發(fā)明范圍內(nèi)的所有改進(jìn)、等價(jià)物和替換。在附圖中，為了清楚可以夸大層和區(qū)域的厚度，在對(duì)附圖的描述中相似的數(shù)字始終指代相似的元件。雖然術(shù)語(yǔ)第一、第二等可以用于此來(lái)描述各種元件，但是這些元件應(yīng)不 受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)只用于區(qū)分一個(gè)元件與另一元件。例如，第一元件可以被稱為第二元件，類似地，第二元件可以被稱為第一元件，而不脫離示例實(shí)施方式的范圍。如這里所用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。將理解，如果元件被稱為“連接到”或“耦接到”另一元件，它可以直接連接到或耦接到另一元件，或者可以存在中間的元件。相反，如果元件被稱為“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件時(shí)，則沒有中間元件存在。用于描述元件之間的關(guān)系的其他詞語(yǔ)應(yīng)當(dāng)以類似的方式理解（例如，“在...之間”與“直接在...之間”、“相鄰”與“直接相鄰”等）。這里所使用的術(shù)語(yǔ)是只為了描述特別的實(shí)施方式的目的且不旨在限制示例實(shí)施方式。如這里所用，單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思?？梢赃M(jìn)一步理解當(dāng)術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”在此使用時(shí)，說(shuō)明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除存在或添加一個(gè)或更多其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組。在這里為了描述的方便，可以使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)（例如，“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等）來(lái)描述一個(gè)元件或特征和另一元件或特征如圖中所示的關(guān)系。可以理解空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除了在圖中所繪的方向之外的裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，例如，術(shù)語(yǔ)“下方”可以包含下方和上方兩個(gè)方向。裝置也可以有其它取向（旋轉(zhuǎn)90度或以其它取向觀看或?yàn)榛鶞?zhǔn)）且相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。參考截面圖示在這里描述了示例實(shí)施方式，該圖示是理想實(shí)施方式（及中間結(jié)構(gòu)）的示意圖。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，示例實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于這里所示的具體的區(qū)域形狀，而是包括由于例如由制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)通常可以具有圓化或彎曲的特征和/或在其邊緣具有（例如，注入濃度的）梯度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。相似地，由注入形成的埋入?yún)^(qū)可以引起埋入?yún)^(qū)和通過(guò)其進(jìn)行注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的且它們的形狀不一定示出區(qū)域的精確的形狀且不旨在限制范圍。還應(yīng)當(dāng)注意的是，在一些備選實(shí)施中，聲明的功能/作用可能不按照附圖中表明的順序發(fā)生。例如，連續(xù)示出的兩個(gè)附圖根據(jù)有關(guān)的功能/作用實(shí)際上可以基本同時(shí)執(zhí)行，或者有時(shí)可以以相反的順序執(zhí)行。除非另有界定，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)）具有示例實(shí)施方式所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員共同理解的相同的意思。還可以理解諸如那些在通用詞典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)解釋為具有與在相關(guān)技術(shù)的語(yǔ)境中一致的涵義，而不應(yīng)解釋為理想化或過(guò)度形式化的意義，除非在這里明確地如此界定。為了更具體地描述示例實(shí)施方式，將參考附圖更詳細(xì)地描述各個(gè)方面。然而，本發(fā)明不限于描述的示例實(shí)施方式。示例實(shí)施方式涉及感光晶體管、其制造方法以及使用感光晶體管的顯示面板。圖1是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖。參考圖1，根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管100包括柵極層110、形成在柵極層110上的柵絕緣層120、形成在柵絕緣層120上并由半導(dǎo)體材料形成的溝道層130、在溝道層130上的部分區(qū)域中形成的蝕刻停止層140、在溝道層130上彼此分離開形成的源極150和漏極160（蝕刻停止層140插置在其間）、以及完全覆蓋源極150、漏極160和蝕刻停止層140的鈍化層170。感光晶體管100包括處于不對(duì)稱形式的源極150和漏極160。換句話說(shuō)，當(dāng)源極150與蝕刻停止層140分離開時(shí)，漏極160接觸蝕刻停止層140的上表面和側(cè)表面。感光晶體管100的上述結(jié)構(gòu)提高了感測(cè)入射光的效率并且盡可能地增大了溝道層130的將暴露于入射光的區(qū)域。圖2A和圖2B分別是根據(jù)比較例的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖以及根據(jù)光束位置的光電流的曲線圖。參考圖2A和圖2B，根據(jù)比較例的感光晶體管10包括柵極11、柵絕緣層12、溝道層13、蝕刻停止層14、源極15和漏極16。源極15和漏極16具有對(duì)稱形狀并且形成為分別從蝕刻停止層14的上表面的兩側(cè)到蝕刻停止層14的相對(duì)側(cè)表面與蝕刻停止層14接觸。當(dāng)光入射到具有上述結(jié)構(gòu)的感光晶體管10時(shí)，入射光穿過(guò)源極15或漏極16以及蝕刻停止層14，并且入射到溝道層13使得發(fā)生光損失。具體地，本發(fā)明的發(fā)明者通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：光 電流根據(jù)光束位置而改變。換句話說(shuō)，參考圖2B，感光晶體管10表現(xiàn)出對(duì)于入射到源極15側(cè)的光更敏感?？紤]到上述情況，在根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管100中，源極150與蝕刻停止層140分離開形成使得光可以更多地入射在溝道層130的靠近源極150的區(qū)域內(nèi)。下文描述關(guān)于感光晶體管100的材料的詳細(xì)內(nèi)容。柵極層110可以由表現(xiàn)出優(yōu)良電導(dǎo)率的金屬材料例如鉑（Pt）、釕（Ru）、金（Au）、銀（Ag）、鉬（Mo）、鋁（Al）、鎢（W）、銅（Cu）或其組合形成。柵絕緣層120可以由絕緣材料（例如，硅氧化物或硅氮化物）形成。例如，SiO2或具有比SiO2高的介電常數(shù)的高K材料（例如，HfO2、Al2O3、Si3N4或其組合）可以用于柵絕緣層120。備選地，由上述材料形成的雙層膜可以用于柵絕緣層。溝道層130可以由氧化物半導(dǎo)體形成。由氧化物半導(dǎo)體形成的晶體管作為具有非晶硅薄膜晶體管（a-SiTFT）和多晶TFT（poly-SiTFT）兩者的特征的器件被廣泛接受。例如，由于ZnO基半導(dǎo)體器件可以以低溫工藝制造并且處于非晶態(tài)，所以易于制造大尺寸的ZnO基半導(dǎo)體器件。此外，ZnO基半導(dǎo)體膜是具有高遷移率的材料并且具有類似于多晶硅的非常好的電特征。溝道層130可以由包括銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）、鋁（Al）或其組合的氧化物形成。例如，氧化物半導(dǎo)體材料（例如，ZnO、InO、SnO、InZnO、ZnSnO、InSnO等）可以用于溝道層130。備選地，通過(guò)在上述氧化物半導(dǎo)體材料中添加諸如鉿（Hf）、鋯（Zr）、鈦（Ti）、鉭（Ta）、鎵（Ga）、鈮（Nb）、釩（V）、鋁（Al）、錫（Sn）等材料中的一種或多種獲得的混合材料可以用于溝道層130。溝道層130可以形成為單層，或形成多層結(jié)構(gòu)，以便提高感光晶體管100的性能和可靠性。蝕刻停止層140防止溝道層130在蝕刻工藝期間被暴露于蝕刻，在蝕刻工藝中導(dǎo)電材料形成在溝道層130上并被蝕刻以形成接觸溝道層130的源極150和漏極160，由此防止損傷溝道層130。蝕刻停止層140可以由例如硅氧化物、硅氮化物、有機(jī)絕緣材料或其組合形成。源極150和漏極160可以由導(dǎo)電材料形成。此外，源極150和漏極160可以由透明導(dǎo)電氧化物即透明電極材料（例如，銦鋅氧化物（IZO）、銦錫氧化物（ITO）或其組合）形成以減少入射到溝道層130的光的損失。鈍化層170可以由硅氮化物或硅氧化物形成。在上述結(jié)構(gòu)中，溝道層130的與源極150與蝕刻停止層140之間的空間相應(yīng)的區(qū)域132具有比溝道層130的任何其他區(qū)域高的電導(dǎo)率。由于源極150與蝕刻停止層140彼此分離開，當(dāng)形成鈍化層170時(shí)，氫原子被注入到溝道層130的一區(qū)域中，該區(qū)域直接接觸鈍化層170。氫原子供應(yīng)電荷，因此溝道層130的被供應(yīng)電荷的部分的電荷濃度增大使得該部分變成高導(dǎo)電區(qū)域，即，區(qū)域132。圖3是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖。參考圖3，類似于圖1的感光晶體管100，源極250和漏極260不對(duì)稱地形成在根據(jù)本示例實(shí)施方式的感光晶體管200中。然而，感光晶體管200與圖1的感光晶體管100的不同在于：源極250和漏極260由金屬材料形成。源極250和漏極260可以由諸如鉑（Pt）、釕（Ru）、金（Au）、銀（Ag）、鉬（Mo）、鋁（Al）、鎢（W）、銅（Cu）或其組合的材料形成。當(dāng)源極250和漏極260由金屬材料形成時(shí)，與使用透明導(dǎo)電氧化物的情況相比損失了更多光。然而，電導(dǎo)率很高使得器件的電阻減小。圖4是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖。參考圖4，在根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管300中，源極350和漏極360兩者都不接觸蝕刻停止層140并且彼此分離開。因此，相應(yīng)于源極350與蝕刻停止層140之間的空間的區(qū)域332以及相應(yīng)于漏極360與蝕刻停止層140之間的空間的區(qū)域334變成電導(dǎo)率高于溝道層的任何其他區(qū)域的區(qū)域。由于源極350和漏極360兩者都與蝕刻停止層140分離開，所以溝道層330的暴露區(qū)域增大。同樣，由于源極350和漏極360由透明導(dǎo)電氧化物形成，所以光損失會(huì)減小。圖5是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的結(jié)構(gòu)的截面圖。參考圖5，根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管400與圖4的感光晶體管400的不同在于：源極450和漏極460由金屬材料形成。圖6A至圖6G是用于解釋根據(jù)示例實(shí)施方式的感光晶體管的制造方法的截面圖。參考圖6A，由半導(dǎo)體材料形成的柵絕緣層120和溝道層130順序形成在柵極層110上。柵絕緣層120可以由表現(xiàn)出優(yōu)良電導(dǎo)率的金屬材料（例如，鉑（Pt）、釕（Ru）、金（Au）、銀（Ag）、鉬（Mo）、鋁（Al）、鎢（W）、銅 （Cu）或其組合）形成。柵絕緣層120可以由絕緣材料（例如，硅氧化物、硅氮化物或其組合）形成。例如，SiO2或具有比SiO2高的介電常數(shù)的高K材料（例如，HfO2、Al2O3、Si3N4或其組合）可以用于柵絕緣層120。備選地，由上述材料形成的雙層膜可以用于柵絕緣層120。溝道層130可以由氧化物半導(dǎo)體形成。溝道層130可以由包括銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）、鋁（Al）或其組合的氧化物形成。例如，氧化物半導(dǎo)體材料，諸如，ZnO、InO、SnO、InZnO、ZnSnO、InSnO等，可以用于溝道層130。備選地，通過(guò)在上述氧化物半導(dǎo)體材料中添加諸如鉿（Hf）、鋯（Zr）、鈦（Ti）、鉭（Ta）、鎵（Ga）、鈮（Nb）、釩（V）、鋁（Al）、錫（Sn）等材料中的一種或多種獲得的混合材料可以用于溝道層130。雖然溝道層130被示出為單層，但是這僅是示例并且溝道層130可以形成為多層結(jié)構(gòu)。參考圖6B，蝕刻停止層140形成在溝道層130上的部分區(qū)域中。蝕刻停止層140防止溝道層130在蝕刻工藝期間被暴露于蝕刻，在蝕刻工藝中導(dǎo)電材料形成在溝道層130上并被蝕刻以形成接觸溝道層130的源極150和漏極160，由此防止損傷溝道層130。蝕刻停止層140可以由例如硅氧化物、硅氮化物、有機(jī)絕緣材料或其組合形成。參考圖6C，導(dǎo)電材料層CM形成為完全覆蓋溝道層130和蝕刻停止層140。導(dǎo)電材料層CM可以由透明導(dǎo)電氧化物或金屬材料形成。參考圖6D，導(dǎo)電材料層CM被蝕刻以形成源極150（250）和漏極160（260）。換句話說(shuō)，導(dǎo)電材料層CM的部分區(qū)域被蝕刻以露出蝕刻停止層140，使得導(dǎo)電材料層CM被分成源極150（250）和漏極160（260）。這樣，源極150（250）與蝕刻停止層140分離開形成。參考圖6E，鈍化層170形成為完全覆蓋源極150（250）、漏極160（260）和蝕刻停止層140。結(jié)果，制造出具有如圖1（3）所示的上述結(jié)構(gòu)的感光晶體管100（200）。圖6D的蝕刻工藝可以改變?yōu)閳D6F和圖6G的工藝，在其中源極350（450）和漏極360（460）都與蝕刻停止層140分離開，鈍化層170形成為完全覆蓋源極350（450）、漏極360（460）和蝕刻停止層140。因此，制造出具有如圖4和圖5示出的上述結(jié)構(gòu)的感光晶體管300和400。由于源/漏結(jié)構(gòu)被改進(jìn)使得溝道層的整個(gè)區(qū)域可以很好地暴露于光，所以 上述感光晶體管具有高感光效率。感光晶體管可以應(yīng)用于具有光學(xué)觸摸功能的顯示面板。圖7是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的光學(xué)觸摸顯示面板的結(jié)構(gòu)的截面圖。參考圖7，根據(jù)示例實(shí)施方式的光學(xué)觸摸顯示面板500包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括顯示單元560和用于感測(cè)入射光的感光晶體管100，該顯示單元560的開啟/關(guān)閉根據(jù)圖像信息而控制。在圖7中，僅示出一個(gè)像素。然而，示例實(shí)施方式不限于此。在光學(xué)觸摸顯示面板500的具體結(jié)構(gòu)中，光學(xué)觸摸顯示面板500包括彼此面對(duì)布置的透明后基板510和透明前基板570，以及設(shè)置在后基板510與前基板570之間的顯示單元560。顯示單元560可以是由液晶材料形成的液晶單元。第一配向?qū)?42和第二配向?qū)?48可以分別形成在顯示單元560的下表面和上表面上，以提高液晶的界面性能和配向特性。此外，第一偏光板582和第二偏光板584可以分別布置在后基板510的下表面和前基板570的上表面上。濾色器552、鈍化層539和第一透明電極層536順序形成在前基板570的下表面之下。具有參考圖1（2）描述的結(jié)構(gòu)的感光晶體管100（200）提供在后基板510的上表面上。漏極160（360）通過(guò)穿過(guò)鈍化層170而連接到第二透明電極層533。此外，雖然圖7中沒有示出，但是用于控制顯示單元260的開啟/關(guān)閉的驅(qū)動(dòng)晶體管可以提供在后基板510的上表面上。驅(qū)動(dòng)晶體管可具有與感光晶體管100（200）相同的結(jié)構(gòu)，或者可具有與根據(jù)比較例的感光晶體管10相同的結(jié)構(gòu)。由于光學(xué)觸摸顯示面板500采用具有以下結(jié)構(gòu)的感光晶體管100（200）：溝道層130的被暴露于入射光的區(qū)域盡可能增大，所以光學(xué)觸摸顯示面板500的感光效率高。此外，在采用由液晶形成的顯示單元560的示例實(shí)施方式中基本上提供了第一偏光板582和第二偏光板584。然而，考慮到輸入到正面的大量入射光在第二偏光板584處損失，所以包括具有高的光效率的感光晶體管100（200）是重要的。圖8是示意性示出根據(jù)示例實(shí)施方式的光學(xué)觸摸顯示面板的結(jié)構(gòu)的截面圖。參考圖8，根據(jù)示例實(shí)施方式的光學(xué)觸摸顯示面板600與圖7的光學(xué)觸摸顯示面板500的不同在于：采用了具有參考圖4和5描述的結(jié)構(gòu)的感光晶體管300（400）。應(yīng)當(dāng)理解，在此描述的示范實(shí)施方式應(yīng)當(dāng)僅以描述的含義理解，而不為限制的目的。對(duì)于每個(gè)實(shí)施方式內(nèi)的特征或方面的描述應(yīng)該典型地被認(rèn)為是可適用于其他示例實(shí)施方式中的其他相似的特征或方面。本申請(qǐng)要求于2012年3月13日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2012-0025666的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在此。