一種改善熱分布集中的超大功率光電器件的制作方法
【專利摘要】一種改善熱分布集中的超大功率光電器件，包括光電器件芯片，芯片的外延層包括彼此隔離的多個(gè)單胞，該等單胞相互串聯(lián)或并聯(lián)，且該等單胞中的至少兩個(gè)單胞相互并聯(lián)形成至少一個(gè)單胞組，該至少一個(gè)單胞組還與該等單胞中其余的一個(gè)以上單胞和/或一個(gè)以上單胞組串聯(lián)，且每一單胞組內(nèi)的所有單胞均排布在一個(gè)矩形區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域相對(duì)較短邊與相對(duì)較長(zhǎng)邊的比值＞0.5，但≤1。本發(fā)明通過(guò)采用多胞設(shè)計(jì)，并將其中若干單胞并聯(lián)形成單胞組，且使單胞組內(nèi)的單胞排布在一個(gè)長(zhǎng)寬比約為1的矩形內(nèi)，進(jìn)而使節(jié)溫較高的單胞可向周圍單胞傳導(dǎo)熱，使相鄰單胞節(jié)溫保持一致，避免節(jié)溫較高的單胞成為熱斑和熱崩，從而有效提升大功率光電器件的工作性能，并延長(zhǎng)其使用壽命。
【專利說(shuō)明】一種改善熱分布集中的超大功率光電器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體光電器件，尤其涉及一種改善熱分布集中的超大功率光電器件，屬于半導(dǎo)體光電【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]光電器件是指光能和電能相互轉(zhuǎn)換的一類器件。其種類眾多，如:發(fā)光二極管(LED)、太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器、激光器(LD)等等。LED以其固有的特點(diǎn)，如省電、壽命長(zhǎng)、耐震動(dòng)，響應(yīng)速度快、冷光源等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種照明等領(lǐng)域，但由于其亮度差、價(jià)格昂貴等條件的限制，無(wú)法作為通用光源推廣應(yīng)用。近幾年來(lái)，隨著人們對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光材料研究的不斷深入，LED制造工藝的不斷進(jìn)步和新材料(氮化物晶體和熒光粉)的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用，各種顏色的超高亮度LED取得了突破性進(jìn)展，其發(fā)光效率提高了近1000倍，色度方面已實(shí)現(xiàn)了可見(jiàn)光波段的所有顏色，其中最重要的是超高亮度白光LED的出現(xiàn)。據(jù)國(guó)際權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，二十一世紀(jì)將進(jìn)入以LED為代表的新型照明光源時(shí)代，被稱為第四代發(fā)光源。
[0003]目前，LED已經(jīng)大量進(jìn)入大屏幕顯示、裝飾照明、建筑照明、交通指示、IXD背光等市場(chǎng)，可是更大的市場(chǎng)在于普通照明，而LED還未能打入這個(gè)龐大市場(chǎng)。同時(shí)在熒光顯微鏡和投影儀市場(chǎng)中，LED所占的市場(chǎng)份額還很低，這是由于現(xiàn)在的LED還不能他們應(yīng)用的要求造成的。普通照明、熒光顯微鏡以及投影儀需要大功率的LED產(chǎn)品，可是現(xiàn)在的大功率LED技術(shù)還不成熟，對(duì)于普通照明領(lǐng)域來(lái)說(shuō)大功率LED制造成本還很昂貴。
[0004]在工業(yè)生產(chǎn)中，增加芯片面積能起到降低成本的作用，有利于產(chǎn)品的升級(jí)、換代，可是涉及到產(chǎn)品的可靠性問(wèn)題，尤其是在大功率應(yīng)用中的熱可靠性。如果不能有效控制芯片的可靠性，那么增加芯片面積就變得毫無(wú)意義，甚至導(dǎo)致生產(chǎn)成本驟增。以下簡(jiǎn)單分析LED芯片的熱可靠性:一方面，LED的結(jié)溫隨電流的增大而上升；另一方面，電流隨溫度的上升，又以指數(shù)形式增大；這樣就形成了熱電正反饋。大功率器件的結(jié)溫通常在芯片內(nèi)是不均勻分布的，某些區(qū)域的溫度較高，電流較大，在過(guò)激勵(lì)的情況下，這些溫度較高的區(qū)域，電流集中，導(dǎo)致該區(qū)域越來(lái)越亮，而其他區(qū)域由于分到電流減少，亮度減少，芯片發(fā)光便不均勻，影響器件使用。更嚴(yán)重的是電流嚴(yán)重集中，由于熱電正反饋的作用，溫度進(jìn)一步增加，成為熱斑，當(dāng)溫度超過(guò)所能承受的結(jié)溫時(shí)，該處燒毀(熱崩)，進(jìn)而導(dǎo)致整個(gè)芯片失效。器件芯片面積越大，溫度分布越不均勻，熱斑出現(xiàn)的概率越大，可靠性也會(huì)隨之下降。因此，提高熱可靠性是大面積、大功率LED器件的關(guān)鍵。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于現(xiàn)有技術(shù)的以上不足，本發(fā)明的目的在于提供一種改善熱分布集中的超大功率光電器件，以提高大功率光電器件的輸出特性和成品率。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
[0007]—種改善熱分布集中的超大功率光電器件，包括光電器件芯片，所述芯片的外延層包括彼此隔離的復(fù)數(shù)個(gè)單胞，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞相互串聯(lián)或并聯(lián)，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞中的至少兩個(gè)單胞相互并聯(lián)形成至少一個(gè)單胞組，并且該至少一個(gè)單胞組還與該復(fù)數(shù)個(gè)單胞中其余的一個(gè)以上單胞和/或一個(gè)以上單胞組串聯(lián)，其中，每一單胞組內(nèi)的所有單胞均排布在一個(gè)矩形區(qū)域內(nèi)，所述矩形區(qū)域的相對(duì)較短的邊與相對(duì)較長(zhǎng)的邊的比值大于0.5，但小于或等于
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[0008]作為較為優(yōu)選的實(shí)施方案之一，所述芯片包括依次串聯(lián)的復(fù)數(shù)個(gè)單胞組，每一單胞組包括兩個(gè)以上并聯(lián)設(shè)置的單胞。
[0009]作為較為優(yōu)選的實(shí)施方案之一，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞組沿設(shè)定的折返曲線形軌跡依次串聯(lián)。
[0010]該復(fù)數(shù)個(gè)單胞組排布在一個(gè)矩形區(qū)域內(nèi)，所述矩形區(qū)域的相對(duì)較短的邊與相對(duì)較長(zhǎng)的邊的比值大于0.5，但小于或等于I。
[0011]進(jìn)一步的，每一單胞組內(nèi)的每一單胞的正、負(fù)極均與該單胞組的正、負(fù)極互聯(lián)金屬電連接。
[0012]任一單胞組的正、負(fù)極互聯(lián)金屬還均與相鄰單胞組的負(fù)、正極互聯(lián)金屬電連接。
[0013]位于最上游的單胞組的正極互聯(lián)金屬和最下游的單胞組的負(fù)極互聯(lián)金屬還分別與芯片的陽(yáng)極壓焊區(qū)和陰極壓焊區(qū)電連接，或者，位于最上游的單胞組的負(fù)極互聯(lián)金屬和最下游的單胞組的正極互聯(lián)金屬還分別與芯片的陰極壓焊區(qū)和陽(yáng)極壓焊區(qū)電連接。
[0014]進(jìn)一步的，所述超大功率光電器件還包含轉(zhuǎn)移基片，所述芯片通過(guò)倒裝焊形式與轉(zhuǎn)移基片結(jié)合。
[0015]所述轉(zhuǎn)移基片上分布有復(fù)數(shù)個(gè)互聯(lián)金屬組，每一單胞組的正、負(fù)極互聯(lián)金屬分別與轉(zhuǎn)移基片上對(duì)應(yīng)互聯(lián)金屬組內(nèi)的正、負(fù)互聯(lián)金屬電連接，并且，每一互聯(lián)金屬組內(nèi)的正、負(fù)互聯(lián)金屬還分別與相鄰互聯(lián)金屬組內(nèi)的負(fù)極、正極互聯(lián)金屬電連接，
[0016]而位于最上游的互聯(lián)金屬組內(nèi)的正極互聯(lián)金屬和最下游的互聯(lián)金屬組內(nèi)的負(fù)極互聯(lián)金屬還分別與芯片的陽(yáng)極壓焊區(qū)和陰極壓焊區(qū)電連接，或者，位于最上游的互聯(lián)金屬組內(nèi)的負(fù)極互聯(lián)金屬和最下游的互聯(lián)金屬組內(nèi)的正極互聯(lián)金屬還分別與芯片的陰極壓焊區(qū)和陽(yáng)極壓焊區(qū)電連接。
[0017]所述單胞的平面形狀為規(guī)則幾何形狀或非規(guī)則形狀，所述規(guī)則幾何形狀包括矩形、三角形、正多邊形或圓形。
[0018]優(yōu)選的，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞中，相鄰單胞之間的間距在Iym以上，但是在ΙΟμπι以下。
[0019]所述超大功率光電器件包括功率為10瓦以上的發(fā)光二極管或固態(tài)激光器。
[0020]進(jìn)一步的，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞組排布在一個(gè)矩形區(qū)域內(nèi)，所述矩形區(qū)域的相對(duì)較短邊與相對(duì)較長(zhǎng)邊的比值大于0.5，但小于或等于I。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有如下優(yōu)點(diǎn):通過(guò)將光電器件芯片的有源區(qū)分割成許多小面積的單胞，并將其中若干單胞并聯(lián)形成單胞組(或稱，并聯(lián)組)，且使并聯(lián)組的單胞盡可能的排布在一個(gè)正方形或者長(zhǎng)寬比接近I的矩形內(nèi)，藉此設(shè)計(jì)，在出現(xiàn)某個(gè)單胞節(jié)溫較高的情形時(shí)，該單胞可通過(guò)襯底向周圍單胞傳導(dǎo)熱，并且熱場(chǎng)呈環(huán)狀擴(kuò)散，進(jìn)而使相鄰單胞節(jié)溫保持一致，避免熱電正反饋?zhàn)饔檬沟霉?jié)溫較高的單胞成為熱斑和熱崩，從而有效提升大功率光電器件的可靠性、發(fā)光效率等方面的工作性能，并延長(zhǎng)其使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的原理結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2a是本發(fā)明實(shí)施例1中改善熱分布集中的超大功率光電器件的主視圖；
[0024]圖2b是本發(fā)明實(shí)施例1中改善熱分布集中的超大功率光電器件的剖視圖；
[0025]圖3a是本發(fā)明實(shí)施例2中改善熱分布集中的超大功率光電器件的主視圖；
[0026]圖3b是本發(fā)明實(shí)施例2中改善熱分布集中的超大功率光電器件的剖視圖；
[0027]圖3c是本發(fā)明實(shí)施例2中改善熱分布集中的超大功率光電器件的光學(xué)照片。

【具體實(shí)施方式】
[0028]如前所述，本發(fā)明的主旨在于提供一種新型的超大功率光電器件，其通過(guò)采用多胞設(shè)計(jì)及獨(dú)特的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，進(jìn)而有效改善了光電器件芯片內(nèi)出現(xiàn)的熱分布集中問(wèn)題。
[0029]在本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施方式中，其技術(shù)方案可以概括為:
[0030]一種改善熱分布集中的超大功率光電器件(亦可稱為“改善熱分布集中的多胞連接大功率光電器件”)，其芯片被分隔成m*n個(gè)單胞，每η個(gè)單胞的正極、負(fù)極由對(duì)應(yīng)極性的互聯(lián)金屬分別連接在一起，因此可以稱這每η個(gè)單胞為一個(gè)并聯(lián)組(也可稱為“單胞組”)，其中，m為大于I的正整數(shù)，η >> 1，亦為正整數(shù)。
[0031]進(jìn)一步地，每個(gè)并聯(lián)組的正極、負(fù)極互聯(lián)金屬分別和相鄰并聯(lián)組的負(fù)極、正極互聯(lián)金屬連接。
[0032]進(jìn)一步地，最外側(cè)(即，最上游和最下游)的并聯(lián)組正極、負(fù)極互聯(lián)金屬分別和芯片的陽(yáng)極、陰極壓焊區(qū)連接。
[0033]或者，該光電器件還可包含轉(zhuǎn)移基片，光電器件的芯片通過(guò)倒裝焊形式與轉(zhuǎn)移基片結(jié)合，每個(gè)并聯(lián)組單胞正極、負(fù)極金屬分別通過(guò)轉(zhuǎn)移基片上對(duì)應(yīng)極性的互聯(lián)金屬連接，轉(zhuǎn)移基板上每個(gè)并聯(lián)組的正極、負(fù)極互聯(lián)金屬分別和相鄰并聯(lián)組的負(fù)極、正極互聯(lián)金屬連接，并且最外側(cè)正極、負(fù)極互聯(lián)金屬分別陽(yáng)極、陰極同壓焊區(qū)連接。
[0034]進(jìn)一步地，上述單胞相互之間的連接方式為“并串聯(lián)”，是指部分單胞先并聯(lián)成組，然后再與其它單胞或“單胞組”串聯(lián)。
[0035]進(jìn)一步地，上述單胞是指具有光電轉(zhuǎn)換功能的微尺寸單元，單胞的平面幾何形狀為矩形、三角形、正多邊形、圓形等規(guī)則形狀或其它非規(guī)則形狀。
[0036]進(jìn)一步地，并聯(lián)組內(nèi)單胞排布在一個(gè)正方形區(qū)域內(nèi)，或者長(zhǎng)寬比大于0.5的矩形區(qū)域內(nèi)(亦可理解為，該矩形區(qū)域的相對(duì)較短的邊與相對(duì)較長(zhǎng)的邊的比值大于0.5，但小于或等于I)。類似的，芯片內(nèi)各并聯(lián)組排布在一個(gè)正方形區(qū)域內(nèi)，或者長(zhǎng)寬比大于0.5的矩形區(qū)域內(nèi)。
[0037]進(jìn)一步地，該大功率光電器件指的是功率為10瓦以上的發(fā)光二極管或固態(tài)激光器，也可以是其它光電器件。
[0038]又及，請(qǐng)參閱圖1，從原理上分析，本發(fā)明的核心思想是把光電器件芯片的外延層分割成許多小面積的單胞(假設(shè)為η個(gè)單胞，η >> I)，其中每個(gè)小面積單胞的正極和負(fù)極分別通過(guò)互聯(lián)金屬2和3連接在一起。本發(fā)明的設(shè)計(jì)將并聯(lián)組的單胞盡可能的排布在一個(gè)正方形或者長(zhǎng)寬比接近I的矩形內(nèi)。如果有某個(gè)單胞節(jié)溫較高，他會(huì)通過(guò)襯底向周圍單胞傳導(dǎo)熱，并且熱場(chǎng)呈環(huán)狀擴(kuò)散，對(duì)于本發(fā)明的設(shè)計(jì)，周圍單胞節(jié)溫也會(huì)隨之增加，能使相鄰單胞節(jié)溫保持一致，避免熱電正反饋?zhàn)饔檬沟霉?jié)溫較高的單胞成為熱斑和熱崩。類似的，我們也可以將“并串聯(lián)”結(jié)構(gòu)的大功率LED芯片的并聯(lián)組盡可能的排布在一個(gè)正方形或者長(zhǎng)寬比接近I的矩形內(nèi)，以避免某些并聯(lián)組出現(xiàn)熱集中情況。
[0039]并且，本案發(fā)明人經(jīng)大量研究和實(shí)踐后，還驚奇的發(fā)現(xiàn)，當(dāng)將該復(fù)數(shù)個(gè)單胞中的相鄰單胞之間的距離控制在Iym以上，但在ΙΟμπι以下時(shí)，還可使芯片呈現(xiàn)出更為優(yōu)異的熱可靠性。并且，本案發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，當(dāng)相鄰單胞之間的距離小于Iym時(shí)，其對(duì)改善熱分布集中的影響甚微，且會(huì)使芯片的制造難度和成本進(jìn)一步提升，而當(dāng)相鄰單胞的距離大于1ym時(shí)，其對(duì)單胞間熱的相互影響的改善較之甚微(較之I μ m?10 μ m這一范圍)，但同時(shí)會(huì)使芯片有源區(qū)的有效利用面積急劇下降，并使芯片的功率下降。
[0040]為使本發(fā)明改善熱分布集中的超大功率光電器件的實(shí)質(zhì)結(jié)構(gòu)特征及有益效果更易于理解，以下結(jié)合若干較佳實(shí)施例及其附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作進(jìn)一步非限制性的詳細(xì)說(shuō)明。
[0041]實(shí)施例1參閱圖2a所示，該改善熱分布集中的超大功率光電器件包含普通正面出光LED芯片，該LED芯片由若干單胞1、負(fù)極引線3、陰極壓焊塊5、正極引線2和陽(yáng)極壓焊塊4組成，其中陰極壓焊區(qū)5與陽(yáng)極壓焊區(qū)4構(gòu)成了該光電器件的芯片總引出電極。每個(gè)單胞I經(jīng)負(fù)極引線3連接到陰極壓焊塊5，經(jīng)正極引線2連接到陽(yáng)極壓焊區(qū)4。再參閱圖2b，其中一個(gè)單胞位于襯底10的一側(cè)，由有源區(qū)區(qū)域11和負(fù)極引出區(qū)12組成，絕緣介質(zhì)層13圍裹于其外，用以防止金屬引線跨接到P區(qū)和η區(qū)；負(fù)極總引出電極藉由負(fù)極引線14的一端與陰極引出區(qū)12接觸構(gòu)成負(fù)極通路，正極通路則由正極引線15和有源區(qū)11頂部接觸再連接到正極總弓I出電極構(gòu)成。各個(gè)單胞通過(guò)芯片內(nèi)部互聯(lián)結(jié)構(gòu)與壓焊區(qū)連接。
[0042]實(shí)施例2該改善熱分布集中的超大功率光電器件，除了前述的多胞并聯(lián)方式以夕卜，還可以有另一種“并串聯(lián)”的布局形式，即先將部分單胞并聯(lián)起來(lái)，形成并聯(lián)單元組，然后再將一個(gè)或多個(gè)這樣的并聯(lián)單元組相互串聯(lián)或與其它單胞串聯(lián)。與單純的并聯(lián)結(jié)構(gòu)相tt,這種并串聯(lián)結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是:能夠減少引線所占面積，獲得更聞的發(fā)光區(qū)面積，提聞?dòng)行Ю妹娣e；另外這種并串聯(lián)結(jié)構(gòu)可以在實(shí)際應(yīng)用中有一定的實(shí)用性，如在大電壓驅(qū)動(dòng)情況下。
[0043]參閱圖3a，該改善熱分布集中的超大功率光電器件中LED芯片的每個(gè)單胞31的負(fù)極經(jīng)負(fù)極互聯(lián)金屬33連接在一起,正極經(jīng)正極互聯(lián)金屬32連接在一起構(gòu)成一個(gè)并聯(lián)組。每個(gè)并聯(lián)組的正極、負(fù)極互聯(lián)金屬分別與上一級(jí)的負(fù)極、下一級(jí)的正極互聯(lián)金屬連接，形成多個(gè)并聯(lián)組的串聯(lián)結(jié)構(gòu)。第一級(jí)并聯(lián)組的正極互聯(lián)金屬與陽(yáng)極壓焊區(qū)34連接，最后一級(jí)(第m級(jí))的負(fù)極互聯(lián)金屬與陰極壓焊區(qū)35連接，整個(gè)芯片再由陽(yáng)極、陰極壓焊區(qū)與外電路連接。圖中，N1系第一級(jí)并聯(lián)組，N2系第二級(jí)并聯(lián)組，Nffl系第m級(jí)并聯(lián)組。
[0044]在本實(shí)施例中，該改善熱分布集中的超大功率光電器件可以多種形式實(shí)現(xiàn)，例如，可參考圖3b、圖3c。
[0045]最后應(yīng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施方案僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述方案所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明裝置方案的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種改善熱分布集中的超大功率光電器件，包括光電器件芯片，所述芯片的外延層包括彼此隔離的復(fù)數(shù)個(gè)單胞，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞相互串聯(lián)或并聯(lián)，其特征在于，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞中的至少兩個(gè)單胞相互并聯(lián)形成至少一個(gè)單胞組，并且該至少一個(gè)單胞組還與該復(fù)數(shù)個(gè)單胞中其余的一個(gè)以上單胞和/或一個(gè)以上單胞組串聯(lián)，其中，每一單胞組內(nèi)的所有單胞均排布在一個(gè)矩形區(qū)域內(nèi)，所述矩形區(qū)域的相對(duì)較短邊與相對(duì)較長(zhǎng)邊的比值大于0.5，但小于或等于I。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，所述芯片包括依次串聯(lián)的復(fù)數(shù)個(gè)單胞組，每一單胞組包括兩個(gè)以上并聯(lián)設(shè)置的單胞。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞組沿設(shè)定的折返曲線形軌跡依次串聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，每一單胞組內(nèi)的每一單胞的正、負(fù)極均與該單胞組的正、負(fù)極互聯(lián)金屬電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，任一單胞組的正、負(fù)極互聯(lián)金屬還均與相鄰單胞組的負(fù)、正極互聯(lián)金屬電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，位于最上游的單胞組的正極互聯(lián)金屬和最下游的單胞組的負(fù)極互聯(lián)金屬還分別與芯片的陽(yáng)極壓焊區(qū)和陰極壓焊區(qū)電連接，或者，位于最上游的單胞組的負(fù)極互聯(lián)金屬和最下游的單胞組的正極互聯(lián)金屬還分別與芯片的陰極壓焊區(qū)和陽(yáng)極壓焊區(qū)電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，它還包含轉(zhuǎn)移基片，所述芯片通過(guò)倒裝焊形式與轉(zhuǎn)移基片結(jié)合。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3或5或7所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移基片上分布有復(fù)數(shù)個(gè)互聯(lián)金屬組，每一單胞組的正、負(fù)極互聯(lián)金屬分別與轉(zhuǎn)移基片上對(duì)應(yīng)互聯(lián)金屬組內(nèi)的正、負(fù)互聯(lián)金屬電連接，并且，每一互聯(lián)金屬組內(nèi)的正、負(fù)互聯(lián)金屬還分別與相鄰互聯(lián)金屬組內(nèi)的負(fù)極、正極互聯(lián)金屬電連接， 而位于最上游的互聯(lián)金屬組內(nèi)的正極互聯(lián)金屬和最下游的互聯(lián)金屬組內(nèi)的負(fù)極互聯(lián)金屬還分別與芯片的陽(yáng)極壓焊區(qū)和陰極壓焊區(qū)電連接，或者，位于最上游的互聯(lián)金屬組內(nèi)的負(fù)極互聯(lián)金屬和最下游的互聯(lián)金屬組內(nèi)的正極互聯(lián)金屬還分別與芯片的陰極壓焊區(qū)和陽(yáng)極壓焊區(qū)電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞中，相鄰單胞之間的間距在Iym以上，但是在10 μ m以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，該復(fù)數(shù)個(gè)單胞組排布在一個(gè)矩形區(qū)域內(nèi)，所述矩形區(qū)域的相對(duì)較短邊與相對(duì)較長(zhǎng)邊的比值大于.0.5，但小于或等于I。
【文檔編號(hào)】H01L31/0352GK104241412SQ201310237730
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月17日
【發(fā)明者】王瑋, 蔡勇, 張寶順 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所