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半導(dǎo)體裝置及其制備方法與流程

文檔序號(hào):12040740閱讀:來源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及制備方法,該半導(dǎo)體裝置包含一基材、一字元線、一絕緣材料,以及一蝕刻停止材料?;陌恢w,且該柱體包含一有源區(qū)。字元線形成于基材上。絕緣材料形成于字元線上。蝕刻停止材料形成于絕緣材料上并圍繞著柱體。蝕刻停止材料可在蝕刻工藝中保護(hù)絕緣材料,而可避免發(fā)生短路或降低裝置性能等問題。

技術(shù)研發(fā)人員:楊廣軍;羅素·班森
受保護(hù)的技術(shù)使用者:南亞科技股份有限公司
文檔號(hào)碼:201310192035
技術(shù)研發(fā)日:2013.05.22
技術(shù)公布日:2016.12.28

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