技術(shù)編號(hào)：12040740
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制備方法。背景技術(shù)存儲(chǔ)如數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的存儲(chǔ)器裝置被廣泛地使用在電子產(chǎn)品中。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(dynamicrandomaccessmemory；DRAM)是一種存儲(chǔ)器裝置，其通常包含數(shù)百萬(wàn)相同的電路單元，這些電路單元通稱為存儲(chǔ)單元(memorycells)，而該存儲(chǔ)單元可被充電至代表一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的一電壓。圖1為一現(xiàn)有DRAM存儲(chǔ)單元10的示意圖。DRAM存儲(chǔ)單元10具有一電容12及一晶體管14。電容12可存儲(chǔ)代表一位元數(shù)據(jù)的電荷。晶體管14可作為開關(guān)，其可控制電荷流進(jìn)或流...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。