技術特征：
1.形成結合的層狀結構(60)的方法，包括：提供第一結構(10)和第二結構(20)；形成包括在所述第一結構(10)和第二結構(20)中的至少一個上的過氧化鋅(30)的第一層；形成包括在所述第一結構(10)和第二結構(20)中的至少一個上的鋅金屬(40)的第二層；使所述第一結構(10)和第二結構(20)接觸，以便所述第一層接觸所述第二層，這種接觸發(fā)生在所述第一結構和第二結構之間；處理接觸的所述第一結構和第二結構，以引起所述鋅金屬(40)的氧化；和在接觸的所述第一結構和第二結構之間形成包括氧化鋅(50)的第三層。2.權利要求1所述的方法，其中處理所述接觸的層包括在100-400℃的溫度范圍內施加熱至所述接觸的層。3.權利要求1所述的方法，其中處理所述接觸的層包括施加5至80psi的范圍內的壓力。4.權利要求1所述的方法，其中所述氧化鋅由所述鋅金屬的氧化或所述過氧化鋅的熱致轉化反應形成。5.權利要求4所述的方法，其中所述氧化由所述過氧化鋅提供的氧產生。6.權利要求4所述的方法，其中所述氧化由提供至所述接觸的層的氧氣產生。7.前述權利要求中任一所述的方法，其中所述第一結構和第二結構中的至少一個包括晶片。8.結合的層狀結構(60)，包括：第一結構(10)和第二結構(20)；和包括在所述第一結構(10)和第二結構(20)之間的氧化鋅(50)的層，所述氧化鋅(50)接觸所述第一結構和第二結構兩者，其中所述氧化鋅(50)由包括在所述第一結構(10)和第二結構(20)中的至少一個上的過氧化鋅(30)的第一層與包括在所述第一結構(10)和第二結構(20)中的至少一個上的鋅金屬(40)的第二層之間的反應形成。9.權利要求8所述的結合的層狀結構，其中所述氧化鋅(50)通過將所述第一結構(10)和第二結構(20)暴露于100-400℃范圍內的溫度形成。10.權利要求9所述的結合的層狀結構，其中所述氧化鋅(50)通過施加5至80psi范圍內的壓力使所述第一結構(10)和第二結構(20)接觸形成。11.權利要求8-10中任一項所述的結合的層狀結構，其中所述第一結構(10)和第二結構(20)中的至少一個包括晶片、半導體或太陽能電池。