氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在TFT陣列基板中，通過(guò)氧化物半導(dǎo)體將TFT器件中的有源層和像素區(qū)域的像素電極同層設(shè)置，將像素電極的氧化物半導(dǎo)體處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，增加像素電極的導(dǎo)電性能，并且刻蝕阻擋層、源/漏電極層和鈍化層均暴露出像素電極，源漏電極分別和有源層電連接，漏電極還與像素電極電連接，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物TFT陣列基板，減少了像素ITO層，能夠降低氧化物TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。
【專利說(shuō)明】氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及氧化物薄膜晶體管陣列基板，具體地，涉及一種氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，如圖1所示，扭曲液晶顯示器件(TN-1XD)的氧化物薄膜晶體管(TFT)陣列基板包括TFT器件1、像素單元2和綁定區(qū)域3 ;其中，
[0003]TFT器件I包括:襯板11、柵極12、柵絕緣層13、由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的有源層14、刻蝕阻擋層15、金屬源/漏電極層16和鈍化層17，金屬源漏電極層16中包括源電極161和漏電極162，源電極161和漏電極162分別通過(guò)刻蝕阻擋層15上的過(guò)孔和有源層14電連接;
[0004]像素單元2包括襯板11、柵絕緣層13、刻蝕阻擋層15、金屬源/漏電極層16、鈍化層17和像素ITO層18，像素ITO層包括像素電極181，像素電極181通過(guò)鈍化層17上的過(guò)孔與漏電極162電連接；
[0005]綁定區(qū)域3包括:襯板11、柵極12、柵絕緣層13、刻蝕阻擋層15、鈍化層17和ITO綁定電極層182，ITO綁定電極通過(guò)過(guò)孔與柵絕緣層13、刻蝕阻擋層15和鈍化層17上的過(guò)孔與柵極12電連接。
[0006]圖1所示的TFT陣列基板在工作過(guò)程中，與柵線連接的柵極12傳導(dǎo)柵掃描信號(hào)，使有源層14形成電流通道，有源層14將來(lái)自與數(shù)據(jù)線連接的源電極161的灰階信號(hào)傳導(dǎo)至漏電極162，漏電極162將灰階信號(hào)傳導(dǎo)至像素電極18，使得像素電極18與公共電極之間形成電場(chǎng)，控制液晶分子翻轉(zhuǎn)。
[0007]但是，圖1所示TFT陣列基板在實(shí)際生產(chǎn)中，層數(shù)較多導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于TN-1XD的氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的應(yīng)用于TN-LCD的氧化物薄膜晶體管陣列基板層數(shù)較多導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高的問(wèn)題。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案如下:
[0010]一種氧化物薄膜晶體管TFT陣列基板，包括:TFT器件；所述TFT器件包括:襯底；柵極，形成在所述襯底上；柵絕緣層，形成在所述柵極和所述襯底上；有源層，形成在所述柵絕緣層上，通過(guò)氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)與像素電極同層設(shè)置，所述像素電極裸露；其中，所述像素電極的材質(zhì)為摻氫的氧化物半導(dǎo)體；刻蝕阻擋層，形成在所述有源層上；源/漏電極層，形成在所述刻蝕阻擋層上，包括源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極分別通過(guò)所述刻蝕阻擋層上的過(guò)孔與所述有源層電連接，所述漏電極與所述像素電極電連接；鈍化層，形成在所述源/漏電極層上。
[0011]一種氧化物薄膜晶體管TFT陣列基板的制作方法，包括:在襯底上形成柵極；在所述襯底和所述柵極上形成柵絕緣層，以覆蓋所述柵極；在所述柵絕緣層上通過(guò)氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)形成有源層和像素電極，將所述像素電極的氧化物半導(dǎo)體處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體；在所述有源層上形成刻蝕阻擋層，圖形化所述刻蝕阻擋層暴露出所述像素電極并得到所述刻蝕阻擋層上的過(guò)孔；在所述刻蝕阻擋層上形成源/漏電極層，圖形化所述源/漏電極層得到TFT器件的源/漏電極，并暴露出所述像素電極，所述源/漏電極分別通過(guò)所述刻蝕阻擋層上的過(guò)孔與所述有源層電連接，所述漏電極還與所述像素電極電連接；在所述源/漏電極上形成鈍化層，以覆蓋所述源/漏電極，并圖形化所述鈍化層暴露出所述像素電極。
[0012]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在TFT陣列基板中，將有源層所在層面的氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)位于像素區(qū)域中的部分進(jìn)行摻氫處理后作為像素電極，使TFT器件中的有源層和像素區(qū)域的像素電極同層設(shè)置，并且刻蝕阻擋層、源/漏電極層和鈍化層均通過(guò)圖形化工藝暴露出像素電極，源漏電極分別和有源層電連接，漏電極還與像素電極電連接，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物TFT陣列基板，減少了像素ITO層的制造工藝，能夠降低氧化物TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。
[0013]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在所寫的說(shuō)明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TN-1XD的氧化物TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的應(yīng)用于TN-LCD的氧化物TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的應(yīng)用于TN-LCD的氧化物TFT陣列基板的制作方法的工作流程圖；
[0017]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的應(yīng)用于TN-LCD的氧化物TFT陣列基板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的應(yīng)用于TN-LCD的氧化物TFT陣列基板的制作方法的
另一工作流程圖；
[0019]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的應(yīng)用于TN-LCD的氧化物TFT陣列基板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0021]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的應(yīng)用于TN-LCD的氧化物薄膜晶體管陣列基板層數(shù)較多導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于TN-LCD的氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，用以解決該問(wèn)題。
[0022]實(shí)施例一
[0023]圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的應(yīng)用于TN-1XD的氧化物TFT陣列基板，包括:TFT器件21和與TFT器件連接的像素單元的像素電極22。其中，TFT器件21包括襯底211、形成在襯底211上的柵極212、形成在柵極212和襯底211上的柵絕緣層213、形成在柵絕緣層213上的有源層214，有源層214通過(guò)氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)與像素電極22同層設(shè)置，像素電極22裸露，像素電極22的材質(zhì)為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，增加像素電極22的導(dǎo)電性；刻蝕阻擋層215，形成在有源層214上，暴露出像素電極22 ;源/漏電極層216，形成在刻蝕阻擋層215上，包括源電極2161和漏電極2162，源電極2161和漏電極2162分別通過(guò)刻蝕阻擋層215上的過(guò)孔2151與有源層214電連接，漏電極2162還與像素電極22電連接，源/漏電極層216暴露出像素電極22 ;鈍化層217，形成在源/漏電極層216上，并暴露出像素電極22。
[0024]優(yōu)選地，有源層214中與源/漏電極電連接部分的材質(zhì)為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，增加連接部分的導(dǎo)電性。
[0025]在如圖2所示的結(jié)構(gòu)中，柵極212連接?xùn)啪€、傳導(dǎo)來(lái)自柵線的掃描信號(hào)，使有源層214中形成電流通道，與有源層214相連接的源電極2161和漏電極2162之間導(dǎo)通，源電極2161將接收到的灰階信號(hào)通過(guò)有源層214傳導(dǎo)給漏電極2162，漏電極2162與像素電極22電連接、將灰階信號(hào)傳導(dǎo)給像素電極22，從而在像素電極22和公共電極之間形成電場(chǎng)，控制液晶分子翻轉(zhuǎn)，并且像素電極22的材質(zhì)為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，摻氫的氧化物半導(dǎo)體具有良好的透光性，因而圖2所示的結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)氧化物TFT陣列基板的功能。
[0026]從而，根據(jù)如圖2所示的結(jié)構(gòu)，通過(guò)氧化物半導(dǎo)體將TFT器件中的有源層214和像素區(qū)域的像素電極22同層設(shè)置，將像素電極22的氧化物半導(dǎo)體處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，增加像素電極的導(dǎo)電性能，并且刻蝕阻擋層215、源/漏電極層216和鈍化層217均暴露出像素電極22，源電極2161和漏電極2162分別和有源層214電連接，漏電極2162還與像素電極22電連接，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物TFT陣列基板，減少了像素ITO層，能夠降低氧化物TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。
[0027]基于相同的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種應(yīng)用于TN-1XD的氧化物TFT陣列基板的制作方法，如圖3所示，該方法包括:
[0028]步驟301、在襯底211上形成柵極212 ;
[0029]步驟302、在襯底211和柵極212上形成柵絕緣層213，以覆蓋柵極212和襯底211 ；
[0030]步驟303、在柵絕緣層213上通過(guò)氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)形成有源層214和像素電極22，將像素電極22的氧化物半導(dǎo)體處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體；
[0031]具體地，在柵絕緣層213上先形成氧化物半導(dǎo)體層，通過(guò)摻氫或缺氧工藝將該氧化物半導(dǎo)體層位于像素單元的部分處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，該摻氫的氧化物半導(dǎo)體部分即為像素單元的像素電極22，該氧化物半導(dǎo)體層位于TFT器件中的部分即為有源層214 ；
[0032]步驟304、在有源層214上形成刻蝕阻擋層215，圖形化刻蝕阻擋層暴露出像素電極22并得到刻蝕阻擋層215上的過(guò)孔2151 ；
[0033]步驟305、在每個(gè)與像素單元連接的TFT器件的刻蝕阻擋層上形成源/漏電極層216，圖形化源/漏電極層216得到源/漏電極2161、2162，并暴露出像素電極22，源/漏電極2161、2162分別通過(guò)刻蝕阻擋層215上的過(guò)孔2151與有源層214電連接，漏電極2162還與像素電極22電連接；
[0034]優(yōu)選地，還可以通過(guò)摻氫工藝或缺氧工藝將有源層214中與源/漏電極216電連接的部分的氧化物半導(dǎo)體處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，增強(qiáng)連接部分的導(dǎo)電性；
[0035]步驟306、在源/漏電極216上形成鈍化層217，以覆蓋源/漏電極2161、2162，并圖形化鈍化217層暴露出像素電極22。
[0036]根據(jù)如圖3所示的方法，將TFT器件中的有源層214和像素區(qū)域的像素電極22同層設(shè)置，將像素電極22的氧化物半導(dǎo)體處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，增加像素電極的導(dǎo)電性能，并且通過(guò)圖形化工藝使刻蝕阻擋層215、源/漏電極層216和鈍化層217均暴露出像素電極22，源電極2161和漏電極2162分別和有源層214電連接，漏電極2162還與像素電極22電連接，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物TFT陣列基板，減少了像素ITO層，能夠降低氧化物TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。
[0037]實(shí)施例二
[0038]實(shí)施例一中提供了氧化物TFT陣列中的TFT器件和像素單元的結(jié)構(gòu)，在實(shí)氧化物TFT陣列基板的具體生產(chǎn)過(guò)程中，TFT器件、像素單元和綁定區(qū)域都是在一個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中同時(shí)構(gòu)造出來(lái)的，圖4示出了 TFT器件21、像素單元23和綁定區(qū)域24的具體結(jié)構(gòu)，圖4所示結(jié)構(gòu)在圖3所示結(jié)構(gòu)上，綁定區(qū)域24包括:襯底211 ;形成在襯底211上的柵極212 ;形成在柵極212和襯底211上的柵絕緣層213 ;形成在柵絕緣層213上的刻蝕阻擋層215 ;形成在刻蝕阻擋層215上的電極層218，并且電極層218通過(guò)刻蝕阻擋層215和柵絕緣層213上的過(guò)孔2152與柵極212電連接作為綁定電極；形成在電極層218上的鈍化層217，并暴露出綁定電極。
[0039]通過(guò)如圖4所示的結(jié)構(gòu)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物TFT陣列基板，減少了像素ITO層，能夠降低氧化物TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。
[0040]基于相同的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種氧化物TFT陣列基板的制作方法,如圖5所示,該方法包括:
[0041]步驟501、在與由多個(gè)像素單元23組成的像素區(qū)域連接的綁定區(qū)域24上，在襯底211和柵極212上形成柵絕緣層213后，在柵絕緣層213上形成刻蝕阻擋層215，圖形化刻蝕阻擋層215和柵絕緣層213得到過(guò)孔2152 ；
[0042]步驟502、在刻蝕阻擋層215上形成電極層218，電極層218通過(guò)刻蝕阻擋層215和柵絕緣層213上的過(guò)孔2152與柵極212電連接作為綁定電極；
[0043]步驟503、在電極層218上形成鈍化層217，以覆蓋電極層218和刻蝕阻擋層215，并且圖形化鈍化層暴露出綁定電極。
[0044]在具體實(shí)現(xiàn)的過(guò)程中，圖5所示方法與圖3所示方法是同一個(gè)制造過(guò)程，相區(qū)別的是通過(guò)圖5所示的方法還進(jìn)一步得到綁定區(qū)域中的綁定電極。
[0045]通過(guò)如圖5所示的方法，也能夠減少現(xiàn)有技術(shù)中的像素ITO層，能夠降低氧化物TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。
[0046]實(shí)施例三
[0047]由于源/漏電極層216和電極層218通常采用金屬材料，在本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，如果電極層218采用金屬材料，將會(huì)導(dǎo)致綁定電極的金屬氧化問(wèn)題。針對(duì)這一問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)源/漏電極層216和電極層218做出了改進(jìn)，如圖6所示，源漏電極層216和電極層218均包括金屬電極層和保護(hù)層，保護(hù)層的材質(zhì)為氧化銦錫，因此也可以稱保護(hù)層為ITO電極層，具體地，源漏電極層216包括源/漏金屬電極層2163和保護(hù)層即源/漏ITO電極層2164，源漏ITO電極層2164形成在源/漏金屬電極層2163之上，電極層218包括金屬電極層2181和保護(hù)層即ITO電極層2182，ITO電極層2182位于金屬電極層2181之上。
[0048]通過(guò)圖6所示的結(jié)構(gòu)，ITO電極層位于金屬電極層之上，能夠避免金屬電極層暴露在空氣中，從而避免金屬電極層氧化的問(wèn)題。
[0049]基于相同的發(fā)明構(gòu)思，制造如圖6所示氧化物TFT陣列基板的過(guò)程，與圖3所示過(guò)程相區(qū)別的方法在于:在刻蝕阻擋層215上形成源/漏金屬電極層2163，在源/漏金屬電極層2163上形成源/漏ITO電極層2164，圖形化源/漏金屬電極層2163和源/漏ITO電極層2164得到源電極2161和漏電極2162 ；
[0050]制造如圖6所示氧化物TFT陣列基板的過(guò)程，與圖5所示過(guò)程相區(qū)別的方法在于:在刻蝕阻擋層215上形成金屬電極層2181，在金屬電極層2181上形成ITO電極層2182，圖形化金屬電極層2181和ITO電極層2182得到源電極和漏電極。
[0051]綜上所述，在本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板中，通過(guò)氧化物半導(dǎo)體將TFT器件中的有源層和像素區(qū)域的像素電極同層設(shè)置，將像素電極的氧化物半導(dǎo)體處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，增加像素電極的導(dǎo)電性能，并且刻蝕阻擋層、源/漏電極層和鈍化層均暴露出像素電極，源漏電極分別和有源層電連接，漏電極還與像素電極電連接，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物TFT陣列基板，減少了像素ITO層，能夠降低氧化物TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。
[0052]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種氧化物薄膜晶體管TFT陣列基板，其特征在于，包括:TFT器件；所述TFT器件包括: 襯底； 柵極，形成在所述襯底上； 柵絕緣層，形成在所述柵極和所述襯底上； 有源層，形成在所述柵絕緣層上，通過(guò)氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)與像素電極同層設(shè)置，所述像素電極裸露；其中，所述像素電極的材質(zhì)為摻氫的氧化物半導(dǎo)體； 刻蝕阻擋層，形成在所述有源層上； 源/漏電極層，形成在所述刻蝕阻擋層上，包括源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極分別通過(guò)所述刻蝕阻擋層上的過(guò)孔與所述有源層電連接，所述漏電極與所述像素電極電連接； 鈍化層，形成在所述源/漏電極層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物TFT陣列基板，其特征在于，所述源/漏電極層包括: 源/漏金屬電極層和保護(hù)層，所述源/漏金屬電極層形成在所述刻蝕阻擋層上，所述保護(hù)層形成在所述源/漏金屬電極層上，所述保護(hù)層的材質(zhì)為氧化銦錫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化物TFT陣列基板，其特征在于，所述有源層中與所述源/漏電極電連接部分的材質(zhì)為摻氫的氧化物半導(dǎo)體。
4 .根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化物TFT陣列基板，其特征在于，還包括與由多個(gè)像素單元組成的像素區(qū)域連接的綁定區(qū)域，所述綁定區(qū)域包括: 所述襯底； 柵極，形成在所述襯底上； 所述柵絕緣層，形成在所述柵極和所述襯底上； 所述刻蝕阻擋層，形成在所述柵絕緣層上； 電極層，形成在所述刻蝕阻擋層上，并且通過(guò)所述刻蝕阻擋層和所述柵絕緣層上的過(guò)孔與所述柵極電連接作為綁定電極； 所述鈍化層，形成在所述電極層上，并暴露出所述綁定電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氧化物TFT陣列基板，其特征在于，所述綁定區(qū)域中的電極層包括: 金屬電極層和保護(hù)層，所述金屬電極層形成在所述刻蝕阻擋層上，所述保護(hù)層形成在所述金屬電極層上，所述保護(hù)層的材質(zhì)為氧化銦錫。
6.一種氧化物薄膜晶體管TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底上形成柵極； 在所述襯底和所述柵極上形成柵絕緣層，以覆蓋所述柵極和所述襯底； 在所述柵絕緣層上通過(guò)氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)形成有源層和像素電極，將所述像素電極的氧化物半導(dǎo)體處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體； 在所述有源層上形成刻蝕阻擋層，圖形化所述刻蝕阻擋層暴露出所述像素電極并得到所述刻蝕阻擋層上的過(guò)孔； 在所述刻蝕阻擋層上形成源/漏電極層，圖形化所述源/漏電極層得到TFT器件的源/漏電極，并暴露出所述像素電極，所述源/漏電極分別通過(guò)所述刻蝕阻擋層上的過(guò)孔與所述有源層電連接，所述漏電極還與所述像素電極電連接； 在所述源/漏電極上形成鈍化層，以覆蓋所述源/漏電極，并圖形化所述鈍化層暴露出所述像素電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述源/漏電極層包括:源/漏金屬電極層和保護(hù)層；則， 圖形化所述源/漏電極層得到源/漏電極，具體包括:在所述刻蝕阻擋層上形成所述源/漏金屬電極層，在所述源/漏金屬電極層上形成所述保護(hù)層，圖形化所述源/漏金屬電極層和所述保護(hù)層得到所述源電極和所述漏電極，其中，所述保護(hù)層的材質(zhì)為氧化銦錫。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，通過(guò)摻氫工藝或缺氧工藝將所述有源層中與所述源/漏電極電連接的氧化物半導(dǎo)體部分處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在與由多個(gè)像素單元組成的像素區(qū)域連接的綁定區(qū)域上，在所述襯底和所述柵極上形成所述柵絕緣層后，在所述柵絕緣層上形成所述刻蝕阻擋層，圖形化所述刻蝕阻擋層和所述柵絕緣層得到過(guò)孔； 在所述刻蝕阻擋層上形成電極層，所述電極層通過(guò)所述刻蝕阻擋層和所述柵絕緣層上的過(guò)孔與所述柵極電連接作為綁定電極； 在所述電極層上形成所述鈍化層，以覆蓋所述電極層和所述刻蝕阻擋層，并且圖形化所述鈍化層暴露出所述綁定電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述綁定區(qū)域中的電極層包括:金屬電極層和保護(hù)層；則， 圖形化所述電極層得到電極，具體包括:在所述刻蝕阻擋層上形成所述金屬電極層，在所述金屬電極層上形成所述保護(hù)層，所述保護(hù)層的材質(zhì)為氧化銦錫。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103928530SQ201310170052
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月9日
【發(fā)明者】樓均輝, 霍思濤, 姜文鑫 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司