技術(shù)編號(hào)：7258000
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例公開了一種，本發(fā)明實(shí)施例通過在TFT陣列基板中，通過氧化物半導(dǎo)體將TFT器件中的有源層和像素區(qū)域的像素電極同層設(shè)置，將像素電極的氧化物半導(dǎo)體處理為摻氫的氧化物半導(dǎo)體，增加像素電極的導(dǎo)電性能，并且刻蝕阻擋層、源/漏電極層和鈍化層均暴露出像素電極，源漏電極分別和有源層電連接，漏電極還與像素電極電連接，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的氧化物TFT陣列基板，減少了像素ITO層，能夠降低氧化物TFT陣列基板的生產(chǎn)成本。專利說明[0001]本發(fā)明涉及氧化物薄膜晶體管陣列...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。