有機電致發(fā)光器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的基板、陽極層、有機發(fā)光功能層、陰極層及封裝蓋，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層及第二無機阻擋層。上述有機電致發(fā)光器件采用有機阻擋層與無機阻擋層交替設(shè)置形成在陰極層上具有防水防氧功能的封裝蓋，其中，有機阻擋層包括第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第三有機阻擋層及第四有機阻擋層，無機阻擋層包括第一無機阻擋層和第二無機阻擋層，多層交替設(shè)置，致密性高，防水氧能力強，水蒸氣透過率低，整個器件的壽命大大延長。此外，本發(fā)明還涉及一種有機電致發(fā)光器件的制作方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制作方 法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（0LED)是基于有機材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典 型結(jié)構(gòu)是在ΙΤ0玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層 低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。0LED具有主動發(fā)光、 發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明 和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術(shù)，0LED技 術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。然而傳統(tǒng)的0LED普遍存在密封性能不 良、防水防氧效果較差，從而壽命較短的問題，限制了其廣泛應(yīng)用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 基于此，有必要提供一種防水防氧效果優(yōu)良的有機電致發(fā)光器件及其制作方法。
[0004] 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的基板、陽極層、有機發(fā)光功能層及陰 極層，所述有機電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述陽極層、所述有機發(fā)光功能 層及所述陰極層封裝在所述基板上，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、形成于所述第一有 機阻擋層表面的第二有機阻擋層、形成于所述第二有機阻擋層表面的第一無機阻擋層、形 成于所述第一無機阻擋層表面的第三有機阻擋層、形成于所述第三有機阻擋層表面的第四 有機阻擋層以及形成于所述第四有機阻擋層表面的第二無機阻擋層；
[0005] 其中，所述第一有機阻擋層及所述第三有機阻擋層的材料為1，1_二 ((4-N，N，-二(對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、4， 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯；
[0006] 所述第二有機阻擋層及所述第四有機阻擋層的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、 8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔 丁基苯-1,2, 4-三唑；
[0007] 所述第一無機阻擋層的材料為AlAg、CoFe、AlCr、AuGe、NiTi或AuZn ;
[0008] 所述第二無機阻擋層的材料為氮化硅（Si3N4)、氮化鋁（AIN)、氮化硼（BN)、氮化鉿 (HfN)、氮化鉭（TaN)或氮化鈦（TiN)。
[0009] 在其中一個實施例中，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4個，多個封裝蓋層疊設(shè)置。
[0010] 在其中一個實施例中，所述第一有機阻擋層與所述第二有機阻擋層的材料不同， 所述第一有機阻擋層與所述第三有機阻擋層的材料相同，所述第二有機阻擋層的材料與所 述第四有機阻擋層的材料相同。 toon] 在其中一個實施例中，所述第一有機阻擋層及所述第三有機阻擋層的厚度相同， 為 200 ?300nm。
[0012] 在其中一個實施例中，所述第二有機阻擋層及所述第四有機阻擋層的厚度相同， 為 200 ?300nm。
[0013] 在其中一個實施例中，所述第一無機阻擋層的厚度為50?100nm。
[0014] 在其中一個實施例中，所述第二無機阻擋層的厚度為50?100nm。
[0015] 在其中一個實施例中，所述有機發(fā)光功能層包括在所述陽極層上依次層疊設(shè)置的 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層。
[0016] 在其中一個實施例中，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰按照30%的摻雜質(zhì)量 百分比摻雜在Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺中形成的混合 材料；所述空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺；所述發(fā)光層的材料為 三（2-苯基吡啶）合銥按照5%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪 唑-2-基）苯中形成的混合材料；所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉；所 述電子注入層的材料為氮化銫按照30%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在4, 7-二苯基-1，10-菲羅 啉中形成的混合材料。
[0017] 上述有機電致發(fā)光器件采用有機阻擋層與無機阻擋層交替設(shè)置形成在陰極層上 具有防水防氧功能的封裝蓋，其中，有機阻擋層包括第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第 三有機阻擋層及第四有機阻擋層，無機阻擋層包括第一無機阻擋層和第二無機阻擋層，多 層阻擋層交替設(shè)置，致密性高，防水氧能力強，水蒸氣透過率(WVTR)達到l(T 4gAm2*天），整 個器件的壽命大大延長。
[0018] 一種有機電致發(fā)光器件的制作方法，包括如下步驟：
[0019] 在潔凈的導(dǎo)電基板表面刻蝕制備有機電致發(fā)光器件的陽極圖形；
[0020] 采用真空蒸鍍的方式在所述導(dǎo)電基板的陽極圖形表面依次蒸發(fā)鍍制有機發(fā)光功 能層和陰極層；
[0021] 采用真空蒸鍍的方式蒸發(fā)鍍制第一有機阻擋層并使所述第一有機阻擋層將所述 陽極圖形、所述有機發(fā)光功能層及所述陰極層封裝與所述導(dǎo)電基板上，然后采用真空蒸鍍 的方式在所述第一有機阻擋層表面鍍制第二有機阻擋層；
[0022] 采用磁控濺射的方式在所述第二有機阻擋層表面濺射制備第一無機阻擋層；
[0023] 采用真空蒸鍍的方式在所述第一無機阻擋層表面蒸發(fā)鍍制第三有機阻擋層，并在 所述第三有機阻擋層表面鍍制第四有機阻擋層；
[0024] 采用磁控濺射的方式在所述第四有機阻擋層表面濺射制備第二無機阻擋層；
[0025] 其中，所述第一有機阻擋層及所述第三有機阻擋層的材料為1，1_二 ((4-N，N，-二(對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、4， 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯；
[0026] 所述第二有機阻擋層及所述第四有機阻擋層的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、 8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔 丁基苯-1,2, 4-三唑；
[0027] 所述第一無機阻擋層的材料為AlAg、CoFe、AlCr、AuGe、NiTi或AuZn ;
[0028] 所述第二無機阻擋層的材料為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN。
[0029] 上述有機電致發(fā)光器件的制作方法，工藝簡單，易大面積制備，可廣泛推廣應(yīng)用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030] 圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0031] 下面主要結(jié)合附圖及具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制作方法作進一步詳 細(xì)的說明。
[0032] 如圖1所不，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊設(shè)置的基板110、 陽極層120、有機發(fā)光功能層130、陰極層140以及將陽極層120、有機發(fā)光功能層130及陰 極層140封裝于基板110上的封裝蓋150。
[0033] 基板110為玻璃基板或有機物薄膜。陽極層120的材料為銦錫氧化物（ΙΤ0)，厚度 為100nm。在本實施方式中，基板110與陽極層120為一體結(jié)構(gòu)的ΙΤ0玻璃基板或?qū)щ娪袡C 物薄膜。
[0034] 有機發(fā)光功能層130包括在陽極層120上依次層疊設(shè)置的空穴注入層131、空穴 傳輸層132、發(fā)光層133、電子傳輸層134及電子注入層135。其中，空穴注入層131的材 料為三氧化鑰（M〇0 3)按照30%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）-1，1 ' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（ΝΡΒ )中形成的混合材料（即其中Μ〇03與ΝΡΒ的質(zhì)量比為 30:100)，厚度為10nm。空穴傳輸層132的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)， 厚度為30nm。發(fā)光層133的材料為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy) 3)按照5%的摻雜質(zhì)量 百分比摻雜在1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)中形成的混合材料（即 其中11'(-- 7)3與了?8丨的質(zhì)量比為5:100)，厚度為2011111。電子傳輸層134的材料為4,7-二 苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，厚度為10nm。電子注入層135的材料為氮化銫（CsN 3)按照 30%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中形成的混合材料(其中，CsN3與 8?1^11的質(zhì)量比為30:100)，厚度為2011111。
[0035] 可以理解，在其他實施方式中，有機發(fā)光功能層的結(jié)構(gòu)不限于本實施方式所述，如 有機發(fā)光功能層還可以為包括發(fā)光層以及在發(fā)光層兩側(cè)設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、 電子傳輸層、電子注入層中的至少一種，或者有機發(fā)光功能層只包括有發(fā)光層。
[0036] 陰極層140的材料為鋁、銀、鉬等導(dǎo)電性良好的金屬或者金屬合金。陰極層140的 厚度為l〇〇nm。
[0037] 封裝蓋150包括第一有機阻擋層151、形成于第一有機阻擋層151表面的第二有機 阻擋層152、形成于第二有機阻擋層152表面的第一無機阻擋層153、形成于第一無機阻擋 層153表面的第三有機阻擋層154、形成于第三有機阻擋層154表面的第四有機阻擋層155 及形成于第四有機阻擋層155表面的第二無機阻擋層156。
[0038] 在本實施方式中，封裝蓋150的數(shù)量為1?4個，優(yōu)選為2?4個，多個封裝蓋150 層疊設(shè)置。
[0039] 第一有機阻擋層151及第三有機阻擋層154的材料為1，1-二（（4-Ν，Ν'-二(對 甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷（TAPC)、N，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺（ΝΡΒ)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'，4''_三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺 (111-]\〇1^了4)、4,7-二苯基一1，10-鄰菲羅啉（80?)或1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪 唑-2-基）苯（TPBi)。第一有機阻擋層151及第三有機阻擋層154的厚度為200?300nm。 優(yōu)選的，第一有機阻擋層151及第三有機阻擋層154的材料和厚度相同。
[0040] 第二有機阻擋層152及第四有機阻擋層155的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉 (Bphen)、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（BCP)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪 唑-2-基）苯（TPBi)、8_羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）_ (4-苯基苯酚）鋁（BAlq)或 3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑（TAZ)。第二有機阻擋層152及第四有 機阻擋層155的厚度為200?300nm。優(yōu)選的，第二有機阻擋層152及第四有機阻擋層155 的材料及厚度相同。
[0041] 進一步，在本實施方式中第一有機阻擋層151與第二有機阻擋層152的材料不同， 如第一有機阻擋層151與第二有機阻擋層152的材料不會同時為BCP等。
[0042] 第一無機阻擋層153的材料為AlAg、CoFe、AlCr、AuGe、NiTi或AuZn。第一無機阻 擋層153的厚度為50?100nm。
[0043] 第二無機阻擋層156的材料為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN。第二無機阻擋層 156的厚度為50?100nm。
[0044] 上述有機電致發(fā)光器100件采用有機阻擋層與無機阻擋層交替設(shè)置形成在陰極 層上具有防水防氧功能的封裝蓋150,其中，有機阻擋層包括第一有機阻擋層151、第二有 機阻擋層152、第三有機阻擋層154及第四有機阻擋層155,無機阻擋層包括第一無機阻 擋層153和第二無機阻擋層156,多層交替設(shè)置，致密性高，防水氧能力強，水蒸氣透過率 (WVTR)達到10_ 4gAm2*天），整個器件的壽命大大延長。
[0045] 本實施方式還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制作方法，包括如下步驟：
[0046] 步驟一：在潔凈的導(dǎo)電基板表面刻蝕制備有機電致發(fā)光器件的陽極圖形。
[0047] 在本實施方式中，在刻蝕制備陽極圖形之前，還包括對潔凈的導(dǎo)電基板進行表面 活化處理，以增加表面的ΙΤ0層的含氧量，提高ΙΤ0層的功函數(shù)的步驟。
[0048] 步驟二：采用真空蒸鍍的方式在導(dǎo)電基板的陽極圖形表面依次蒸發(fā)鍍制有機發(fā)光 功能層和陰極層。
[0049] 本實施方式制備的有機發(fā)光功能層及陰極層如上所述。
[0050] 步驟三：采用真空蒸鍍的方式蒸發(fā)鍍制第一有機阻擋層并使所述第一有機阻擋層 將所述陽極圖形、所述有機發(fā)光功能層及所述陰極層封裝與所述導(dǎo)電基板上，然后采用真 空蒸鍍的方式在所述第一有機阻擋層表面鍍制第二有機阻擋層。
[0051] 步驟四：采用磁控濺射的方式在第二有機阻擋層表面濺射制備第一無機阻擋層。
[0052] 步驟五：采用真空蒸鍍的方式在所述第一無機阻擋層表面蒸發(fā)鍍制第三有機阻擋 層，并在所述第三有機阻擋層表面鍍制第四有機阻擋層。
[0053] 步驟六：采用磁控濺射的方式在所述第四有機阻擋層表面濺射制備第二無機阻擋 層。
[0054] 第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機 阻擋層及第二無機阻擋層構(gòu)成封裝陽極圖形、有機發(fā)光功能層及陰極層的封裝蓋。
[0055] 當(dāng)需要制備多個封裝蓋時，只需要重復(fù)上面步驟三至步驟六即可。
[0056] 上述有機電致發(fā)光器件的制作方法，工藝簡單，易大面積制備，可廣泛推廣應(yīng)用。
[0057] 以下為具體實施例部分：
[0058] 實施例1
[0059] 本實施例的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%) /TCTA/ Ir (ppy) 3： TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (TAPC/Bphen/AlAg/TAPC/Bphen/ Si3N4) 4，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩 種材料的質(zhì)量比數(shù)值，"（了八?(：/^)1^11/^148八4?(：/^)1^11/51 3隊）4"表示有4層結(jié)構(gòu)為了4?(：/ Bphen/AlAg/TAPC/Bphen/Si3N4 的封裝蓋。
[0060] 該有機電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0061] a)IT0玻璃基板前處理：將表面刻蝕有陽極圖形的ΙΤ0玻璃基板依次經(jīng)丙酮清洗、 乙醇清洗、去離子水清洗和乙醇清洗，清洗過程均用超聲波清洗機進行，單項清洗時間為5 分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤干；對洗凈后的ΙΤ0玻璃進行表面活化處理，以增加 ΙΤ0層的 含氧量，提高ΙΤ0層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板上ΙΤ0層厚度為100nm。
[0062] b)有機發(fā)光功能層的制備：
[0063] 空穴注入層：采用真空蒸鍍的方式，將M〇03摻雜入NPB中，在ITO玻璃基板表面制 備厚度l〇nm的空穴注入層，其中，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇.丨A/s，M〇03與NPB的質(zhì)量比 為 30:100 ;
[0064] 空穴傳輸層：采用真空蒸鍍的方式，在空穴注入層表面蒸鍍TCTA作為空穴傳輸 層，其中，真空度1 X l〇_5Pa，蒸發(fā)速度〇. 1 Α/s,蒸發(fā)厚度30nm ;
[0065] 發(fā)光層：主體材料采用TPBi，客體材料采用Ir (ppy) 3，采用真空蒸鍍的方式，將客 體材料摻雜入主體材料中，摻雜濃度5wt%，在空穴傳輸層表面制備厚度為20nm的發(fā)光層， 其中，真空度lXl(T 5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;
[0066] 電子傳輸層：采用真空蒸鍍的方式，在發(fā)光層的表面蒸鍍一層Bphen作為電子傳 輸層，其中，真空度lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S,蒸發(fā)厚度l〇nm ;
[0067] 電子注入層：采用真空蒸鍍的方式，將CsN3摻雜入Bphen中，摻雜濃度30wt%， 在電子傳輸層上制備一層厚度為20nm的電子注入層，其中，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 0_ 2A/s。
[0068] c)陰極層：采用真空蒸鍍的方式，在電子注入層表面蒸鍍制備一層厚度為lOOnm 的A1層作為陰極層，其中，真空度lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0069] d)第一有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為200nm 的TAPC層作為第一有機阻擋層，并使第一有機阻擋層將陽極圖形、有機發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S。
[0070] e)第二有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機阻擋層表面制備一層厚度 為200nm的Bphen層作為第二有機阻擋層，其中，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇.5A/S。
[0071] f)第一無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機阻擋層表面濺射制備一層 厚度為80nm的AlAg作為第一無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度1 X l(T5Pa。
[0072] g)第三有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機阻擋層表面再制備一層厚 度為200nm的TAPC層作為第一有機阻擋層，其中，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇.5人/s。
[0073] h)第四有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機阻擋層表面 制備一層厚度為200nm的Bphen層作為第二有機阻擋層，其中，真空度lXl(T 5Pa，蒸發(fā)速度 0.5A/s〇
[0074] i)第二無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機阻擋層 表面制備一層厚度為70nm的Si 3N4作為第二無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T5Pa。
[0075] 再重復(fù)步驟d)?i) 3次。
[0076] 實施例2
[0077] 本實施例的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%) /TCTA/ Ir(ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3: Bphen (30wt%)/Al/ (NPB/BCP/CoFe/NPB/BCP/AlN)3, 其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩種材料的 質(zhì)量比數(shù)值，"（NPB/BCP/CoFe/NPB/BCP/AIN)/'表示有 3 層結(jié)構(gòu)為 NPB/BCP/CoFe/NPB/BCP/ A1N的封裝蓋。
[0078] 該有機電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0079] 步驟a)、b)、c)同實施例1。
[0080] d)第一有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為300nm 的NPB層作為第一有機阻擋層，并使第一有機阻擋層將陽極圖形、有機發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1X l(T4Pa，蒸發(fā)速度5A/s。
[0081] e)第二有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機阻擋層表面制備一層厚度 為300nm的BCP層作為第二有機阻擋層，其中，真空度lXl(T 4Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0082] f)第一無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機阻擋層表面濺射制備一層 厚度為l〇〇nm的CoFe作為第一無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度IX 10_4Pa。
[0083] g)第三有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機阻擋層表面再制備一層厚 度為300nm的NPB層作為第一有機阻擋層，其中，真空度lX10_ 4Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0084] h)第四有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機阻擋層表 面制備一層厚度為300nm的BCP層作為第二有機阻擋層，其中，真空度lXl(T4Pa，蒸發(fā)速度 5A/S。
[0085] i)第二無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機阻擋層 表面制備一層厚度為60nm的A1N作為第二無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T4Pa。
[0086] 再重復(fù)步驟d)?i) 2次。
[0087] 實施例3
[0088] 本實施例的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%) /TCTA/ Ir(ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (Alq3/TPBi/AlCr/Alq3/TPBi/BN) 3，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩種材料的 質(zhì)量比數(shù)值，"（Alq 3/TPBi/AlCr/Alq3/TPBi/BN)3"表示有 3 層結(jié)構(gòu)為 Alq3/TPBi/AlCr/Alq3/ TPBi/BN的封裝蓋。
[0089] 該有機電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0090] 步驟a)、b)、c)同實施例1。
[0091] d)第一有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為250nm 的Alq3層作為第一有機阻擋層，并使第一有機阻擋層將陽極圖形、有機發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度1A/S。
[0092] e)第二有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機阻擋層表面制備一層厚度 為250nm的TPBi層作為第二有機阻擋層，其中，真空度lXl(T 4Pa，蒸發(fā)速度lA/s。
[0093] f)第一無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機阻擋層表面濺射制備一層 厚度為50nm的AlCr作為第一無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度1 X 10_4Pa。
[0094] g)第三有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機阻擋層表面再制備一層厚 度為250nm的Alq3層作為第一有機阻擋層，其中，真空度lXl(T 4Pa，蒸發(fā)速度lA/s。
[0095] h)第四有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機阻擋層表面 制備一層厚度為250nm的TPBi層作為第二有機阻擋層，其中，真空度IX l(T4Pa，蒸發(fā)速度 1 A/s "
[0096] i)第二無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機阻擋層 表面制備一層厚度為l〇〇nm的BN作為第二無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T4Pa。
[0097] 再重復(fù)步驟d)?i) 2次。
[0098] 實施例4
[0099] 本實施例的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%) /TCTA/ Ir(ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (m-MTDATA/Alq3/AuGe/m-MTDATA/ Alq3/HfN)2，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的 兩種材料的質(zhì)量比數(shù)值，"(m-MTDATA/Alq 3/AuGe/m-MTDATA/Alq3/HfN)2"表示有2層結(jié)構(gòu)為 m-MTDATA/Alq3/AuGe/m_MTDATA/Alq3/HfN 的封裝蓋。
[0100] 該有機電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0101] 步驟a)、b)、c)同實施例1。
[0102] d)第一有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為220nm 的m-MTDATA層作為第一有機阻擋層，并使第一有機阻擋層將陽極圖形、有機發(fā)光功能層及 陰極層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0103] e)第二有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機阻擋層表面制備一層厚度 為240nm的Alq 3層作為第二有機阻擋層，其中，真空度lXl(T4Pa，蒸發(fā)速度3A/S。
[0104] f)第一無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機阻擋層表面濺射制備一層 厚度為60nm的AuGe作為第一無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度1 X 10_4Pa。
[0105] g)第三有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機阻擋層表面再制備一層厚 度為220nm的m-MTDATA層作為第一有機阻擋層，其中，真空度lXl(T 4Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0106] h)第四有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機阻擋層表面 制備一層厚度為240nm的A1&層作為第二有機阻擋層，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度 3A/s〇
[0107] i)第二無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機阻擋層 表面制備一層厚度為50nm的HfN作為第二無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T4Pa。
[0108] 再重復(fù)步驟d)?i) 1次。
[0109] 實施例5
[0110] 本實施例的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%)/TCTA/ Ir(ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (BCP/BAlq/NiTi/BCP/BAlq/TaN) 2，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩種材料的 質(zhì)量比數(shù)值，"（BCP/BAlq/NiTi/BCP/BAlq/TaN) 2" 表示有 2 層結(jié)構(gòu)為 BCP/BAlq/NiTi/BCP/ BAlq/TaN的封裝蓋。
[0111] 該有機電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0112] 步驟a)、b)、c)同實施例1。
[0113] d)第一有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為260nm 的BCP層作為第一有機阻擋層，并使第一有機阻擋層將陽極圖形、有機發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0114] e)第二有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機阻擋層表面制備一層厚度 為200nm的BAlq層作為第二有機阻擋層，其中，真空度lXl(T 4Pa，蒸發(fā)速度4A/S。
[0115] f)第一無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機阻擋層表面濺射制備一層 厚度為70nm的NiTi作為第一無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度IX l(T4Pa。
[0116] g)第三有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機阻擋層表面再制備一層厚 度為260nm的BCP層作為第一有機阻擋層，其中，真空度lX10_ 4Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0117] h)第四有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機阻擋層表面 制備一層厚度為200nm的BAlq層作為第二有機阻擋層，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度 4A/s〇
[0118] i)第二無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機阻擋層 表面制備一層厚度為80nm的TaN作為第二無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T4Pa。
[0119] 再重復(fù)步驟d)?i) 1次。
[0120] 實施例6
[0121] 本實施例的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%)/TCTA/ Ir(ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (TPBi/TAZ/AuZn/TPBi/TAZ/TiN) 2，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩種材料的 質(zhì)量比數(shù)值，"（TPBi/TAZ/AuZn/TPBi/TAZ/TiN) 2"表示有 2 層結(jié)構(gòu)為 TPBi/TAZ/AuZn/TPBi/ TAZ/TiN的封裝蓋。
[0122] 該有機電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0123] 步驟a)、b)、c)同實施例1。
[0124] d)第一有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為200nm 的TPBi層作為第一有機阻擋層，并使第一有機阻擋層將陽極圖形、有機發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度1A/S。
[0125] e)第二有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機阻擋層表面制備一層厚度 為220nm的TAZ層作為第二有機阻擋層，其中，真空度lXl(T 3Pa，蒸發(fā)速度lA/s。
[0126] f)第一無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機阻擋層表面濺射制備一層 厚度為65nm的AuZn作為第一無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度1 X 10_3Pa。
[0127] g)第三有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機阻擋層表面再制備一層厚 度為200nm的TPBi層作為第一有機阻擋層，其中，真空度lXl(T 3Pa，蒸發(fā)速度lA/s。
[0128] h)第四有機阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機阻擋層表 面制備一層厚度為220nm的TAZ層作為第二有機阻擋層，其中，真空度lXl(T 3Pa，蒸發(fā)速度 1 A/s〇
[0129] i)第二無機阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機阻擋層 表面制備一層厚度為50nm的TiN作為第二無機阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T3Pa。
[0130] 再重復(fù)步驟d)?i) 1次。
[0131] 表1為上述各實施例的防水氧性能和發(fā)光壽命檢測數(shù)據(jù)：
[0132] 表 1
[0133] |實施例1丨實施例2 |實施例3 |實施例4 |實施例5 |實施例6 WVTR(g/nr/day) IrKT4 1.5^10^4 3.8* 10'4 4.P10'4 4.6*10廠 壽命（小時） / 二L乂2、 6717 6682 6650 6628 6610 6593 (T70@,1000cd/m ) ______
[0134] 由表1數(shù)據(jù)可以看出采用本實施方式結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件防水的能力強，器 件壽命較長。
[0135] 以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保 護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的基板、陽極層、有機發(fā)光功能層及陰極 層，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述陽極層、所述有 機發(fā)光功能層及所述陰極層封裝在所述基板上，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、形成于 所述第一有機阻擋層表面的第二有機阻擋層、形成于所述第二有機阻擋層表面的第一無機 阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第三有機阻擋層、形成于所述第三有機阻擋層 表面的第四有機阻擋層以及形成于所述第四有機阻擋層表面的第二無機阻擋層； 其中，所述第一有機阻擋層及所述第三有機阻擋層的材料為1，1-二（（4-Ν，Ν'-二(對 甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、 8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7 -二苯基一 1， 10 -鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯； 所述第二有機阻擋層及所述第四有機阻擋層的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二 甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基 喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基 苯-1,2, 4-三唑； 所述第一無機阻擋層的材料為41八8、(：(^6、41(>、41^6、附11或411211; 所述第二無機阻擋層的材料為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4 個，多個封裝蓋層疊設(shè)置。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層與所述 第二有機阻擋層的材料不同，所述第一有機阻擋層與所述第三有機阻擋層的材料相同，所 述第二有機阻擋層的材料與所述第四有機阻擋層的材料相同。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層及所述 第三有機阻擋層的厚度相同，為200?300nm。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二有機阻擋層及所述 第四有機阻擋層的厚度相同，為200?300nm。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機阻擋層的厚度 為 50 ?100nm。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二無機阻擋層的厚度 為 50 ?100nm。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機發(fā)光功能層包括在 所述陽極層上依次層疊設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入 層。
9. 如權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三 氧化鑰按照30%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺中形成的混合材料；所述空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基） 三苯胺；所述發(fā)光層的材料為三（2-苯基吡啶）合銥按照5%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在 1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯中形成的混合材料；所述電子傳輸層的材料 為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉；所述電子注入層的材料為氮化銫按照30%的摻雜質(zhì)量百分 比摻雜在4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中形成的混合材料。
10. -種有機電致發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 在潔凈的導(dǎo)電基板表面刻蝕制備有機電致發(fā)光器件的陽極圖形； 采用真空蒸鍍的方式在所述導(dǎo)電基板的陽極圖形表面依次蒸發(fā)鍍制有機發(fā)光功能層 和陰極層； 采用真空蒸鍍的方式蒸發(fā)鍍制第一有機阻擋層并使所述第一有機阻擋層將所述陽極 圖形、所述有機發(fā)光功能層及所述陰極層封裝與所述導(dǎo)電基板上，然后采用真空蒸鍍的方 式在所述第一有機阻擋層表面鍍制第二有機阻擋層； 采用磁控濺射的方式在所述第二有機阻擋層表面濺射制備第一無機阻擋層； 采用真空蒸鍍的方式在所述第一無機阻擋層表面蒸發(fā)鍍制第三有機阻擋層，并在所述 第三有機阻擋層表面鍍制第四有機阻擋層； 采用磁控濺射的方式在所述第四有機阻擋層表面濺射制備第二無機阻擋層； 其中，所述第一有機阻擋層及所述第三有機阻擋層的材料為1，1-二（（4-N，N'-二(對 甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、 8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7 -二苯基一 1， 10 -鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯； 所述第二有機阻擋層及所述第四有機阻擋層的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二 甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基 喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基 苯-1,2, 4-三唑； 所述第一無機阻擋層的材料為41八8、(：(^6、41(>、41^6、附11或411211; 所述第二無機阻擋層的材料為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN。
【文檔編號】H01L51/54GK104103764SQ201310121681
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月9日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張娟娟 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司