有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的基板、陽極層、有機(jī)發(fā)光功能層、陰極層及封裝蓋，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層及第二無機(jī)阻擋層。上述有機(jī)電致發(fā)光器件采用有機(jī)阻擋層與無機(jī)阻擋層交替設(shè)置形成在陰極層上具有防水防氧功能的封裝蓋，其中，有機(jī)阻擋層包括第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第三有機(jī)阻擋層及第四有機(jī)阻擋層，無機(jī)阻擋層包括第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層，多層交替設(shè)置，致密性高，防水氧能力強(qiáng)，水蒸氣透過率低，整個(gè)器件的壽命大大延長(zhǎng)。此外，本發(fā)明還涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方 法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典 型結(jié)構(gòu)是在ΙΤ0玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層 低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。0LED具有主動(dòng)發(fā)光、 發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明 和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，0LED技 術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。然而傳統(tǒng)的0LED普遍存在密封性能不 良、防水防氧效果較差，從而壽命較短的問題，限制了其廣泛應(yīng)用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 基于此，有必要提供一種防水防氧效果優(yōu)良的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法。
[0004] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的基板、陽極層、有機(jī)發(fā)光功能層及陰 極層，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述陽極層、所述有機(jī)發(fā)光功能 層及所述陰極層封裝在所述基板上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有 機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層、形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第一無機(jī)阻擋層、形 成于所述第一無機(jī)阻擋層表面的第三有機(jī)阻擋層、形成于所述第三有機(jī)阻擋層表面的第四 有機(jī)阻擋層以及形成于所述第四有機(jī)阻擋層表面的第二無機(jī)阻擋層；
[0005] 其中，所述第一有機(jī)阻擋層及所述第三有機(jī)阻擋層的材料為1，1_二 ((4-N，N，-二(對(duì)甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、4， 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯；
[0006] 所述第二有機(jī)阻擋層及所述第四有機(jī)阻擋層的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、 8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔 丁基苯-1,2, 4-三唑；
[0007] 所述第一無機(jī)阻擋層的材料為碲化銻（Sb2Te3)、碲化鉍（Bi2Te)、碲化鎘（CdTe)、 碲化銦（In2Te3)、碲化錫（SnTe)或碲化鉛（PbTe);
[0008] 所述第二無機(jī)阻擋層的材料為硒化銻（Sb2Se3)、硒化鑰（MoSe 2)、硒化鉍（Bi2Se3)、 硒化銀（NbSe2)、硒化鉭（TaSe 2)或硒化亞銅（Cu2Se)。
[0009] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4個(gè)，多個(gè)封裝蓋層疊設(shè)置。
[0010] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一有機(jī)阻擋層與所述第二有機(jī)阻擋層的材料不同， 所述第一有機(jī)阻擋層與所述第三有機(jī)阻擋層的材料相同，所述第二有機(jī)阻擋層的材料與所 述第四有機(jī)阻擋層的材料相同。
[0011] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一有機(jī)阻擋層及所述第三有機(jī)阻擋層的厚度相同， 為 200 ?300nm。
[0012] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二有機(jī)阻擋層及所述第四有機(jī)阻擋層的厚度相同， 為 200 ?300nm。
[0013] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一無機(jī)阻擋層的厚度為50?100nm。
[0014] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二無機(jī)阻擋層的厚度為50?100nm。
[0015] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括在所述陽極層上依次層疊設(shè)置的 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層。
[0016] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰按照30%的摻雜質(zhì)量 百分比摻雜在Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺中形成的混合 材料；所述空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺；所述發(fā)光層的材料為 三（2-苯基吡啶）合銥按照5%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪 唑-2-基）苯中形成的混合材料；所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉；所 述電子注入層的材料為氮化銫按照30%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在4, 7-二苯基-1，10-菲羅 啉中形成的混合材料。
[0017] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件采用有機(jī)阻擋層與無機(jī)阻擋層交替設(shè)置形成在陰極層上 具有防水防氧功能的封裝蓋，其中，有機(jī)阻擋層包括第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第 三有機(jī)阻擋層及第四有機(jī)阻擋層，無機(jī)阻擋層包括第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層，多 層阻擋層交替設(shè)置，致密性高，防水氧能力強(qiáng)，水蒸氣透過率(WVTR)達(dá)到l(T 4gAm2*天），整 個(gè)器件的壽命大大延長(zhǎng)。
[0018] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，包括如下步驟：
[0019] 在潔凈的導(dǎo)電基板表面刻蝕制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形；
[0020] 采用真空蒸鍍的方式在所述導(dǎo)電基板的陽極圖形表面依次蒸發(fā)鍍制有機(jī)發(fā)光功 能層和陰極層；
[0021] 采用真空蒸鍍的方式蒸發(fā)鍍制第一有機(jī)阻擋層并使所述第一有機(jī)阻擋層將所述 陽極圖形、所述有機(jī)發(fā)光功能層及所述陰極層封裝與所述導(dǎo)電基板上，然后采用真空蒸鍍 的方式在所述第一有機(jī)阻擋層表面鍍制第二有機(jī)阻擋層；
[0022] 采用磁控濺射的方式在所述第二有機(jī)阻擋層表面濺射制備第一無機(jī)阻擋層；
[0023] 采用真空蒸鍍的方式在所述第一無機(jī)阻擋層表面蒸發(fā)鍍制第三有機(jī)阻擋層，并在 所述第三有機(jī)阻擋層表面鍍制第四有機(jī)阻擋層；
[0024] 采用磁控濺射的方式在所述第四有機(jī)阻擋層表面濺射制備第二無機(jī)阻擋層；
[0025] 其中，所述第一有機(jī)阻擋層及所述第三有機(jī)阻擋層的材料為1，1_二 ((4-N，N，-二(對(duì)甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、4， 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯；
[0026] 所述第二有機(jī)阻擋層及所述第四有機(jī)阻擋層的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、 8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔 丁基苯-1,2, 4-三唑；
[0027] 所述第一無機(jī)阻擋層的材料為 Sb2Te3、Bi2Te、CdTe、In2Te 3、SnTe 或 PbTe ;
[0028] 所述第二無機(jī)阻擋層的材料為 Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3、NbSe 2、TaSe2 或 Cu2Se。
[0029] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，可廣泛推廣應(yīng)用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030] 圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031] 下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法作進(jìn)一步詳 細(xì)的說明。
[0032] 如圖1所不，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊設(shè)置的基板110、 陽極層120、有機(jī)發(fā)光功能層130、陰極層140以及將陽極層120、有機(jī)發(fā)光功能層130及陰 極層140封裝于基板110上的封裝蓋150。
[0033] 基板110為玻璃基板或有機(jī)物薄膜。陽極層120的材料為銦錫氧化物（ΙΤ0)，厚度 為100nm。在本實(shí)施方式中，基板110與陽極層120為一體結(jié)構(gòu)的ΙΤ0玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī) 物薄膜。
[0034] 有機(jī)發(fā)光功能層130包括在陽極層120上依次層疊設(shè)置的空穴注入層131、空穴 傳輸層132、發(fā)光層133、電子傳輸層134及電子注入層135。其中，空穴注入層131的材 料為三氧化鑰（M〇0 3)按照30%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）-1，1 ' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（ΝΡΒ )中形成的混合材料（即其中Μ〇03與ΝΡΒ的質(zhì)量比為 30:100)，厚度為10nm?？昭▊鬏攲?32的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)， 厚度為30nm。發(fā)光層133的材料為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy) 3)按照5%的摻雜質(zhì)量 百分比摻雜在1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)中形成的混合材料（即 其中11'(-- 7)3與了?8丨的質(zhì)量比為5:100)，厚度為2011111。電子傳輸層134的材料為4,7-二 苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，厚度為10nm。電子注入層135的材料為氮化銫（CsN 3)按照 30%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中形成的混合材料(其中，CsN3與 8?1^11的質(zhì)量比為30:100)，厚度為2011111。
[0035] 可以理解，在其他實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光功能層的結(jié)構(gòu)不限于本實(shí)施方式所述，如 有機(jī)發(fā)光功能層還可以為包括發(fā)光層以及在發(fā)光層兩側(cè)設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、 電子傳輸層、電子注入層中的至少一種，或者有機(jī)發(fā)光功能層只包括有發(fā)光層。
[0036] 陰極層140的材料為鋁、銀、鉬等導(dǎo)電性良好的金屬或者金屬合金。陰極層140的 厚度為l〇〇nm。
[0037] 封裝蓋150包括第一有機(jī)阻擋層151、形成于第一有機(jī)阻擋層151表面的第二有機(jī) 阻擋層152、形成于第二有機(jī)阻擋層152表面的第一無機(jī)阻擋層153、形成于第一無機(jī)阻擋 層153表面的第三有機(jī)阻擋層154、形成于第三有機(jī)阻擋層154表面的第四有機(jī)阻擋層155 及形成于第四有機(jī)阻擋層155表面的第二無機(jī)阻擋層156。
[0038] 在本實(shí)施方式中，封裝蓋150的數(shù)量為1?4個(gè)，優(yōu)選為2?4個(gè)，多個(gè)封裝蓋150 層疊設(shè)置。
[0039] 第一有機(jī)阻擋層151及第三有機(jī)阻擋層154的材料為1，1-二（（4-Ν，Ν'-二(對(duì) 甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷（TAPC)、N，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺（ΝΡΒ)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'，4''_三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺 (111-]\〇1^了4)、4,7-二苯基一1，10-鄰菲羅啉（80?)或1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪 唑-2-基）苯（TPBi)。第一有機(jī)阻擋層151及第三有機(jī)阻擋層154的厚度為200?300nm。 優(yōu)選的，第一有機(jī)阻擋層151及第三有機(jī)阻擋層154的材料和厚度相同。
[0040] 第二有機(jī)阻擋層152及第四有機(jī)阻擋層155的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉 (Bphen)、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（BCP)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪 唑-2-基）苯（TPBi)、8_羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）_ (4-苯基苯酚）鋁（BAlq)或 3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑（TAZ)。第二有機(jī)阻擋層152及第四有 機(jī)阻擋層155的厚度為200?300nm。優(yōu)選的，第二有機(jī)阻擋層152及第四有機(jī)阻擋層155 的材料及厚度相同。
[0041] 進(jìn)一步，在本實(shí)施方式中第一有機(jī)阻擋層151與第二有機(jī)阻擋層152的材料不同， 如第一有機(jī)阻擋層151與第二有機(jī)阻擋層152的材料不會(huì)同時(shí)為BCP等。
[0042] 第一無機(jī)阻擋層 153 的材料為 Sb2Te3、Bi2Te、CdTe、In2Te 3、SnTe 或 PbTe。第一無 機(jī)阻擋層153的厚度為50?100nm。
[0043] 第二無機(jī)阻擋層 156 的材料為 Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3、NbSe 2、TaSe2 或 Cu2Se。第二 無機(jī)阻擋層156的厚度為50?100nm。
[0044] 上述有機(jī)電致發(fā)光器100件采用有機(jī)阻擋層與無機(jī)阻擋層交替設(shè)置形成在陰極 層上具有防水防氧功能的封裝蓋150,其中，有機(jī)阻擋層包括第一有機(jī)阻擋層151、第二有 機(jī)阻擋層152、第三有機(jī)阻擋層154及第四有機(jī)阻擋層155,無機(jī)阻擋層包括第一無機(jī)阻 擋層153和第二無機(jī)阻擋層156,多層交替設(shè)置，致密性高，防水氧能力強(qiáng)，水蒸氣透過率 (WVTR)達(dá)到10_ 4gAm2*天），整個(gè)器件的壽命大大延長(zhǎng)。
[0045] 本實(shí)施方式還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，包括如下步驟：
[0046] 步驟一：在潔凈的導(dǎo)電基板表面刻蝕制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形。
[0047] 在本實(shí)施方式中，在刻蝕制備陽極圖形之前，還包括對(duì)潔凈的導(dǎo)電基板進(jìn)行表面 活化處理，以增加表面的ΙΤ0層的含氧量，提高ΙΤ0層的功函數(shù)的步驟。
[0048] 步驟二：采用真空蒸鍍的方式在導(dǎo)電基板的陽極圖形表面依次蒸發(fā)鍍制有機(jī)發(fā)光 功能層和陰極層。
[0049] 本實(shí)施方式制備的有機(jī)發(fā)光功能層及陰極層如上所述。
[0050] 步驟三：采用真空蒸鍍的方式蒸發(fā)鍍制第一有機(jī)阻擋層并使所述第一有機(jī)阻擋層 將所述陽極圖形、所述有機(jī)發(fā)光功能層及所述陰極層封裝與所述導(dǎo)電基板上，然后采用真 空蒸鍍的方式在所述第一有機(jī)阻擋層表面鍍制第二有機(jī)阻擋層。
[0051] 步驟四：采用磁控濺射的方式在第二有機(jī)阻擋層表面濺射制備第一無機(jī)阻擋層。
[0052] 步驟五：采用真空蒸鍍的方式在所述第一無機(jī)阻擋層表面蒸發(fā)鍍制第三有機(jī)阻擋 層，并在所述第三有機(jī)阻擋層表面鍍制第四有機(jī)阻擋層。
[0053] 步驟六：采用磁控濺射的方式在所述第四有機(jī)阻擋層表面濺射制備第二無機(jī)阻擋 層。
[0054] 第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī) 阻擋層及第二無機(jī)阻擋層構(gòu)成封裝陽極圖形、有機(jī)發(fā)光功能層及陰極層的封裝蓋。
[0055] 當(dāng)需要制備多個(gè)封裝蓋時(shí)，只需要重復(fù)上面步驟三至步驟六即可。
[0056] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，可廣泛推廣應(yīng)用。
[0057] 以下為具體實(shí)施例部分：
[0058] 實(shí)施例1
[0059] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%) /TCTA/ Ir(ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (TAPC/Bphen/Sb2Te3/TAPC/Bphen/ Sb2Se3)4，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩種 材料的質(zhì)量比數(shù)值，"（了八?(：/^)1^11/513 2了6/^?(：/^)1^11/5132563)4"表示有4層結(jié)構(gòu)為了4?(：/ Bphen/Sb2Te3/TAPC/Bphen/Sb2Se3 的封裝蓋。
[0060] 該有機(jī)電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0061] a)IT0玻璃基板前處理：將表面刻蝕有陽極圖形的ΙΤ0玻璃基板依次經(jīng)丙酮清洗、 乙醇清洗、去離子水清洗和乙醇清洗，清洗過程均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行，單項(xiàng)清洗時(shí)間為5 分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干；?duì)洗凈后的ΙΤ0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加 ΙΤ0層的 含氧量，提高ΙΤ0層表面的功函數(shù)；ΙΤ0玻璃基板上ΙΤ0層厚度為100nm。
[0062] b)有機(jī)發(fā)光功能層的制備：
[0063] 空穴注入層：采用真空蒸鍍的方式，將M〇03摻雜入NPB中，在IT0玻璃基板表面制 備厚度l〇nm的空穴注入層，其中，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇. | A/S, M〇03與NPB的質(zhì)量比 為 30:100 ;
[0064] 空穴傳輸層：采用真空蒸鍍的方式，在空穴注入層表面蒸鍍TCTA作為空穴傳輸 層，其中，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇. lA/s，蒸發(fā)厚度30nm ;
[0065] 發(fā)光層：主體材料采用TPBi，客體材料采用Ir (ppy) 3，采用真空蒸鍍的方式，將客 體材料摻雜入主體材料中，摻雜濃度5wt%，在空穴傳輸層表面制備厚度為20nm的發(fā)光層， 其中，真空度lXl(T 5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;
[0066] 電子傳輸層：采用真空蒸鍍的方式，在發(fā)光層的表面蒸鍍一層Bphen作為電子傳 輸層，其中，真空度lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度l〇nm ;
[0067] 電子注入層：采用真空蒸鍍的方式，將CsN3摻雜入Bphen中，摻雜濃度30wt%， 在電子傳輸層上制備一層厚度為20nm的電子注入層，其中，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 0· 2A/s"
[0068] c)陰極層：采用真空蒸鍍的方式，在電子注入層表面蒸鍍制備一層厚度為lOOnm 的A1層作為陰極層，其中，真空度lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0069] d)第一有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為200nm 的TAPC層作為第一有機(jī)阻擋層，并使第一有機(jī)阻擋層將陽極圖形、有機(jī)發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S。
[0070] e)第二有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面制備一層厚度 為200nm的Bphen層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度IX l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.5人/s。
[0071] f)第一無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面濺射制備一層 厚度為80nm的Sb2Te3作為第一無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度IX l(T5Pa。
[0072] g)第三有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機(jī)阻擋層表面再制備一層厚 度為200nm的TAPC層作為第一有機(jī)阻擋層，其中，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S。
[0073] h)第四有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機(jī)阻擋層表面 制備一層厚度為200nm的Bphen層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T 5Pa，蒸發(fā)速度 0.5A/S。
[0074] i)第二無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機(jī)阻擋層表 面制備一層厚度為70nm的Sb2Se 3作為第二無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T5Pa。
[0075] 再重復(fù)步驟d)?i) 3次。
[0076] 實(shí)施例2
[0077] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%) /TCTA/ Ir(ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3: Bphen (30wt%)/Al/ (NPB/BCP/Bi2Te/NPB/BCP/MoSe2) 3，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩種材料的 質(zhì)量比數(shù)值，"（NPB/BCP/Bi 2Te/NPB/BCP/MoSe2) 3"表示有 3 層結(jié)構(gòu)為 NPB/BCP/Bi2Te/NPB/ BCP/MoSe2的封裝蓋。
[0078] 該有機(jī)電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0079] 步驟a)、b)、c)同實(shí)施例1。
[0080] d)第一有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為300nm 的NPB層作為第一有機(jī)阻擋層，并使第一有機(jī)阻擋層將陽極圖形、有機(jī)發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1X l〇_4Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0081] e)第二有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面制備一層厚度 為300nm的BCP層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度lX10_ 4Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0082] f)第一無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面濺射制備一層 厚度為l〇〇nm的Bi 2Te作為第一無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度IX l(T4Pa。
[0083] g)第三有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機(jī)阻擋層表面再制備一層厚 度為300nm的NPB層作為第一有機(jī)阻擋層，其中，真空度lX10_ 4Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0084] h)第四有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機(jī)阻擋層表 面制備一層厚度為300nm的BCP層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T4Pa，蒸發(fā)速度 5A/s。
[0085] i)第二無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機(jī)阻擋層 表面制備一層厚度為60nm的MoSe 2作為第二無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T4Pa。
[0086] 再重復(fù)步驟d)?i) 2次。
[0087] 實(shí)施例3
[0088] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%) /TCTA/ Ir (ppy) 3： TPBi (5wt°/〇)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (Alq3/TPBi/CdTe/Alq3/TPBi/ Bi2Se3)3，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩種 材料的質(zhì)量比數(shù)值，"(Alq3/TPBi/CdTe/Alq3/TPBi/Bi2Se 3)3"表示有 3 層結(jié)構(gòu)為 Alq3/TPBi/ CdTe/Alq3/TPBi/Bi2Se3 的封裝蓋。
[0089] 該有機(jī)電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0090] 步驟a)、b)、c)同實(shí)施例1。
[0091] d)第一有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為250nm 的Alq3層作為第一有機(jī)阻擋層，并使第一有機(jī)阻擋層將陽極圖形、有機(jī)發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度1人/S。
[0092] e)第二有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面制備一層厚度 為250nm的TPBi層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T 4Pa，蒸發(fā)速度lA/s。
[0093] f)第一無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面濺射制備一層 厚度為50nm的CdTe作為第一無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度IX 10_4Pa。
[0094] g)第三有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機(jī)阻擋層表面再制備一層厚 度為250nm的Alq 3層作為第一有機(jī)阻擋層，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度lA/s。
[0095] h)第四有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機(jī)阻擋層表面 制備一層厚度為250nm的TPBi層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度IX l(T4Pa，蒸發(fā)速度 1 A/s〇
[0096] i)第二無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機(jī)阻擋層表 面制備一層厚度為l〇〇nm的Bi2Se 3作為第二無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T4Pa。
[0097] 再重復(fù)步驟d)?i) 2次。
[0098] 實(shí)施例4
[0099] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%) /TCTA/ Ir (ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (m-MTDATA/Alq3/In2Te3/m-MTDATA/ Alq 3/NbSe2) 2，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜 的兩種材料的質(zhì)量比數(shù)值，"(m-MTDATA/Alq 3/In2Te3/m-MTDATA/Alq3/NbSe 2) 2"表示有 2 層 結(jié)構(gòu)為 m-MTDATA/Alq3/In2Te3/m_MTDATA/Alq 3/NbSe2 的封裝蓋。
[0100] 該有機(jī)電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0101] 步驟a)、b)、c)同實(shí)施例1。
[0102] d)第一有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為220nm 的m-MTDATA層作為第一有機(jī)阻擋層，并使第一有機(jī)阻擋層將陽極圖形、有機(jī)發(fā)光功能層及 陰極層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0103] e)第二有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面制備一層厚度 為240nm的Alq 3層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T4Pa，蒸發(fā)速度3A/S。
[0104] f)第一無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面濺射制備一層 厚度為60nm的In2Te 3作為第一無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度IX l(T4Pa。
[0105] g)第三有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機(jī)阻擋層表面再制備一層厚 度為220nm的m-MTDATA層作為第一有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T 4Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0106] h)第四有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機(jī)阻擋層表面 制備一層厚度為240nm的Alq3層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度 3A/s〇
[0107] i)第二無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機(jī)阻擋層 表面制備一層厚度為50nm的NbSe2作為第二無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T4Pa。
[0108] 再重復(fù)步驟d)?i) 1次。
[0109] 實(shí)施例5
[0110] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%)/TCTA/ Ir(ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (BCP/BAlq/SnTe/BCP/BAlq/TaSe2) 2，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩種材料的 質(zhì)量比數(shù)值，"（BCP/BAlq/SnTe/BCP/BAlq/TaSe 2)2"表示有 2 層結(jié)構(gòu)為 BCP/BAlq/SnTe/BCP/ BAlq/TaSe2的封裝蓋。
[0111] 該有機(jī)電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0112] 步驟a)、b)、c)同實(shí)施例1。
[0113] d)第一有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為260nm 的BCP層作為第一有機(jī)阻擋層，并使第一有機(jī)阻擋層將陽極圖形、有機(jī)發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0114] e)第二有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面制備一層厚度 為200nm的BAlq層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T 4Pa，蒸發(fā)速度4A/S。
[0115] f)第一無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面濺射制備一層 厚度為70nm的SnTe作為第一無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度IX l(T4Pa。
[0116] g)第三有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機(jī)阻擋層表面再制備一層厚 度為260nm的BCP層作為第一有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T 4Pa，蒸發(fā)速度2人/S。
[0117] h)第四有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機(jī)阻擋層表面 制備一層厚度為200nm的BAlq層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度 4A/s〇
[0118] i)第二無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機(jī)阻擋層 表面制備一層厚度為80nm的TaSe2作為第二無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T4Pa。
[0119] 再重復(fù)步驟d)?i) 1次。
[0120] 實(shí)施例6
[0121] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃基板/Mo03:NPB (30wt%)/TCTA/ Ir(ppy)3：TPBi (5wt%)/Bphen/CsN3:Bphen (30wt%)/Al/ (TPBi/TAZ/PbTe/TPBi/TAZ/Cu2Se) 2，其中，"/"表示層疊、"："表示摻雜，括弧中的質(zhì)量百分比數(shù)據(jù)表示用于摻雜的兩種材料 的質(zhì)量比數(shù)值，"（TPBi/TAZ/PbTe/TPBi/TAZ/Cu 2Se) 2" 表示有 2 層結(jié)構(gòu)為 TPBi/TAZ/PbTe/ TPBi/TAZ/Cu2Se 的封裝蓋。
[0122] 該有機(jī)電致發(fā)光器件的制作過程如下：
[0123] 步驟a)、b)、c)同實(shí)施例1。
[0124] d)第一有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在陰極層表面制備一層厚度為200nm 的TPBi層作為第一有機(jī)阻擋層，并使第一有機(jī)阻擋層將陽極圖形、有機(jī)發(fā)光功能層及陰極 層封裝于玻璃基板上，其中，真空度1X l(T3Pa，蒸發(fā)速度1A/S。
[0125] e)第二有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面制備一層厚度 為220nm的TAZ層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T 3Pa，蒸發(fā)速度lA/s。
[0126] f)第一無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在第一有機(jī)阻擋層表面濺射制備一層 厚度為65nm的PbTe作為第一無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度1 X 10_3Pa。
[0127] g)第三有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在第一無機(jī)阻擋層表面再制備一層厚 度為200nm的TPBi層作為第一有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T 3Pa，蒸發(fā)速度lA/s。
[0128] h)第四有機(jī)阻擋層：采用真空蒸鍍的方式，在步驟g)制備的第一有機(jī)阻擋層表 面制備一層厚度為220nm的TAZ層作為第二有機(jī)阻擋層，其中，真空度lXl(T 3Pa，蒸發(fā)速度 lA/s〇
[0129] i)第二無機(jī)阻擋層：采用磁控濺射的方式，在步驟h)制備的第二有機(jī)阻擋層 表面制備一層厚度為50nm的Cu 2Se作為第二無機(jī)阻擋層，磁控濺射過程中本底真空度為 lXl(T3Pa。
[0130] 再重復(fù)步驟d)?i) 1次。
[0131] 表1為上述各實(shí)施例的防水氧性能和發(fā)光壽命檢測(cè)數(shù)據(jù)：
[0132] 表 1
[0133]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的基板、陽極層、有機(jī)發(fā)光功能層及陰極 層，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述陽極層、所述有 機(jī)發(fā)光功能層及所述陰極層封裝在所述基板上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于 所述第一有機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層、形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第一無機(jī) 阻擋層、形成于所述第一無機(jī)阻擋層表面的第三有機(jī)阻擋層、形成于所述第三有機(jī)阻擋層 表面的第四有機(jī)阻擋層以及形成于所述第四有機(jī)阻擋層表面的第二無機(jī)阻擋層； 其中，所述第一有機(jī)阻擋層及所述第三有機(jī)阻擋層的材料為1，1-二（（4-Ν，Ν'-二(對(duì) 甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、 8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7 -二苯基一 1， 10 -鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯； 所述第二有機(jī)阻擋層及所述第四有機(jī)阻擋層的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二 甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基 喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基 苯-1,2, 4-三唑； 所述第一無機(jī)阻擋層的材料為Sb2Te3、Bi2Te、CdTe、In 2Te3、SnTe或PbTe ; 所述第二無機(jī)阻擋層的材料為Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se 3、NbSe2、TaSe2或Cu2Se。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4 個(gè)，多個(gè)封裝蓋層疊設(shè)置。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層與所述 第二有機(jī)阻擋層的材料不同，所述第一有機(jī)阻擋層與所述第三有機(jī)阻擋層的材料相同，所 述第二有機(jī)阻擋層的材料與所述第四有機(jī)阻擋層的材料相同。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層及所述 第三有機(jī)阻擋層的厚度相同，為200?300nm。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二有機(jī)阻擋層及所述 第四有機(jī)阻擋層的厚度相同，為200?300nm。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機(jī)阻擋層的厚度 為 50 ?100nm。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二無機(jī)阻擋層的厚度 為 50 ?100nm。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括在 所述陽極層上依次層疊設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入 層。
9. 如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三 氧化鑰按照30%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺中形成的混合材料；所述空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基） 三苯胺；所述發(fā)光層的材料為三（2-苯基吡啶）合銥按照5%的摻雜質(zhì)量百分比摻雜在 1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯中形成的混合材料；所述電子傳輸層的材料 為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉；所述電子注入層的材料為氮化銫按照30%的摻雜質(zhì)量百分 比摻雜在4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中形成的混合材料。
10. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 在潔凈的導(dǎo)電基板表面刻蝕制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形； 采用真空蒸鍍的方式在所述導(dǎo)電基板的陽極圖形表面依次蒸發(fā)鍍制有機(jī)發(fā)光功能層 和陰極層； 采用真空蒸鍍的方式蒸發(fā)鍍制第一有機(jī)阻擋層并使所述第一有機(jī)阻擋層將所述陽極 圖形、所述有機(jī)發(fā)光功能層及所述陰極層封裝與所述導(dǎo)電基板上，然后采用真空蒸鍍的方 式在所述第一有機(jī)阻擋層表面鍍制第二有機(jī)阻擋層； 采用磁控濺射的方式在所述第二有機(jī)阻擋層表面濺射制備第一無機(jī)阻擋層； 采用真空蒸鍍的方式在所述第一無機(jī)阻擋層表面蒸發(fā)鍍制第三有機(jī)阻擋層，并在所述 第三有機(jī)阻擋層表面鍍制第四有機(jī)阻擋層； 采用磁控濺射的方式在所述第四有機(jī)阻擋層表面濺射制備第二無機(jī)阻擋層； 其中，所述第一有機(jī)阻擋層及所述第三有機(jī)阻擋層的材料為1，1-二（（4-N，N'-二(對(duì) 甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、 8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7 -二苯基一 1， 10 -鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯； 所述第二有機(jī)阻擋層及所述第四有機(jī)阻擋層的材料為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二 甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基 喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基 苯-1,2, 4-三唑； 所述第一無機(jī)阻擋層的材料為Sb2Te3、Bi2Te、CdTe、In 2Te3、SnTe或PbTe ; 所述第二無機(jī)阻擋層的材料為Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se 3、NbSe2、TaSe2或Cu2Se。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104103769SQ201310121395
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2013年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月9日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張娟娟 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司