有機電致發(fā)光器件及其制備方法

文檔序號：7257068閱讀：93來源：國知局

導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)

有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層以及混合阻擋層；所述混合阻擋層由第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層和第二無機阻擋層依次層疊組成，并且一層所述第一有機阻擋層與所述陰極層直接接觸。上述有機電致發(fā)光器件的混合阻擋層具有很好的柔韌性和很高的致密性，能夠防止水汽和氧氣進入有機電致發(fā)光器件。相對于傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，這種有機電致發(fā)光器件具有較長的使用壽命。本發(fā)明還公開了上述有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，特別是涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（Organic Light Emitting Display, 0LED)是基于有機材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件，其典型結(jié)構(gòu)是在ΙΤ0玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn) 生光福射。
[0003] 0LED具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點，被業(yè)內(nèi)人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術(shù)，0LED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 0LED的產(chǎn)業(yè)化進程，使得0LED 產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004] 傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，采用金屬材料作為陰極層，由于金屬在蒸鍍制備時，容易存在針孔和缺陷，這樣導(dǎo)致水汽和氧氣容易從針孔和缺陷處向發(fā)光器件內(nèi)部滲透，使有機電致發(fā)光器件失效，從而使得傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件的壽命較短。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 基于此，有必要提供一種使用壽命較長的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0006] -種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層以及混合阻擋層；所述混合阻擋層由第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層和第二無機阻擋層依次層疊組成，并且一層所述第一有機阻擋層與所述陰極層直接接觸；
[0007] 所述第一有機阻擋層的材質(zhì)為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、 4,4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、4,7-二苯基-l，10-鄰菲羅啉或 1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯；
[0008] 所述第二有機阻擋層的材質(zhì)為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3- (4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑；
[0009] 所述第一無機阻擋層的材質(zhì)為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN ;
[0010] 所述第三有機阻擋層的材質(zhì)為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、 4,4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、4,7-二苯基-l，10-鄰菲羅啉或 1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯；
[0011] 所述第四有機阻擋層的材質(zhì)為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3- (4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑；
[0012] 所述第二無機阻擋層的材質(zhì)為A1B2、LaB6、VB 2、NbB、TiB2或MoB。
[0013] 在一個實施例中，所述有機電致發(fā)光器件包括2?4層依次層疊的所述混合阻擋層。
[0014] 在一個實施例中，所述第一有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第三有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第四有機阻擋層的厚度為200nm?300nm。
[0015] 在一個實施例中，所述第一無機阻擋層的厚度為50nm?100nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為50nm?100nm。
[0016] 在一個實施例中，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了三氧化鑰的Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺，所述三氧化鑰占所述空穴注入層的重量百分比為30% ;
[0017] 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺；
[0018] 所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了三（2-苯基吡啶）合銥的1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯，所述三（2-苯基吡啶）合銥占所述發(fā)光層的重量百分比為5% ;
[0019] 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉；
[0020] 所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜了疊氮化銫的4, 7-二苯基鄰菲羅啉，所述疊氮化銫占所述電子注入層的重量百分比為30%。
[0021] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0022] 提供陽極導(dǎo)電基板；
[0023] 在所述陽極導(dǎo)電基板的陽極導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0024] 在所述陰極層上制備混合阻擋層；所述混合阻擋層由第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層和第二無機阻擋層依次層疊組成，并且所述第一有機阻擋層與所述陰極層直接接觸；所述第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第三有機阻擋層和第四有機阻擋層通過真空蒸鍍制備，所述第一無機阻擋層和所述第二無機阻擋層通過磁控濺射制備；所述第一有機阻擋層的材質(zhì)為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二 (對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、 8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯；所述第二有機阻擋層的材質(zhì)為 4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯(lián) 苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑；所述第一無機阻擋層的材質(zhì)為Si3N4、AIN、BN、 HfN、TaN或TiN ;所述第三有機阻擋層的材質(zhì)為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、4,7-二苯基-l，10-鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯；所述第四有機阻擋層的材質(zhì)為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3- (4-聯(lián)苯基）-4 苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑；所述第二無機阻擋層的材質(zhì)為A1B2、LaB6、VB2、NbB、TiB 2 或 MoB。
[0025] 在一個實施例中，所述有機電致發(fā)光器件包括2?4層依次層疊的所述混合阻擋層。
[0026] 在一個實施例中，真空蒸鍍制備所述第一有機阻擋層時，真空度為IX l(T5Pa? lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度為〇.5人?5人/S;真空蒸鍍制備所述第二有機阻擋層時，真空度為 1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度為0.5A?5A/S;真空蒸鍍制備所述第三有機阻擋層時，真空度為lXl(T 5Pa?lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度為0.5人?5人/S;真空蒸鍍制備所述第四有機阻擋層時，真空度為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度為0.5A?5A/S;
[0027] 磁控溉射制備所述第一無機阻擋層時，本底真空度為IX l(T5Pa?IX l(T3Pa ;磁控濺射制備第二無機阻擋層時，本底真空度為1 X l(T5Pa?1 X 10_3Pa。
[0028] 在一個實施例中，所述第一有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第三有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第四有機阻擋層的厚度為200nm?300nm。
[0029] 在一個實施例中，所述第一無機阻擋層的厚度為50nm?100nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為50nm?100nm。
[0030] 上述有機電致發(fā)光器件包括由第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層和第二無機阻擋層依次層疊組成的混合阻擋層，第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第三有機阻擋層和第四有機阻擋層能夠很好地緩解第一無機阻擋層和第二無機阻擋層之間的應(yīng)力，增加有機電致發(fā)光器件的柔韌性，并且第一無機阻擋層和第二無機阻擋層具有很高的致密性，因此，混合阻擋層能夠防止水汽和氧氣進入有機電致發(fā)光器件。相對于傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，這種有機電致發(fā)光器件具有較長的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031] 圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖2為如圖1所示的有機電致發(fā)光器件的混合阻擋層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033] 圖3為如圖1所示的有機電致發(fā)光器件制備方法流程圖。

【具體實施方式】
[0034] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0035] 如圖1所示的一實施方式的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板 110、空穴注入層120、空穴傳輸層130、發(fā)光層140、電子傳輸層150、電子注入層160、陰極層 170和混合阻擋層180。
[0036] 陽極導(dǎo)電基板110包括陽極導(dǎo)電層和基板?；蹇梢詾椴ＡЩ寤蛴袡C薄膜基板。陽極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫（ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅（ΑΖ0)、摻銦氧化鋅（ΙΖ0)或摻氟氧化錫（FT0)。這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡稱ΙΤ0玻璃、ΑΖ0 玻璃、ΙΖ0玻璃、FT0玻璃。陽極導(dǎo)電基板可以自制，也可以從市場上購買獲得。當然，也可以根據(jù)需要選擇其他合適的材料作為陽極導(dǎo)電基板110。此外，還可以在陽極導(dǎo)電基板110 上制備所需的有機電致發(fā)光器件的陽極圖形。
[0037] 陽極導(dǎo)電基板110的厚度可以為70nm?200nm。
[0038] 空穴注入層120的材質(zhì)可以為摻雜了三氧化鑰（M〇03)的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二 (1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（ΝΡΒ)。三氧化鑰占空穴注入層120的重量百分比可以為30%。空穴注入層120的厚度可以為10nm?40nm。
[0039] 空穴傳輸層130的材質(zhì)可以為4, 4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。空穴傳輸層130的厚度可以為20nm?60nm。
[0040] 發(fā)光層140的材質(zhì)可以為摻雜了三（2-苯基吡陡）合銥（Ir(ppy)3)的1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)。三（2-苯基吡啶)合銥占發(fā)光層140的重量百分比可以為5%。發(fā)光層140的厚度可以為10nm?30nm。
[0041] 電子傳輸層150的材質(zhì)可以為4, 7-二苯基鄰菲羅啉（Bphen)。電子傳輸層150的厚度可以為l〇nm?60nm。
[0042] 電子注入層160的材質(zhì)可以為摻雜了疊氮化銫（CsN3)的4, 7-二苯基鄰菲羅啉 (Bphen)。疊氮化銫占電子注入層160的重量百分比可以為30%。電子注入層160的厚度可以為10nm?40nm。
[0043] 陰極層170的材質(zhì)可以為鋰（Li)、鎂（Mg)、鈣（Ca)、銀（Ag)、釤（Sm)、鐿（Yb)、鋁 (A1)或其合金。陰極層170厚度可以為20nm?lOOnm。
[0044] 結(jié)合圖2,本實施方式中，有機電致發(fā)光器件包括2層依次層疊的混合阻擋層180。每層混合阻擋層180由第一有機阻擋層181、第二有機阻擋層182、第一無機阻擋層183、第三有機阻擋層184、第四有機阻擋層185和第二無機阻擋層186依次層疊組成，并且一層第一有機阻擋層181與陰極層170直接接觸。
[0045] 在其他實施方式中，有機電致發(fā)光器件可以包括1層混合阻擋層180,也可以包括 3層或更多層依次層疊的混合阻擋層180。
[0046] 在一個優(yōu)選的實施方式中，有機電致發(fā)光器件可以包括2層?4層依次層疊的混合阻擋層180。
[0047] 具體的，本實施方式中，2層混合阻擋層180在陰極層170上按照如下順序依次層疊：第一有機阻擋層181、第二有機阻擋層182、第一無機阻擋層183、第三有機阻擋層184、第四有機阻擋層185、第二無機阻擋層186、第一有機阻擋層181、第二有機阻擋層182、第一無機阻擋層183、第三有機阻擋層184、第四有機阻擋層185、第二無機阻擋層186。當有機電致發(fā)光器件包括3層、4層，甚至更多層混合阻擋層180時，依此類推。
[0048] 第一有機阻擋層181的材質(zhì)可以為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷（TAPC)、N，N'_ 二苯基-Ν，Ν'_ 二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4,4'-二胺（ΝΡΒ)、8-羥基喹啉鋁（41卩3)、4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯基氨基）三苯胺（111-]\01^14)、2,9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（BCP)或1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯 (TPBi)。
[0049] 第一有機阻擋層181的厚度可以為200nm?300nm。
[0050] 第二有機阻擋層182的材質(zhì)可以為4, 7-二苯基鄰菲羅啉（Bphen)、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（BCP)、1, 3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、 8-羥基喹啉鋁（Alq3)、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑（TAZ)。
[0051] 第二有機阻擋層182的厚度可以為200nm?300nm。
[0052] 第一無機阻擋層183的材質(zhì)可以為Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN*TiN。
[0053] 第一無機阻擋層183的厚度可以為50nm?100nm。
[0054] 第三有機阻擋層184的材質(zhì)可以為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉或 1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯。
[0055] 第三有機阻擋層184的厚度可以為200nm?300nm。
[0056] 第四有機阻擋層185的材質(zhì)可以為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3- (4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑。
[0057] 第四有機阻擋層185的厚度可以為200nm?300nm。
[0058] 第二無機阻擋層186的材質(zhì)可以為A1B2、LaB6、VB 2、NbB、TiB2或MoB。
[0059] 第二無機阻擋層186的厚度可以為50nm?100nm。
[0060] 第一無機阻擋層和第二無機阻擋層具有良好的水氧阻隔性，而第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第三有機阻擋層和第四有機阻擋層則可以吸收與分散第一無機阻擋層和第二無機阻擋層之間的應(yīng)力，避免致密的第一無機阻擋層和第二無機阻擋層產(chǎn)生裂痕而降低阻隔性。第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層、第二無機阻擋層依次層疊，能夠使其中某一層阻擋層有孔洞產(chǎn)生時，因為多層阻擋層的覆蓋，使得孔洞直接與大氣相通的幾率大減，水氧滲透的路徑變得曲折而減慢甚至被阻斷。第一無機阻擋層和第二無機阻擋層之間的材質(zhì)與厚度不同會使得水氧滲透方向和效果不同，這樣可以提高阻擋效果。
[0061] 上述有機電致發(fā)光器件包括由第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層和第二無機阻擋層依次層疊組成混合阻擋層，第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第三有機阻擋層和第四有機阻擋層能夠很好地緩解第一無機阻擋層和第二無機阻擋層之間的應(yīng)力，增加有機電致發(fā)光器件的柔韌性，使有機電致發(fā)光器件不容易產(chǎn)生裂紋或者空隙。并且第一無機阻擋層和第二無機阻擋層具有很高的致密性。因此，混合阻擋層能夠防止水汽和氧氣進入有機電致發(fā)光器件。相對于傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，這種有機電致發(fā)光器件具有較長的使用壽命。
[0062] 如圖3所示，上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0063] S10、提供陽極導(dǎo)電基板110。
[0064] 陽極導(dǎo)電基板110的材質(zhì)包括陽極導(dǎo)電層和基板。基板可以為玻璃基板或有機薄膜基板。陽極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫ατο)、摻鋁氧化鋅（azo)、摻銦氧化鋅（IZ0)或摻氟氧化錫（FT0)。這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡稱IT0玻璃、AZ0玻璃、IZ0玻璃、FT0玻璃。陽極導(dǎo)電基板可以自制，也可以從市場上購買獲得。當然，也可以根據(jù)需要選擇其他合適的材料作為陽極導(dǎo)電基板110。在實際應(yīng)用中，可以在陽極導(dǎo)電基板110上制備所需的有機電致發(fā)光器件的陽極圖形。陽極導(dǎo)電基板110的厚度可以為 70nm ?200nm。
[0065] 將陽極導(dǎo)電基板110依次進行如下處理：丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，每次清洗均采用超聲波清洗機清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤干待用。對洗凈后的陽極導(dǎo)電基板110還可以進行表面活化處理，以增加陽極導(dǎo)電基板110的導(dǎo)電層表面的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。
[0066] S20、在陽極導(dǎo)電基板110的陽極導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成空穴注入層120、空穴傳輸層130、發(fā)光層140、電子傳輸層150、電子注入層160和陰極層170。
[0067] 空穴注入層120的材質(zhì)可以為摻雜了三氧化鑰的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺。三氧化鑰占空穴注入層120的重量百分比可以為30%?？昭?注入層120的厚度可以為10nm?40nm。
[0068] 真空蒸鍍法制備空穴注入層120的真空度可以為lXl(T3Pa?lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度可以為O.lA/s?5A/s。
[0069] 空穴傳輸層130的材質(zhì)可以為4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺?？昭▊鬏攲?130的厚度可以為20nm?60nm。
[0070] 真空蒸鍍法制備空穴傳輸層130的真空度可以為lXl(T3Pa?lXl(T 5Pa，蒸發(fā)速度可以為O.lA/s?5A/S。
[0071] 發(fā)光層140的材質(zhì)可以為摻雜了三（2-苯基吡啶）合銥的1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯。三（2-苯基吡啶）合銥占發(fā)光層140的重量百分比可以為 5%。發(fā)光層140的厚度可以為10nm?30nm。。
[0072] 真空蒸鍍法制備發(fā)光層140的真空度可以為lXl(T3Pa?lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度可以為 0.lA/s~5A/s。
[0073] 電子傳輸層150的材質(zhì)可以為4, 7-二苯基-鄰菲羅啉。電子傳輸層150的厚度可以為l〇nm?60nm。
[0074] 真空蒸鍍法制備電子傳輸層150的真空度可以為lXl(T3Pa?lXl(T 5Pa，蒸發(fā)速度可以為0.1A/S?5A/S。
[0075] 電子注入層160的材質(zhì)可以為摻雜了疊氮化銫的4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉。疊氮化銫占電子注入層160的重量百分比可以為30%。電子注入層160的厚度可以為10nm? 40nm〇〇
[0076] 真空蒸鍍法制備電子注入層160的真空度可以為lXl(T3Pa?lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度可以為0.1 A/s?5A/s。
[0077] 陰極層170的材質(zhì)可以為Li、Mg、Ca、Ag、Sm、Yb、A1或其合金。陰極層170的厚度可以為20nm?lOOnm。在實際運用中，可以根據(jù)需要選擇合適的陰極層170的材質(zhì)和厚度。
[0078] 真空蒸鍍法制備陰極層170的真空度可以為lXl(T3Pa?lXl(T 5Pa，蒸發(fā)速度可以為 O.lA/s ?5A/S。
[0079] S30、在陰極層170上制備混合阻擋層180。
[0080] 結(jié)合圖1和圖2,本實施方式中，在陰極層170上制備2層依次層疊的混合阻擋層 180。每層混合阻擋層180由第一有機阻擋層181、第二有機阻擋層182、第一無機阻擋層 183、第三有機阻擋層184、第四有機阻擋層185和第二無機阻擋層186依次層疊組成，并且一層第一有機阻擋層181與陰極層170直接接觸。
[0081] 在其他的實施方式中，有機電致發(fā)光器件可以包括1層混合阻擋層180,也可以包括3層或更多層依次層疊的混合阻擋層180。
[0082] 在一個優(yōu)選的實施方式中，有機電致發(fā)光器件可以包括2層?4層依次層疊的混合阻擋層180。
[0083] 具體的，本實施方式中，2層混合阻擋層180在陰極層170上按照如下順序依次層疊：第一有機阻擋層181、第二有機阻擋層182、第一無機阻擋層183、第三有機阻擋層184、第四有機阻擋層185、第二無機阻擋層186、第一有機阻擋層181、第二有機阻擋層182、第一無機阻擋層183、第三有機阻擋層184、第四有機阻擋層185、第二無機阻擋層186。當有機電致發(fā)光器件包括3層、4層，甚至更多層混合阻擋層180時，依此類推。
[0084] 第一有機阻擋層181的材質(zhì)可以為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉或 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯。第一有機阻擋層181的厚度可以為20〇11111? 300nm。
[0085] 真空蒸鍍制備第一有機阻擋層181時，真空度可以為lXl(T5Pa?lXl(T 3Pa，蒸發(fā) 速度可以為0.5人?5A/s。
[0086] 第二有機阻擋層182的材質(zhì)可以為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3- (4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑。第二有機阻擋層182的厚度可以為200nm?300nm。
[0087] 真空蒸鍍制備第二有機阻擋層182時，真空度可以為lXl(T5Pa?lXl(T 3Pa，蒸發(fā) 速度可以為0.5人?5A/s。
[0088] 第一無機阻擋層183的材質(zhì)可以為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN。第一無機阻擋層183的厚度可以為50nm?100nm。
[0089] 磁控濺射制備第一無機阻擋層183時，本底真空度可以為lXl(T5Pa?lXl(T 3Pa。
[0090] 第三有機阻擋層184的材質(zhì)可以為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉或 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯。第三有機阻擋層184的厚度可以為20〇11111? 300nm。
[0091] 真空蒸鍍制備第三有機阻擋層184時，真空度可以為lXl(T5Pa?lXl(T 3Pa，蒸發(fā) 速度可以為0.5A?5A/s。
[0092] 第四有機阻擋層185的材質(zhì)可以為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3- (4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑。第四有機阻擋層185的厚度可以為200nm?300nm。
[0093] 真空蒸鍍制備第四有機阻擋層185時，真空度可以為lXl(T5Pa?lXl(T 3Pa，蒸發(fā) 速度可以為0.5A?5A./S。
[0094] 第二無機阻擋層186的材質(zhì)可以為AlB2、LaB6、VB 2、NbB、TiB2 *MoB。第二無機阻擋層186的厚度可以為50nm?100nm。
[0095] 磁控溉射制備第二無機阻擋層186時，本底真空度可以為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa。
[0096] 上述有機電致發(fā)光器件的制備方法適用于以玻璃基底制備的有機電致發(fā)光器件以及以塑料或金屬為基底的柔性有機電致發(fā)光器件的制備。
[0097] 上述有機電致發(fā)光器件的制備方法具有封裝材料廉價，制備工藝簡單，易大面積制備等優(yōu)點。制備得到的有機電致發(fā)光器件防水氧能力（water vapor transmission rate，WVTR)強，WVTR可以達到10 -4g/m2 · day，同時對有機電致發(fā)光器件的壽命有顯著的提高，使用壽命可以達到5000小時以上（T70@1000cd/m2)。
[0098] 下面為具體實施例部分。
[0099] 實施例1
[0100] 有機電致發(fā)光器件的制備步驟如下：
[0101] (1)提供厚度為100nm的ΙΤ0玻璃基板作為陽極導(dǎo)電基板，并對ΙΤ0玻璃基板進行如下處理：丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，每次清洗均采用超聲波清洗機清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤干待用。對洗凈后的ΙΤ0玻璃基板進行表面活化處理，以增加導(dǎo)電層表面的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。
[0102] (2)在真空度為3Xl(T5Pa的條件下，以0.1A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在 ΙΤ0玻璃基板上形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷氲牟馁|(zhì)為摻雜了 M〇03的NPB，其中M〇03占空穴注入層的重量百分比為30%，形成的空穴注入層的厚度為10nm。
[0103] (3)在真空度為lXl(T5Pa的條件下，以O(shè).lA/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。空穴傳輸層的材質(zhì)為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺 (TCTA)，形成的空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0104] (4)在真空度為IX l(T5Pa的條件下，以0.2人/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在空穴傳輸層上形成發(fā)光層。發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了三（2-苯基批陡）合銥（Ir(ppy) 3)的 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯（了?81)。其中，11'(--7) 3占發(fā)光層的重量百分比為5%，形成的發(fā)光層的厚度為20nm。
[0105] (5)在真空度為IX l(T5Pa的條件下，以o.l A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在發(fā) 光層上形成電子傳輸層。電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，形成的電子傳輸層的厚度為l〇nm。
[0106] (6)在真空度為IX l(T5Pa的條件下，以0.2人/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。電子注入層的材質(zhì)為摻雜了疊氮化銫（CsN3)的Bphen，其中， CsN3占電子注入層的重量百分比為30%，形成的電子注入層的厚度為20nm。
[0107] (7)在真空度為IX l(T5Pa的條件下，以5人/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極層。陰極層的材質(zhì)為鋁（A1)，形成的陰極層的厚度為100nm。
[0108] (8)在真空度為IX l(T5Pa的條件下，以0.5人/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為TAPC，形成的第一有機阻擋層的厚度為200nm。
[0109] (9)在真空度為1 X l(T5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一有機阻擋層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為Bphen，形成的第二有機阻擋層的厚度為200nm。
[0110] (10)在本底真空度為IX l(T5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為Si 3N4。第一無機阻擋層的厚度為80nm。
[0111] (11)在真空度為1X l(T5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為TAPC，形成的第三有機阻擋層的厚度為200nm。
[0112] (12)在真空度為IX l(T5Pa的條件下，以0.5 A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三有機阻擋層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為Bphen，形成的第四有機阻擋層的厚度為200nm。
[0113] (13)在本底真空度為IX l(T5Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為A1B 2。第二無機阻擋層的厚度為70nm。
[0114] 依次重復(fù)上述步驟（8)?（13) 4次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0115] 實施例2
[0116] 有機電致發(fā)光器件的制備步驟如下：
[0117] 步驟（1)?（7)和實施例1的步驟（1)?（7)相同。
[0118] (8)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為NPB，形成的第一有機阻擋層的厚度為300nm。
[0119] (9)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一有機阻擋層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的第二有機阻擋層的厚度為300nm。
[0120] (10)在本底真空度為IX l(T4Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為A1N。第一無機阻擋層的厚度為100nm。
[0121] (11)在真空度為IX 10_4Pa的條件下，以5人/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為NPB，形成的第三有機阻擋層的厚度為300nm。
[0122] (12)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以5A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三有機阻擋層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的第四有機阻擋層的厚度為300nm。
[0123] (13)在本底真空度為IX l(T4Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為LaB 6。第二無機阻擋層的厚度為60nm。
[0124] 依次重復(fù)上述步驟（8)?（13) 3次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0125] 實施例3
[0126] 有機電致發(fā)光器件的制備步驟如下：
[0127] 步驟（1)?（7)和實施例1的步驟（1)?（7)相同。
[0128] (8)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3,形成的第一有機阻擋層的厚度為250nm。
[0129] (9)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以ΙΑ/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一有機阻擋層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為TPBi，形成的第二有機阻擋層的厚度為250nm。
[0130] (10)在本底真空度為IX l(T4Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為BN。第一無機阻擋層的厚度為50nm。
[0131] (11)在真空度為lX10_4Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3,形成的第三有機阻擋層的厚度為250nm。
[0132] (12)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以1A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三有機阻擋層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為TPBi，形成的第四有機阻擋層的厚度為250nm。
[0133] (13)在本底真空度為IX l(T4Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為VB 2。第二無機阻擋層的厚度為100nm。
[0134] 依次重復(fù)上述步驟（8)?（13) 3次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0135] 實施例4
[0136] 有機電致發(fā)光器件的制備步驟如下：
[0137] 步驟（1)?（7)和實施例1的步驟（1)?（7)相同。
[0138] (8)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA，形成的第一有機阻擋層的厚度為220nm。
[0139] (9)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以3A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一有機阻擋層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3,形成的第二有機阻擋層的厚度為240nm。
[0140] (10)在本底真空度為IX l(T4Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為HfN。第一無機阻擋層的厚度為60nm。
[0141] (11)在真空度為lX10_4Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA，形成的第三有機阻擋層的厚度為220nm。
[0142] (12)在真空度為1 X l(T4Pa的條件下，以3人/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三有機阻擋層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為Alq3,形成的第四有機阻擋層的厚度為240nm。
[0143] (13)在本底真空度為IX l(T4Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為NbB。第二無機阻擋層的厚度為50nm。
[0144] 依次重復(fù)上述步驟（8)?（13) 2次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0145] 實施例5
[0146] 有機電致發(fā)光器件的制備步驟如下：
[0147] 步驟（1)?（7)和實施例1的步驟（1)?（7)相同。
[0148] (8)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的第一有機阻擋層的厚度為260nm。
[0149] (9)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以4A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一有機阻擋層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為Balq，形成的第二有機阻擋層的厚度為200nm。
[0150] (10)在本底真空度為IX l(T4Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為TaN。第一無機阻擋層的厚度為70nm。
[0151] (11)在真空度為lX10_4Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為BCP，形成的第三有機阻擋層的厚度為260nm。
[0152] (12)在真空度為lXl(T4Pa的條件下，以4A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三有機阻擋層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為Balq，形成的第四有機阻擋層的厚度為200nm。
[0153] (13)在本底真空度為IX l(T4Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為TiB 2。第二無機阻擋層的厚度為80nm。
[0154] 依次重復(fù)上述步驟（8)?（13) 2次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0155] 實施例6
[0156] 有機電致發(fā)光器件的制備步驟如下：
[0157] 步驟（1)?（7)和實施例1的步驟（1)?（7)相同。
[0158] (8)在真空度為lXl(T3Pa的條件下，以1A/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在陰極層上形成第一有機阻擋層。第一有機阻擋層的材質(zhì)為TPBi，形成的第一有機阻擋層的厚度為200nm。
[0159] (9)在真空度為lXl(T3Pa的條件下，以ΙΑ/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一有機阻擋層上形成第二有機阻擋層。第二有機阻擋層的材質(zhì)為TAZ，形成的第二有機阻擋層的厚度為220nm。
[0160] (10)在本底真空度為IX l(T3Pa的條件下，采用磁控濺射法在第二有機阻擋層上形成第一無機阻擋層。第一無機阻擋層的材質(zhì)為TiN。第一無機阻擋層的厚度為65nm。
[0161] (11)在真空度為lX10_3Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第一無機阻擋層上形成第三有機阻擋層。第三有機阻擋層的材質(zhì)為TPBi，形成的第三有機阻擋層的厚度為200nm。
[0162] (12)在真空度為lXl(T3Pa的條件下，以ΙΑ/S的蒸發(fā)速度，采用真空蒸鍍的方式在第三有機阻擋層上形成第四有機阻擋層。第四有機阻擋層的材質(zhì)為TAZ，形成的第四有機阻擋層的厚度為220nm。
[0163] (13)在本底真空度為IX l(T3Pa的條件下，采用磁控濺射法在第四有機阻擋層上形成第二無機阻擋層。第二無機阻擋層的材質(zhì)為MoB。第二無機阻擋層的厚度為50nm。
[0164] 依次重復(fù)上述步驟（8)?（13) 2次，得到有機電致發(fā)光器件。
[0165] 下表為實施例1?實施例6制備的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣透過率（WVTR)和使用壽命的數(shù)據(jù)。
[0166]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層以及混合阻擋層；所述混合阻擋層由第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層和第二無機阻擋層依次層疊組成，并且一層所述第一有機阻擋層與所述陰極層直接接觸；所述第一有機阻擋層的材質(zhì)為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、 Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三 (Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯；所述第二有機阻擋層的材質(zhì)為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3- (4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑；所述第一無機阻擋層的材質(zhì)為Si3N4、AIN、BN、HfN、TaN或TiN ; 所述第三有機阻擋層的材質(zhì)為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、 Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三 (Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯；所述第四有機阻擋層的材質(zhì)為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3- (4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑；所述第二無機阻擋層的材質(zhì)為A1B2、LaB6、VB2、NbB、TiB 2或ΜοΒ。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件包括2?4層依次層疊的所述混合阻擋層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第三有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第四有機阻擋層的厚度為200nm?300nm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機阻擋層的厚度為50nm?100nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為50nm?100nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了三氧化鑰的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺，所述三氧化鑰占所述空穴注入層的重量百分比為30% ; 所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺；所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了三（2-苯基吡啶）合銥的1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯，所述三（2-苯基吡啶）合銥占所述發(fā)光層的重量百分比為5%; 所述電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉；所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜了疊氮化銫的4, 7-二苯基鄰菲羅啉，所述疊氮化銫占所述電子注入層的重量百分比為30%。
6. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：提供陽極導(dǎo)電基板；在所述陽極導(dǎo)電基板的陽極導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；在所述陰極層上制備混合阻擋層；所述混合阻擋層由第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第一無機阻擋層、第三有機阻擋層、第四有機阻擋層和第二無機阻擋層依次層疊組成，并且所述第一有機阻擋層與所述陰極層直接接觸；所述第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第三有機阻擋層和第四有機阻擋層通過真空蒸鍍制備，所述第一無機阻擋層和所述第二無機阻擋層通過磁控濺射制備；所述第一有機阻擋層的材質(zhì)為1，1-二（(4-N，N'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯；所述第二有機阻擋層的材質(zhì)為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3- (4-聯(lián)苯基）-4 苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑；所述第一無機阻擋層的材質(zhì)為Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或 TiN;所述第三有機阻擋層的材質(zhì)為1，1-二（(4-Ν，Ν'-二（對甲苯基）胺）苯基）環(huán)己烷、 Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三 (Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉或1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯；所述第四有機阻擋層的材質(zhì)為4, 7-二苯基鄰菲羅啉、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、8-羥基喹啉鋁、二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯(lián)苯基）-4苯基-5-叔丁基苯-1，2, 4-三唑；所述第二無機阻擋層的材質(zhì)為A1B2、LaB6、VB2、NbB、TiB 2或MoB。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件包括2?4層依次層疊的所述混合阻擋層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，真空蒸鍍制備所述第一有機阻擋層時，真空度為lXl(T5Pa?lXl(T 3Pa，蒸發(fā)速度為0.5人?5人/S;真空蒸鍍制備所述第二有機阻擋層時，真空度為lXl(T5Pa?lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.5A?5人/S; 真空蒸鍍制備所述第三有機阻擋層時，真空度為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度為 0.5人?5A/S;真空蒸鍍制備所述第四有機阻擋層時，真空度為lX10_ 5Pa?lXl(T3Pa，蒸發(fā) 速度為0.5A?5A/s; 磁控濺射制備所述第一無機阻擋層時，本底真空度為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa ;磁控濺射制備第二無機阻擋層時，本底真空度為1 X l(T5Pa?1 X 10_3Pa。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第三有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第四有機阻擋層的厚度為200nm?300nm。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一無機阻擋層的厚度為50nm?100nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為50nm?100nm。
【文檔編號】H01L51/52GK104103762SQ201310121393
【公開日】2014年10月15日申請日期:2013年4月9日優(yōu)先權(quán)日:2013年4月9日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張娟娟申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司

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