發(fā)光二極管封裝結構及其制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，包括如下步驟：提供引線架，多列第一、第二電極交錯排列于引線架上，第一、第二電極的外側相對兩端分別延伸出第一、第二接引電極，同列第一、第二接引電極分別通過連接條串接；在相鄰連接條之間形成圍繞第一、第二電極且具有容置槽的反射杯，第一、第二接引電極外露于反射杯，第一、第二電極嵌置于反射杯內；移除反射杯相對兩側的連接條；在容置槽內設置發(fā)光二極管芯片并電連接第一、第二電極；形成覆蓋發(fā)光二極管芯片的封裝層；橫向切割反射杯和引線架。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝結構。本發(fā)明中第一、第二電極嵌置于反射杯內，第一、第二接引電極外露于反射杯，有效提升發(fā)光二極管封裝結構的密合度。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝結構及其制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光元件，特別涉及一種發(fā)光二極管封裝結構及其制造方 法。
【背景技術】
[0002] 發(fā)光二極管（light emitting diode, LED)作為一種高效的發(fā)光源，具有環(huán)保、省 電、壽命長等諸多特點已經(jīng)被廣泛的運用于各種領域。
[0003] 在應用到具體領域中之前，發(fā)光二極管還需要進行封裝，以保護發(fā)光二極管芯片， 從而獲得較高的發(fā)光效率及較長的使用壽命。
[0004] 一般的發(fā)光二極管封裝結構通常先成型反射杯，在反射杯成型后再將電極彎折貼 設于反射杯的底面及側面上。然而，這種方法制成的發(fā)光二極管封裝結構的密合度不佳，封 裝結構中的電極與反射杯之間結合不緊密，電極在使用過程中容易松動或脫落。
【發(fā)明內容】
[0005] 有鑒于此，有必要提供一種具有較好密合度的發(fā)光二極管封裝結構及其制造方 法。
[0006] -種發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟：提供裝設有多列 第一電極和第二電極的引線架，所述第一電極和第二電極沿橫向交錯排列并成對設置 于引線架上，所述第一電極遠離第二電極的一端向外延伸形成一第一接引電極，所述第二 電極遠離第一電極的一端向外延伸形成一第二接引電極，同列中相鄰第一電極的第一接引 電極通過第一連接條縱向串接，同列中相鄰第二電極的第二接引電極通過第二連接條縱向 串接；在引線架上相鄰的第一連接條和第二連接條之間形成圍繞第一電極和第二電極的反 射杯，所述反射杯具有容納發(fā)光二極管芯片的容置槽，所述第一電極和第二電極嵌置于反 射杯內，所述第一接引電極和第二接引電極分別自反射杯的相對兩側凸伸出反射杯之外； 移除外露于反射杯相對兩側的第一連接條和第二連接條；在容置槽內設置發(fā)光二極管芯片 并使發(fā)光二極管芯片與第一電極和第二電極分別電連接；在容置槽內形成覆蓋發(fā)光二極管 芯片的封裝層；以及橫向切割反射杯和引線架以形成多個獨立的發(fā)光二極管封裝結構。
[0007] -種發(fā)光二極管封裝結構，該發(fā)光二極管封裝結構由上述制造方法所制成。
[0008] 與現(xiàn)有技術相比，在本發(fā)明所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法中，反射杯形 成于兩相鄰的第一連接條和第二連接條之間，第一電極和第二電極在反射杯成型后嵌置于 反射杯內，反射杯成型的過程中并不會與第一接引電極和第二接引電極發(fā)生干涉，在反射 杯成型后第一接引電極和第二接引電極外露于反射杯的相對兩側，由上述制造方法所制成 的發(fā)光二極管封裝結構中第一電極和第二電極與反射杯結合的更加牢固，進而能夠效提升 整個發(fā)光二極管封裝結構的密合度。
[0009] 下面參照附圖，結合具體實施例對本發(fā)明作進一步的描述。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010] 圖1是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法流程圖。
[0011] 圖2是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結構的制造方法步驟S101中所得的元件的俯 視不意圖。
[0012] 圖3是圖2中所得元件的部分示意圖。
[0013] 圖4是圖3中所示元件沿IV-IV線的剖面示意圖。
[0014] 圖5是圖3中所示元件的仰視示意圖。
[0015] 圖6是圖3中所示元件沿VI-VI線的剖面示意圖。
[0016] 圖7是圖2中所示元件放置于模具內時的剖面示意圖。
[0017] 圖8是圖2中所示元件放置于模具內時的仰視示意圖(其中下模具的底部被隱 藏)。
[0018] 圖9是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結構的制造方法步驟S102中所得的元件的俯 視不意圖。
[0019] 圖10是圖9中所得元件的部分示意圖。
[0020] 圖11是圖10中所示元件沿χι-χι線的剖面示意圖。
[0021] 圖12是圖10中所示元件的仰視示意圖。
[0022] 圖13是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結構的制造方法步驟S106中所得的發(fā)光二極 管封裝結構的俯視示意圖。
[0023] 圖14是圖13中所示發(fā)光二極管封裝結構沿XIV-XIV線的剖面示意圖。
[0024] 圖15是圖13中所示發(fā)光二極管封裝結構的仰視示意圖。
[0025] 圖16是本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法中所使用的第一電 極和第二電極的俯視示意圖。
[0026] 圖17是圖16中所示第一電極和第二電極沿XVII-XVII線的剖面示意圖。
[0027] 圖18是圖16中所示第一電極和第二電極的仰視示意圖。
[0028] 主要元件符號說明
【權利要求】
1. 一種發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟： 提供裝設有多列第一電極和第二電極的引線架，所述第一電極和第二電極沿橫向交錯 排列并成對設置于引線架上，所述第一電極遠離第二電極的一端向外延伸形成一第一接引 電極，所述第二電極遠離第一電極的一端向外延伸形成一第二接引電極，同列中相鄰第一 電極的第一接引電極通過第一連接條縱向串接，同列中相鄰第二電極的第二接引電極通過 第二連接條縱向串接； 在引線架上相鄰的第一連接條和第二連接條之間形成圍繞第一電極和第二電極的反 射杯，所述反射杯具有容納發(fā)光二極管芯片的容置槽，所述第一電極和第二電極嵌置于反 射杯內，所述第一接引電極和第二接引電極分別自反射杯的相對兩側凸伸出反射杯之外； 移除外露于反射杯相對兩側的第一連接條和第二連接條； 在容置槽內設置發(fā)光二極管芯片并使發(fā)光二極管芯片與第一電極和第二電極分別電 連接； 在容置槽內形成覆蓋發(fā)光二極管芯片的封裝層；以及 橫向切割反射杯和引線架以形成多個獨立的發(fā)光二極管封裝結構。
2. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述第一接引 電極自第一電極遠離第二電極的一端先向外再向下彎折延伸形成，所述第一接引電極沿第 一連接條的延伸方向上的寬度小于第一電極的寬度，所述第二接引電極自第二電極遠離第 一電極的一端先向外再向下彎折延伸形成，所述第二接引電極沿第二連接條的延伸方向上 的寬度小于第二電極的寬度。
3. 如權利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述第一連接 條為多個且均位于同列相鄰的第一接引電極之間，所述第二連接條為多個且均位于同列相 鄰的第二接引電極之間，所述第一連接條和第二連接條均包括相對設置的上表面和下表 面，所述第一接引電極和第二接引電極均包括相對設置的上表面和下表面，所述第一連接 條的上表面與第一接引電極的上表面平齊，所述第一連接條的下表面與第一接引電極的下 表面平齊，所述第二連接條的上表面與第二接引電極的上表面平齊，所述第二連接條的下 表面與第二接引電極的下表面平齊。
4. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述第一電極 和第二電極均包括相對設置的上表面和下表面，所述第一電極的下表面向下凸出延伸形成 第一增厚部，第二電極的下表面向下凸出延伸形成第二增厚部，所述第一增厚部和第二增 厚部分別與容置槽正對設置，在反射杯成型后第一增厚部遠離第一電極的底面和第二增厚 部遠離第二電極的底面均外露于反射杯外。
5. 如權利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：還包括形成貫 穿第一電極的上表面和下表面以及第二電極的上表面和下表面的貫孔，所述貫孔在反射杯 成型后被反射杯填充。
6. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述第一電極 包括一縱長的第一本體部以及由該第一本體部遠離第二電極的端部向外延伸出的第一連 接部，所述第一接引電極由該第一電極的第一連接部延伸而出，所述第二電極包括一縱長 的第二本體部以及由第二本體部遠離第一電極的端部向外延伸出的第二連接段，所述第二 接引電極由該第二電極的第二連接段延伸而出。
7. 如權利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述第一連接 部自第一本體部一體延伸而出，所述第二連接段自第二本體部一體延伸而出，所述第一連 接部沿第一連接條的延伸方向上的寬度小于第一本體部的寬度，所述第二連接段沿第二連 接條的延伸方向上的寬度小于第二本體部的寬度。
8. 如權利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述第一連接 部沿第一連接條的延伸方向上的寬度自第一本體部朝向第一接引電極先逐漸減小直至預 定寬度后保持不變，所述第二連接段沿第二連接條的延伸方向上的寬度自第二本體部朝向 第二接引電極先逐漸減小直至預定寬度后保持不變。
9. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：在移除第一連 接條和第二連接條后，還包括在第一接引電極的外表面、第二接引電極的外表面、第一電極 未被反射杯覆蓋的表面以及第二電極未被反射杯覆蓋的表面上形成一金屬層的步驟。
10. 如權利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述金屬層為 銀并通過電鍍的方式覆蓋于第一接引電極、第二接引電極、第一電極未被反射杯覆蓋的表 面以及第二電極未被反射杯覆蓋的表面上。
11. 一種發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述發(fā)光二極管封裝結構由權利要求 1-10中任一項所述的發(fā)光二極管封裝結構的制造方法所制成。
【文檔編號】H01L33/60GK104103748SQ201310121676
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年4月10日 優(yōu)先權日:2013年4月10日
【發(fā)明者】林厚德, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司