技術(shù)特征：
1.一種MOS晶體管的制造方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成第一側(cè)墻；以第一側(cè)墻作為掩膜，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成源漏離子注入?yún)^(qū)；去除第一側(cè)墻；在所述半導(dǎo)體襯底上形成第二側(cè)墻層，且所述第二側(cè)墻層覆蓋柵極結(jié)構(gòu)，所述第二側(cè)墻層與待沉積的層間介質(zhì)層材質(zhì)不同；利用各向同性刻蝕法刻蝕所述第二側(cè)墻層，在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻為直角三角形，所述第二側(cè)墻的底部寬度大于所述第一側(cè)墻的底部寬度；在所述半導(dǎo)體襯底、第二側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)上沉積層間介質(zhì)層。2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述各向同性刻蝕的工藝中，所采用的刻蝕劑為CHF3、CH2F2、CH3F和O2的混合氣體，其中CHF3的流量為10-500sccm，CH2F2的流量為10-500sccm，CH3F的流量為10-500sccm，O2的流量為10-500sccm，刻蝕時(shí)間為10secs-600secs。3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述各向同性刻蝕的工藝中，設(shè)置刻蝕腔室內(nèi)壓強(qiáng)為10-100mTorr，源功率為100-1000W，偏置功率為100-500W。4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻材料層的材質(zhì)為氮化硅。5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述直角三角形的一條直角邊與半導(dǎo)體襯底上表面重合，另一條直角邊與柵極結(jié)構(gòu)側(cè)邊重合。6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻底角范圍為30°～60°。7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻的高度低于所述柵極結(jié)構(gòu)。8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻的高度低于所述柵極結(jié)構(gòu)的一半。9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成第二側(cè)墻后，沉積層間介質(zhì)層之前，還包括步驟：在所述半導(dǎo)體襯底和柵極結(jié)構(gòu)的表面形成應(yīng)力層。10.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成層間介質(zhì)層之后，還包括：在所述源漏離子注入?yún)^(qū)上的層間介質(zhì)層內(nèi)形成接觸孔，所述第二側(cè)墻與半導(dǎo)體襯底重合的直角邊與接觸孔的邊緣非接觸。