本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種MOS晶體管的制造方法。

背景技術(shù)：
在CMOS大規(guī)模集成電路工藝中，一般采用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成MOS晶體管的源漏極。在公開(kāi)號(hào)為CN102569087A的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)文件中就公開(kāi)了一種采用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成源漏極的方法。具體工藝如圖1至圖4所示：參考圖1所示，提供半導(dǎo)體襯底10，在半導(dǎo)體襯底10上形成若干柵極結(jié)構(gòu)，在此以相鄰的柵極結(jié)構(gòu)21和柵極結(jié)構(gòu)22作為示例。在半導(dǎo)體襯底10的表面和柵極結(jié)構(gòu)21、22的表面形成側(cè)墻層30。參考圖2所示，利用等離子體干法刻蝕刻蝕側(cè)墻層30，在柵極結(jié)構(gòu)21和柵極結(jié)構(gòu)22兩側(cè)形成側(cè)墻31。同時(shí)，相鄰的柵極結(jié)構(gòu)21、22之間的側(cè)墻31與半導(dǎo)體襯底10構(gòu)成開(kāi)口7。參考圖3所示，以柵極結(jié)構(gòu)21、22和側(cè)墻31為掩膜，對(duì)半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入，在柵極結(jié)構(gòu)21、22兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成源漏離子注入?yún)^(qū)9。參考圖4所示，在半導(dǎo)體襯底10和柵極結(jié)構(gòu)21、22之間沉積層間介質(zhì)層50。然而，隨著CMOS大規(guī)模集成電路工藝朝特征尺寸越來(lái)越小的方向發(fā)展，相鄰柵極結(jié)構(gòu)21、22之間的距離也在縮小，相應(yīng)開(kāi)口7的深寬比也在增大。在開(kāi)口7中沉積層間介質(zhì)層50容易出現(xiàn)不均勻，甚至具有空洞的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種MOS晶體管的制造方法，以解決隨著特征尺寸的減小，相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的側(cè)墻和半導(dǎo)體襯底之間形成的開(kāi)口深寬比變大，在相鄰柵極結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體襯底之間填充層間介質(zhì)層出現(xiàn)填充不均勻，甚至具有空洞的問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種MOS晶體管的制造方法，提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成第一側(cè)墻；以第一側(cè)墻作為掩膜，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成源漏離子注入?yún)^(qū)；去除第一側(cè)墻；在所述半導(dǎo)體襯底上形成第二側(cè)墻層，且所述第二側(cè)墻層覆蓋柵極結(jié)構(gòu)；利用各向同性刻蝕法刻蝕所述第二側(cè)墻層，在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻為直角三角形，所述第二側(cè)墻的底部寬度大于所述第一側(cè)墻的底部寬度；在所述半導(dǎo)體襯底、第二側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)上沉積層間介質(zhì)層。可選的，在所述各向同性刻蝕的工藝中，所采用的刻蝕劑為CHF3、CH2F2、CH3F和O2的混合氣體，其中CHF3的流量為10-500sccm，CH2F2的流量為10-500sccm，CH3F的流量為10-500sccm，O2的流量為10-500sccm，刻蝕時(shí)間為10secs-600secs?？蛇x的，在所述各向同性刻蝕的工藝中，設(shè)置刻蝕腔室內(nèi)壓強(qiáng)為10-100mTorr，源功率為100-1000W，偏置功率為100-500W?？蛇x的，所述第二側(cè)墻材料層的材質(zhì)為氮化硅。可選的，所述直角三角形的一條直角邊與半導(dǎo)體襯底上表面重合，另一條直角邊與柵極結(jié)構(gòu)側(cè)邊重合。可選的，所述第二側(cè)墻底角范圍為30°～60°。可選的，所述第二側(cè)墻的高度低于所述柵極結(jié)構(gòu)。可選的，所述第二側(cè)墻的高度低于所述柵極結(jié)構(gòu)的一半?？蛇x的，形成第二側(cè)墻后，沉積層間介質(zhì)層之前，還包括步驟：在所述半導(dǎo)體襯底和柵極結(jié)構(gòu)的表面形成應(yīng)力層?？蛇x的，在形成層間介質(zhì)層之后，還包括：在所述源漏離子注入?yún)^(qū)上的層間介質(zhì)層內(nèi)形成接觸孔，所述第二側(cè)墻與半導(dǎo)體襯底重合的直角邊與接觸孔的邊緣非接觸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：所述第二側(cè)墻為直角三角形，所述第二側(cè)墻的底部寬度大于所述第一側(cè)墻的底部寬度。由于所述第二側(cè)墻底部較寬，可以填補(bǔ)在相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間間隙底部的邊角，解決了相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間間隙的底部邊角不容易被層間介質(zhì)層填充到從而會(huì)產(chǎn)生空洞的問(wèn)題；且所述第二側(cè)墻還具有明顯傾斜的外側(cè)面，使得在第二側(cè)墻和半導(dǎo)體襯底構(gòu)成的開(kāi)口為上寬下窄的敞口狀。這樣形狀的開(kāi)口在底部需要填充的層間介質(zhì)層較少，不容易發(fā)生在開(kāi)口底部還未被填充滿時(shí)，開(kāi)口頂部就被封住的情況。進(jìn)一步，去除第一側(cè)墻后再重新形成第二側(cè)墻的工藝安排，使得在形成第一側(cè)墻時(shí)，可以不考慮后續(xù)填充層間介質(zhì)層的需要，只需要適應(yīng)于源漏離子注入工藝的需要，形成較薄的第一側(cè)墻；在源漏離子注入之后，形成第二側(cè)墻層之前，去除第一側(cè)墻，能夠消除第一側(cè)墻的厚度對(duì)減小相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間間距的影響，避免第一側(cè)墻增加?xùn)艠O結(jié)構(gòu)之間間隙的深寬比；在形成第二側(cè)墻時(shí)，由于已經(jīng)完成了離子注入，可以不受離子注入對(duì)側(cè)墻厚度要求的限制，形成底部比第一側(cè)墻厚的第二側(cè)墻，確保第二側(cè)墻和半導(dǎo)體襯底構(gòu)成的開(kāi)口便于填入層間介質(zhì)層。進(jìn)一步，第二側(cè)墻的底角為30°～60°時(shí)，所述第二側(cè)墻的外側(cè)面傾斜度比較合適，既不傾向于陡直，也不傾向于水平，對(duì)相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的間隙的形貌的改變比較明顯，使得相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的第二側(cè)墻和半導(dǎo)體襯底之間構(gòu)成開(kāi)口便于填充。進(jìn)一步，所述第二側(cè)墻的高度比柵極結(jié)構(gòu)低，在半導(dǎo)體襯底、第二側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積應(yīng)力層形成的晶體管，與應(yīng)用一般的雙應(yīng)力層（Dualstressliners，DSL）技術(shù)形成的MOS晶體管相比，其中形成的應(yīng)力層更接近溝道，能更好的施加應(yīng)力給溝道，能更大幅度的提高M(jìn)OS晶體管溝道載流子的遷移率。這種在MOS晶體管中形成應(yīng)力層的技術(shù)恰好為應(yīng)力接近技術(shù)（Stressproximitytechnique，SPT）。附圖說(shuō)明圖1至圖4是現(xiàn)有技術(shù)中形成MOS晶體管的工藝示意圖；圖5至圖10是本發(fā)明的實(shí)施例一中形成MOS晶體管的工藝示意圖；圖11至圖12是本發(fā)明的實(shí)施例二中形成MOS晶體管的工藝示意圖。具體實(shí)施方式在現(xiàn)有工藝中，柵極兩側(cè)的側(cè)墻主要是作為后續(xù)源漏離子注入的掩膜，會(huì)非常的薄，其底部寬度一般為且側(cè)墻一般與柵極結(jié)構(gòu)齊平，高度為這樣形狀的側(cè)墻的外側(cè)面近乎垂直于半導(dǎo)體襯底，相應(yīng)的，相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的側(cè)墻與半導(dǎo)體襯底構(gòu)成的開(kāi)口的底角近乎直角。在開(kāi)口的深寬比較大的情況下，向這樣的開(kāi)口填充層間介質(zhì)層會(huì)很難填充到開(kāi)口的底角，從而在開(kāi)口的底角處出現(xiàn)空洞；并且在向所述開(kāi)口中填充層間介質(zhì)層時(shí)，開(kāi)口頂部?jī)蓚?cè)的臺(tái)階處容易聚集層間介質(zhì)層分子，形成凸出部。在所述開(kāi)口的靠下的部分還未被填滿時(shí)，開(kāi)口頂部?jī)蓚?cè)凸出部已經(jīng)連接在一起，封住了開(kāi)口的表面，阻礙層間介質(zhì)層的繼續(xù)填充，從而造成開(kāi)口內(nèi)空洞。由此，本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種MOS晶體管的制造方法，包括：形成柵極結(jié)構(gòu)和第一側(cè)墻之后，利用柵極結(jié)構(gòu)和第一側(cè)墻作為掩膜進(jìn)行離子注入形成源漏離子注入?yún)^(qū)，然后去除第一側(cè)墻，形成第二側(cè)墻層，再利用各向同性刻蝕使得第二側(cè)墻層形成為第二側(cè)墻。所述第二側(cè)墻為上窄下寬的直角三角形，且所述第二側(cè)墻的底部寬度遠(yuǎn)大于所述第一側(cè)墻的底部寬度，這樣的形狀的第二側(cè)墻會(huì)填補(bǔ)在相鄰柵極結(jié)構(gòu)構(gòu)成的間隙的底角處，并使得相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的第二側(cè)墻和半導(dǎo)體襯底構(gòu)成的開(kāi)口為上寬下窄的敞口狀，便于填入介質(zhì)層。本發(fā)明的技術(shù)方案中所述第二側(cè)墻的高度低于柵極結(jié)構(gòu)，在后續(xù)在半導(dǎo)體襯底、第二側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)上沉積應(yīng)力層，所述應(yīng)力層能夠直接接觸到所述柵極結(jié)構(gòu)。與一般的應(yīng)用雙應(yīng)力層（Dualstressliners，DSL）技術(shù)形成的具有應(yīng)力層的MOS晶體管相比，本發(fā)明的技術(shù)方案形成的MOS晶體管中應(yīng)力層更接近溝道，能更好的施加應(yīng)力給溝道，能更大幅度的提高M(jìn)OS晶體管溝道載流子的遷移率。本發(fā)明的技術(shù)方案采用的這種應(yīng)力技術(shù)稱(chēng)之為應(yīng)力接近技術(shù)（Stressproximitytechnique，SPT）。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。實(shí)施例一以下結(jié)合圖5至圖10來(lái)詳細(xì)闡述實(shí)施例一中形成具有直角三角形的第二側(cè)墻的MOS晶體管的工藝過(guò)程。如圖5所示，提供半導(dǎo)體襯底100，在半導(dǎo)體襯底100上形成若干柵極結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體襯底100和柵極結(jié)構(gòu)的表面形成第一側(cè)墻層300。其中，圖5僅圖示兩相鄰的柵極結(jié)構(gòu)210、220作為示意。本實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)210、220包括柵絕緣層和位于柵絕緣層上的柵電極層（未圖示）。其中，所述柵絕緣層為氧化硅，所述柵極材料層為多晶硅。本實(shí)施例中，形成柵極結(jié)構(gòu)210和柵極結(jié)構(gòu)220工藝為：在半導(dǎo)體襯底上利用沉積工藝或者熱氧化工藝形成柵絕緣層；然后在柵絕緣層上利用沉積工藝形成柵電極層；在柵電極層上形成光刻膠層，所述光刻膠層上具有柵電極圖形；以光刻膠層為掩膜，對(duì)所述柵絕緣層和多晶硅層進(jìn)行選擇性刻蝕以形成柵極結(jié)構(gòu)210和220。本實(shí)施例中，所述第一側(cè)墻層300的材料為氮化硅，利用沉積工藝形成。在其它實(shí)施方式中，所述第一側(cè)墻層300也可以為氧化硅層和覆蓋氧化硅層的氮化硅層的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。如圖6所示，利用各向異性刻蝕工藝去除柵極結(jié)構(gòu)210、220頂部和半導(dǎo)體襯底100上的第一側(cè)墻層300，形成覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)210和柵極結(jié)構(gòu)220側(cè)壁處的第一側(cè)墻310。所述柵極結(jié)構(gòu)210、220之間的第一側(cè)墻310和半導(dǎo)體襯底100構(gòu)成第一開(kāi)口17。具體的，本實(shí)施例中，所述刻蝕主要包括兩個(gè)步驟：首先，對(duì)第一側(cè)墻層300進(jìn)行第一刻蝕，所述第一刻蝕所采用的刻蝕氣體為CF4、CHF3、O2和Ar的混合氣體，CF4、CHF3、O2和Ar的體積比V（CF4）：V（CHF3）：V（O2）：V（Ar）為40:80:30:250。所述第一刻蝕中主要刻蝕半導(dǎo)體襯底100和柵極結(jié)構(gòu)210、210頂部的第一側(cè)墻層300。一般情況下，第一刻蝕保留少量的半導(dǎo)體襯底100和柵極結(jié)構(gòu)210、220頂部的第一側(cè)墻層300。接著，對(duì)第一側(cè)墻層300進(jìn)行第二刻蝕，所述第二刻蝕中，刻蝕氣體對(duì)第一側(cè)墻層300的刻蝕速率要小于第一刻蝕中刻蝕氣體對(duì)第一側(cè)墻層300的刻蝕速率。所采用的刻蝕氣體為CH3F、O2和Ar，其中，CH3F、O2和Ar的體積比V（CH3F）：V（O2）：V（Ar）為20:80:100。在第二刻蝕中，一方面去除半導(dǎo)體襯底100和柵極結(jié)構(gòu)210、220頂部殘留的第一側(cè)墻層300，另一方面還要刻蝕柵極結(jié)構(gòu)210、220側(cè)壁上的第一側(cè)墻層300至預(yù)定尺寸。經(jīng)過(guò)第二刻蝕后，所述第一側(cè)墻層300形成為第一側(cè)墻310。如圖7所示，以柵極結(jié)構(gòu)210、220和第一側(cè)墻層310為掩膜對(duì)半導(dǎo)體襯底100進(jìn)行離子注入，在半導(dǎo)體襯底100中形成MOS晶體管的源漏極摻雜區(qū)19。如圖8所示，去除第一側(cè)墻310，然后在半導(dǎo)體襯底100、第一側(cè)墻310和柵極結(jié)構(gòu)210、220的表面形成第二側(cè)墻層400。在本實(shí)施例中，去除所述第一側(cè)墻310的工藝為濕法刻蝕，可利用熱磷酸進(jìn)行。本步驟中，去除了第一側(cè)墻310，消除第一側(cè)墻310的厚度對(duì)減小柵極結(jié)構(gòu)210、220之間的間距的影響，可避免第一側(cè)墻310增大柵極結(jié)構(gòu)210、220之間間隙的深寬比。在本實(shí)施例中，所述第二側(cè)墻層400的厚度遠(yuǎn)大于第一側(cè)墻層300的厚度，其具體厚度為相鄰柵極結(jié)構(gòu)210、220之間間距的1/3～1/2，一般為在本實(shí)施例中，所述第二側(cè)墻層400的材質(zhì)為氮化硅。形成的方式為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。沉積時(shí)所用氣源為SiH4、NH3和N2。其中，SiH4的流量為100sccm，NH3的流量為100sccm，N2的流量為30sccm。壓強(qiáng)設(shè)置為50Pa，功率設(shè)置為20W，溫度設(shè)置為200℃～350℃。如圖9所示，利用各向同性刻蝕去除柵極結(jié)構(gòu)210、220頂部和半導(dǎo)體襯底100上的第二側(cè)墻層400，以形成第二側(cè)墻410。所述第二側(cè)墻410為上窄下寬的三角形，其底部寬度大于圖6至圖7中的第一側(cè)墻310的底部寬度。所述柵極結(jié)構(gòu)210、220之間的第二側(cè)墻410和半導(dǎo)體襯底100構(gòu)成第二開(kāi)口18。本實(shí)施例中，所述各向同性刻蝕中，所采用的刻蝕劑為CHF3、CH2F2、CH3F和O2的混合氣體，其中CHF3的流量為10-500sccm，CH2F2的流量為10-500sccm，CH3F的流量為10-500sccm，O2的流量為10-500sccm?？涛g過(guò)程中，設(shè)置刻蝕腔室內(nèi)壓強(qiáng)為10mTorr-100mTorr，源功率為100W-1000W，偏置功率為100W-500W。其中，源功率用于產(chǎn)生和維持等離子體，偏置功率用于控制蝕刻速率。所述各向同性刻蝕進(jìn)行的時(shí)間具體由第二側(cè)墻410需要的寬度決定。本實(shí)施例中，所述各向同性刻蝕的刻蝕時(shí)間為：10secs-600secs。各向同性刻蝕后，形成的第二側(cè)墻410具有明顯傾斜的外側(cè)面，構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)210、220兩側(cè)的直角三角形，所述直角三角形的一條直角邊與半導(dǎo)體襯底上表面重合，另一條直角邊與柵極結(jié)構(gòu)側(cè)邊重合。所述第二側(cè)墻410的形貌使得第二開(kāi)口18為上寬下窄的敞口狀。所述第二側(cè)墻410底部的寬度越寬，相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間間隙底部邊角處被填補(bǔ)得越多，越不容易發(fā)生填充不到的問(wèn)題；但所述第二側(cè)墻410也不宜太寬。因?yàn)樵诤罄m(xù)工藝中，需要在第二開(kāi)口18中填充層間介質(zhì)層材料，然后利用刻蝕工藝刻蝕層間介質(zhì)層，以在源漏極摻雜區(qū)19上形成接觸孔。第二側(cè)墻410的材質(zhì)為氮化硅，層間介質(zhì)層的材質(zhì)一般為氧化硅，兩者材質(zhì)不同。若所述第二側(cè)墻410超過(guò)了需要形成的接觸孔的邊緣，在后續(xù)利用刻蝕工藝刻蝕層間介質(zhì)層形成接觸孔時(shí)，所述第二側(cè)墻410會(huì)阻擋接觸孔底部的刻蝕。所以所述第二側(cè)墻410與半導(dǎo)體襯底100上表面重合的直角邊不接觸到后續(xù)要形成的接觸孔的邊緣。經(jīng)過(guò)多次試驗(yàn)，所述第二側(cè)墻410的外側(cè)面與半導(dǎo)體襯底100上表面構(gòu)成的底角a的范圍為30°～60°時(shí)，所述第二側(cè)墻外側(cè)面的傾斜度比較合適，既不傾向于陡直，也不傾向于水平，對(duì)相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間間隙的形貌改變比較明顯，使所述第二開(kāi)口18便于填充。當(dāng)所述底角a為45°時(shí)，所述第二開(kāi)口18最便于填充。如圖10所示，在半導(dǎo)體襯底100，柵極結(jié)構(gòu)210、220和第二側(cè)墻410的表面形成層間介質(zhì)層600。本實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層600材質(zhì)為氧化硅，形成方式為化學(xué)氣相沉積。所述第二側(cè)墻410底部較寬，可以填補(bǔ)在相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間間隙底部的邊角處，從而避免在往相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間間隙填充層間介質(zhì)層時(shí)，間隙底部邊角處不容易填充到從而形成空洞；并且所述第二側(cè)墻410還具有明顯傾斜的外側(cè)面，可以改善圖6中第一開(kāi)口17的形貌，使得在圖10中第二側(cè)墻410和半導(dǎo)體襯底100構(gòu)成的第二開(kāi)口18為上寬下窄的敞口狀。這樣形狀的第二開(kāi)口18在底部需要填充的層間介質(zhì)層600較少，不容易出現(xiàn)在第二開(kāi)口18底部還未填充滿，第二開(kāi)口18頂部就被封住的問(wèn)題。在這一步驟中，在第二開(kāi)口18中填充的層間介質(zhì)層600具有良好的均勻性，沒(méi)有空洞。并且，本實(shí)施例中去除第一側(cè)墻310后再重新形成第二側(cè)墻410的工藝安排，使得在形成第一側(cè)墻310時(shí)，可以不考慮后續(xù)填充層間介質(zhì)層600的需要，只需要適應(yīng)于源漏離子注入工藝的要求，形成較薄的第一側(cè)墻310；在源漏離子注入之后，形成第二側(cè)墻層300之前，去除第一側(cè)墻310，能夠消除第一側(cè)墻310的厚度對(duì)減小柵極結(jié)構(gòu)210、220之間間距的影響，避免第一側(cè)墻310增加?xùn)艠O結(jié)構(gòu)之間間隙的深寬比；在形成第二側(cè)墻410時(shí)，由于已經(jīng)完成了離子注入，可以不受離子注入要求側(cè)墻較薄的限制，形成底部較厚的第二側(cè)墻410，確保形成的第二側(cè)墻410的形貌使得第二開(kāi)口18便于填入層間介質(zhì)層600。實(shí)施例二在本實(shí)施例中，需要在半導(dǎo)體襯底100和柵極結(jié)構(gòu)210、220上形成應(yīng)力層，以下結(jié)合圖11至圖12來(lái)詳細(xì)闡述實(shí)施例二的情況。一般情況下，在不同類(lèi)型的MOS晶體管上形成不同應(yīng)力類(lèi)型的應(yīng)力層的技術(shù)為雙應(yīng)力層（Dualstressliners，DSL）技術(shù)。DSL技術(shù)能夠?qū)?yīng)力施加于MOS晶體管的溝道上，從而引起晶格應(yīng)變，提高載流子（電子或者空穴）的遷移率，保證集成電路在較小的工作電壓下能夠保持較好的性能。滿足集成電路的工作電壓隨著工藝特征尺寸不斷減小也相應(yīng)不斷減小的發(fā)展趨勢(shì)。另一種建立在DSL基礎(chǔ)上的應(yīng)力技術(shù)為：在去除柵極兩側(cè)的側(cè)墻頂部部分后再沉積應(yīng)力層，這種應(yīng)力技術(shù)稱(chēng)為應(yīng)力接近技術(shù)（Stressproximitytechnique，SPT）。與一般的DSL技術(shù)相比，SPT中應(yīng)力層能直接接觸到柵極結(jié)構(gòu)，應(yīng)力層會(huì)更接近溝道，能好的施加應(yīng)力給溝道，能更大幅度的提高M(jìn)OS晶體管溝道載流子的遷移率。如圖11所示，在形成好第二側(cè)墻410之后，在填充層間介質(zhì)層600之前，在半導(dǎo)體襯底100、第二側(cè)墻410和柵極結(jié)構(gòu)210、220的表面形成應(yīng)力層500。在本實(shí)施例中，所述應(yīng)力層500的材質(zhì)為氮化硅，應(yīng)力類(lèi)型由柵極結(jié)構(gòu)210或柵極結(jié)構(gòu)220所在的晶體管類(lèi)型決定。一般的，在NMOS晶體管上形成的應(yīng)力層500為張應(yīng)力層，在PMOS晶體管上形成的所述應(yīng)力層500為壓應(yīng)力層。所述應(yīng)力層500的應(yīng)力的類(lèi)型由沉積氮化硅的具體工藝條件決定。在本實(shí)施例中，所述第二側(cè)墻410需要滿足同實(shí)施例一類(lèi)似的對(duì)第二側(cè)墻410的底角a和底部寬度要求。在滿足這些要求的情況下，所述第二側(cè)墻410的高度會(huì)低于柵極結(jié)構(gòu)210、220的高度。且一般情況下，第二側(cè)墻410的高度不會(huì)超過(guò)柵極結(jié)構(gòu)210、220的一半高度。在這樣的情況下，應(yīng)力層500形成好之后，能夠直接接觸到柵極結(jié)構(gòu)，能很好的施加應(yīng)力給溝道，能更大幅度的提高M(jìn)OS晶體管溝道載流子的遷移率。本實(shí)施例提供的制造MOS晶體管的工藝中，不需要如一般MOS晶體管的工藝特意再增加工藝去除側(cè)墻的上部，才能夠應(yīng)用應(yīng)力接近技術(shù)（Stressproximitytechnique，SPT）。如圖12所示，在所述應(yīng)力層500表面形成層間介質(zhì)層600。在本實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層600的材質(zhì)為氧化硅。形成層間介質(zhì)層600的工藝為沉積氧化硅層，然后利用化學(xué)機(jī)械研磨磨平氧化硅層的表面。所述應(yīng)力層500表面形貌由柵極結(jié)構(gòu)210、220、第二側(cè)墻410和半導(dǎo)體襯底100共同構(gòu)成的表面輪廓決定。由于第二側(cè)墻410的外側(cè)面的傾斜度比較大，在本實(shí)施例中，相鄰柵極結(jié)構(gòu)210、220之間的應(yīng)力層500構(gòu)成的開(kāi)口16內(nèi)部依然為上寬下窄的敞口狀，便于后續(xù)工藝中介質(zhì)層的填充。在這一步驟中，形成的層間介質(zhì)層600具有良好的均勻性，沒(méi)有空洞。但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。