一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，該封裝層為由封裝層單元重疊形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)；所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層，可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，可延長有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價(jià)，易于大面積制備。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是一種以有機(jī)材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應(yīng)快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等領(lǐng)域有著極為廣泛的應(yīng)用前景。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為三明治結(jié)構(gòu)，在陰極和陽極之間夾有有機(jī)發(fā)光層。OLED的發(fā)光層中的有機(jī)物質(zhì)對大氣中的污染物、氧氣以及潮氣十分敏感，若長期接觸會降低有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光性能并縮短其使用壽命，而OLED的陰極材料多為化學(xué)性質(zhì)較活潑的金屬，極易在空氣中或其他含有氧、水汽的氣氛中受到侵蝕。因此，常常需要對OLED進(jìn)行封裝保護(hù)處理，使發(fā)光器件與外界環(huán)境隔離，以防止水分、有害氣體等的侵入，進(jìn)而提高OLED的穩(wěn)定性和使用壽命。
[0004]對于柔性O(shè)LED產(chǎn)品來說，若使用傳統(tǒng)的OLED封裝技術(shù)，在器件背部加上封裝蓋板，會產(chǎn)生重量大、造價(jià)高、機(jī)械強(qiáng)度差等問題，限制了柔性O(shè)LED產(chǎn)品的性能發(fā)揮。目前，多數(shù)柔性O(shè)LED的防水氧能力不強(qiáng)，且使用壽命較短，制備工藝復(fù)雜、成本高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，該封裝層結(jié)構(gòu)可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，可延長有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價(jià)，易于大面積制備。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層為由封裝層單元重疊形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)；所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層；
[0007]所述第一有機(jī)阻擋層和第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自1，1_ 二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉和1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第二有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁和3_(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑中的一種；
[0008]所述混合阻擋層的材質(zhì)為金屬氧化物、金屬氟化物和金屬酞菁類化合物混合形成的第一混合材料，所述金屬氧化物為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢、氧化銫、氧化鎳或二氧化錳，所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣和氟化鋇中的一種與銀、鋁、鎳、金、銅和鉬中的一種混合形成的第二混合材料。
[0009]優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板的材質(zhì)為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板。更優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板為銦錫氧化物(ITO)。
[0010]優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板的厚度為lOOnm。
[0011]發(fā)光功能層設(shè)置在陽極導(dǎo)電基板上。
[0012]優(yōu)選地,發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0013]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為將三氧化鑰(MoO3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%摻入I, 1- 二 [4-[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(NPB)中形成的混合物。
[0014]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10nm。
[0015]優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0016]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0017]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%摻入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中形成的混合物。
[0018]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0019]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。
[0020]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10nm。
[0021]優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為疊氮化銫(CsN3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%摻入4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中形成的混合物。
[0022]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20nm。
[0023]陰極設(shè)置在發(fā)光功能層上。
[0024]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁(Al)。
[0025]優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0026]在陰極外側(cè)設(shè)置封裝層，封裝層為封裝層單元重疊形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。具體地，封裝層單元包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層。
[0027]優(yōu)選地，由封裝層單元重疊形成的封裝層包括2?4個(gè)封裝層單元。
[0028]通過將有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層的交替層疊，調(diào)整各材質(zhì)的比例與用量，可將無機(jī)阻擋層與有機(jī)阻擋層的優(yōu)勢與劣勢進(jìn)行互補(bǔ)平衡，具有更好的密封性，同時(shí)可控制發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)在10_4g/(m2.day)數(shù)量級。
[0029]有機(jī)薄膜材料低成本、易于加工，使用有機(jī)阻擋層可改善表面的平整度，同時(shí)避免無機(jī)阻擋層產(chǎn)生的缺陷。
[0030]第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基)_1，I’_ 聯(lián)苯 _4，4’- 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4, 4’，4’ ’ -三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)、2，9- 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)或1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)0
[0031]優(yōu)選地，第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm。
[0032]第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, 1-聯(lián)苯_4_羥基)鋁(Balq)或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0033]優(yōu)選地，第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm。
[0034]金屬酞菁類化合物是一類結(jié)構(gòu)與金屬卟啉相似的大環(huán)化合物，化學(xué)穩(wěn)定性很高，具有良好的耐熱、耐曬、耐酸、耐堿性及較差的溶解性，金屬酞菁類化合物是多晶結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)對光具有很強(qiáng)的散射作用，用于柔性O(shè)LED產(chǎn)品時(shí)，可提高發(fā)光器件的光透過率。同時(shí)，金屬氧化物和金屬氟化物通常在常溫和高溫條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，并且不易被無機(jī)酸和水侵蝕，具有良好的耐腐蝕、耐火特性。本發(fā)明將金屬氧化物、金屬氟化物和金屬酞菁類化合物混合，調(diào)節(jié)兩者的比例制備混合阻擋層，能獲得較好的水汽隔離效果，得到的發(fā)光器件具有較好的密封性。
[0035]混合阻擋層的材質(zhì)由三種物質(zhì)組成，為金屬氧化物、金屬氟化物和金屬酞菁類化合物混合形成的第一混合材料。
[0036]金屬氧化物為三氧化鑰(Mo03)、五氧化二f凡(V205)、三氧化鶴(W03)、氧化銫(Cs2O)、氧化鎳(N1)或二氧化錳(MnO2)。
[0037]金屬氟化物為氟化鋰(LiF)、氟化鋪(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化招(AlF3)、氟化鈣(CaF2)或氟化鋇(BaF 2)。
[0038]金屬酞菁類化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鐵(FePc)、酞菁鈷(CoPc)、酞菁猛(MnPc)或酞菁鎳(NiPc)。
[0039]優(yōu)選地，金屬氧化物在第一混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%，金屬酞菁類化合物在第一混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%。
[0040]優(yōu)選地，混合阻擋層的厚度為10nm~200nm。
[0041]第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基)_1，I’_ 聯(lián)苯 _4，4’- 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4, 4’，4’ ’ -三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBi)0
[0042]優(yōu)選地，第三有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm。
[0043]第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, 1-聯(lián)苯_4_羥基)鋁(Balq)或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0044]優(yōu)選地，第四有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm。
[0045]無機(jī)阻擋層的材質(zhì)由兩種物質(zhì)組成，為氟化鋰(LiF)、氟化鈰(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化鋁(A1F3)、氟化鈣(CaF2)和氟化鋇(BaF2)中的一種與銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、金(Au)、銅(Cu)和鉬(Pt)中的一種混合形成的第二混合材料。
[0046]優(yōu)選地，氟化鋰(LiF)、氟化鋪(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化招(A1F3)、氟化鈣(CaF2)或氟化鋇(BaF2)在第二混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%。
[0047]金屬氟化物與金屬單質(zhì)混合使用可增強(qiáng)器件的穩(wěn)定性。
[0048]優(yōu)選地,無機(jī)阻擋層的厚度為10nm~200nm。
[0049]第二方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0050]步驟一、提供清潔的陽極導(dǎo)電基板，并對所述陽極導(dǎo)電基板進(jìn)行活化處理；
[0051]步驟二、在所述陽極導(dǎo)電基板表面依次真空蒸鍍制備發(fā)光功能層和陰極；
[0052]步驟三、在所述陰極表面制備封裝層，方法如下:
[0053]SI)在所述陰極表面依次真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層，蒸鍍條件為真空度I X 1-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.5 A/s~5A/s;
[0054]S2)在所述第二有機(jī)阻擋層表面真空蒸鍍制備混合阻擋層，蒸鍍條件為真空度I X 1-5Pa ~I X 10?,蒸發(fā)速度 lA/s~5A/s;
[0055]S3)在所述混合阻擋層表面依次真空蒸鍍制備第三有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層，蒸鍍條件為真空度I X 1-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.5人/8~5人/8;
[0056]S4)在所述第四有機(jī)阻擋層表面真空蒸鍍制備無機(jī)阻擋層，蒸鍍條件為真空度I X 1-5Pa ~I X 10?,蒸發(fā)速度 I A/s~5A/s;
[0057]所述第一有機(jī)阻擋層和第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自1，1_ 二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉和1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第二有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, 1’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁和3_(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑中的一種；
[0058]所述混合阻擋層的材質(zhì)為金屬氧化物、金屬氟化物和金屬酞菁類化合物混合形成的第一混合材料，所述金屬氧化物為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢、氧化銫、氧化鎳或二氧化錳，所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣和氟化鋇中的一種與銀、鋁、鎳、金、銅和鉬中的一種混合形成的第二混合材料；
[0059]SI~S4步驟完成后，制得一個(gè)封裝層單元；
[0060]步驟四、重復(fù)步驟SI~S4，制得具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層，最終得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0061]步驟一中，通過對陽極導(dǎo)電基板的清洗，除去陽極導(dǎo)電基板表面的有機(jī)污染物。
[0062]具體地，陽極導(dǎo)電基板的清潔操作為:將陽極導(dǎo)電基板依次用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇在超聲波清洗機(jī)中清洗，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干，得到清潔的陽極導(dǎo)電基板。
[0063]對洗凈后的陽極導(dǎo)電基板進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。
[0064]優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板的材質(zhì)為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板。更優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板為銦錫氧化物(ITO)。
[0065]優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板的厚度為lOOnm。
[0066]步驟二中，發(fā)光功能層通過真空蒸鍍設(shè)置在陽極導(dǎo)電基板上。
[0067]優(yōu)選地，真空蒸鍍發(fā)光功能層時(shí)條件為真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.1~0.2人/S。
[0068]優(yōu)選地,發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0069]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為將三氧化鑰(MoO3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%摻入
1,1- 二 [4-[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(NPB)中形成的混合物。
[0070]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10nm。
[0071]優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0072]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0073]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%摻入1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中形成的混合物。
[0074]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0075]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。
[0076]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10nm。
[0077]優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為疊氮化銫(CsN3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%摻入4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中形成的混合物。
[0078]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20nm。
[0079]陰極通過真空蒸鍍設(shè)置在發(fā)光功能層上。
[0080]優(yōu)選地，真空蒸鍍陰極時(shí)條件為真空度1父10_午&，蒸發(fā)速度51/8。
[0081]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁(Al)。
[0082]優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0083]步驟三中,在所述陰極表面制備封裝層。
[0084]封裝層通過真空蒸鍍封裝層單元得到，封裝層單元通過依次真空蒸鍍第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層，磁控濺射無機(jī)阻擋層得到。
[0085]優(yōu)選地，由封裝層單元重疊形成的封裝層包括2~4個(gè)封裝層單元。
[0086]第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基)_1，1’_ 聯(lián)苯 _4，4’- 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4, 4’，4’ ’ -三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBi)0
[0087]優(yōu)選地,第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm。
[0088]第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, 1'-聯(lián)苯_4_羥基)鋁(Balq)或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0089]優(yōu)選地，第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm。
[0090]金屬酞菁類化合物是一類結(jié)構(gòu)與金屬卟啉相似的大環(huán)化合物，化學(xué)穩(wěn)定性很高，具有良好的耐熱、耐曬、耐酸、耐堿性及較差的溶解性，金屬酞菁類化合物是多晶結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)對光具有很強(qiáng)的散射作用，用于柔性O(shè)LED產(chǎn)品時(shí)，可提高發(fā)光器件的光透過率。同時(shí)，金屬氧化物和金屬氟化物通常在常溫和高溫條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，并且不易被無機(jī)酸和水侵蝕，具有良好的耐腐蝕、耐火特性。本發(fā)明將金屬氧化物、金屬氟化物和金屬酞菁類化合物混合，調(diào)節(jié)兩者的比例制備混合阻擋層，能獲得較好的水汽隔離效果，得到的發(fā)光器件具有較好的密封性。
[0091]混合阻擋層的材質(zhì)由三種物質(zhì)組成，為金屬氧化物、金屬氟化物和金屬酞菁類化合物混合形成的第一混合材料。
[0092]金屬氧化物為三氧化鑰(Mo03)、五氧化二f凡(V205)、三氧化鶴(W03)、氧化銫(Cs2O)、氧化鎳(N1)或二氧化錳(MnO2)。
[0093]金屬氟化物為氟化鋰(LiF)、氟化鋪(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化招(AlF3)、氟化鈣(CaF2)或氟化鋇(BaF2)。
[0094]金屬酞菁類化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鐵(FePc)、酞菁鈷(CoPc)、酞菁猛(MnPc)或酞菁鎳(NiPc)。
[0095]優(yōu)選地，金屬氧化物在第一混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%，金屬酞菁類化合物在第一混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%。
[0096]優(yōu)選地，混合阻擋層的厚度為10nm~200nm。
[0097]通過將有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層的交替層疊，調(diào)整各材質(zhì)的比例與用量，可將無機(jī)阻擋層與有機(jī)阻擋層的優(yōu)勢與劣勢進(jìn)行互補(bǔ)平衡，具有更好的密封性，同時(shí)可控制發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)在10_4g/(m2.day)數(shù)量級。
[0098]有機(jī)薄膜材料低成本、易于加工，使用有機(jī)阻擋層可改善表面的平整度，同時(shí)避免無機(jī)阻擋層產(chǎn)生的缺陷。
[0099]第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基)_1，I’_ 聯(lián)苯 _4，4’- 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4, 4’，4’ ’ -三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)、2，9- 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)或1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)0
[0100]優(yōu)選地，第三有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm。
[0101]第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、
8-羥基喹啉鋁(Alq3)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, 1'-聯(lián)苯_4_羥基)鋁(Balq)或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0102]優(yōu)選地，第四有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm。
[0103]無機(jī)阻擋層的材質(zhì)由兩種物質(zhì)組成，為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣和氟化鋇中的一種與銀、鋁、鎳、金、銅和鉬中的一種混合形成的第二混合材料。
[0104]優(yōu)選地，氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇在第二混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%。
[0105]金屬氟化物與金屬單質(zhì)混合使用可增強(qiáng)器件的穩(wěn)定性。
[0106]優(yōu)選地，無機(jī)阻擋層的厚度為10nm~200nm。
[0107]完成步驟三后，在陰極外側(cè)已經(jīng)制得一個(gè)封裝層單元，包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層。
[0108]步驟四中，采用與步驟三相同的條件，重復(fù)步驟三，制得具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層，最終得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0109]優(yōu)選地，將步驟三實(shí)施2?4次，得到的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層包括2?4個(gè)封裝層單元。
[0110]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0111](I)本發(fā)明提供的一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，具有較好的密封性和較長的使用壽命。
[0112](2)本發(fā)明提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價(jià)，易于大面積制備。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0113]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0114]圖1是本發(fā)明實(shí)施例6提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0115]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0116]實(shí)施例1:
[0117]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0118](I)提供清潔的陽極導(dǎo)電基板:
[0119]將ITO玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇在超聲波清洗機(jī)中清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用；對洗凈后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理；ITO厚度為10nm ；
[0120](2)在ITO玻璃基板上真空蒸鍍發(fā)光功能層:
[0121]具體地，依次真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0122]空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入NPB中，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%，厚度10nm，真空度1父10-%，蒸發(fā)速度0.丨人/5;
[0123]空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.1A/S,蒸發(fā)厚度30nm ；
[0124]發(fā)光層的制備:主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi),客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0125]電子傳輸層的制備:蒸鍍4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸層,真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度1nm ；
[0126]電子注入層的制備:將CsN3摻入Bphen中，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0127](3)在發(fā)光功能層表面制備陰極:
[0128]金屬陰極采用鋁(Al)，厚度為lOOnm，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度5A/S;
[0129](4)在陰極外側(cè)制備封裝層:
[0130]一個(gè)封裝層單元，通過以下方法制得:依次真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層，具體地:
[0131]第一有機(jī)阻擋層的制作:采用TAPC作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5 A /S，厚度 200nm ；
[0132]第二有機(jī)阻擋層的制作:采用Bphen作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度0.5 A /s,厚度 200nm ；
[0133]混合阻擋層的制作:混合阻擋層由三種物質(zhì)構(gòu)成，為Mo03、LiF和CuPc，其中MoO3質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，CuPc質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，蒸鍍條件為真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速率5 A /s,厚度200nm ；
[0134]第三有機(jī)阻擋層的制作:采用TAPC作為第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 0.5 A /s,厚度 200nm ；
[0135]第四有機(jī)阻擋層的制作:采用Bphen作為第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度 0.5 A /s,厚度 200nrn;
[0136]無機(jī)阻擋層的制作:無機(jī)阻擋層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，為LiF和Ag，其中LiF質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，本底真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速率5 A /S,厚度200nm ；
[0137]將以上封裝層單元的制作步驟實(shí)施4次，制備4個(gè)封裝層單元，得到由4個(gè)封裝層單元重疊形成的封裝層，最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0138]實(shí)施例2:
[0139]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0140](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0141](4)在陰極外側(cè)制備封裝層:
[0142]一個(gè)封裝層單元，通過以下方法制得:依次真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層，具體地:
[0143]第一有機(jī)阻擋層的制作:采用NPB作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_4Pa，蒸發(fā)速度5 A/s,厚度300nm;
[0144] 第二有機(jī)阻擋層的制作:采用BCP作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_4Pa，蒸發(fā)速度5 A /S，厚度300nm ；
[0145]混合阻擋層的制作:混合阻擋層由三種物質(zhì)構(gòu)成，為V205、CeF2和ZnPc，其中V2O5質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，ZnPc質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸鍍條件為真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速率I A /s厚度10nm ；
[0146]第三有機(jī)阻擋層的制作:采用NPB作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_4Pa，蒸發(fā)速度5 A/s,厚度300nm;
[0147]第四有機(jī)阻擋層的制作:采用BCP作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_4Pa，蒸發(fā)速度5 A /S，厚度300nm ；
[0148]無機(jī)阻擋層的制作:無機(jī)阻擋層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，為CeF2和Al，其中CeF2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，本底真空度1父10、&，蒸發(fā)速率3人/8,厚度150nm;
[0149]將以上封裝層單元的制作步驟實(shí)施3次，制備3個(gè)封裝層單元，得到由3個(gè)封裝層單元重疊形成的封裝層，最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0150]實(shí)施例3:
[0151]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0152](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0153](4)在陰極外側(cè)制備封裝層:
[0154]一個(gè)封裝層單元，通過以下方法制得:依次真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層，具體地:
[0155]第一有機(jī)阻擋層的制作:采用Alq3作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度 I A /S，厚度 250nm ；
[0156]第二有機(jī)阻擋層的制作:采用TPBi作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度 I A /S,厚度 250nm ；
[0157]混合阻擋層的制作:混合阻擋層由三種物質(zhì)構(gòu)成,為W03、MgF2和FePc,其中WO3質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，F(xiàn)ePc質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，蒸鍍條件為真空度5 X10_5Pa，蒸發(fā)速率4 A/S，厚度160nm ；
[0158]第三有機(jī)阻擋層的制作:采用Alq3作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度I A /S，厚度 250nm ；
[0159]第四有機(jī)阻擋層的制作:采用TPBi作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度 I A/S 厚度 250nm ；
[0160]無機(jī)阻擋層的制作:無機(jī)阻擋層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，為MgF2和Ni，其中MgF2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，本底真空度1父10、&，蒸發(fā)速率2人/8,厚度140nm;
[0161]將以上封裝層單元的制作步驟實(shí)施3次，制備3個(gè)封裝層單元，得到由3個(gè)封裝層單元重疊形成的封裝層，最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0162]實(shí)施例4:
[0163]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0164](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0165](4)在陰極外側(cè)制備封裝層:
[0166]一個(gè)封裝層單元，通過以下方法制得:依次真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層，具體地:
[0167]第一有機(jī)阻擋層的制作:采用m-MTDATA作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度2 A /s,厚度 220nm ；
[0168]第二有機(jī)阻擋層的制作:采用Alq3作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度3 A /s,厚度 240nm ；
[0169]混合阻擋層的制作:混合阻擋層由三種物質(zhì)構(gòu)成,為Cs20、AlF3和CoPc,其中Cs2O質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，CoPc質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，蒸鍍條件為真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速率3 A /s,厚度150nm ；
[0170]第三有機(jī)阻擋層的制作:采用m-MTDATA作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度2 A /S，厚度 220nm ；
[0171]第四有機(jī)阻擋層的制作:采用Alq3作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度 3 A /S，厚度 240nm ；
[0172]無機(jī)阻擋層的制作:無機(jī)阻擋層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，為AlF3和Au，其中AlF3質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，本底真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速率2 A /S，厚度120nm ；
[0173]將以上封裝層單元的制作步驟實(shí)施2次，制備2個(gè)封裝層單元，得到由2個(gè)封裝層單元重疊形成的封裝層，最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0174]實(shí)施例5:
[0175]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0176](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0177](4)在陰極外側(cè)制備封裝層:
[0178]一個(gè)封裝層單元，通過以下方法制得:依次真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層，具體地:
[0179]第一有機(jī)阻擋層的制作:采用BCP作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_4Pa，蒸發(fā)速度2 A/S，厚度260nm;
[0180]第二有機(jī)阻擋層的制作:采用Balq作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度4 A /s,厚度 200nm ；
[0181]混合阻擋層的制作:混合阻擋層由三種物質(zhì)構(gòu)成，為N1、CaF2和MnPc，其中N1質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，MnPc質(zhì)量分?jǐn)?shù)為18%，蒸鍍條件為真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速率3 A/S，厚度150nm ；
[0182]第三有機(jī)阻擋層的制作:采用BCP作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_4Pa，蒸發(fā)速度2 A /S，厚度260nm ；
[0183]第四有機(jī)阻擋層的制作:采用Balq作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速度 4 A /S，厚度 200nm ；
[0184]無機(jī)阻擋層的制作:無機(jī)阻擋層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，為CaF2和Cu，其中CaF2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，本底真空度I X 10_4Pa，蒸發(fā)速率I A/S,厚度10nm ；
[0185]將以上封裝層單元的制作步驟實(shí)施2次，制備2個(gè)封裝層單元，得到由2個(gè)封裝層單元重疊形成的封裝層，最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0186]實(shí)施例6:
[0187]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0188](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0189](4)在陰極外側(cè)制備封裝層:
[0190]一個(gè)封裝層單元，通過以下方法制得:依次真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層，具體地:
[0191]第一有機(jī)阻擋層的制作:采用TPBi作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度I人/s,厚度200nm ；
[0192]第二有機(jī)阻擋層的制作:采用TAZ作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_3Pa，蒸發(fā)速度I A/S，厚度220nm;
[0193]混合阻擋層的制作:混合阻擋層由三種物質(zhì)構(gòu)成，為Mn02、BaF2和NiPc，其中MnO2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，NiPc質(zhì)量分?jǐn)?shù)為13%，蒸鍍條件為真空度I X10_3Pa，蒸發(fā)速率3 A/S，厚度150nm ；
[0194]第三有機(jī)阻擋層的制作:采用TPBi作為第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度I A /s,厚度200nm ；
[0195]第四有機(jī)阻擋層的制作:采用TAZ作為第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_3Pa，蒸發(fā)速度I A/S，厚度220nm;
[0196]無機(jī)阻擋層的制作:無機(jī)阻擋層由兩種物質(zhì)構(gòu)成，為BaF2和Pt，其中BaF2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，本底真空度1父10_^1，蒸發(fā)速率3人/8,厚度120nm;
[0197]將以上封裝層單元的制作步驟實(shí)施2次，制備2個(gè)封裝層單元，得到由2個(gè)封裝層單元重疊形成的封裝層，最終制得有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0198]圖1是本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板10、發(fā)光功能層20(包括空穴注入層201、空穴傳輸層202、發(fā)光層203、電子傳輸層204、電子注入層205)、陰極30、第一個(gè)封裝層單兀40(包括第一有機(jī)阻擋層401、第二有機(jī)阻擋層402、混合阻擋層403、第三有機(jī)阻擋層404、第四有機(jī)阻擋層405、無機(jī)阻擋層406)、第二個(gè)封裝層單元50 (包括第一有機(jī)阻擋層501、第二有機(jī)阻擋層502、混合阻擋層503、第三有機(jī)阻擋層504、第四有機(jī)阻擋層505、無機(jī)阻擋層506)。
[0199]效果實(shí)施例
[0200]采用Ca膜電學(xué)測試系統(tǒng)測試有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)，并測試有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命(T70@1000cd/m2)，從初始亮度lOOOcd/m2衰減到70%所需的時(shí)間。本發(fā)明實(shí)施例1~6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的WVTR和壽命如表1所示。從表中可以看出，WVTR均保持在10_4g/ (m2.day)數(shù)量級，最低可達(dá)到6.7 X 10_4g/ (m2.day)，可以滿足柔性O(shè)LED的實(shí)用要求。有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命時(shí)間最長可達(dá)到4618小時(shí)。這說明，本發(fā)明制備的具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，具有較好的密封性和較長的使用壽命。
[0201]表1實(shí)施例1~6有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率和壽命
[0202]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層為由封裝層單元重疊形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)；所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、混合阻擋層、第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層； 所述第一有機(jī)阻擋層和第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán) 己烷、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第二有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08) - (1，I’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁和3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑中的一種； 所述混合阻擋層的材質(zhì)為金屬氧化物、金屬氟化物和金屬酞菁類化合物混合形成的第一混合材料，所述金屬氧化物為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢、氧化銫、氧化鎳或二氧化錳，所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣和氟化鋇中的一種與銀、鋁、鎳、金、銅和鉬中的一種混合形成的第二混合材料。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述由封裝層單元重疊形成的封裝層包括2~4個(gè)封裝層單元。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬酞菁類化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬氧化物在所述第一混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%，所述金屬酞菁類化合物在所述第一混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%，所述氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇在所述第二混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第三有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的厚度均為200nm~300nm，所述混合阻擋層和無機(jī)阻擋層的厚度均為10nm~200nm。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一、提供清潔的陽極導(dǎo)電基板，并對所述陽極導(dǎo)電基板進(jìn)行活化處理； 步驟二、在所述陽極導(dǎo)電基板表面依次真空蒸鍍制備發(fā)光功能層和陰極； 步驟三、在所述陰極表面制備封裝層，方法如下: 51)在所述陰極表面依次真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層，蒸鍍條件為真空度IX 1-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.5A/S-5A/S； 52)在所述第二有機(jī)阻擋層表面真空蒸鍍制備混合阻擋層，蒸鍍條件為真空度I X IQ-5Pa ~I X 10?,蒸發(fā)速度 I A/s ~5A/s;53)在所述混合阻擋層表面依次真空蒸鍍制備第三有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層，蒸鍍條件為真空度IX 1-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.5A/S~5A/S; 54)在所述第四有機(jī)阻擋層表面真空蒸鍍制備無機(jī)阻擋層，蒸鍍條件為真空度I X 1-5Pa ~I X 10?,蒸發(fā)速度 lA/s~5A/s; 所述第一有機(jī)阻擋層和第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第二有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08) - (1，I’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁和3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑中的一種； 所述混合阻擋層的材質(zhì)為金屬氧化物、金屬氟化物和金屬酞菁類化合物混合形成的第一混合材料，所述金屬氧化物為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢、氧化銫、氧化鎳或二氧化錳，所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；所述無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣和氟化鋇中的一種與銀、鋁、鎳、金、銅和鉬中的一種混合形成的第二混合材料； SI~S4步驟完成后，制得一個(gè)封裝層單元； 步驟四、重復(fù)步驟SI~S4，制得具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層，最終得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述由封裝層單元重疊形成的封裝層包括2~4個(gè)封裝層單元。
9.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬酞菁類化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
10.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物在所述第一混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%，所述金屬酞菁類化合物在所述第一混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%，所述氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇在所述第二混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~30%。
【文檔編號】H01L51/56GK104078584SQ201310101224
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月27日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司