一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極層和封裝層，所述封裝層包括依次疊層設(shè)置的第一封裝單元和第二封裝單元，所述第一封裝單元依次包括第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層和第一無機(jī)阻擋層，所述第二封裝單元依次包括第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層，該有機(jī)電致發(fā)光器件采用多層材料層交替封裝，綜合有機(jī)材料與無機(jī)材料各自優(yōu)勢(shì)，致密性高，可有效地減少氧和水汽對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在透明陽極和陰極層之間夾有多層有機(jī)材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層)，當(dāng)電極間施加一定的電壓后，發(fā)光層就會(huì)發(fā)光。近年來，有機(jī)電致發(fā)光器件由于本身制作成本低、響應(yīng)時(shí)間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅(qū)動(dòng)電壓以及節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)在全色顯示、背光源和照明等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注，并被認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。
[0003]目前，有機(jī)電致發(fā)光器件存在壽命較短的問題，這主要是因?yàn)橛袡C(jī)材料薄膜很疏松，易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發(fā)生老化。在實(shí)際工作時(shí)，陰極層被腐蝕10%就會(huì)嚴(yán)重影響器件的工作。因此，有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)入實(shí)際使用之前必須進(jìn)行封裝，封裝的好壞直接關(guān)系到有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0004]傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進(jìn)行封裝，其邊沿用紫外聚合樹脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，且該方法不能應(yīng)用于柔性有機(jī)電致放光器件的封裝。
[0005]薄膜封裝能夠有效地阻隔水氧、降低器件厚度及成本。薄膜封裝不再使用金屬或玻璃蓋板、密封膠和干燥劑，可降低器件的重量和厚度，用薄膜濕氣隔離層來替代機(jī)械封裝件，還可降低成本。
[0006]薄膜封裝按材料類型主要分為無機(jī)材料封裝、有機(jī)材料封裝、有機(jī)/無機(jī)材料封裝。芬蘭倍耐克公司開發(fā)的nClear封裝層封裝效果優(yōu)秀，但是封裝層全是無機(jī)材料，在柔性封裝應(yīng)用上有一定難度；單一的有機(jī)材料封裝很難有效阻隔水氧；有機(jī)和無機(jī)材料組合的薄膜封裝效果優(yōu)秀，適合在柔性上應(yīng)用。
[0007]為解決上述問題，目前多采用塑料基片并配合多層封裝的方法以防止水汽和氧氣的滲入，但該方法會(huì)帶來發(fā)光器件散熱不良而導(dǎo)致器件壽命降低的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光器件的無機(jī)阻擋層選取具有良好導(dǎo)熱性的材質(zhì)，且采用多層有機(jī)與無機(jī)阻擋層交替封裝，致密性高，可有效地減少氧和水汽對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，能實(shí)現(xiàn)快速熱傳導(dǎo)疏散熱量，從而顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明方法適用于以導(dǎo)電玻璃基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于以塑料或金屬為基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0009]一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極層和封裝層，所述封裝層包括依次疊層設(shè)置的第一封裝單元和第二封裝單元，所述第一封裝單元依次包括第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層和第一無機(jī)阻擋層，所述第二封裝單元依次包括第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層，
[0010]所述第一無機(jī)阻擋層材質(zhì)為金屬氟化物摻雜金屬氧化物形成的混合材料，所述金屬氟化物為氟化鋰(LiF)、氟化鋪(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化招(AlF3)、氟化I1^(CaF2)或氟化鋇(BaF2),所述金屬氧化物為三氧化鑰(MoO3)、五氧化二Ii(V2O5)、三氧化鶴(WO3)、氧化銫(Cs2O)、氧化鎳(N1)或二氧化錳(MnO2)，
[0011]所述第二無機(jī)阻擋層材質(zhì)為氮化物摻雜硒化物形成的混合材料，所述氮化物為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(AlN)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)，所述硒化物為三硒化二銻(Sb2Se3)、硒化鑰(MoSe2)、硒化鉍(Bi2Se3)、硒化鈮(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)或硒化亞銅(Cu2Se)；
[0012]所述第一有機(jī)阻擋層和第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自1，1-:((4_N，N' -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)_1，I，-聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4’’_三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)和 I, 3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中的一種，
[0013]所述第二有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自4，7-二苯基鄰菲羅啉(Bphen),2, 9- 二甲基 _4，7- 二苯基-1, 10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基_8_喹啉)-(4_苯基苯酚)鋁(Balq)和3-(4-聯(lián)苯基)_4苯基_5_叔丁基苯-1, 2，4_三唑(TAZ)中的一種。
[0014]優(yōu)選地，所述第一無機(jī)阻擋層的材質(zhì)中，所述金屬氧化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10~30% ;所述第二無機(jī)阻擋層的材質(zhì)中，所述硒化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10~30%。
[0015]優(yōu)選地，所述第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第三有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的厚度均為200nm~300nm,所述第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層的厚度均為10nm~200nmo
[0016]優(yōu)選地，所述第一封裝單元和第二封裝單元依次交替重復(fù)設(shè)置2~4次。
[0017]陽極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板。
[0018]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0019]陰極層可以為非透明金屬陰極層(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極層(介質(zhì)層夾雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0020]優(yōu)選地，陰極層為非透明金屬陰極層，采用真空蒸鍍方法設(shè)置。
[0021]所述封裝層采用第一封裝單元和第二封裝單元依次交替疊層設(shè)置方式沉積在陰極層表面，可以保護(hù)發(fā)光功能層和陰極層在后續(xù)操作過程中免遭破壞。所述封裝層中的無機(jī)阻擋層結(jié)構(gòu)致密，能夠有效地阻隔水氧滲透進(jìn)入器件內(nèi)部，且構(gòu)成無機(jī)阻擋層的金屬氧化物、金屬氟化物、氮化物和硒化物具有良好的導(dǎo)熱性能和吸水能力，能有效防止器件內(nèi)部過熱而導(dǎo)致壽命降低的情況；其有機(jī)阻擋層能夠有效地彌補(bǔ)無機(jī)阻擋層的脆性缺點(diǎn)，提高了器件的柔韌性，也能延長(zhǎng)水、氧滲透路徑，有效阻擋外界水汽和氧氣對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而延長(zhǎng)器件壽命。
[0022]另一方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0023](I)在潔凈的導(dǎo)電基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形形成陽極導(dǎo)電基板；采用真空蒸鍍的方法在陽極導(dǎo)電基板上制備發(fā)光功能層和陰極層；
[0024](2)在陰極層上制備封裝層，制備方法如下:
[0025](a)第一封裝單元的制作:
[0026]通過真空蒸鍍的方式在所述陰極層表面依次蒸鍍第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層和第一無機(jī)阻擋層，所述真空蒸鍍過程中的真空度為I X 10_5Pa?I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度為0_5/V.、.5A/s;
[0027](b)第二封裝單元的制作:
[0028]采用真空蒸鍍的方式在所述第一無機(jī)阻擋層上依次蒸鍍第三有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層，所述真空蒸鍍過程中的真空度為lX10_5Pa?lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為
0.5A-5A/S；
[0029]通過磁控濺射的方法在所述第四有機(jī)阻擋層上制備第二無機(jī)阻擋層，所述磁控濺射過程中的本底真空度為I X 1-5Pa?I X 1-3Pa ；
[0030]所述第一有機(jī)阻擋層和第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自1，1-:((4_N，N' -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第二有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁和3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的一種；
[0031]所述第一無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為金屬氟化物摻雜金屬氧化物形成的混合材料，所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇，所述金屬氧化物為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢、氧化銫、氧化鎳或二氧化錳；所述第二無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氮化物摻雜硒化物形成的混合材料，所述氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述硒化物為三硒化二鋪、硒化鑰、硒化秘、硒化銀、二硒化鉭或硒化亞銅。
[0032]優(yōu)選地，所述第一無機(jī)阻擋層的材質(zhì)中，所述金屬氧化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10?30% ;所述第二無機(jī)阻擋層的材質(zhì)中，所述硒化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10?30%。
[0033]優(yōu)選地，所述第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第三有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的厚度均為200nm?300nm,所述第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層的厚度均為10nm?200nmo
[0034]優(yōu)選地，所述第一封裝單元和第二封裝單元依次交替重復(fù)設(shè)置2?4次。
[0035]陽極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板。
[0036]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0037]優(yōu)選地，發(fā)光功能層為通過真空蒸鍍的方法設(shè)置。
[0038]陰極層可以為非透明金屬陰極層(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極層(介質(zhì)層夾雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0039]優(yōu)選地，陰極層為非透明金屬陰極層，采用真空蒸鍍方法設(shè)置。
[0040]通過上述步驟制得所述有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極層和封裝層。
[0041]所述有機(jī)電致發(fā)光器件采用多層材料層交替封裝，綜合了有機(jī)材料與無機(jī)材料的各自優(yōu)勢(shì)，致密性高，可有效地減少氧和水汽對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而具有較高的壽命。
[0042]本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0043](I)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的第一封裝單元和第二封裝單元的存在可以保護(hù)發(fā)光功能層和陰極層，采用多層材料層交替設(shè)置，致密性高，可有效地減少氧氣和水汽對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，并且能夠?qū)崿F(xiàn)快速熱傳導(dǎo)疏散熱量，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命；
[0044](2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR)達(dá)到10 —4g/m2.day，壽命達(dá)6，100小時(shí)以上(T70@1000cd/m2:即起始亮度為1000cd/m2，亮度衰減到70%所用的時(shí)間)；
[0045](3)本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃為陽極基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為陽極基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0046](4)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件材料廉價(jià)，封裝方法工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0047]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0048]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0049]實(shí)施例1
[0050]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0051](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0052]a.導(dǎo)電玻璃基板的前處理
[0053]取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑嫦淇靖纱?；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度為10nm ；
[0054]b.發(fā)光功能層和陰極層的制備
[0055]采用真空蒸鍍的方法在ITO玻璃基板上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；采用蒸鍍制作陰極層；
[0056]空穴注入層的制備:在ITO玻璃基板上蒸鍍由NPB摻雜MoO3形成的混合材料，MoO3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，該層厚度為10nm，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S；
[0057]空穴傳輸層的制備:在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層，采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度1父10_中&，蒸發(fā)速度0.11/5鸞發(fā)厚度30nm ；
[0058]發(fā)光層的制備:在空穴傳輸層上蒸鍍發(fā)光層，發(fā)光層的主體材料米用1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0059]電子傳輸層的制備:在發(fā)光層上蒸鍍一層4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度1\10_午&，蒸發(fā)速度0.1人/8,蒸發(fā)厚度1nm ；
[0060]電子注入層的制備:在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層，將CsN3摻入Bphen中，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0061]陰極層的制備:在電子注入層上蒸鍍制備陰極層，金屬陰極層采用鋁(Al)，厚度為lOOnm，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A/s。
[0062](2)在陰極層上制備封裝層
[0063]a.第一封裝單元的制作:
[0064]采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制作一層厚度為200nm的TPBi膜作為第一有機(jī)阻擋層，真空度IX 10_3，蒸發(fā)速度.1 A/s;
[0065]采用真空蒸發(fā)的方式在第一有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為220nm的TAZ膜作為第二有機(jī)阻擋層，真空度I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度Λ A/s;
[0066]采用真空共蒸發(fā)的方式在第二有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為150nm的第一無機(jī)阻擋層，所述第一無機(jī)阻擋層由MnO2和BaF2構(gòu)成，MnO2所占質(zhì)量比為20%，蒸發(fā)速率3A/s,真空度1X10—3 ；
[0067]b.第二封裝單元的制作:
[0068]采用真空蒸發(fā)的方式在第一無機(jī)阻擋層上制作一層厚度為200nm的TPBi膜作為第三有機(jī)阻擋層，真空度IX 10_3，蒸發(fā)速度I A/s;
[0069]采用真空蒸發(fā)的方式在第三有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為220nm的TAZ膜作為第四有機(jī)阻擋層，真空度lX10_3Pa，蒸發(fā)速度1A/S;
[0070]采用磁控濺射的方式在第三有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為120nm的第二無機(jī)阻擋層，以Cu2Se和TiN為靶材，Cu2Se所占質(zhì)量比為10%，真空度IX KT3Pa ；
[0071]交替重復(fù)制備第一封裝單元和第二封裝單元2次，形成封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0072]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，g/m2.day)為
3.8X 1θΛ壽命為6，062小時(shí)。
[0073]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板1、發(fā)光功能層2、陰極層3、封裝層4，所述封裝層為第一封裝單元41和第二封裝單元42的疊層組合重復(fù)2次而成，其中，所述第一封裝單元包括依次疊加的厚度皆為200nm的TPBi膜411、TAZ膜412和第一無機(jī)阻擋層413，所述第二封裝單元包括厚度皆為200nm的TPBi膜421、TAZ膜422和第二無機(jī)阻擋層423。
[0074]實(shí)施例2
[0075]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0076](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0077]同實(shí)施例一；
[0078](2)在陰極層上制備封裝層
[0079]a.第一封裝單元的制作:
[0080]采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制作一層厚度為300nm的NPB膜作為第一有機(jī)阻擋層，真空度IX 10_4蒸發(fā)速度5A/S;
[0081]采用真空蒸發(fā)的方式在第一有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為300nm的BCP膜作為第二有機(jī)阻擋層，真空度I X 1-4Pa,蒸發(fā)速度5A/S;
[0082]采用真空共蒸發(fā)的方式在第二有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為10nm的第一無機(jī)阻擋層，所述第一無機(jī)阻擋層由V2O5和CeF2構(gòu)成，V2O5所占質(zhì)量比為10%，蒸發(fā)速率1A/S真空度 1X10_5 ；
[0083]b.第二封裝單元的制作:
[0084]采用真空蒸發(fā)的方式在第一無機(jī)阻擋層上制作一層厚度為一層厚度為300nm的NPB膜作為第三有機(jī)阻擋層，真空度I X 10_4蒸發(fā)速度5A/S;
[0085]采用真空蒸發(fā)的方式在第三有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為300nm的BCP膜作為第四有機(jī)阻擋層，真空度lX10_4Pa，蒸發(fā)速度5A/S;
[0086]采用磁控濺射的方式在第四有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為150nm的第二無機(jī)阻擋層，以MoSe2和AlN為靶材，MoSe2所占質(zhì)量比為20%，真空度IX KT4Pa ；
[0087]交替重復(fù)第一封裝單元和第二封裝單元組合3次。
[0088]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，g/m2.day)為
2.7Χ10Λ壽命為6，176小時(shí)。
[0089]實(shí)施例3
[0090]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0091](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0092]同實(shí)施例一；
[0093](2)在陰極層上制備封裝層
[0094]a.第一封裝單元的制作:
[0095]采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制作一層厚度為250nm的Alq3膜作為第一有機(jī)阻擋層，真空度1X10_4蒸發(fā)速度1A/S;
[0096]采用真空蒸發(fā)的方式在第一有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為250nm的TPBi膜作為第二有機(jī)阻擋層，真空度I X 1-4Pa,蒸發(fā)速度丨A/S;
[0097]采用真空共蒸發(fā)的方式在第二有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為160nm的第一無機(jī)阻擋層，所述第一無機(jī)阻擋層由WO3和MgF2構(gòu)成，WO3所占質(zhì)量比為20%，蒸發(fā)速率4A/S,真空度5 X Kr5 ；
[0098]b.第二封裝單元的制作:
[0099]采用真空蒸發(fā)的方式在第一無機(jī)阻擋層上制作一層厚度為一層厚度為250nm的Alq3膜作為第三有機(jī)阻擋層，真空度IX 10_4蒸發(fā)速度lA/s;
[0100]采用真空蒸發(fā)的方式在第三有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為250nm的TPBi膜作為第四有機(jī)阻擋層，真空度lX10_4Pa，蒸發(fā)速度1A/S;
[0101]采用磁控濺射的方式在第四有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為140nm的第二無機(jī)阻擋層，以Bi2Se3和BN為靶材，Bi2Se3所占質(zhì)量比為20%，真空度I X KT4Pa ；
[0102]交替重復(fù)第一封裝單元和第二封裝單元組合3次。
[0103]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，g/m2.day)為2.8Χ10Λ壽命為6，138小時(shí)。
[0104]實(shí)施例4
[0105]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0106](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0107]同實(shí)施例一；
[0108](2)在陰極層上制備封裝層
[0109]a.第一封裝單元的制作:
[0110]采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制作一層厚度為220nm的m_MTDATA膜作為第一有機(jī)阻擋層，真空度IX 10_4蒸發(fā)速度2A/S;
[0111]采用真空蒸發(fā)的方式在第一有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為240nm的Alq3膜作為第二有機(jī)阻擋層，真空度I X 1-4Pa,蒸發(fā)速度3A/S;
[0112]采用真空共蒸發(fā)的方式在第二有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為150nm的第一無機(jī)阻擋層，所述第一無機(jī)阻擋層由Cs2O和AlF3構(gòu)成，Cs2O所占質(zhì)量比為20%，蒸發(fā)速率3A/S,真空度5X10—5 ；
[0113]b.第二封裝單元的制作:
[0114]采用真空蒸發(fā)的方式在第二有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為一層厚度為220nm的m-MTDATA膜作為第三有機(jī)阻擋層，真空度I X 10_4蒸發(fā)速度2A/s;
[0115]采用真空蒸發(fā)的方式在第三有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為240nm的Alq3膜作為第四有機(jī)阻擋層，真空度lX10_4Pa，蒸發(fā)速度3A/S;
[0116]采用磁控濺射的方式在第四有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為120nm的第二無機(jī)阻擋層，以NbSe2和HfN為靶材，NbSe2所占質(zhì)量比為10%，真空度IX KT4Pa ；
[0117]交替重復(fù)第一封裝單元和第二封裝單元組合2次。
[0118]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，g/m2.day)為
3.1Χ10Λ壽命為6，123小時(shí)。
[0119]實(shí)施例5
[0120]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0121]( I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0122]同實(shí)施例一；
[0123](2)在陰極層上制備封裝層
[0124]a.第一封裝單元的制作:
[0125]采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制作一層厚度為260nm的BCP膜作為第一有機(jī)阻擋層，真空度IX 10_4蒸發(fā)速度2A/S;
[0126]采用真空蒸發(fā)的方式在第一有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為200nm的Balq膜作為第二有機(jī)阻擋層，真空度I X 1-4Pa,蒸發(fā)速度4A/S;
[0127]采用真空共蒸發(fā)的方式在第二有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為150nm的第一無機(jī)阻擋層，所述第一無機(jī)阻擋層由N1和CaF2構(gòu)成，N1所占質(zhì)量比為20%，蒸發(fā)速率3A/s,真空度5 X Kr5 ；
[0128]b.第二封裝單元的制作:
[0129]采用真空蒸發(fā)的方式在第一無機(jī)阻擋層上制作一層厚度為一層厚度為260nm的BCP膜作為第三有機(jī)阻擋層，真空度I X 10_4蒸發(fā)速度2A/S;
[0130]采用真空蒸發(fā)的方式在第三有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為200nm的Balq膜作為第四有機(jī)阻擋層，真空度lX10_4Pa，蒸發(fā)速度4A/S;
[0131]采用磁控濺射的方式在第四有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為10nm的第二無機(jī)阻擋層，以TaSe2和TaN為靶材，TaSe2所占質(zhì)量比為15%，真空度IX KT4Pa ；
[0132]交替重復(fù)第一封裝單元和第二封裝單元組合2次。
[0133]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，g/m2.day)為
3.5Χ10Λ壽命為6，101小時(shí)。
[0134]實(shí)施例6
[0135]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0136](I)在陽極基板上制備發(fā)光功能層和陰極層
[0137]同實(shí)施例一；
[0138](2)在陰極層上制備封裝層
[0139]a.第一封裝單元的制作:
[0140]采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備一層厚度為200nm的TAPC膜作為第一有機(jī)阻擋層，真空度1X10_5蒸發(fā)速度0.5A/S;
[0141]采用真空蒸發(fā)的方式在第一有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為200nm的Bphen膜作為第二有機(jī)阻擋層，真空度I X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.5A/S;
[0142]采用真空共蒸發(fā)的方式在第二有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為200nm的第一無機(jī)阻擋層，所述第一無機(jī)阻擋層由MoO3和LiF構(gòu)成，MoO3所占質(zhì)量比為30%，蒸發(fā)速率5A/s，真空度I ΧΙΟ—5 ；
[0143]b.第二封裝單元的制作:
[0144]采用真空蒸發(fā)的方式在第一無機(jī)阻擋層上制作一層厚度為200nm的TAPC膜作為第三有機(jī)阻擋層，真空度IX 1^5,蒸發(fā)速度0.5A/S:
[0145]采用真空蒸發(fā)的方式在第三有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為200nm的Bphen膜作為第四有機(jī)阻擋層，真空度I X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.5A/S;
[0146]采用磁控濺射的方式在第四有機(jī)阻擋層上制作一層厚度為200nm的第二無機(jī)阻擋層，以Sb2Se3和Si3N4為靶材，Sb2Se3所占質(zhì)量比為30%，本底真空度I X KT5Pa ；
[0147]交替重復(fù)第一封裝單元和第二封裝單元組合4次。
[0148]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，g/m2.day)為
2.4Χ10Λ壽命為6，230小時(shí)。
[0149]綜上，本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法可有效地減少水汽和氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，并且能夠保護(hù)陰極層免遭破壞。
[0150]封裝膜層致密性至關(guān)重要，根據(jù)器件測(cè)試結(jié)果可選擇合適的工藝條件。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極層和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括依次疊層設(shè)置的第一封裝單元和第二封裝單元，所述第一封裝單元依次包括第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層和第一無機(jī)阻擋層，所述第二封裝單元依次包括第三有機(jī)阻擋層、第四有機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層， 所述第一無機(jī)阻擋層材質(zhì)為金屬氟化物摻雜金屬氧化物形成的混合材料，所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇，所述金屬氧化物為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢、氧化銫、氧化鎳或二氧化錳，所述第二無機(jī)阻擋層材質(zhì)為氮化物摻雜硒化物形成的混合材料，所述氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述硒化物為三硒化二鋪、硒化鑰、硒化秘、硒化銀、二硒化鉭或硒化亞銅； 所述第一有機(jī)阻擋層和第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自1，1-:((4-Ν，Ν' -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種； 所述第二有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁和3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2，4-三唑中的一種。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機(jī)阻擋層的材質(zhì)中，所述金屬氧化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10~30% ;所述第二無機(jī)阻擋層的材質(zhì)中，所述硒化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10~30%。
3.如權(quán)利要求1所 述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第三有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的厚度均為200nm~300nm，所述第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層的厚度均為10nm~200nm。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一封裝單元和第二封裝單元依次交替重復(fù)設(shè)置2~4次。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)在潔凈的導(dǎo)電基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形形成陽極導(dǎo)電基板；采用真空蒸鍍的方法在陽極導(dǎo)電基板上制備發(fā)光功能層和陰極層； (2)在陰極層上制備封裝層，制備方法如下: (a)第一封裝單元的制作: 通過真空蒸鍍的方式在所述陰極層表面依次蒸鍍第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層和第一無機(jī)阻擋層，所述真空蒸鍍過程中的真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為.0.5 A ~5 A/s; (b)第二封裝單元的制作: 采用真空蒸鍍的方式在所述第一無機(jī)阻擋層上依次蒸鍍第三有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層，所述真空蒸鍍過程中的真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.5A~5人/S;通過磁控濺射的方法在所述第四有機(jī)阻擋層上制備第二無機(jī)阻擋層，所述磁控濺射過程中的本底真空度為I X 1-5Pa~I X 1-3Pa ； 所述第一有機(jī)阻擋層和第三有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自1，1-:((4-Ν，Ν' -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉和1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第二有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的材質(zhì)均選自4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁和3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的一種； 所述第一無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為金屬氟化物摻雜金屬氧化物形成的混合材料，所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇，所述金屬氧化物為三氧化鑰、五氧化二釩、三氧化鎢、氧化銫、氧化鎳或二氧化錳；所述第二無機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氮化物摻雜硒化物形成的混合材料，所述氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述硒化物為三硒化二鋪、硒化鑰、硒化秘、硒化銀、二硒化鉭或硒化亞銅。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一無機(jī)阻擋層的材質(zhì)中，所述金屬氧化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10~30% ;所述第二無機(jī)阻擋層的材質(zhì)中，所述硒化物的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10~30%。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋 層、第三有機(jī)阻擋層和第四有機(jī)阻擋層的厚度均為200nm~300nm，所述第一無機(jī)阻擋層和第二無機(jī)阻擋層的厚度均為10nm~200nm。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一封裝單元和第二封裝單元依次交替重復(fù)設(shè)置2~4次。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104078585SQ201310101253
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月27日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司