半導(dǎo)體器件的制造方法和半導(dǎo)體器件相關(guān)申請的交叉引用2012年3月2日提交的日本專利申請No.2012-046329的公開，包含說明書、附圖和摘要，以其整體作為參考并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造技術(shù)，并且更具體地，涉及有效應(yīng)用于具有利用由橡膠制成的密封體覆蓋的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的技術(shù)。

背景技術(shù)：
日本未審查專利公布No.平4（1992）-157757（專利文獻1）公開了：利用鋁帽覆蓋安裝在印刷基板上的半導(dǎo)體器件，然后從帽的中心充入樹脂。日本未審查專利公布No.2010-80931（專利文獻2）公開了：電子組件布置在由熱沉和蓋形成的內(nèi)部空間中，然后在內(nèi)部空間中填充樹脂。[相關(guān)技術(shù)文獻][專利文獻][專利文獻1]日本未審查專利公布No.平4（1992）-157757[專利文獻2]日本未審查專利公布No.2010-80931

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本申請的發(fā)明人研究了包括利用樹脂密封的半導(dǎo)體芯片的所謂樹脂密封半導(dǎo)體器件（半導(dǎo)體封裝），并發(fā)現(xiàn)了如下問題。也就是，當(dāng)樹脂密封半導(dǎo)體器件暴露于高溫氣氛（例如，在約175至250℃的溫度下）中時，由樹脂制成的樹脂密封體表面老化，這降低了半導(dǎo)體器件的可靠性。已經(jīng)鑒于前述問題提出了在本申請中公開的發(fā)明的優(yōu)選實施例，并且本發(fā)明的目的是提供一種用于提高半導(dǎo)體器件可靠性的技術(shù)。由本申請的描述和附圖，本發(fā)明要解決的其它問題和本發(fā)明的新特征將變得更明顯。下面將簡要描述本申請中公開的本發(fā)明的典型實施例的概要。也就是，在根據(jù)本申請的一個方面的半導(dǎo)體器件制造方法中，在定位蓋以便覆蓋半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線之后，將樹脂供應(yīng)到由該蓋形成的空間中，使得形成密封體，以覆蓋半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線。在形成密封體的步驟中，在平面圖中樹脂是從蓋的中心供應(yīng)的。在根據(jù)本申請的另一方面的半導(dǎo)體器件的制造方法中，在形成用于密封半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線的密封體之后，布置蓋以覆蓋密封體。該蓋包括第一蓋部件和第二蓋部件，該第二蓋部件通過疊加在第一蓋部件上方，形成用于在其中容納密封體的空間。在平面圖中，布置在第一蓋部件和第二蓋部件外圍上的接合部分在其整個外圍上被密封。如下將簡要描述在本申請中公開的發(fā)明的典型實施例造成的效果。本申請中公開的本發(fā)明的典型實施例能夠提高半導(dǎo)體器件的可靠性。附圖說明圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的上表面的平面圖；圖2是示出圖1中所示的半導(dǎo)體器件的下表面的平面圖；圖3是圖1所示半導(dǎo)體器件的側(cè)面圖；圖4是沿著圖1的線A-A的截面圖；圖5是沿著圖1的線B-B的截面圖；圖6是通過圖1示出的半導(dǎo)體器件的上帽示出內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面圖；圖7是示出圖6中所示結(jié)構(gòu)的一部分的放大平面圖；圖8是示出圖4或5中所示的帽的截面圖；圖9是沿著圖6的線A-A的截面圖；圖10是示出圖1中所示的半導(dǎo)體器件的組裝流程圖的說明圖；圖11是圖10中示出的引線框設(shè)置步驟中設(shè)置的引線框的整個結(jié)構(gòu)的平面圖；圖12是圖11中示出的多個產(chǎn)品形成區(qū)中的一個和其周圍的放大平面圖；圖13是沿著圖12的線A-A的放大截面圖；圖14是示出在圖12中所示的管芯墊上經(jīng)由粘合劑安裝的半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的放大平面圖；圖15是沿著圖14的線A-A的放大截面圖；圖16是示出在圖14中示出的半導(dǎo)體芯片上經(jīng)由粘合劑安裝另一個半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的放大平面圖；圖17是沿著圖16的線A-A的放大截面圖；圖18是示出圖16中示出的半導(dǎo)體芯片經(jīng)由導(dǎo)線電連接到多個引腳的狀態(tài)的平面圖；圖19是沿著圖18的線A-A的放大截面圖；圖20是示出在圖18所示的引腳上接合和固定帽的狀態(tài)的放大平面圖；圖21是沿著圖20的線A-A的放大截面圖；圖22是示出圖20中所示的引線框的頂部和底部翻轉(zhuǎn)的狀態(tài)的放大平面圖；圖23是沿著圖22的線A-A的放大截面圖；圖24是示出在圖18所示的帽和引腳上涂覆密封劑的狀態(tài)的放大平面圖；圖25是沿著圖24的線A-A的放大截面圖；圖26是示出在安裝表面?zhèn)壬系拿苯?jīng)由圖24中示出的密封劑接合并固定的狀態(tài)的放大平面圖；圖27是沿著圖26的線A-A的放大截面圖；圖28是沿著圖26的線B-B的放大截面圖；圖29是示出密封體形成在圖20中示出的引線框的產(chǎn)品形成區(qū)中的狀態(tài)的放大平面圖；圖30是沿著圖29的線A-A的放大截面圖；圖31是沿著圖29的線B-B的截面圖中所示的、示出將用于密封的樹脂供應(yīng)到由帽形成的空間的狀態(tài)的放大截面圖；圖32是示出切割圖29中示出外引腳以使產(chǎn)片形成區(qū)成形的狀態(tài)的放大平面圖；圖33是示出將圖32中所示的產(chǎn)品形成區(qū)與引線框的框架部分分離并形成為單體的狀態(tài)的放大平面圖；圖34是示出作為圖2的修改實例的半導(dǎo)體器件的下表面的平面圖；圖35是作為圖4的修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖36是作為圖5的修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖37是作為圖6的修改實例的半導(dǎo)體器件的透視平面圖；圖38是示出作為圖10的修改實例的半導(dǎo)體器件的組裝流程圖的說明圖；圖39是示出作為圖12的修改實例的引線框的放大平面圖；圖40是示出作為圖13的修改實例的引線框的放大截面圖；圖41是示出圖27的修改實例的放大截面圖；圖42是示出作為圖10的另一個修改實例的半導(dǎo)體器件的組裝流程圖的說明圖；圖43是作為圖4的另一個修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖44是作為圖5的另一個修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖45是作為圖43的修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖46是示出在圖42所示的密封主體形成步驟中在圖18中示出的引線框上形成密封劑的狀態(tài)的放大平面圖；圖47是示出圖1的修改實例的平面圖；和圖48是示出圖31的修改實例的放大截面圖。具體實施方式（本申請中的描述格式、基本術(shù)語和用法的說明）在本申請中，在下面，如果需要，為了方便，通過分成多個章節(jié)等來描述下面的優(yōu)選實施例，除非另行規(guī)定，這些章節(jié)不是相互獨立的。不管這些章節(jié)的描述順序，這些章節(jié)指示單個實例中的各個部分。替代地，這些章節(jié)中的一個可以是其它章節(jié)的一部分的細節(jié)，或者是其它章節(jié)的一部分或全部的修改實例。原則上，具有相同功能的部分將不再重復(fù)描述。除了當(dāng)在原理上限制組件的數(shù)目時之外，以及除了當(dāng)根據(jù)上下文認(rèn)為絕對不是這樣時之外，除非另外指定，優(yōu)選實施例的各個組件都不是必需的。同樣，在實施例的描述中，除非另外指定，以及除了從上下文認(rèn)為絕對不是這樣時之外，關(guān)于材料、成分等的術(shù)語“由A形成X”等，并不排除除了元素“A”之外的元素。例如，對于成分，上述術(shù)語的意思是“X包含A作為主要成分”。例如，術(shù)語“硅部件”并不限于純硅，并且顯然可以包括SiGe（硅-鍺）合金、或者包含硅作為主要成分的多種成分的合金，以及另外的添加物。除非另外指定，術(shù)語“金鍍層”、“銅層”或“鎳鍍層”并不限于純的，而包括包含金、銅或鎳作為主要成分的部件。除了當(dāng)在理論上限定為該特定數(shù)值時，并且除了當(dāng)從上下文認(rèn)為絕對不是這樣時之外，除非另外指定，即使當(dāng)涉及特定數(shù)值或數(shù)量時，元件的數(shù)目等可以大于或小于該特定數(shù)值。在實施例的每個圖中，相同或相似的部分用相同或相似的附圖標(biāo)記或數(shù)字指示，并且原則上將不再重復(fù)它們的描述。在附圖中，在如果剖面線可能使截面圖復(fù)雜或者當(dāng)容易區(qū)分空腔或孔時的一些情況下，即使截面圖也可以省略剖面線。在該上下文中，當(dāng)通過描述等看起來清晰時，關(guān)于背景可以省略以平面方式封閉的孔的輪廓線。此外，為了表示不是腔或孔的部分，或者為了清楚表示區(qū)域之間的邊界，即使當(dāng)圖不是截面圖時，有時也會給出陰影線或點圖案。第一實施例<半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)>首先，下面將描述本實施例中的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。圖1示出了本實施例中的半導(dǎo)體器件的上表面的平面圖。圖2示出圖1中所示半導(dǎo)體器件的下表面的平面圖。圖3是圖1中所示的半導(dǎo)體器件的側(cè)面圖。圖4是沿著圖1的線A-A的截面圖。圖5是沿著圖1的線B-B的截面圖。圖6是通過圖1中所示的半導(dǎo)體器件的上帽示出內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視平面圖。圖7示出了圖6中所示結(jié)構(gòu)的一部分的放大平面圖。圖8示出了圖4或5中所示的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖9是沿著圖6的線A-A的截面圖。本實施例的半導(dǎo)體器件10是引線框型半導(dǎo)體封裝，具有安裝在用作基座的引線框的芯片安裝部件上方的半導(dǎo)體芯片。在本實施例中，如圖1和2所示，將通過引線框型半導(dǎo)體器件的實例來描述四方扁平封裝（QFP）半導(dǎo)體器件10。在平面圖中半導(dǎo)體器件10的封裝具有四方形外觀，并且具有布置在其四邊上的多個引腳。<外觀>首先，下面將描述半導(dǎo)體器件10的外觀。圖1中所示的在上表面?zhèn)壬系纳厦保ㄉw）12具有外表面（上表面）12a和圍繞外表面12a布置的側(cè)面12c，由此在平面圖中具有四角形（四邊形）。上帽12在其外圍處包括將要在后面描述的四個邊（四個主邊）。也就是，上帽12包括在X方向上延伸的邊（主邊）12h1、在Y方向上延伸且與邊12h1相交（垂直）的邊（主邊）12h2、與邊12h1相對的邊（主邊）12h3和與邊（主邊）12h2相對的邊12h4。上帽12具有四個角12k，其定位在邊12h1、12h2、12h3和12h4的相鄰邊彼此相交的區(qū)域中。具體地，上帽12具有定位在邊12h1與邊12h2相交的區(qū)域中的角12k1。上帽12具有定位在邊12h3與邊12h4相交的區(qū)域中的角12k2。上帽12具有定位在邊12h1與邊12h4相交的區(qū)域中的角12k3。上帽12具有定位在邊12h2與邊12h3相交的區(qū)域中的角12k4。上帽12的角12k中的每一個覆蓋上帽12的四個邊（四個主邊）中兩個任意相交邊（兩個主邊）的交叉點和它們的周圍。確切地，如圖1所示，上帽12的每個角12k的一部分被削角，由此兩個主邊的交叉定位在上帽12的相應(yīng)角12k的外部。然而，削角部分與主邊的長度相比足夠小。在本申請中，削角部分的中心認(rèn)為是描述中的上帽12的角。也就是，在本申請中，當(dāng)上帽12的四個邊（四個主邊）中任意兩個邊（兩個主邊）交叉的區(qū)域被削角時，削角部分對應(yīng)于角12k。當(dāng)該區(qū)域沒有削角時，任意兩個（兩個主邊）的交叉對應(yīng)于角12K。本申請中使用的術(shù)語“帽的角”用于具有與上述相同的意思和內(nèi)容，特別的是除了當(dāng)指定該術(shù)語具有不同的意思和內(nèi)容時之外。如圖2所示，下表面（安裝表面）側(cè)上的下帽（蓋）13具有外表面（下表面）13b和圍繞外表面13b布置的邊13c，并且由此在平面圖中為四角形（四邊形）。下帽13在其外圍處具有后面將要描述的四個邊（四個主邊）。也就是，下帽13包括在X方向上延伸的邊（主邊）13h1、在Y方向上延伸且與邊13h1相交（垂直）的邊（主邊）13h2、與邊13h1相對的邊（主邊）13h3和與邊（主邊）13h2相對的邊13h4。下帽13具有四個角13k，其定位在邊13h1、13h2、13h3和13h4的相鄰邊彼此相交的區(qū)域中。具體地，下帽13具有定位在邊13h1與邊13h2相交的區(qū)域中的角13k1。下帽13具有定位在邊13h3與邊13h4相交的區(qū)域中的角13k2。下帽13具有定位在邊13h1與邊13h4相交的區(qū)域中的角13k3。下帽13具有定位在邊13h2與邊13h3相交的區(qū)域中的角13k4。下帽13的角13K的定義與關(guān)于上帽12的角12k的描述相同，由此將不再重復(fù)描述。如圖3所示，上帽12的邊12c和下帽13的邊13c分別是傾斜表面。上帽12和下帽13具有從邊12c和13c向外部突出（向著邊12c和13c的外圍突出）的凸緣（凸部，接合區(qū)）12e和13e。如圖1和圖2所示，凸緣12e和13e分別形成在上帽12和下帽13的外圍上，使其圍繞邊12c和13c。在半導(dǎo)體器件10中，上帽12的凸緣12e的內(nèi)表面（下表面，或者圖4中示出的接合表面12f）與下帽13的凸緣13e的內(nèi)表面（上表面，或者圖4中示出的接合表面13f）相對，并且各個凸緣12e和13e經(jīng)由密封劑14與引腳3接合，這形成覆蓋密封體7的帽（蓋、部件）11。如圖1和2所示，在半導(dǎo)體器件1中，多個引腳3沿著帽11的每個邊（每個主邊）布置。具體地，引腳3（一組引腳）沿著圖1中所示的上帽12的邊12h1、12h2、12h3和12h4中的每一個布置。換句話說，引腳3（一組引腳）沿著圖2中所示的下帽13的邊13h1、13h2、13h3和13h4中的每一個布置。如圖3所示，懸置引腳8布置在沿著每個邊布置的引腳組的每個端部處。引腳3（和懸置引腳8）由金屬制成。在本實施例中，例如，引腳和懸置引腳中的每一個包括層疊金屬膜，該層疊金屬膜包括形成在由銅（Cu）或銅合金制成的襯底的表面上的鎳（Ni）或鎳-鈀的金屬膜（未示出）。這里使用的術(shù)語“鎳-鈀”指的是由鎳（Ni）和鈀（Pd）的合金制成的金屬膜。在下文中，鎳和鈀的合金定義為“鎳-鈀或者Ni/Pd”，并且由鎳-鈀制成的金屬膜（鍍膜）定義為鎳-鈀膜。如圖4所示，引腳3從上帽12和下帽13之間向外突出，以從帽11暴露。引腳3的暴露部分（外引腳3b）以向著下帽13的鷗翅形狀形成（彎曲）在帽11的外部。每個引腳3的下端的位置位于比下帽13的外表面13b的位置低的水平處。引腳3的從帽11暴露的部分（外引腳3b）設(shè)置有金屬膜MM，以覆蓋上述襯底的下表面。金屬膜MM例如是提高焊料的可濕性的金屬膜，該焊料在引腳3與在安裝襯底側(cè)上的端子（未示出）接合時用作接合材料。金屬膜MM包括上述鎳（Ni）或鎳-鈀（Ni/Pd）。鎳膜或鎳-鈀膜用作用于提高在密封體7和管芯墊2、引腳3或帽11之間的粘合的粘合提高膜。為此，不需要將鎳膜或鎳-鈀膜形成為直到引腳3的從帽11暴露的部分（外引腳3b）。然而，為了提高焊料的可濕性，需要在每個引腳3的外引腳3b處額外形成金屬膜（外部鍍膜）MM。<內(nèi)部結(jié)構(gòu)>接下來，下面將描述半導(dǎo)體器件10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。如圖4所示，半導(dǎo)體器件10包括：半導(dǎo)體芯片1、半導(dǎo)體芯片6、管芯墊（芯片安裝部件）2和圍繞管芯墊2布置的引腳3。半導(dǎo)體器件10包括多個用于電連接半導(dǎo)體芯片1與引腳3的導(dǎo)線5。半導(dǎo)體器件10還包括：用于密封半導(dǎo)體芯片1和6以及導(dǎo)線5的密封體7，和覆蓋密封體7的帽（蓋）11。如圖4所示，半導(dǎo)體芯片1具有前表面（主表面、上表面）1a、與前表面1a相反的后表面（主表面、下表面）1b、和定位在前表面1a和后表面1b之間的側(cè)面1c。用作半導(dǎo)體芯片1的電極的多個焊墊（電極，接合焊墊）1p形成在前表面1a上。焊墊1p電連接到形成在半導(dǎo)體襯底（未示出）的主表面（半導(dǎo)體元件形成表面）上的多個半導(dǎo)體元件（未示出），由此形成了電路（未示出）。半導(dǎo)體芯片6具有前表面（主表面、上表面）6a、與前表面6a相反的后表面（主表面、下表面）6b、和定位在前表面6a和后表面6b之間的側(cè)面6c。用作半導(dǎo)體芯片6的電極的多個焊墊6p形成在前表面6a上。焊墊6p電連接到形成在半導(dǎo)體襯底（未示出）的主表面（半導(dǎo)體元件形成表面）上的多個半導(dǎo)體元件（未示出）上，由此形成了電路（未示出）。在圖4至7中所示的實例中，半導(dǎo)體器件10具有半導(dǎo)體芯片（半導(dǎo)體芯片1和6），并且半導(dǎo)體芯片1安裝在半導(dǎo)體芯片6的前表面6a上。換句話說，半導(dǎo)體器件10是具有被層疊并安裝的多個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體芯片6經(jīng)由粘合劑（管芯接合材料）S1安裝在管芯墊2上。半導(dǎo)體芯片1經(jīng)由另一粘合劑（管芯接合材料）S2安裝在半導(dǎo)體芯片6的前表面6a上。如圖4所示，半導(dǎo)體芯片6通過所謂的面向上安裝（faceupmounting）來安裝，以便后表面6b與管芯墊2的上表面2a相對。半導(dǎo)體芯片1通過所謂的面向上安裝來安裝，以便后表面1b與半導(dǎo)體芯片6的前表面6a相對。粘合劑S1沒有限制于指定的一種，只要它能夠?qū)雽?dǎo)體芯片6固定在管芯墊2的上表面2a上。在本實施例中，例如，半導(dǎo)體芯片6通過采用由熱固性環(huán)氧樹脂制成的糊狀樹脂粘合劑來接合，然后被熱固以固定。粘合劑S2是用于在半導(dǎo)體芯片6上固定半導(dǎo)體芯片1的部件。粘合劑S2的一部分可能會貼附到半導(dǎo)體芯片6的焊墊6p，這使得在后面要描述的導(dǎo)線接合步驟中很難連接導(dǎo)線5與焊墊6p。為了防止這些，粘合劑S2優(yōu)選地是膜狀粘合劑。因為與糊狀粘合劑相比，膜狀粘合劑不會從膜狀粘合劑位于的位置向外擴展，所以膜狀粘合劑由于其彈性差而是優(yōu)選的。例如，膜狀粘合劑包括形成在襯底上的粘合劑層，并且稱為“管芯貼膜（DAF）”?？梢允褂猛ǔＳ糜趯⒁粋€半導(dǎo)體芯片層疊在另一個半導(dǎo)體芯片上的粘合劑膜。通過這種方式，具有安裝在一個封裝（半導(dǎo)體器件）中的多個半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)的實例是稱為系統(tǒng)級封裝（SIP）的半導(dǎo)體器件。在具有SIP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體芯片電連接在一起以形成系統(tǒng)。例如，存儲器電路形成在圖6所示的半導(dǎo)體芯片1中，并且用于控制半導(dǎo)體芯片1的存儲電路的控制電路形成在半導(dǎo)體芯片6中。通過這種方式，將半導(dǎo)體芯片安裝在一個封裝中以形成系統(tǒng)，這樣可以減小安裝面積。半導(dǎo)體芯片的數(shù)目并不限于兩個。在一個修改實例中，例如，這些可以應(yīng)用于安裝一個半導(dǎo)體芯片（未示出）的情況，或者安裝三個或更多個半導(dǎo)體芯片（未示出）的情況。其上安裝有半導(dǎo)體芯片6的管芯墊2是由與引腳3（和懸置引腳8）相同的金屬制成的。在本實施例中，管芯墊2是由層疊金屬膜制成的，該層疊金屬膜例如，包括形成在由銅（Cu）或銅合金制成的襯底的前表面上的鎳（Ni）或鎳-鈀的金屬膜（未示出）。如圖6所示，管芯墊2用作芯片安裝表面的上表面2a在平面圖中具有圓形形狀，其面積比半導(dǎo)體芯片6的前表面6a的面積小。由此，如圖4所示，半導(dǎo)體芯片6的后表面6b的一部分從管芯墊2暴露出，以粘合到密封體7上。從而，半導(dǎo)體芯片6的一部分后表面6b粘合到密封體7上，這樣可以提高密封體7與半導(dǎo)體芯片6的接合強度。管芯墊2的芯片安裝表面的面積和形狀并不限于上述條件。替代地，管芯墊2的芯片安裝表面可以形成為四方平面形狀，以具有比半導(dǎo)體芯片6的后表面6b大的面積。管芯墊2通過懸置引腳8支撐。如圖5所示，懸置引腳8具有連接到管芯墊2的一端，并且向著角12k和13k延伸。在本實施例中，如圖6所示，每個懸置引腳8在角12k和管芯墊2之間分支成多個部分（例如，圖6中為兩個）。在上帽12（見圖1）的各個邊12h1、12h2、12h3和12h4中，引腳8的各個分支端從帽11暴露出（見圖3）。換句話說，懸置引腳8從管芯墊2向著角12k延伸，但是被定位為避開上帽12的對應(yīng)角12k。此外，簡言之，懸置引腳8從在角12k和引腳3之間的帽11暴露。每個懸置引腳8在角12k和管芯墊2之間分支成多個部分，并且由此用作用于抑制裂縫發(fā)展的阻止件（stopper），這將在后面詳細描述。懸置引腳8不定位在角12k處，這在半導(dǎo)體器件10的制造過程中可以有效地從角12k（具體地，圖5中所示的角12k1和13k1之間開口）供應(yīng)樹脂。如圖4所示，半導(dǎo)體芯片1經(jīng)由多條導(dǎo)線（導(dǎo)電部件，金屬線）5電連接到引腳3。具體地，導(dǎo)線5b的一端與半導(dǎo)體芯片6的焊墊6b接合，并且其另一端與引腳3接合。由此，半導(dǎo)體芯片6經(jīng)由導(dǎo)線5電連接到引腳3。上級上的半導(dǎo)體芯片1經(jīng)由導(dǎo)線5電連接到下級上的半導(dǎo)體芯片6。具體地，導(dǎo)線5a的一端連接到半導(dǎo)體芯片6的焊墊6p，并且導(dǎo)線5a的另一端連接到半導(dǎo)體芯片1的焊墊1p。由此，半導(dǎo)體芯片1經(jīng)由導(dǎo)線5a電連接到半導(dǎo)體芯片6。換句話說，半導(dǎo)體芯片1經(jīng)由半導(dǎo)體芯片6電連接到引腳3。在圖6的修改實例中，這可以適用于半導(dǎo)體芯片1和引腳3經(jīng)由導(dǎo)線5電連接在一起的情況。如圖4所示，利用由橡膠制成的密封體7密封半導(dǎo)體芯片1和6以及導(dǎo)線5。利用密封體7密封導(dǎo)線5，這可以保護導(dǎo)線5，并且還可以防止或抑制由氧化或變形造成的電特性劣化。利用密封體7密封導(dǎo)線5，這可以防止或抑制相鄰導(dǎo)線5之間的接觸。用于密封體7的材料沒有具體限制，但可以是樹脂密封材料，包含具有向其中加入了諸如硅土的填充材料（顆粒）的熱固性環(huán)氧樹脂。形成密封體7可以在沒有形成圖4中所示的帽11的情況下保護導(dǎo)線5。然而，本申請的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)：在沒有形成帽11時，在一些情況下，例如在約175至250℃的高溫環(huán)境下，在密封體7中可能產(chǎn)生裂縫。具體地，本申請的發(fā)明人已經(jīng)通過將沒有形成如圖4所示的帽11的半導(dǎo)體器件放在約175℃、200℃和250℃的高溫環(huán)境下，來評估高溫耐用性。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)在密封體7的前表面上產(chǎn)生裂縫。確認(rèn)的是，裂縫將從其在密封體7前表面處產(chǎn)生的位置開始，向著密封體7內(nèi)部發(fā)展。也就是，取決于產(chǎn)生裂縫的位置和裂縫的發(fā)展程度，裂縫可能會達到導(dǎo)線5、在導(dǎo)線5與焊墊1p和6p之間的接合部分或者半導(dǎo)體芯片1和6，從而降低了半導(dǎo)體器件的可靠性（電特性）。假設(shè)上述現(xiàn)象通過下面的機制產(chǎn)生。也就是，當(dāng)密封體7的前表面的溫度變高時，由于氧化，破壞了在密封體7前表面處的聚合作用。在破壞聚合作用的同時，產(chǎn)生了解聚作用。當(dāng)在密封體7前表面處非均勻產(chǎn)生解聚作用時，在前表面處產(chǎn)生畸變，由此造成裂縫。近年來，樹脂密封半導(dǎo)體器件被用于各種應(yīng)用，并且例如，在一些情況下作為安裝在車輛上的半導(dǎo)體器件。對于用作車載半導(dǎo)體器件，在一些情況下，與安裝在移動電話上的半導(dǎo)體相比，該半導(dǎo)體器件的使用環(huán)境溫度變高。從而，在約175至250℃溫度的上述高溫環(huán)境下，要求該技術(shù)來確保樹脂密封半導(dǎo)體器件的可靠性。對于產(chǎn)生的裂縫，提出了一種防止裂縫到達導(dǎo)線5、在導(dǎo)線5與焊墊1p和6p之間的接合部分以及半導(dǎo)體芯片1和6的方法。該方法包括加厚密封體7，以加長從前表面到導(dǎo)線5的距離。然而，要求半導(dǎo)體器件變薄，這趨向降低從密封體7的前表面到導(dǎo)線5的距離。具體地，在包括像本實施例的半導(dǎo)體芯片1和6的層疊的半導(dǎo)體器件中，在密封體7的前表面和連接到在上層上的半導(dǎo)體芯片1的導(dǎo)線5之間的距離變得更短?；谏鲜霭l(fā)現(xiàn)，本申請的發(fā)明人已經(jīng)進行了進一步研究，并且發(fā)現(xiàn)了如圖4所示的利用帽11覆蓋密封體7的結(jié)構(gòu)。帽11包括布置在半導(dǎo)體器件10的安裝表面?zhèn)壬系南旅保ò惭b表面?zhèn)壬w、部件或帽）13和布置在與半導(dǎo)體器件10的安裝表面相對側(cè)上的上帽（上表面?zhèn)壬w、部件或帽）12。上帽12的外圍經(jīng)由密封劑14接合并固定到下帽13的外圍，由此形成包含用于在其中容納密封體7的空間的帽11。如圖8所示，上帽12具有外表面（上表面，暴露表面）12a、定位為與外表面12a相反的內(nèi)表面（下表面）12b和圍繞外表面12a布置的側(cè)面（外表面）12c。上帽12具有布置在內(nèi)表面（下表面）12b的基本中心上的凹進部（空間形成部）12d。上帽12包括圍繞凹進部12d布置的凸緣（凸部，接合區(qū)）12e。凸緣12e的下表面?zhèn)扔米饔糜诮雍先鐖D4所示的密封劑14的接合表面12f。下帽13具有外表面（下表面、暴露表面、安裝表面）13b、定位為與外表面13b相反的內(nèi)表面（上表面）13a和圍繞外表面13b布置的側(cè)面（外表面）13c。下帽13具有布置在內(nèi)表面（下表面）13a的基本中心處的凹進部（空間形成部）13d。下帽13包括圍繞凹進部13d布置的凸緣（凸部，接合區(qū)）13e。凸緣13e的上表面?zhèn)扔米饔糜诮雍先鐖D4所示的密封劑14的接合表面13f。如圖8所示，上帽12和下帽13中的每一個的形狀（成形為具有凹進部12d和13d和凸緣12e和13e）可以通過沖壓可塑性形變金屬板形成。如圖4所示，通過使上帽12的接合表面12f與下帽13的接合表面13f相對，并通過經(jīng)由密封劑14使接合表面12f和13f與引腳3接合，帽11將半導(dǎo)體芯片1和6以及導(dǎo)線5容納在由凹進12d和13d形成的空間中。由凹進部12d和13d形成的空間在其中容納密封體7。圍繞上帽12的凹進12d設(shè)置凸緣12e，并且圍繞下帽13的凹進13d設(shè)置凸緣13e，這能夠擴大密封劑14的接合區(qū)面積。由此，可以提高在上帽12和下帽13之間的接合強度。通過帽11覆蓋密封體7，帽11可以用作散熱器（熱沉），以抑制密封體7前表面的溫度增加。也就是，當(dāng)圖4中示出的半導(dǎo)體器件10暴露在約175至250℃的高溫環(huán)境下時，帽11的溫度增加。帽11是由具有比密封體7高的輻射效率的材料制成，以便帽11中包含的熱量的一部分作為輻射熱量從帽11的前表面向外耗散。密封體7粘合到帽11，以便熱量從密封體7傳遞到帽11。結(jié)果，這種布置能夠抑制密封體7前表面的溫度增加。抑制了密封體7前表面的溫度增加，能夠抑制出現(xiàn)畸變來防止產(chǎn)生裂縫。也就是，半導(dǎo)體器件10使熱量經(jīng)由帽11從密封體7向半導(dǎo)體器件10的外部耗散，這可以防止產(chǎn)生裂縫，以提高器件的可靠性。為了使帽11用作散熱器，利用具有比密封體7高的輻射系數(shù)的帽11的結(jié)構(gòu)相比沒有帽11的結(jié)構(gòu)能夠提高熱耗散。具有比由樹脂制成的密封體7高的輻射系數(shù)的材料包括金屬、陶瓷等。為了在制造步驟中容易處理，帽11優(yōu)選地由金屬形成。為了提高從與密封體7的接觸界面的熱傳導(dǎo)，帽11也優(yōu)選地由金屬制成。為了提高熱傳導(dǎo)和輻射系數(shù)（也就是，熱耗散特性），更優(yōu)選地，帽11例如由銅或銅合金形成。當(dāng)密封體7粘合到帽11時，像半導(dǎo)體器件10，為了抑制由于線性膨脹系數(shù)區(qū)別而產(chǎn)生的畸變，密封體7優(yōu)選地具有與帽11相同的線性膨脹系數(shù)。如上所述，諸如硅土（silica）的填充材料被加入到密封體7中，這造成半導(dǎo)體芯片1和6之間的線性膨脹系數(shù)區(qū)別很小。由此，用于帽11的材料具有與半導(dǎo)體芯片1和6相同的線性膨脹系數(shù)，使得密封體7的線性膨脹系數(shù)可以設(shè)置為與帽11相同。例如，在本實施例中，半導(dǎo)體芯片1和6的半導(dǎo)體襯底包括硅（Si），并且帽11（上帽12和下帽13）包括科瓦爾合金（kovar）（向其中加入了鎳和鈷的鐵合金），其具有類似于硅（Si）的線性膨脹系數(shù)。例如，包括鎳或鎳-鈀的金屬膜（鍍膜）形成在包括科瓦爾合金的襯底的前表面上。包括鎳或鎳-鈀的鍍膜（鎳膜或鎳-鈀膜）用作用于防止帽11氧化的氧化防止膜。此外，形成在帽11的內(nèi)表面（上帽12的內(nèi)表面12b和下帽13的內(nèi)表面13a）上的金屬膜（鎳膜或鎳-鈀膜）用作用于提高密封體7和帽11之間的界面的粘合的粘合提高膜。密封體7和帽11之間粘合提高，增加了熱傳遞效率，由此提高了熱耗散。密封劑14布置在上帽12和下帽13之間（凸緣12e和13e之間）的接合部分處。為了提高帽內(nèi)部的密封性，密封劑14優(yōu)選地具有高密封特性（相鄰引腳3之間的嵌入性質(zhì)，直到密封劑14在涂覆后接合并固定為止的形狀保持性質(zhì)，和接合界面的粘合性質(zhì)）。為了減小相鄰引腳3之間產(chǎn)生的間隙，與像膜狀（帶狀）粘合劑的用于以固態(tài)接合的材料相比，優(yōu)選地使用在固化之前具有糊狀性質(zhì)的材料。直到密封劑14在涂覆后固化為止，需要保持涂覆的形狀。由此，密封劑14優(yōu)選地具有一定程度的粘度。例如，具有與水相同的粘度的密封劑不能保持涂覆或涂布的形狀。相反，具有非常高粘度的密封劑可能造成相鄰引腳3之間的間隙。如本實施例，當(dāng)上帽12和下帽13由金屬（例如，科瓦爾合金，銅，或銅合金）制成時，引腳3和上帽12或下帽13之間的意外接觸，會造成引腳3之間的短路。如圖9所示，為了防止與引腳3接觸，作為絕緣體的密封劑14需要確保介于上帽12和引腳3之間，以及下帽13和引腳3之間。雖然密封劑14被涂覆并固化來固定上帽12和下帽13的接合表面12f和13f，但密封劑14的粘度優(yōu)選地較低，只要它能夠保持涂敷或涂布時的形狀。例如，在本實施例中，粘合劑S1是使用包括向其中混合了填充物（顆粒）的熱固性環(huán)氧樹脂的粘合劑形成的。然而，密封劑14固化前的粘度低于粘合劑S1固化前的粘度。通過控制加入到粘合劑中的填充物的形狀、填充物的顆粒直徑、諸如用于調(diào)節(jié)粘度的粘結(jié)劑的添加物與粘合劑主要材料的配比等，可以執(zhí)行這種粘度調(diào)節(jié)。在固化密封劑14之后，與上帽12、下帽13和引腳3中的每一個的接合界面需要被接合并固定到密封劑14。在本實施例中，分別在上帽12和下帽13的接合表面12f和13f以及引腳3的前表面上形成包括相同金屬（例如，鎳或鎳-鈀）的鍍膜。鍍膜可以容易地提高與在接合表面12f和13f之間的接合部分中布置的每個組件的粘合。當(dāng)首先將上帽12和下帽13中的一個（例如，上帽12）接合到引腳3，并且然后將另一個接合到引腳3時，可以使用不同類型的密封劑14用于接合。例如，如隨后將詳細描述的，在第一次接合（例如，到上帽12的接合表面12f）時，預(yù)先貼附膜狀密封劑14（未示出）。接著，在接合（例如，下帽13）時，可以將糊狀密封劑14涂覆到引腳3或下帽13的接合表面13f。在使用由金屬制成的下帽13時，當(dāng)在安裝襯底（未示出）上安裝半導(dǎo)體器件時，可以經(jīng)由諸如焊料的金屬接合材料將定位在安裝襯底上的散熱端子連接至下帽13的外表面13b。也就是，下帽13可以用作用于使熱量從帽11的內(nèi)部朝著半導(dǎo)體器件10的外部耗散的散熱器（放熱器）。在這種情況下，除了取決于從帽11輻射的散熱路徑，還可以增加另一散熱路徑（通過下帽13和金屬接合材料（未示出）的散熱路徑），這樣可以進一步提高散熱效率。在本實施例中為了使密封體7粘合到帽11的內(nèi)表面，由帽11覆蓋半導(dǎo)體芯片1和6與導(dǎo)線5，并且接著充入樹脂，從而形成密封體7（如將在下面詳細描述的）。在以這種方式在形成帽11之后形成密封體7時，用于樹脂的供應(yīng)口是有必要的。為了防止在密封體7的內(nèi)部或者密封體7和帽11之間形成空隙（氣泡），形成密封體7時優(yōu)選地設(shè)置用于排出帽11中的氣體的排出口。為此，如圖6所示，沿著上帽12的外圍的每個邊，具體地，在上帽12的邊12h1、12h2、12h3和12h4中的每一個處布置密封劑14（見圖1）。然而，沒有在上帽12的角12k中的每一個處設(shè)置密封劑14。換句話說，將密封劑布置為避開上帽12的每個角12k。因此，在形成圖5中所示的密封體7時，四個角12k中的一個或一些可以用作用于供應(yīng)樹脂的門，并且其它的角可以用作用于排出帽11中的氣體的排放孔。如上所述，在形成帽11之后，將樹脂供應(yīng)到帽11中以形成密封體7。在這種情況下，使用于樹脂的供應(yīng)口和用于氣體的排出口打開，以便在角12k和角13k之間暴露出密封體7的一部分，如圖5所示。當(dāng)在高溫環(huán)境下留下具有密封體7的一部分被暴露的半導(dǎo)體器件10時，在暴露部分處可能產(chǎn)生裂縫。也就是，取決于密封體7的暴露部分的位置（產(chǎn)生裂縫的位置），在一些情況下，裂縫可能到達導(dǎo)線5、導(dǎo)線5與焊墊1p和6p之間的接合部分、或者半導(dǎo)體芯片1和6之間（見圖4）。在相關(guān)技術(shù)中，例如，當(dāng)在圖4中所示的導(dǎo)線5上方暴露出密封體7的上表面7a的一部分時，裂縫更可能到達導(dǎo)線5。相反，在本實施例中，如上所述在角12k和13k之間暴露出密封體7。然而，即使在密封體7的暴露部分中產(chǎn)生裂縫，也遠離導(dǎo)線5產(chǎn)生裂縫。因此，可以減少到達導(dǎo)線5的裂縫的可能性。此外，密封體7的整個上表面7a被上帽12覆蓋，這可以防止裂縫產(chǎn)生?？紤]到裂縫的發(fā)展，不必過多地加厚密封體7。換句話說，密封體7的厚度僅必須具有覆蓋導(dǎo)線5所需的厚度，這可以導(dǎo)致半導(dǎo)體器件10的厚度減小。在本實施例中，如圖6所示，懸置引腳8在角12k和管芯墊2之間被分支成多個部分（圖6中為兩個部分）。每個分支端在上帽12（見圖1）的邊12h1、12h2、12h3和12h4中的每一個處從帽11暴露出（見圖3）。即使在圖5中所示的密封體7的暴露表面處產(chǎn)生了裂縫，也可以將懸置引腳8放置在裂縫發(fā)展的方向上以在裂縫到達懸置引腳8之前阻止裂縫發(fā)展。也就是，由于每個懸置引腳8在平面圖上在角12k和管芯墊2之間被分支成多個部分，所以懸置引腳8可以用作阻止件，用于中斷裂縫的發(fā)展。該布置可以確保防止裂縫到達導(dǎo)線5或引腳3。<半導(dǎo)體器件的制造工序>接下來，下面將描述圖5至9中所示的半導(dǎo)體器件的制造工序。根據(jù)圖10中所示的組裝流程圖制造半導(dǎo)體器件10。圖10示出了本實施例中的半導(dǎo)體器件的組裝流程圖的說明圖。下面將利用圖11至33描述各個步驟的細節(jié)。1.引線框制備步驟：圖11示出了圖10中所示的引線框設(shè)置步驟中設(shè)置的引線框的整個結(jié)構(gòu)的平面圖。圖12是圖11中所示的多個產(chǎn)品形成區(qū)中的一個及其周圍的放大平面圖。圖13示出了沿著圖12的線A-A的放大截面圖。在圖10所示的引線框設(shè)置步驟中，如圖11所示設(shè)置了引線框20。在本實施例中使用的引線框20包括在外框（框體）20b內(nèi)部的多個產(chǎn)品形成區(qū)20a。產(chǎn)品形成區(qū)20a被布置成列?？蚣懿糠?0c布置在相鄰的產(chǎn)品形成區(qū)20a之間。框架部分20c連接至每個產(chǎn)品形成區(qū)20a的組件（例如，圖12中所示的引腳3和管芯墊2）以支撐它們。在隨后將要描述的密封體形成步驟中，框架部分20c用作用于定位流道（runner）（未示出）的區(qū)域（流道布置區(qū)）（runnerarrangementregion），該流道作為用于將用于密封的樹脂供應(yīng)到布置在每個產(chǎn)品形成區(qū)20a中的帽中的供應(yīng)路徑。如作為圖11的部分放大圖的圖12所示，每個產(chǎn)品形成區(qū)20a具有在X方向上延伸的邊（主邊）20h1、在Y方向上延伸的且與邊20h1相交（垂直）的邊（主邊）20h2、與邊20h1相對的邊（主邊）20h3和與邊（主邊）20h2相對的邊20h4。產(chǎn)品形成區(qū)20a具有四個角20k，其定位在四個邊20h中的相鄰邊相交的區(qū)域中。具體地，產(chǎn)品形成區(qū)20a在邊20h1與邊20h2相交的區(qū)域中具有角20k1。產(chǎn)品形成區(qū)20a在邊20h3與邊20h4相交的區(qū)域中具有角20k2。產(chǎn)品形成區(qū)20a在邊20h1與邊20h4相交的區(qū)域中具有角20k3。產(chǎn)品形成區(qū)20a在邊20h2與邊20h3相交的區(qū)域中具有角20k4。在每個產(chǎn)品形成區(qū)20a中，用作芯片安裝部件的管芯墊2布置在產(chǎn)品形成區(qū)20a的中心處。多個引腳3圍繞管芯墊2布置以包圍管芯墊2。在產(chǎn)品形成區(qū)20a中，沿著產(chǎn)品形成區(qū)20a的四個邊中的每一個布置引腳3。管芯墊2被事先彎曲，并經(jīng)由懸置引腳8由框架部分20c支撐，每個懸置引腳8都具有傾斜部。因此，如圖13所示，管芯墊2的上表面2a定為在比引腳3的上表面低的水平處。也就是說，在引線框設(shè)置步驟中設(shè)置的引線框20事先經(jīng)受下置處理（down-settingprocessing）（偏移處理）。懸置引腳8中的每一個都具有連接至管芯墊2的一端，并且向著產(chǎn)品形成區(qū)20a的相應(yīng)角20k延伸。在本實施例中，如圖12所示，懸置引腳8被分成在角20k和管芯墊2之間的多個部分（圖6中為兩個）。每個分支端連接至引腳3和角20k之間的框架部分20c。換句話說，懸置引腳8從管芯墊2向著角20k延伸，并且被布置為避開角20k。如圖4所示，引腳3中的每一個都包括在完成制造時利用密封體7和密封劑14密封的內(nèi)引腳3a，和從帽11暴露的外引腳3b。如圖13所示，內(nèi)引腳3a包括從引腳3的內(nèi)端側(cè)按順序布置的接合區(qū)3c、密封區(qū)3d和密封粘合區(qū)3e。接合區(qū)3c定位在引腳3的內(nèi)端。接合區(qū)3c是導(dǎo)線接合步驟（見圖10）中用于接合導(dǎo)線5（見圖4）的區(qū)域。密封區(qū)3d定位在接合區(qū)3c和密封粘合區(qū)3e之間。密封區(qū)3d是在密封體形成步驟（見圖10）中被密封體7（見圖4）密封的區(qū)域。密封粘合區(qū)3e布置在密封區(qū)3d和外引腳3b之間。密封粘合區(qū)3e是在帽接合步驟（見圖10）中通過在帽11（見圖4）的凸緣12e和13e（見圖4）之間的密封劑14（見圖4）經(jīng)受密封粘合（或密封）的區(qū)域。外引腳3b定位在引腳3的外端。外引腳3b是在引腳形成步驟（見圖10）中被彎曲成如圖6所示的鷗翼形的區(qū)域，并且該區(qū)域連接至安裝襯底（未示出）上的端部。管芯墊2和引腳3與引線框20的框架部分20c一體形成，并且如圖13所示，例如，包括由銅（Cu）制成的襯底21、和事先形成在襯底21的前表面上且由例如鎳（Ni）或鎳-鈀（Ni-Pd）制成的金屬膜（鍍膜）MM。金屬膜MM不必是以上述的方式形成在引腳3中的每一個的整個表面上。當(dāng)金屬膜MM沒有形成在整個表面上時，如利用圖4描述的，例如，在引腳3的從帽11暴露的外引腳3b的前表面（上表面、下表面和側(cè)面）上通過鍍的方法由焊料（包含無鉛焊料）形成金屬膜（外鍍膜）MM。相反，當(dāng)金屬膜MM預(yù)先形成在包括外引腳3b的整個引腳3上時，可以省略圖4中所示的形成金屬膜MM的步驟。如圖12所示，引腳3分別連接至框架部分20c，并且經(jīng)由框架部分20c相互一體化，但在框架部分20c內(nèi)沒有連接。如下面將詳細描述的，在本實施例中，在密封體形成步驟中（見圖10），將樹脂供應(yīng)到由帽11（見圖4）和密封劑14（見圖4）密封的空間中，從而形成了密封體7（見圖4）。引腳3在框架部分20c處連接在一起，并且因此可以在除了框架部分20c之外的其它區(qū)域中相互隔離。2.半導(dǎo)體芯片安裝步驟：圖14是示出在圖12中所示的管芯墊上經(jīng)由粘合劑安裝的半導(dǎo)體的狀態(tài)的放大平面圖。圖15是沿著圖14的線A-A的放大截面圖。圖16是示出在圖14中所示的半導(dǎo)體芯片上經(jīng)由粘合劑安裝另一半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的放大平面圖。圖17是沿著圖16的線A-A的放大截面圖。然后，在圖10所示的半導(dǎo)體芯片安裝步驟中，如圖14至17所示，半導(dǎo)體芯片6和半導(dǎo)體芯片1按順序安裝在管芯墊2上方。首先，在本步驟中，設(shè)置多個半導(dǎo)體芯片（半導(dǎo)體芯片1和半導(dǎo)體芯片6）。例如，在下面的步驟中，可以獲得半導(dǎo)體芯片1和6。例如，設(shè)置由硅制成的半導(dǎo)體晶片（未示出），然后在其上方形成集成電路。集成電路包括半導(dǎo)體元件、連接至半導(dǎo)體元件的布線層和連接至布線層的外部端子（焊墊1p或焊墊6p）。其后，沿著半導(dǎo)體晶片的分割線移動分割刀片（旋轉(zhuǎn)切割器）（未示出）以將晶片分離成多種類型的半導(dǎo)體芯片，每種類型都包括芯片。具體地，每個半導(dǎo)體晶片都被制作成單體以提供半導(dǎo)體芯片1和半導(dǎo)體芯片6。由于在本實施例中，半導(dǎo)體芯片1經(jīng)由例如所謂DAF的膜狀粘合劑S2而被安裝在半導(dǎo)體芯片6的前表面6a上方，所以在該步驟中獲得的半導(dǎo)體芯片1中的每一個都具有貼附到其后表面1b的粘合劑S2。接著，如圖14和15所示，首先，經(jīng)由粘合劑S1將要被定位為下層的半導(dǎo)體芯片6事先安裝在管芯墊2的上表面2a上方。如圖15所示，半導(dǎo)體芯片6利用其與管芯墊2的上表面2a相對的后表面6b來安裝，也就是，通過所謂的面朝上安裝。在本實施例中，半導(dǎo)體芯片6經(jīng)由粘合劑S1安裝，粘合劑S1例如是熱固性環(huán)氧樹脂。粘合劑S1是在固化（熱固性）之前具有足夠柔性的糊。在以這種方式使用這種糊作為粘合劑S1時，首先，將糊狀粘合劑S1涂覆到管芯墊2的上表面2a上。接著，例如，通過將擠壓模具（pressingjig）30向半導(dǎo)體芯片6的前表面6a擠壓，將半導(dǎo)體芯片6的后表面6b推向管芯墊2的上表面2a，從而使得粘合劑S1在半導(dǎo)體芯片6的整個后表面6b上擴散，從而將半導(dǎo)體芯片6接合到管芯墊2上。接合之后，粘合劑S1被固化（例如，通過熱處理）。結(jié)果，如圖14和15所示，半導(dǎo)體芯片6經(jīng)由粘合劑S1被固定到管芯墊2上。在修改實例中，粘合劑S1可以是膜狀粘合劑。此外，為了提高朝向管芯墊2的散熱，可以使用包含高熱傳導(dǎo)性的導(dǎo)電顆粒的粘合劑。然而，為了提高與包括金屬（例如，鎳或鎳-鈀）的管芯墊2的上表面2a的接合強度，優(yōu)選的是糊狀粘合劑。接著，如圖16和17所示，經(jīng)由粘合劑S2將半導(dǎo)體芯片1安裝在半導(dǎo)體芯片6的前表面上。在該步驟中，利用半導(dǎo)體芯片1與半導(dǎo)體芯片6的前表面6a相對的后表面1b（涂覆了粘合劑S2的表面），將半導(dǎo)體芯片1定位在半導(dǎo)體芯片6的前表面6a上。例如，通過將圖17中所示的擠壓模具31向半導(dǎo)體芯片6的前表面6a擠壓以將芯片1的后表面1b推向芯片6的前表面6a并與其接合，來安裝半導(dǎo)體芯片1。由于半導(dǎo)體芯片1具有預(yù)先貼附到其后表面1b的膜狀粘合劑S2，所以相比安裝半導(dǎo)體芯片6的情況，可以通過小的擠壓力安裝半導(dǎo)體芯片1。因此，可以抑制可能會在該步驟中導(dǎo)致的對半導(dǎo)體芯片1的損傷。如圖17所示，膜狀粘合劑S2沒有從半導(dǎo)體芯片1的后表面1b的外邊緣向外突出，這可以防止粘合劑的一部分粘合到（污染）半導(dǎo)體芯片6的焊墊6p。接著，使粘合劑S2的接合層固化以將半導(dǎo)體芯片1固定在半導(dǎo)體芯片6的前表面6a上。3.導(dǎo)線接合步驟圖18是示出圖16所示的半導(dǎo)體芯片經(jīng)由導(dǎo)線電連接至多個引腳的狀態(tài)的平面圖。圖19是沿著圖18的線A-A的放大截面圖。接著，在圖10所示的導(dǎo)線接合步驟中，如圖18和19所示，經(jīng)由導(dǎo)線5將半導(dǎo)體芯片的焊墊和引腳3相互電連接。在該步驟中，經(jīng)由導(dǎo)線5a將半導(dǎo)體芯片1的焊墊1p電連接至半導(dǎo)體芯片6的焊墊6p。此外，經(jīng)由導(dǎo)線5b將半導(dǎo)體芯片6的焊墊6p電連接至引腳3的接合區(qū)3c（見圖19）。4.帽接合步驟：圖20是示出在圖18所示的引腳上接合并固定帽的狀態(tài)的放大平面圖。圖21是沿著圖20的線A-A的放大截面圖。圖22是示出圖20所示的引線框的頂部和底部翻轉(zhuǎn)的狀態(tài)的放大平面圖。圖23是沿著圖22的線A-A的放大截面圖。圖24是示出在圖18所示的帽和引腳上涂覆密封劑的狀態(tài)的放大平面圖。圖25是沿著圖24的線A-A的放大截面圖。圖26是示出在安裝表面上經(jīng)由圖24所示的密封劑接合并固定帽的狀態(tài)的放大平面圖。圖27是沿著圖26的線A-A的放大截面圖。圖28是沿著圖26的線B-B的放大截面圖。接著，在圖10所示的帽接合步驟中，如圖27所示，帽11被布置成覆蓋半導(dǎo)體芯片1和6以及導(dǎo)線5，并經(jīng)由密封劑14接合到引腳3。在該步驟中，如圖27所示，設(shè)置了上帽12和下帽13。接著，在半導(dǎo)體芯片1的前表面1a側(cè)上安裝上帽12，并且在半導(dǎo)體芯片1的后表面1b側(cè)上安裝下帽13。在本實施例的帽接合步驟中，安裝上帽12和下帽13的順序并不限于上面提到的順序。然而，為了安裝下帽13同時保護連接至芯片1和6的導(dǎo)線5，首先在前表面1a側(cè)上安裝上帽12，并且然后在后表面1b上安裝下帽13。具體地，如圖21所示，設(shè)置了包括凹入部（凹進部）32a的臺階（支撐臺）32和圍繞凹入部32a布置的引腳架32b。隨后，將引線框20放置在臺階32上使得引腳3位于引腳架32b上并且管芯墊2的下表面2b位于凹入部32a上。接著，上帽12被布置為覆蓋半導(dǎo)體芯片1和6以及導(dǎo)線5并且經(jīng)由密封劑14被接合到引腳3。如圖21所示，上帽12包括外表面12a、與外表面12a相反的內(nèi)表面（下表面）12b、和定位在外表面12a與內(nèi)表面12b之間的側(cè)面12c。上帽12具有朝向外表面12a凹進的形狀，并且在主表面12b側(cè)上包括凹進部（空間形成部、凹入部或芯片容納部）12d、和圍繞凹進部12d布置的凸緣（接合部）12e。上帽12是由例如通過擠壓由科瓦爾合金（koval）制成的平板而形成凹進部12d和凸緣12e來獲得的。用于形成上帽12的方法并不限于此，并且凹進部12d和凸緣12e（從平板的底部突出的部分）可以通過移除（切割掉）一個厚平板的一部分（中心）來形成。從所使用的材料的量或重量減少的角度看，優(yōu)選地如本實施例成形平板。凹進部12具有可以在其中保持半導(dǎo)體芯片1和6、導(dǎo)線5和部分引腳3（圖13中所示的接合區(qū)3c）的這種平面尺寸。因此，在該步驟中，利用上帽12覆蓋半導(dǎo)體芯片1和6、導(dǎo)線5和部分引腳3（接合區(qū)3c）。換句話說，在該步驟中，將上帽12接合并固定到引腳3以覆蓋半導(dǎo)體芯片1和6、導(dǎo)線5和部分引腳3（接合區(qū)3c）。引腳3中的每一個都包括共同一體形成的內(nèi)引腳3a和外引腳3b，并且在平面圖中從上帽12的凹進部12d的內(nèi)側(cè)朝著凹進部12d的外部延伸。在該步驟中，為了將密封劑14嵌入在相鄰的引腳3之間，優(yōu)選地使用糊狀樹脂。然而，在本實施例中，上帽12和下帽13（見圖27）按順序接合并固定，從而在接合隨后將要被固定的帽（例如，下帽13）時使用糊狀樹脂可以利用密封劑14填充相鄰引腳3之間的間隙。因此，首先要被固定的帽（例如，上帽12）可以經(jīng)由膜狀（帶狀）密封劑14a接合并固定，如圖21所示。在該情況下，例如，預(yù)先將膜狀（帶狀）密封劑14a的一個接合表面接合到上帽12的接合表面12f。然后，將上帽12利用與其接合的密封劑14a接合到引腳3的密封粘合區(qū)3e。因此，上帽12可以被容易地接合并固定到引腳3。圖10中所示的密封劑涂覆步驟包括將膜狀（帶狀）密封劑14a接合到接合表面12f。密封劑14并不限于上面的膜狀密封劑14a?？梢允褂煤隣顦渲鳛槊芊鈩?4，如用于接合隨后將要描述的下帽13的密封劑。在這種情況下，在引腳3的密封區(qū)3e上涂覆糊狀密封劑14b。在管芯墊2的上方布置上帽12使得涂覆了密封劑14的區(qū)域（密封粘合區(qū)3e）與上帽12的凸緣12e的接合表面12f相對。此時，半導(dǎo)體芯片1和6、導(dǎo)線5、引腳3的接合區(qū)3c（見圖19）和管芯墊2被容納在上帽12的凹進部12d中。通過擠壓模具（未示出）從外表面12a向著臺階32擠壓上帽而將凸緣12e的接合表面12f推向臺階32，以便使密封劑14擴散來填充相鄰引腳3之間的間隙，這經(jīng)由密封劑14將每個引腳3的密封粘合區(qū)3e接合到凸緣12e的接合表面12f。涂覆糊狀密封劑14的細節(jié)與隨后將要描述的接合下帽13的工藝相同，因而下面將省略其重復(fù)描述。接著，如圖22和23所示，使引線框20的頂部和底部（前面和背面）翻轉(zhuǎn)。也就是，如圖23所示，將引線框20布置為使得管芯墊2定位在半導(dǎo)體芯片1和6上方。如圖22所示，在本實施例中，密封劑14沒有布置在角20k處。在每個角20k處，暴露了上帽12的凸緣12e的接合表面12f。這是因為角20k用作樹脂的供應(yīng)口（門）或者用于在隨后將要描述的密封體形成步驟中的氣體的排出口（排放孔）。接著，如圖24和25所示，在引腳3（見圖25）的密封粘合區(qū)3e上，換句話說，在上帽12（見圖25）的凸緣12e的接合表面12f上，涂覆糊狀密封劑14b。隨后，如圖27所示，下帽13被布置為覆蓋半導(dǎo)體芯片1和6以及導(dǎo)線5，并且經(jīng)由密封劑14被接合到引腳3。如圖28所示，布置下帽13使得凸緣13e與上帽12的凸緣12e相對，并且接著通過擠壓模具（未示出）將下帽13擠壓向上帽12而被接合。如上面提到的，糊狀密封劑14b具有可以保持涂覆形狀（例如，圖25中所示的形狀）的這種粘度。因此，可以在涂覆了密封劑14b之后防止密封劑14b直至接合下帽13之前在涂覆區(qū)的周圍上擴散。將引腳3定位在要涂覆密封劑14b的區(qū)域（接合區(qū)）中，因此與上帽12的接合表面12f相比，該區(qū)域具有粗糙波狀表面。因此，如圖25所示，在涂覆了密封劑14b的臺階中，在一些情況下在密封劑14b、上帽12和相鄰的引腳3間形成了間隙。然而，如圖28所示，可以擠壓下帽13以擴散糊狀密封劑14b，由此密封劑14可以嵌入在相鄰的引腳3之間的間隙中。具體地，使用具有比圖15中所示的糊狀粘合劑S1的粘度低的密封劑14b改善了嵌入性質(zhì)，這樣可以有效地防止產(chǎn)生沒有由密封劑14b填充的間隙。如圖24所示，密封劑14b沒有被涂覆到產(chǎn)品形成區(qū)20a中的角20k上。例如，如圖25所示，當(dāng)懸置引腳8定位在平行布置的一組引腳3的一端附近時，連續(xù)地涂覆密封劑14b以覆蓋引腳3的密封區(qū)3e，但在密封劑重疊在懸置引腳8上的位置處停止涂覆密封劑14b。如圖28所示，當(dāng)下帽13的凸緣13e擠壓向上帽12的凸緣12e時，相鄰的引腳3之間的間隙填充有密封劑14b，這樣可以防止密封劑14b在每個角20k上擴散。因此，密封劑14被嵌入在相鄰引腳3之間的間隙以及懸置引腳8和引腳3之間的間隙中，結(jié)果在產(chǎn)品形成區(qū)20a（見圖26）的每個角20k處形成了開口。接著，當(dāng)糊狀密封劑14b被加熱并固化時，上帽12的凸緣12e的接合表面12f和下帽13的凸緣13e的接合表面13f被接合并固定到固化的密封劑14上。在本實施例中，例如，密封劑14b包含熱固性環(huán)氧樹脂，并由此可以被加熱以被固化。參考圖24和25，上面已經(jīng)描述了用于涂覆密封劑14的方法的一個實例。然而，如圖28所示，只要密封劑14嵌入在相鄰的引腳3之間并且在上帽12接合到下帽13的臺階中的每個角20處形成了開口，則該涂覆方法不受具體限制。例如，以圖24和25所示的形式，糊狀密封劑14b沿著管芯墊2的上表面2a的外圍布置成帶狀。在修改實例中，糊狀密封劑14不連續(xù)地布置在引腳3的密封粘合區(qū)3e的多個位置中，也就是，可以采用所謂的多點涂布。即使在多點涂布中，也擠壓下帽13以擴散糊狀密封劑14b，使得密封劑14b可以嵌入在引腳3之間的間隙中。例如，參考圖24和25，上面已經(jīng)說明了在引腳3上涂覆糊狀密封劑14b。涂覆密封劑14b的部件并不限于引腳3。例如，密封劑14b可以涂覆到下帽13的凸緣13e的接合表面13f。替代地，例如，密封劑14b可以涂覆到下帽13的接合表面13f和引腳3的密封粘合區(qū)3e。通過上述步驟，上帽12和下帽13利用彼此相對的凹進部12d和13d接合并固定到一起。在接合并固定下帽13之后，如圖27所示，半導(dǎo)體芯片1和6、導(dǎo)線5和部分引腳3（接合區(qū)3c）定位在由在下帽13的凹進部13d上重疊上帽12的凹進部12d所形成的空間TK內(nèi)。在該步驟中，由金屬制成的上帽12和下帽13經(jīng)由由絕緣材料制成的密封劑14接合并固定在一起，使得不與引腳3接觸。5.密封部件形成步驟圖29是示出密封體形成在圖20中所示的引線框的產(chǎn)品形成區(qū)中的狀態(tài)的放大平面圖。圖30是沿著圖29的線A-A的放大截面圖。圖31是示出將用于密封的樹脂供應(yīng)到由帽形成的空間的狀態(tài)的并且沿著圖29的線B-B的放大截面圖。接著，在圖10所示的密封體形成步驟中，如圖29和31所示，樹脂7p被供應(yīng)到由上帽12和下帽13形成的空間TK（見圖31）中，使得利用樹脂7p密封導(dǎo)線5（見圖30）以及半導(dǎo)體芯片1和6（見圖30和31）。本實施例中的密封體7是通過所謂的傳遞模塑法形成的。也就是，如圖31所示，引線框20被固定在模塑模具40的上模具41和下模具42之間。隨后，軟化的（變成塑性的）熱固性樹脂（樹脂7p）被供應(yīng)（擠壓）進要被模塑的上帽12和下帽13之間的空間TK中，并且然后被加熱并固化。在本實施例中使用的熱固性樹脂（樹脂7p）包含樹脂和混合到樹脂中的填充物（顆粒）。傳遞模塑法在有效制造方面是優(yōu)選的，因為可以通過一次操作將密封體7形成在產(chǎn)品形成區(qū)20a中。在傳遞模塑法中，軟化的樹脂7p被供應(yīng)到空間TK中，使得樹脂7p能夠容易地粘合到上帽12的下表面（內(nèi)表面）和下帽13的上表面（內(nèi)表面）。也就是，如圖30所示，密封體7粘合到帽11，這樣可以將熱量從密封體7有效地傳遞到帽11。在該步驟中，首先，如圖30和31所示設(shè)置模塑模具40。模塑模具40包括覆蓋引線框20的上表面（安裝有半導(dǎo)體芯片的表面）側(cè)的上模具（第一模具）41和覆蓋引線框20的下表面（與安裝有半導(dǎo)體芯片的表面相反的表面）的下模具（第一模具）42。上模具41包括腔（凹入部、帽擠壓部、蓋擠壓部）43。下模具42包括腔（凹入部、帽擠壓部、蓋擠壓部）44。腔43和腔44彼此相對并且重疊在彼此上方，從而形成了用于在其中容納帽11的空間。腔43和44具有與上帽12和下帽13類似的形狀。樹脂膜45沿著內(nèi)表面41a和42a中的每一個的形狀被貼附到上模具41的內(nèi)表面（下表面）41a和下模具42的內(nèi)表面（上表面）42a中的每一個。換句話說，樹脂膜45被布置在腔43和上帽12之間，以及腔44和下帽13之間。樹脂膜45比模塑模具40和帽11軟。換句話說，樹脂膜45具有比模塑模具40和帽11中的每一個高的彈性。因此，當(dāng)帽11被夾（夾持）在上模具41和下模具42之間時，樹脂膜45進入間隙11，這樣可以防止樹脂7p的泄漏。也就是，樹脂79可以供應(yīng)到空間TK中?，F(xiàn)在，利用樹脂膜45的模塑方法是所謂的“層疊模塑法”。在本實施例中，供應(yīng)樹脂7p同時例如通過模塑模具40擠壓上帽12的整個周圍和下帽13的整個周圍。樹脂7p供應(yīng)到的區(qū)域已被上帽12和下帽13覆蓋，并且上帽12和下帽13之間的接合部分通過硬化的密封劑14固定在一起。因此，至少通過擠壓樹脂7p的供應(yīng)口可以將樹脂7p供應(yīng)到空間TK中。將經(jīng)平衡的力（夾持力）施加到整個帽11上。為了穩(wěn)定地供應(yīng)樹脂7p，優(yōu)選地如本實施例，在通過模塑模具40擠壓上帽12和整個周圍和下帽13的整個周圍的情況下供應(yīng)樹脂7p。如圖30所示，模具表面（夾持表面）41b圍繞上模具41的腔43布置。模具表面（夾持表面）42b圍繞與模具表面41b相對的下模具42的腔44布置。通過在彼此相對的模具表面41b和42b之間擠壓并夾住引線框，模塑模具40將引線框20固定在上模具41和下模具42之間。如圖31所示，模塑模具40包括用作用于樹脂7p的供應(yīng)口的門40G，和用作空間TK中的氣體（空氣）、或者多余樹脂7p的排出口的排放孔40B。在本實施例中，圖29中所示的產(chǎn)品形成區(qū)20a具有四個角20k。在一個角20k1處布置了門40G（見圖31），并且在剩余的三個角20k2、20k3和20k4處布置了排放孔40B（見圖31）。換句話說，從產(chǎn)品形成區(qū)的四個角之中的角20k1供應(yīng)樹脂7a，并且從其它的角20k2、20k3和20k4排出氣體。因此，從角20k排出氣體，這很難在空間TK中留下氣泡（空隙）。如描述帽接合步驟時使用的圖28所示，密封劑14嵌入在相鄰的引腳3之間以及在懸置引腳8和引腳3之間，并且在產(chǎn)品形成區(qū)20a的每個角20k處形成了開口（見圖26）。該步驟使用在沒有密封劑14的角20k處形成的開口，作為用于供應(yīng)樹脂7p的供應(yīng)口（開口）和用于排出氣體的排出口（開口）。換句話說，在本實施例中，將樹脂7p供應(yīng)（擠壓）到圖31所示的在角12k1和角13k1之間形成的開口中。在該步驟中，從除角12k1之外的角12k處和除角13k1之外的角13k處形成的開口排出帽11中的氣體。如圖31所示，具有布置在腔43側(cè)的門40G的系統(tǒng)是所謂的側(cè)門系統(tǒng)。在傳遞模塑系統(tǒng)中，樹脂7p被從門40G供應(yīng)到圖31中所示的空間TK中。在空間TK中，樹脂在管芯墊2和半導(dǎo)體芯片1和6的周圍擴散以密封空間TK內(nèi)的全部組件。空間TK中的氣體（空氣）通過樹脂7p的供應(yīng)壓力而被擠壓以從排放孔40B排出。如圖12所示從管芯墊2朝著角20k1延伸的懸置引腳8在角12k和管芯墊2之間分支成多個片（兩個），以避開上帽12的角12k。因此，圖31所示的角12k1和13k1之間的開口的面積可以被加寬，從而從開口有效地供應(yīng)樹脂7p。通常，當(dāng)利用模塑模具通過傳遞模塑法形成密封體時，設(shè)置了用于連接相鄰引腳3的部件，其被稱為阻擋條（dambar）（分歧器（diver））。在應(yīng)用傳遞模塑法時，設(shè)置阻擋條用于防止樹脂7p從相鄰的引腳3之間的間隙泄漏。然而，在本實施例中，在帽接合步驟中，密封劑14嵌入在相鄰的引腳3之間。在應(yīng)用傳遞模塑法時密封劑14具有防止樹脂7p泄漏的作用。換句話說，在密封體形成步驟中，相鄰的引腳3經(jīng)由由絕緣材料組成的密封劑14連接在一起。因此，在密封體形成步驟之后，移除阻擋（密封劑14）的步驟（阻擋移除步驟中）不是必須的。也就是，本實施例可以削減一部分制造步驟，從而提高制造效率。為了將熱量從密封體7有效地傳遞到帽11，優(yōu)選地減少帽11內(nèi)剩余的氣泡（空隙）。從減少氣泡的角度，由于在圖31中所示的空間TK被填充樹脂7p之后，樹脂7p中剩余的氣泡（空隙）被強制排出，所以優(yōu)選地將比供應(yīng)壓力（空隙移除壓力）高的壓力施加到空間TK的內(nèi)部。用于移除氣泡的方法不限于上面的。可以應(yīng)用所謂的減壓模塑法，其包括，例如，在減壓室（未示出）（真空室等）布置引線框20，和將樹脂7p供應(yīng)到空間TK中。在這種情況下，甚至在樹脂7p的供應(yīng)壓力設(shè)置為低時，也可以防止氣泡剩余，這樣可以減少對密封劑14的應(yīng)力。將比上述供應(yīng)壓力高的壓力（空隙移除壓力）應(yīng)用到空間TK的上述方法是有利的，在于與減壓模塑法相比，可以在不使用減壓室等的情況下移除氣泡。如上面提到的，在利用樹脂7p填充空間TK以移除氣泡（空隙）之后，樹脂7p被加熱以被固化，其形成圖30所示的密封體7。在加熱步驟（烘焙步驟）中，例如，樹脂7p被暫時固化在模塑模具40中（即使在從模塑模具40移除之后，整個樹脂7p也在保持其形狀的情況下沒有被固化）。之后，引線框20被從模塑模具40取出，并且被傳遞到加熱爐（未示出），并且然后樹脂7p被完全固化（其使整個樹脂7p硬化）。在上面的步驟中形成的密封體7使其上表面7a粘合到上帽12的內(nèi)表面12b，如圖30所示。密封體7的下表面7b粘合到下帽13的內(nèi)表面（上表面）13a。如圖29所示，密封體7在產(chǎn)品形成區(qū)20a的角20k處的從帽11暴露，用作樹脂7p的供應(yīng)口，或氣體的排出口。然而，密封體7的暴露部分布置在角12k處，這可以使密封體7的暴露部分與導(dǎo)線5分離（見圖30）。甚至當(dāng)在密封體7的暴露部分中產(chǎn)生裂縫時，也可以減少裂縫到達導(dǎo)線5的可能性。密封體7的上表面7a被上帽12覆蓋，這可以防止裂縫的產(chǎn)生。6.引腳形成步驟圖32是示出形成產(chǎn)品形成區(qū)的狀態(tài)的放大平面圖，其中從該產(chǎn)品形成區(qū)切割了圖29中所示的外引腳。沿著圖32中所示的線A-A的放大截面圖與圖4中的相同，因此此處將省略?，F(xiàn)在，下面將參考圖4描述引腳形成步驟。接下來，在圖10所示的引腳形成步驟中，如圖32所示，從引線框架部分20c切割引腳3的外引腳3b。之后，引腳3的外引腳3b中的每一個都形成為鷗翼狀。切割引腳3的外引腳3b的方式包括將沖壓機（切割刀片）（未示出）定位在引線框20的上表面?zhèn)炔⒛＞撸ㄖ螉A具）（未示出）定位在其下表面?zhèn)壬希⑶彝ㄟ^將沖壓機擠壓向該模具來切割外引腳3b。使引腳3的外引腳3b成形的方式可以包括利用用于成形的沖壓機和模具擠壓外引腳。在該步驟中，使引腳3分別分離為單獨的部件。在該步驟中，使引腳3與引線框20分離。因此，除非產(chǎn)品形成區(qū)20a內(nèi)的每個組件都由引線框20的框架部分20c支撐，否則成形會變難。在本實施例中，懸置引腳8布置在沒有布置引腳3的區(qū)域中。例如，如圖7所示，利用密封體7密封懸置引腳8。因此，直至完成如隨后將要描述的片隔離步驟，產(chǎn)品形成區(qū)20a都經(jīng)由懸置引腳8連接至引線框20的框架部分20c并由其支撐。7.單體化步驟：圖33是示出將圖32中所示的產(chǎn)品形成區(qū)從引線框的框架部分分離并形成為單體的狀態(tài)的放大平面圖。然后，在圖10所示的片分離步驟中，如圖33所示，從引線框20的框架部分20c分離產(chǎn)品形成區(qū)20a以便執(zhí)行單體化。在該步驟中，用作使產(chǎn)品形成區(qū)20a與框架部分20c連接的連接部分的懸置引腳8是通過例如利用沖壓機（切割刀片）和模具（支撐模具）（未示出）擠壓來切割的。此時，分別通過沖壓機移除形成在門部分40G中的門樹脂和形成在排放孔40B中的排放孔樹脂。在上面的各個步驟中，獲得了圖1至9中所示的半導(dǎo)體器件10。本實施例使用具有如圖11所示的產(chǎn)品形成區(qū)20a的引線框20，以便可以從一片引線框20獲得多個半導(dǎo)體器件10。其后，對每個半導(dǎo)體器件進行必要的檢查和測試，諸如外觀檢查和電測試，該半導(dǎo)體器件然后被出貨或安裝在安裝襯底（未示出）上。如在引線框設(shè)置步驟的描述中使用的圖13所示，在本實施例的引線框20中，由例如鎳（Ni）或鎳-鈀（Ni/Pd）制成的金屬膜（鍍膜）MM被預(yù)先形成在由銅（Cu）制成的襯底21的整個前表面（上表面、下表面和側(cè)面）上方。也就是，當(dāng)如圖4所示在安裝襯底（未示出）上安裝半導(dǎo)體器件10時，利用由鎳（Ni）或鎳-鈀（Ni/Pd）制成的金屬膜MM覆蓋連接至安裝襯底側(cè)上的端子的外引腳3b。金屬膜MM具有提高焊料的可濕性的作用，該焊料用作在安裝襯底上安裝半導(dǎo)體器件10時的接合部件。在圖10中，可以省略括弧中表示的鍍膜步驟。在修改實例中，當(dāng)在外引腳3b上沒有形成由鎳-鈀（Ni/Pd）制成的金屬膜（鍍膜）MM時，如圖10的括弧中所示，在密封體形成步驟之后進行鍍的步驟。在圖10所示的鍍的步驟中，例如，在從密封體7暴露的引腳3（外引腳3）上形成由焊料制成的金屬膜（外鍍膜）。在該步驟中，將要被鍍的物體的引線框20布置在填充有鍍液（未示出）的鍍槽（未示出）中，鍍液通過電解電鍍形成外鍍膜。電解電鍍方法可以通過一次操作在從密封體7暴露的區(qū)域中形成外鍍膜。該外鍍膜形成在外引腳3b中的每一個的上表面、下表面和側(cè)面中的每一個上。如上所述，由絕緣材料制成的密封劑14介于帽12和13以及引腳3中的每一個之間。因此，在利用引線框20作為電極時，上帽12和下帽13沒有通電，并且外鍍膜沒有形成在帽11處。為了防止帽11的氧化，優(yōu)選地，在將帽11接合到引腳3之前預(yù)先在帽11的前表面上形成金屬膜（鍍膜）。第二實施例作為在第一實施例中描述的半導(dǎo)體器件10的修改實例，本實施例將描述在沒有在布置于半導(dǎo)體芯片的后表面?zhèn)壬系拿敝行纬汕坏那闆r下，利用由平板制成的帽的封裝結(jié)構(gòu)。本實施例將描述與第一實施例中描述的半導(dǎo)體器件及其制造方法的區(qū)別，并且下面將省略對這些實施例共同部分的描述。關(guān)于附圖，根據(jù)需要示出了用于說明與第一實施例的區(qū)別所需的附圖，并且在一些情況下，引用了用于第一實施例的描述的附圖用于下面說明。<結(jié)構(gòu)上與第一實施例的區(qū)別>圖34是示出作為圖2的修改實例的半導(dǎo)體器件的下表面?zhèn)鹊钠矫鎴D。圖35是作為圖4的修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖36是作為圖5的修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖37是作為圖6的修改實例的半導(dǎo)體器件的透視平面圖。圖34中所示的半導(dǎo)體器件的頂視圖與第一實施例中描述的圖1相同，并且下面將省略其說明。圖34至37中所示的半導(dǎo)體器件50與第一實施例中描述的半導(dǎo)體器件10的不同之處在于，由平板制成的下帽（蓋）15被接合在與上帽12相對的位置。如圖34所示，布置在半導(dǎo)體器件50的下表面（安裝表面）側(cè)上的下帽（蓋）15具有外表面（下表面、暴露的表面、安裝表面）15b，并且在平面圖中具有四角形（四邊形）。下帽15的平面尺寸與上帽12相同（見圖1）。下帽15被接合并固定到上帽12，使得上帽（凸緣12e）的外圍重疊在下帽15的外圍上。下帽15具有由例如鎳或鎳-鈀制成的并且形成在由科瓦爾合金制成的襯底前表面上的金屬膜（鍍膜）MM（見圖35），與第一實施例中描述的下帽13類似。通過這種方式，金屬膜MM形成在布置于安裝表面?zhèn)壬系南旅?5的下表面（安裝表面）上方，這提高了下帽15的外表面15b處的可濕性（焊料的可濕性）。結(jié)果，當(dāng)在安裝襯底（未示出）上安裝半導(dǎo)體器件50時，將下帽15的外表面（下表面）15b連接至安裝襯底側(cè)上的端子，這可以提高散熱。下帽15在其外圍處包括以下四個邊（四個主邊）。也就是，下帽15在其外圍處具有在X方向上延伸的邊（主邊）15h1、在Y方向上延伸并與邊15h1相交（垂直）的邊（主邊）15h2、與邊15h1相對的邊（主邊）15h3和與邊（主邊）15h2相對的邊15h4。下帽15具有定位在邊15h1、15h2、15h3和15h4中的相鄰邊相互相交的區(qū)域中的四個角15k。具體地，下帽15具有定位在邊15h1與邊15h2相交的區(qū)域中的角15k1。下帽15具有定位在邊15h3與邊15h4相交的區(qū)域中的角15k2。下帽15具有定位在邊15h1與邊15h4相交的區(qū)域中的角15k3。下帽15具有在邊15h2與邊15h3相交的區(qū)域中的角15k4。下帽15的角15k的限定與上述的上帽12的上述角12k相同，并且由此將省略重復(fù)描述。密封體7的上表面7a沒有暴露，并且在上帽12的角12k和下帽15的角15k之間暴露密封體7。這與前述實施例中描述的半導(dǎo)體器件10相同。如圖35所示，下帽15在截面圖中具有平坦板（平板）狀，而沒有上帽12的凹進部12d和凸緣12e。在半導(dǎo)體器件50中，密封體7覆蓋有具有平板狀的下帽15，以便下帽15可以用作用于安裝半導(dǎo)體器件1和6的芯片安裝部件。換句話說，半導(dǎo)體器件50與第一實施例中描述的半導(dǎo)體器件10不同之處在于，沒有布置圖1中所示的管芯墊2并且半導(dǎo)體芯片6安裝在下帽15的內(nèi)表面15a上。具體地，半導(dǎo)體芯片6經(jīng)由粘合劑S1安裝在作為芯片安裝部件的下帽15的內(nèi)表面15a上。并且，半導(dǎo)體芯片1經(jīng)由粘合劑S2安裝在半導(dǎo)體芯片6的前表面6a上。下帽15用作芯片安裝部件而沒有設(shè)置管芯墊2（見圖4），這樣可以減小半導(dǎo)體器件的厚度。替代地，下帽15用作芯片安裝部件，這樣可以增加下帽15的厚度（從內(nèi)表面15a到外表面15b的距離），從而提高了下帽15的散熱。在圖35和36所示的實例中，例如，下帽15的厚度比上帽12的厚度厚（大），上帽12的厚度也就是從外表面12a到內(nèi)表面（下表面）12b的距離。當(dāng)下帽15用作芯片安裝部件時，在修改實例中，不能設(shè)置懸置引腳8。然而，如用于描述第一實施例的引腳形成步驟所使用的圖32所示，除非在切割引腳3的外引腳3b之后，在產(chǎn)品形成區(qū)20a內(nèi)的每個組件通過引線框20的框架部分20c支撐，否則引腳3很難形成或成形。如圖35所示，在本實施例中，為了通過彎曲容易地形成引腳3，設(shè)置了懸置引腳8。如圖37所示，在平面圖中，懸置引腳8分別布置在下帽15的四個角15k和半導(dǎo)體芯片6的四個角之間。每個懸置引腳8在半導(dǎo)體芯片6和下帽15的每個角之間被分支為多個部分。每個暴露端在下帽15的邊15h1、15h2、15h3和15h4中的每一個處從帽11（見圖35）暴露。<在制造方法上與第一實施例的區(qū)別>現(xiàn)在，下面將描述圖34至37中所示的半導(dǎo)體器件50的制造方法。而且在這一章節(jié)中，在下面將主要描述與第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的區(qū)別，并且下面將省略與這些實施例共同的部分的描述。圖38是示出圖10的修改實例中的半導(dǎo)體器件的組裝流程圖的說明圖。本實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法在引線框設(shè)置步驟和帽接合步驟方面與第一實施例不同。詳細地，本實施例與第一實施例的不同之處在于，在半導(dǎo)體芯片安裝步驟中，下帽15的一部分（布置在其中心的芯片安裝區(qū)）用作芯片安裝部件。在本實施例中，在應(yīng)用時在第一實施例中描述的管芯墊2可以由下帽15替代，除內(nèi)表面（上表面）15a的平面面積比半導(dǎo)體芯片6大的事實之外，并由此下面將省略其描述和說明。在引線框設(shè)置步驟中，首先，如圖39和40中所示設(shè)置引線框20。圖39是示出圖12的修改實例中的引線框的放大平面圖。圖40是示出圖13的另一修改實例中的引線框的放大截面圖。因為在本實施例中，在半導(dǎo)體芯片安裝步驟（見圖38）中，半導(dǎo)體芯片6（見圖35）安裝在下帽15上，所以必須在半導(dǎo)體芯片安裝步驟之前將下帽15接合到引線框。因此，如圖39所示，下帽15定位在產(chǎn)品形成區(qū)20a的中心處。下帽15與引線框20分離地形成，并且經(jīng)由密封劑14接合并固定到引腳（以及懸置引腳8）。此時在本步驟中，沒有必要將密封劑14嵌入在相鄰的引腳3之間?？梢岳玫谝粚嵤├忻枋龅哪蠲芊鈩?4a或糊狀密封劑14b中的任何一個來接合下帽。密封劑14與引腳3和下帽15中的每一個之間的接合界面具有由鎳或鎳-鈀形成的金屬膜MM，這樣可以提高與密封劑的粘合。在該步驟中，如圖39所示，設(shè)置了引線框20，其具有接合并固定到下帽15的引腳3。引腳3圍繞下帽15的芯片安裝區(qū)（將要安裝半導(dǎo)體芯片6的區(qū)域；芯片安裝部件）布置。每個引腳3都包括由密封體7密封的內(nèi)引腳3a和在圖35中所示在完成時從密封體7暴露出的外引腳3b。如圖40所示，內(nèi)引腳3a具有從引腳3的內(nèi)端部按順序布置的接合區(qū)3c、密封區(qū)3d和密封粘合區(qū)3e。在本實施例中，下帽15形成為打開形狀，以便在整個內(nèi)引腳3a上，下帽15位于靠近內(nèi)引腳3a。為了防止在引腳3和下帽15之間的接觸，使密封劑14布置在接合區(qū)3c和下帽15之間、密封區(qū)3d和下帽15之間、以及密封粘合區(qū)3e和下帽15之間。如在第一實施例中描述的帽接合步驟，在產(chǎn)品形成區(qū)20a的角20k處沒有布置密封劑14。因此，在密封體形成步驟中，可以從每個角20k（具體地，從角12k1和角15k1之間的開口，如圖36所示）供應(yīng)樹脂。從其他的角20k，可以排出氣體或多余的樹脂。如第一實施例，從帽11暴露密封體的位置可以設(shè)置在帽11的角處（具體地，圖36中所示的角12k和角15k之間）。換句話說，可以由密封體7覆蓋密封體7的整個上表面7a。接著，在圖38所示的帽接合步驟中，已經(jīng)接合了下帽15。通過接合并固定上帽12，如圖41所示，上帽12和下帽15利用上帽12的凹進部12d接合并固定在一起，該凹進部12d與下帽15的內(nèi)表面15a相對，由此形成了空間TK。在該步驟中，上帽和下帽接合在一起，使得上帽12的外圍重疊在下帽15的外圍上。圖41是圖27的修改實例的放大截面圖。在該步驟中，設(shè)置了上帽（蓋）12，其包括凹進部12d和圍繞凹進部12d布置的凸緣（突出部）12e。并且，上帽12被定位為使得下帽15的外圍重疊在上帽12的外圍上，并且然后經(jīng)由密封劑14b被接合到引腳3。在本實施例的帽接合步驟中，安裝上帽12。因此，優(yōu)選地將密封劑14嵌入在相鄰的引腳3之間。優(yōu)選地使用本實施例中描述的糊狀密封劑14b。在本實施例中，盡管沒有示出，下帽15由平板制成，并且因此相比在第一實施例中描述的下帽13，在密封體形成步驟中下帽15更可能粘合到模塑模具40（見圖31）。例如，即使樹脂膜45（見圖31）不介于下帽15和模塑模具40之間，該結(jié)構(gòu)也可以防止樹脂7p的泄露（見圖31）。也就是，在制造步驟中可以減少昂貴材料的使用量。除上述區(qū)別之外，本實施例中的半導(dǎo)體器件及其制造方法與第一實施例中描述的半導(dǎo)體器件的制造方法相同。因此，下面將省略其重復(fù)的描述，并且除了上述區(qū)別之外，在本實施例中可以應(yīng)用本發(fā)明中的第一實施例的方面。第三實施例作為在第一實施例中描述的半導(dǎo)體器件10的修改實例，下面將描述第三實施例，其中在形成密封體之后，將帽設(shè)置為覆蓋密封體。而且在本實施例中，在下面將主要描述半導(dǎo)體器件的制造方法和結(jié)構(gòu)與第一實施例的區(qū)別，并且下面將省略對這些實施例共同部分的說明。關(guān)于附圖，將示出說明與第一實施例的區(qū)別所需的附圖，并且如果需要，則引用用于第一實施例中的描述的附圖用于說明。<與第一實施例的區(qū)別>首先，將在下面描述本實施例中的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖42是示出作為圖10的修改實例的半導(dǎo)體器件的組裝流程圖的說明圖。圖43是作為圖4的另一修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖，并且圖44是作為圖5的另一修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖45是作為圖43的修改實例的半導(dǎo)體器件的截面圖。如圖42所示，本實施例的半導(dǎo)體器件52的制造方法與第一實施例中描述的半導(dǎo)體器件10的制造方法的不同之處在于，在密封體形成步驟之后執(zhí)行帽接合步驟。如圖43和44所示，上帽12重疊在下帽13上以形成用于在其中容納密封體7的空間TK。密封劑14被定位在布置于上帽12和下帽13的外圍處的接合部分處（凸緣12e和13e之間），以使（密封）其中容納密封體7的空間成為氣密狀態(tài)。當(dāng)預(yù)先形成密封體7（見圖43）時，如本實施例，在密封體形成步驟中不需要用于供應(yīng)用于密封的樹脂的開口。也就是，密封劑14可以被布置在上帽12的角12k和下帽13的角13k之間。換句話說，上帽12和下帽之間的接合表面可以在其外圍上密封。結(jié)果，密封體7沒有直接暴露于外部環(huán)境，這可以抑制密封體7的溫度增加。在形成密封體7的情況下，上帽12與下帽13被接合并固定在一起，這使得難以在密封體7的上表面7a和上帽12的內(nèi)表面（下表面）12b之間、以及密封體7的下表面7b和下帽13的內(nèi)表面（下表面）13a之間建立粘合。換句話說，如圖43所示，可能會在帽11和密封體7之間形成間隙SK。在存在間隙SK的情況下，與如在第一和第二實施例中描述的、帽11粘合到密封體7的上表面7a的情況相比，從密封體7到帽11的熱傳遞率降低了。來自帽11的熱量不僅在半導(dǎo)體器件51的向外方向上輻射，而且在半導(dǎo)體器件51的向內(nèi)方向（朝著密封體7的內(nèi)部的方向）上輻射，使得輻射的熱量傾向于存儲在帽11內(nèi)部的空間TK中。結(jié)果，取決于環(huán)境溫度或輻射條件，密封體7的上表面7a的溫度變得比半導(dǎo)體器件10的溫度高。為了抑制密封體7的溫度增加，如圖45中所示的半導(dǎo)體器件53，密封體7的上表面7a優(yōu)選地經(jīng)由粘合劑16連接至上帽12的內(nèi)表面12b。例如，粘合劑16是由含有多個（大量）金屬顆粒的熱固性環(huán)氧樹脂制成的糊狀樹脂粘合劑。粘合劑16是具有熱傳導(dǎo)率比僅由樹脂制成的粘合劑的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)率的熱傳導(dǎo)粘合劑。粘合劑16介于導(dǎo)線5附近的密封體7的上表面7a和上帽12的內(nèi)表面12b之間，以便密封體7的上表面7a粘合于上帽12的內(nèi)表面12b，這可能降低上表面7a的溫度。粘合劑16更優(yōu)選地布置為覆蓋整個上表面7a。如圖45所示，優(yōu)選地，粘合劑16更優(yōu)選地布置在密封體7的下表面7b和下帽13的內(nèi)表面13a之間。盡管密封體7的下表面7b與上表面7a相比更遠離導(dǎo)線5，但粘合劑16也布置在下表面7b側(cè)上，這可以降低整個密封體7的溫度。此外，從減小間隙SK的角度來看，粘合劑16優(yōu)選地設(shè)置在密封體7的側(cè)面7c處。然而，如上所述由于粘合劑16包含金屬顆粒，所以粘合劑16不應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地布置在密封體7的側(cè)面7c上，以防止引腳3和金屬顆粒之間的接觸。由于在本實施例中預(yù)先形成了密封體7，如圖46所示，阻擋條（阻擋部）22必須設(shè)置在引線框20中以防止樹脂7p泄露。圖46是示出在圖42所示的密封形成步驟中在圖18所示的引線框中形成密封體7的放大平面圖。圖46中所示的阻擋條（阻擋部）22與引腳3一體形成以連接相鄰的引腳3，并且布置成圍繞密封體7。在圖42所示的密封體形成步驟中，阻擋條22阻止了樹脂7p的泄露。由于密封體7必須存儲在帽11中，所以阻擋條22必須設(shè)置在密封粘合區(qū)3e（見圖13）的內(nèi)側(cè)上（在圖13中所示的接合區(qū)3c側(cè)上）。阻擋條22是用于連接引腳3的金屬部件。為了分離相鄰的引腳3，阻擋條22必須在帽接合步驟（見圖42）之前切割。也就是，如圖42所示，阻擋切割步驟必須在密封體形成步驟之后和帽接合步驟之前執(zhí)行。在阻擋切割步驟中，切割了布置在相鄰的引腳3之間的每個阻擋條22。切割阻擋條的方式并沒有具體地限定，但阻擋條可以通過利用沖壓機和模具（未示出）擠壓來切割。在第一和第二實施例中描述的半導(dǎo)體器件10和50的制造方法中，密封劑14用作阻擋部，并且因此可以省略阻擋切割步驟，這是優(yōu)選的。本實施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法與第一實施例的相同，除了上述的區(qū)別之外。因此，將省略其重復(fù)描述，并且除了上述區(qū)別之外，本實施例可以應(yīng)用第一實施例中描述的本發(fā)明的方面。已描述了本實施例作為第一實施例中描述的半導(dǎo)體10及其制造方法的修改實例，并且應(yīng)用時本實施例也可以與第二實施例中描述的修改實例結(jié)合。<其它修改實例>已經(jīng)基于實施例具體描述了由本發(fā)明人提出的本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于公開的實施例。很顯然，可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下進行各種修改和變形。例如，第一至第三實施例已經(jīng)描述了安裝在一個封裝（半導(dǎo)體器件）中的兩個半導(dǎo)體芯片1和6。然而，半導(dǎo)體芯片的數(shù)量不限于兩個，并且本發(fā)明可以應(yīng)用于具有一個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件或者具有三個或更多個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件。例如，如圖4所示，在具有在其上層疊的半導(dǎo)體芯片1和6的半導(dǎo)體器件10中，導(dǎo)線5靠近密封體7的上表面7a。當(dāng)在密封體7的上表面7a處造成裂縫時，裂縫很可能到達導(dǎo)線5。然而，應(yīng)用上述實施例中描述的技術(shù)可以有效地提高半導(dǎo)體器件的可靠性。例如，在上述的第一至第三實施例的描述中，凸緣12e和13e不僅設(shè)置在沿著上帽12和下帽13的各個側(cè)面的部分處，而且設(shè)置在角12k和13k處。然而，在作為圖47中的修改實例示出的半導(dǎo)體器件54中，凸緣12e沒有設(shè)置在密封體形成步驟中用作用于樹脂的供應(yīng)口的角處（在圖47中所示的角12k1處）。圖47示出了圖1的修改實例的平面圖，以及圖48示出了圖31的修改實例的放大截面圖。如圖48所示，凸緣12e和13e沒有設(shè)置在布置了模塑模具40的門40G的角20k1、12k1、13k1處，這便于供應(yīng)樹脂7p。在布置了排放孔40B的其他角20k、12k和13k處，設(shè)置凸緣12e和13e以增加靜壓力，這樣可以減小樹脂7p的泄漏量。設(shè)置凸緣12e和13e可以增加密封劑14的接合表面的面積，從而提高了上帽12和下帽13之間的接合強度。例如，上述修改實例可以與第二實施例和/或第三實施例中描述的技術(shù)組合應(yīng)用。本發(fā)明可以應(yīng)用于樹脂密封的半導(dǎo)體器件。