專利名稱：一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示
>J-U裝直。
背景技術(shù)：
在陣列基板的制作過(guò)程中，通常在像素電極形成之前會(huì)形成一層平坦化層，以減少基板上的段差，使得像素電極更易形成且減少不良，同時(shí)為了減小像素電極與其它導(dǎo)電金屬層之間形成的寄生電容，該平坦化層一般都制作成厚度較大的層。但是，在制作平坦化層上的過(guò)孔時(shí)，如像素電極與TFT漏電極連接的過(guò)孔，或者綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定區(qū)域的過(guò)孔等，需要對(duì)平坦化層進(jìn)行曝光處理，由于平坦化層比較厚，為了獲得預(yù)期的過(guò)孔尺寸，需要較高的曝光能量，從而降低了曝光速度，影響生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示裝置，可以局部減小平坦化層的厚度，從而減少過(guò)孔形成所需要的曝光能量，進(jìn)一步增加曝光速度，提高生產(chǎn)效率。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括:在陣列基板上形成墊高層，所述墊高層位于平坦化層下方，且對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的過(guò)孔的位置，其中，所述平坦化層為熱熔性材料形成。進(jìn)一步的，所述平坦化層為亞克力材料形成。具體的，所述陣列基板的制作方法，包括:提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成TFT ;在所述TFT上方形成平坦化層，并在所述平坦化層上形成有過(guò)孔；在陣列基板上形成墊高層，所述墊高層位于所述襯底基板上方且所述平坦化層下方，且所述墊高層對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的過(guò)孔的位置。進(jìn)一步的，所述在襯底基板上形成TFT的步驟具體包括:在所述襯底基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層；所述在陣列基板上形成墊高層的步驟具體包括:在所述襯底基板上或者在所述柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層中任意一層上形成墊高層。進(jìn)一步的，所述陣列基板的制作方法還包括:在所述平坦化層上方形成像素電極層，所述像素電極通過(guò)所述平坦化層上的過(guò)孔與所述TFT漏電極連接。進(jìn)一步的，所述在襯底基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層的步驟，還包括:在所述陣列基板的綁定驅(qū)動(dòng)電路的周邊區(qū)域中，與所述柵極同層形成綁定柵線，與所述源漏電極同層形成綁定數(shù)據(jù)線；所述綁定柵線和所述綁定數(shù)據(jù)線分別通過(guò)平坦化層上的過(guò)孔與驅(qū)動(dòng)電路綁定。具體的，在所述TFT上方形成平坦化層的步驟包括:
在形成有墊高層的所述襯底基板上涂覆亞克力材料層；對(duì)所述亞克力材料層進(jìn)行低壓干燥和烘烤；對(duì)低壓干燥和烘烤后的所述亞克力材料層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的所述亞克力材料層進(jìn)行顯影和烘烤。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括平坦化層，還包括墊高層，所述墊高層位于平坦化層下方，且對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的過(guò)孔處，其中，所述平坦化層由熱熔性材料形成。具體的，所述熱熔性材料為亞克力材料。具體的，所述陣列基板，包括:襯底基板以及形成于所述襯底基板上的TFT ；形成在所述襯底基板上方的墊高層；形成在所述墊高層上方的平坦化層，所述平坦化層上具有過(guò)孔，所述墊高層對(duì)應(yīng)所述平坦化層的過(guò)孔的位置。進(jìn)一步的，所述TFT包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏電極，所述墊高層位于所述襯底基板上或者位于柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層中的任意一層上。進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括:像素電極層，所述像素電極層位于平坦化層上方，所述像素電極通過(guò)所述平坦化層上的過(guò)孔與TFT漏電極連接。進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層位于所述平坦化層的下方，所述鈍化層具有與所述平坦化層的過(guò)孔上下相通的過(guò)孔，所述像素電極與TFT漏電極通過(guò)所述平坦化層的過(guò)孔和鈍化層的過(guò)孔連接。進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括:在所述陣列基板的綁定驅(qū)動(dòng)電路的周邊區(qū)域，與源漏電極同層形成的綁定數(shù)據(jù)線，以及與柵極同層形成的綁定柵線；所述綁定數(shù)據(jù)線與所述綁定柵線分別通過(guò)所述平坦化層上的過(guò)孔與驅(qū)動(dòng)電路連接。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:上述方案中，通過(guò)在陣列基板的平坦化層的過(guò)孔下方，設(shè)計(jì)墊高層，利用形成平坦化層的亞克力材料易于流動(dòng)的性質(zhì)，局部減小平坦化層的厚度，從而減少形成過(guò)孔所需要的曝光能量，進(jìn)一步增加曝光時(shí)的曝光速度，提高生產(chǎn)效率。


圖1為沒(méi)有墊高層的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括:在陣列基板上形成墊高層，所述墊高層位于陣列基板的平坦化層下方，且對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的過(guò)孔的位置，其中，所述平坦化層為熱熔性材料形成。所述熱熔性材料為在加熱到一定溫度時(shí)具有流動(dòng)性的材料。具體的，所述陣列基板的制作方法，包括:提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成TFT ;在所述TFT上方形成平坦化層，并在所述平坦化層上形成有過(guò)孔；在陣列基板上形成墊高層，所述墊高層位于所述襯底基板上方且所述平坦化層下方，且所述墊高層對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的過(guò)孔的位置。具體的，所述熱熔性材料可以為亞克力材料。亞克力材料是以丙烯酸及其酯類聚合所得到的聚合物，統(tǒng)稱丙烯酸類樹酯，相應(yīng)的塑料統(tǒng)稱聚丙烯酸類塑料，具有質(zhì)輕、價(jià)廉，易于成型等優(yōu)點(diǎn)；它的成型方法有澆鑄，射出成型，機(jī)械加工、熱成型等，尤其是射出成型，可以大批量生產(chǎn)，制程簡(jiǎn)單，成本低。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例中平坦化層并不限于亞克力材料，任何材料只要在加熱時(shí)具有流動(dòng)性，并且常溫又可以保持固化，都可以在本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制作方法中用作平坦化層的材料。所述平坦化層的過(guò)孔可以為顯示區(qū)像素電極與TFT漏電極連接的過(guò)孔但不限于此。在陣列基板的周邊區(qū)域，需要綁定驅(qū)動(dòng)電路為陣列基板提供柵掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)過(guò)孔分別與陣列基板上設(shè)置的綁定柵線和綁定數(shù)據(jù)線連接，因此，所述平坦化層的過(guò)孔也可以為綁定數(shù)據(jù)線與驅(qū)動(dòng)電路綁定的過(guò)孔，或者為綁定柵線與驅(qū)動(dòng)電路綁定的過(guò)孔。當(dāng)然所述過(guò)孔不限于此，如果其他陣列基板的制作方法的變形中需要在平坦化層上形成過(guò)孔，都可以采用本發(fā)明實(shí)施例所述的陣列基板的制作方法。下面以所述過(guò)孔為像素電極與TFT漏電極連接的過(guò)孔為例進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法包括:SI,提供一襯底基板11，在所述襯底基板上形成TFT ；S2，在所述襯底基板11上方形成墊高層；S3，在所述墊高層上方形成平坦化層15，并在所述平坦化層15上形成過(guò)孔(⑶2所示的部分)，其中所述墊高層位于所述過(guò)孔位置的下方。在上述步驟SI中，在所述襯底基板上形成TFT的步驟，具體包括:在所述襯底基板11上形成柵極層(圖中未示出)、柵絕緣層12、有源層13、源漏電極層14 ；在上述步驟S2中，在所述襯底基板上方形成墊高層的步驟，具體包括:在所述襯底基板上或者在所述柵極層，所述柵絕緣層12、所述有源層13、所述源漏電極層任意一層上形成墊高層。需要說(shuō)明的是，所述柵極層為TFT的柵極所在的層，所述源漏電極層為TFT源電極和漏電極所在的層。因?yàn)樵谙袼仉姌O和TFT漏電極連接的過(guò)孔位置下方一般不具有柵極層，所以圖中未示出。如果在其他一些陣列基板的制作方法中，在像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔位置下方具有所述柵極層，則所述墊高層也可以形成在所述柵極層上。一般而言，所述墊高層可以和與之相鄰的層材料相同，也可以不同，只要其不影響TFT以及陣列基板的正常工作即可，但是，當(dāng)所述過(guò)孔為像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔，所述墊高層形成于所述源漏電極層上時(shí)優(yōu)選為導(dǎo)電材料，使得像素電極和TFT漏電極能實(shí)現(xiàn)電連接。如圖2所示，所述墊高層16可以直接在所述襯底基板11上形成。所述墊高層可以為在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，或者與所述柵極層同一次構(gòu)圖工藝形成。如圖3所示，所述墊高層16可以在所述柵絕緣層12上形成。所述墊高層可以為在所述柵絕緣層上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，或者與所述柵絕緣層同一次構(gòu)圖工藝通過(guò)半曝光技術(shù)形成。如圖4所示，所述墊高層16可以在所述有源層13上形成。所述墊高層可以為在所述有源層上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，或者與所述有源層同一次構(gòu)圖工藝通過(guò)半曝光技術(shù)形成。如圖5所示，所述墊高層16還可以在所述源漏電極層14上形成。所述墊高層可以為在所述源漏電極層上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，或者與所述源漏電極層同一次構(gòu)圖工藝通過(guò)半曝光技術(shù)形成，當(dāng)然為了保證像素電極和TFT漏電極的電連接，所述墊高層需要采用導(dǎo)電材料。在上述步驟S3中，在所述墊高層上方形成平坦化層15，并在所述平坦化層15上形成過(guò)孔的步驟，具體包括:在形成有墊高層的襯底基板上涂覆一層亞克力材料；對(duì)所述亞克力材料層進(jìn)行低壓干燥和烘烤；對(duì)低壓干燥和烘烤后的所述亞克力材料層進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的所述亞克力材料層進(jìn)行顯影和烘烤。需要說(shuō)明的是，其中，對(duì)所述亞克力材料層進(jìn)行低壓干燥和烘烤，是通過(guò)在低壓環(huán)境中對(duì)其進(jìn)行干燥以及在加熱的條件下進(jìn)一步使其固化來(lái)完成所述亞克力材料層的成型；對(duì)曝光后的所述亞克力材料層進(jìn)行顯影是利用顯影液形成所述過(guò)孔，烘烤是為了將殘留的顯影液以及清洗顯影液的清洗劑去除。進(jìn)一步的，所述陣列基板的制作方法，還包括:在所述平坦化層的上方形成像素電極層，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述TFT漏電極連接。其中，所述像素電極層為像素電極所在的層。如果所述過(guò)孔為陣列基板的周邊區(qū)域中綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔，或者為綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定柵線和驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔，則在上述步驟SI中，所述在所述襯底基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層的步驟，還包括:在所述陣列基板的綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定區(qū)域中，與所述柵極同層形成綁定柵線，與所述源漏電極同層形成綁定數(shù)據(jù)線；所述綁定柵線和所述綁定數(shù)據(jù)線分別通過(guò)平坦化層上的過(guò)孔與驅(qū)動(dòng)電路綁定。需要說(shuō)明的是，由于平坦化層上可以形成有多個(gè)過(guò)孔，因此墊高層也可以形成在多個(gè)位置，在不同位置的過(guò)孔下方的墊高層可以同層形成，也可以不同層形成，但為了工藝的簡(jiǎn)化，優(yōu)選所述墊高層形成在同層，如在所述襯底基板上，對(duì)應(yīng)像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔處、綁定柵線與驅(qū)動(dòng)電路綁定的過(guò)孔處以及綁定數(shù)據(jù)線與驅(qū)動(dòng)電路綁定的過(guò)孔處，同時(shí)形成墊高層。需要說(shuō)明的是，在上述陣列基板的制作方法中，在對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的過(guò)孔處的下方，所述柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層不一定全都存在，如在對(duì)應(yīng)像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔處的下方，可以不具有柵極層，在綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定柵線與驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔處的下方，可以不具有柵絕緣層和有源層等。當(dāng)然，所述柵極層、柵絕緣層，有源層、源漏電極層的順序也不限于圖中所示，圖中僅示出了底柵型TFT陣列基板，對(duì)于頂柵型TFT陣列基板以及其他結(jié)構(gòu)的變形，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法同樣適用。當(dāng)然，在上述陣列基板的制作方法中還可以包括在源漏電極層上方形成鈍化層的步驟，所述平坦化層形成于所述鈍化層上方，所述過(guò)孔還應(yīng)當(dāng)穿過(guò)所述鈍化層。具體可以采用一次Mask工藝制作該貫穿該鈍化層以及該平坦化層的過(guò)孔；也可以采用兩次Mask工藝分別制作該貫穿平坦化層上的過(guò)孔，以及貫穿該鈍化層的過(guò)孔。在其它一些陣列基板的制作方法中，還可以包括:在襯底基板上形成緩沖層(緩沖層可以包括:氮化硅緩沖層和氧化硅緩沖層)；在形成所述緩沖層后再形成所述柵絕緣層、有源層和源漏電極層；所述墊高層還可以形成于所述緩沖層上。在其它一些陣列基板的制作方法中，如在頂柵型低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPSTFT)陣列基板的制作方法中，還可以包括:在所述包括柵極的層和源漏電極層之間形成層間絕緣層；所述墊高層還可以形成于所述層間絕緣層上。總之，所述墊高層16可以在襯底基板上或者在襯底基板和平坦化層之間任意一層上形成，如可以在所述柵極層上形成，或者所述柵絕緣層上形成，或者在所述有源層上形成，或者在所述源漏電極層上形成。當(dāng)然，如果在對(duì)應(yīng)平坦化層的過(guò)孔的位置，在所述襯底基板和所述平坦化層之間還包括其他的層，所述墊高層也可以形成在這些層上，只要在形成平坦化層時(shí)，能通過(guò)增加平坦化層對(duì)應(yīng)過(guò)孔的位置下方的高度使得具有熱熔性的材料如亞克力材料在形成過(guò)孔的位置的厚度減小即可。但是，為了過(guò)孔形成的便利，所述墊高層16優(yōu)選設(shè)置于襯底基板上或者靠近襯底基板的層上。以所述過(guò)孔為像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔為例，所述墊高層優(yōu)選設(shè)置于襯底基板上或者源漏電極層下方的層上；以所述過(guò)孔為綁定數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔為例，所述墊高層優(yōu)選設(shè)置于襯底基板上或者源漏電極層下方的層上；以所述過(guò)孔為綁定柵線和驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔為例，所述墊高層優(yōu)選設(shè)置于襯底基板上或者柵極層下方的層上。在上述各陣列基板的制作方法中，平坦化層的厚度通常大于2 iim，在增加墊高層16之后，從整個(gè)陣列基板的上表面到平坦化層上表面，其總厚度不變；但由于墊高層的存在，在曝光工藝中，由于形成平坦化層的亞克力材料具有易于流動(dòng)的性質(zhì)，使過(guò)孔對(duì)應(yīng)位置處的平坦化層厚度降低了 ；由于平坦化層厚度降低，導(dǎo)致在同樣的曝光能量的條件下，其所得到的關(guān)鍵尺寸CD (過(guò)孔的直徑)增加。如圖1和圖2所示，圖1為沒(méi)有墊高層的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖，圖2為本發(fā)明一實(shí)施例設(shè)置有墊高層的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖。當(dāng)設(shè)置墊高層厚度為H時(shí)，⑶(過(guò)孔的直徑)改變量為:⑶2-⑶l=2XH/tga，其中，a為沒(méi)有墊高層時(shí)，過(guò)孔位置的底部所在水平面與過(guò)孔的側(cè)面的夾角。由于墊高層的存在，為了獲得標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)孔尺寸，需要的曝光能量較低，從而曝光速度得到提高，進(jìn)一步增加設(shè)備產(chǎn)能。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括平坦化層，所述平坦化層上具有過(guò)孔，所述陣列基板還包括墊高層，所述墊高層位于陣列基板的平坦化層下方，且對(duì)應(yīng)于平坦化層的過(guò)孔處，其中，所述平坦化層為熱熔性材料。具體的，所述熱熔性材料可以為亞克力材料。亞克力材料是以丙烯酸及其酯類聚合所得到的聚合物，統(tǒng)稱丙烯酸類樹酯，相應(yīng)的塑料統(tǒng)稱聚丙烯酸類塑料，具有質(zhì)輕、價(jià)廉，易于成型等優(yōu)點(diǎn)；它的成型方法有澆鑄，射出成型，機(jī)械加工、熱成型等，尤其是射出成型，可以大批量生產(chǎn)，制程簡(jiǎn)單，成本低。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例中平坦化層并不限于亞克力材料，任何材料只要在加熱時(shí)具有流動(dòng)性，并且常溫又可以保持固化的材料，都可以在本發(fā)明實(shí)施例陣列基板中用作平坦化層的材料。其中，所述對(duì)應(yīng)于該平坦化層處的過(guò)孔可以為所述像素電極與TFT漏電極連接的過(guò)孔。在陣列基板的周邊區(qū)域，驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)過(guò)孔分別與綁定柵線和綁定數(shù)據(jù)線連接實(shí)現(xiàn)綁定，為陣列基板提供行掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)，因此，所述平坦化層上的過(guò)孔還可以為綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定數(shù)據(jù)線與驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔，或者為綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定柵線與驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔等。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板中的過(guò)孔不限于以上幾種，在其他陣列基板結(jié)構(gòu)的變形中，只要在平坦化層上形成有過(guò)孔，都適用于本發(fā)明實(shí)施例所述的陣列基板的結(jié)構(gòu)。具體的，以所述過(guò)孔為像素電極與TFT漏電極連接的過(guò)孔為例進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:襯底基板以及形成在所述襯底基板上的TFT ；形成在所述襯底基板上方的墊高層；形成在所述墊高層上方的平坦化層，所述平坦化層上具有過(guò)孔，所述墊高層對(duì)應(yīng)所述平坦化層的過(guò)孔的位置。具體的，所述TFT包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏電極；所述墊高層位于所述襯底基板上，或者位于所述柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層中的任意一層上。其中，所述柵極層為所述柵極所在的層，所述源漏電極層為所述TFT源電極和漏電極所在的層。當(dāng)然，對(duì)于所述過(guò)孔為像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔的情況，所述過(guò)孔下方一般不具有柵極層，所以圖中未示出。如果所述過(guò)孔下方具有所述柵極層，則所述墊高層還可以位于所述柵極層上。一般而言，所述墊高層可以和與之相鄰的層材料相同，也可以不同，只要其不影響TFT以及陣列基板的正常工作即可，但是，當(dāng)所述過(guò)孔為像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔時(shí)，所述墊高層形成于所述源漏電極層上時(shí)，優(yōu)選為導(dǎo)電材料，使得像素電極和TFT漏電極能實(shí)現(xiàn)電連接。如圖2所示，所述墊高層16可以位于所述襯底基板11上。具體的，所述墊高層可以為在所述襯底基板上單獨(dú)形成的一層，或者與所述柵極同層形成。如圖3所示，所述墊高層16可以位于所述柵絕緣層12上。具體的，所述墊高層可以為在所述柵絕緣層12上單獨(dú)形成的一層，或者與所述柵絕緣層通過(guò)半曝光技術(shù)同層形成。如圖4所示，所述墊高層16可以位于所述有源層13上。具體的，所述墊高層可以為在所述有源層13上單獨(dú)形成的一層，或者與所述有源層通過(guò)半曝光技術(shù)同層形成。如圖5所示，所述墊高層16還可以位于所述源漏電極層14上。具體的，所述墊高層可以為在所述源漏電極層14上單獨(dú)形成的一層，或者與所述源漏電極層通過(guò)半曝光技術(shù)同層形成。當(dāng)然為了保證像素電極和TFT漏電極的電連接，所述墊高層為導(dǎo)電材料。進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括像素電極層，所述像素電極層位于平坦化層上方，所述平坦化層上的過(guò)孔用于連接所述像素電極和TFT的漏電極。其中，所述像素電極層為像素電極所在的層。如果所述平坦化層的過(guò)孔還包括綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔，以及綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定柵線和驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔，則所述陣列基板，還包括:與所述柵極同層形成的綁定柵線，與所述源漏電極同層形成的綁定數(shù)據(jù)線；在陣列基板的綁定區(qū)域，所述綁定柵線和綁定數(shù)據(jù)線分別通過(guò)所述平坦化層上的過(guò)孔與驅(qū)動(dòng)電路連接。需要說(shuō)明的是，由于平坦化層上可以具有多個(gè)過(guò)孔，因此墊高層也可以形成在多個(gè)位置，在不同位置的過(guò)孔下方的墊高層可以在同層，也可以不在同層，但為了工藝的簡(jiǎn)化，優(yōu)選所述墊高層形成在同層，如在所述襯底基板上，對(duì)應(yīng)像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔處、綁定柵線與驅(qū)動(dòng)電路綁定的過(guò)孔處以及綁定數(shù)據(jù)線與驅(qū)動(dòng)電路綁定的過(guò)孔處，同時(shí)形成墊高層。在對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的過(guò)孔處的下方，所述柵極層，柵絕緣層12，有源層13、源漏電極層14也不一定全都存在，如在對(duì)應(yīng)像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔處的下方，可以不具有柵極層，在綁定驅(qū)動(dòng)電路的綁定柵線與驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔處的下方，不具有柵絕緣層和有源層。當(dāng)然，所述柵極層，柵絕緣層12，有源層13、源漏電極層14的順序也不限于圖中所示，圖中僅示出了底柵型TFT陣列基板，對(duì)于頂柵型TFT陣列基板，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板同樣適用。當(dāng)然，上述陣列基板中還可以包括在平坦化層下方形成的鈍化層，則所述平坦化層的過(guò)孔還應(yīng)當(dāng)穿過(guò)所述鈍化層，即所述過(guò)孔貫穿所述鈍化層和所述平坦化層，所述像素電極與TFT漏電極通過(guò)所述過(guò)孔連接；或者在所述平坦化層的過(guò)孔下方，所述鈍化層也形成有過(guò)孔，且鈍化層過(guò)孔與平坦化層的過(guò)孔上下相通，所述像素電極與TFT漏電極通過(guò)所述平坦化層的過(guò)孔和鈍化層的過(guò)孔連接。在其它一些陣列基板中，還可以包括:在襯底基板上形成的緩沖層(緩沖層可以包括:氮化硅緩沖層和氧化硅緩沖層)；在所述緩沖層上方形成有柵極層、柵絕緣層、有源層和源漏電極層；所述墊高層還可以位于所述緩沖層上。 在其它一些陣列基板中，如在頂柵型低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)陣列基板中，還可以包括:形成于所述柵極層和源漏電極層之間的層間絕緣層；所述墊高層還可以位于所述層間絕緣層上。總之，所述墊高層16可以位于襯底基板上或者在襯底基板和平坦化層之間任意一層上，如可以在所述柵極層上形成，或者所述柵絕緣層上形成，或者在所述有源層上形成，或者在所述源漏電極層上形成。當(dāng)然，如果在對(duì)應(yīng)平坦化層的過(guò)孔的位置，在所述襯底基板和所述平坦化層之間還包括其他的層，所述墊高層也可以位于這些層上，只要在形成平坦化層時(shí)，能通過(guò)增加平坦化層對(duì)應(yīng)過(guò)孔的位置下方的高度使得具有熱熔性的材料如亞克力材料在形成過(guò)孔的位置的厚度減小即可。但是，為了過(guò)孔形成的便利，所述墊高層16優(yōu)選設(shè)置于襯底基板上或者靠近襯底基板的層上。以所述過(guò)孔為像素電極和TFT漏電極連接的過(guò)孔為例，所述墊高層優(yōu)選設(shè)置于襯底基板上或者源漏電極層下方的層上；以所述過(guò)孔為綁定數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔為例，所述墊高層優(yōu)選設(shè)置于襯底基板上或者源漏電極層下方的層上；以所述過(guò)孔為綁定柵線和驅(qū)動(dòng)電路連接的過(guò)孔為例，所述墊高層優(yōu)選設(shè)置于襯底基板上或者柵極層下方的層上。另外，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上述實(shí)施例所述的陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板以及顯示裝置同樣由于在平坦化層過(guò)孔處下方存在墊高層，以及形成平坦化層的材料具有加熱可流動(dòng)的性質(zhì)，使得在曝光工藝中，過(guò)孔對(duì)應(yīng)位置處的平坦化層厚度降低；由于平坦化層厚度降低，使得為了獲得標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)孔尺寸，需要的曝光能量降低，從而提高曝光速度，進(jìn)一步增加設(shè)備產(chǎn)能。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在陣列基板上形成墊高層，所述墊高層位于陣列基板的平坦化層下方，且對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的過(guò)孔的位置，其中，所述平坦化層為熱熔性材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述熱熔性材料為亞克力材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 51:提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成TFT ； 52:在所述襯底基板上方形成塾聞層； 53:在所述墊高層上方形成平坦化層，并在所述平坦化層上形成過(guò)孔，其中所述墊高層對(duì)應(yīng)所述平坦化層的過(guò)孔的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在襯底基板上形成TFT的步驟，具體為:在所述襯底基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層； 所述在襯底基板上方形成墊高層的步驟具體為:在所述襯底基板上或者在所述柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層中任意一層上形成墊高層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括: 在所述平坦化層上方形成像素電極層，所述像素電極通過(guò)所述平坦化層上的過(guò)孔與所述TFT漏電極連接。`
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在襯底基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層的步驟，還包括:在所述陣列基板的綁定驅(qū)動(dòng)電路的周邊區(qū)域中，與所述柵極同層形成綁定柵線，與所述源漏電極同層形成綁定數(shù)據(jù)線，所述綁定柵線和所述綁定數(shù)據(jù)線分別通過(guò)平坦化層上的過(guò)孔與驅(qū)動(dòng)電路綁定。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成有墊高層的所述襯底基板上形成平坦化層的步驟包括: 在形成有墊高層的所述襯底基板上涂覆亞克力材料層； 對(duì)所述亞克力材料層進(jìn)行低壓干燥和烘烤； 對(duì)低壓干燥和烘烤后的所述亞克力材料層進(jìn)行曝光； 對(duì)曝光后的所述亞克力材料層進(jìn)行顯影和烘烤。
8.—種陣列基板，包括平坦化層，其特征在于，包括墊高層，所述墊高層位于平坦化層下方，且對(duì)應(yīng)于平坦化層的過(guò)孔處，其中，所述平坦化層為熱熔性材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述熱熔性材料為亞克力材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的陣列基板，其特征在于，包括: 襯底基板以及形成于所述襯底基板上的TFT ； 形成在所述襯底基板上方的塾聞層； 形成在所述墊高層上方的平坦化層，所述平坦化層上具有過(guò)孔，所述墊高層對(duì)應(yīng)所述平坦化層的過(guò)孔的位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏電極，所述墊高層位于所述襯底基板上或者位于柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層中的任意一層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，還包括:像素電極層，所述像素電極層位于平坦化層上方，所述像素電極通過(guò)所述平坦化層上的過(guò)孔與TFT漏電極連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層位于所述平坦化層的下方，所述鈍化層具有與所述平坦化層的過(guò)孔上下相通的過(guò)孔，所述像素電極與TFT漏電極通過(guò)所述平坦化層的過(guò)孔和鈍化層的過(guò)孔連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于， 在所述陣列基板的綁定驅(qū)動(dòng)電路的周邊區(qū)域，還包括與源漏電極同層形成的綁定數(shù)據(jù)線，以及與柵極同層形成的綁定柵線，所述綁定數(shù)據(jù)線與所述綁定柵線分別通過(guò)所述平坦化層上的過(guò)孔與驅(qū)動(dòng)電路連接。
15.一種顯示裝置，包括如權(quán)`利要求8-14任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示裝置，其中，所述陣列基板的制作方法包括在陣列基板上形成墊高層，所述墊高層位于平坦化層下方，且對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的過(guò)孔的位置，其中，所述平坦化層為熱熔性材料形成。本發(fā)明的方案可以局部減小平坦化層的厚度，從而減少過(guò)孔形成所需要的曝光能量，進(jìn)一步增加曝光時(shí)的曝光速度，提高生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)H01L27/12GK103107135SQ201310053700
公開(kāi)日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2013年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月19日
發(fā)明者魏小丹, 張興強(qiáng), 陸忠, 張同局 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司