蝕刻液組合物以及蝕刻方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供下述蝕刻液組合物和蝕刻方法，其在對包括氧化銦系膜和金屬系膜的層疊膜一并進行蝕刻時，在氧化銦系膜和金屬系膜之間不會產(chǎn)生大的臺階，包含氧化銦系膜和金屬系膜的細線的寬度較小，此外，可以直線性良好地進行蝕刻。本發(fā)明蝕刻液組合物的特征在于包含：高鐵離子成分、氯化氫成分、以及選自下述通式(1)表示的化合物和碳數(shù)1～4的直鏈或支鏈狀醇中的至少1種以上的化合物成分(式(1)中，R1、R3各自獨立地表示氫或碳數(shù)1～4的直鏈或支鏈狀烷基，R2表示碳數(shù)1～4的直鏈或支鏈狀亞烷基，n表示1～3的數(shù))。
【專利說明】蝕刻液組合物以及蝕刻方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及蝕刻液組合物以及使用該蝕刻液組合物的蝕刻方法，更詳細地，涉及 用于對包括氧化銦系膜和金屬系膜的層疊膜一并進行蝕刻的蝕刻液組合物以及使用該蝕 刻液組合物的蝕刻方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 已知關(guān)于透明導(dǎo)電膜等所使用的氧化銦系膜的濕式蝕刻技術(shù)有多種多樣，從低價 且蝕刻速度良好的角度考慮，大多使用含有氯化氫的水溶液作為蝕刻液組合物。
[0003] 例如，在專利文獻1中公開了含有氯化鐵和氯化氫的銦-錫氧化物（下文有時簡 稱為ΙΤ0)用蝕刻液組合物。
[0004] 此外，作為未使用氯化氫的蝕刻液，例如專利文獻2中公開了作為銅或銅合金的 蝕刻劑的含有銅離子、有機酸、鹵素離子、唑類和聚亞烷基二醇的水溶液。在此，聚亞烷基二 醇用于抑制電解鍍銅層的溶解，促進作為基底導(dǎo)電層的無電解鍍銅層的蝕刻。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1 :日本特開2009-231427號公報
[0008] 專利文獻2 :日本特開2006-111953號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明要解決的課題
[0010] 然而，例如，在通過使用上述公開的蝕刻液對包含ΙΤ0膜和銅膜的層疊膜一并進 行蝕刻以形成包含ΙΤ0膜和銅膜的直線性良好的細線的情況下，有時存在無法控制蝕刻速 度因而無法獲得所期望寬度的細線的情況，也有時存在細線呈現(xiàn)蛇行的情況，這是存在的 問題。此外，最大的問題在于：由于對ΙΤ0膜和銅膜的蝕刻速度的差異較大，因此，位于與基 板表面平行方向的ΙΤ0膜的蝕刻寬度與位于同一方向的銅膜的蝕刻寬度之間差異較大，導(dǎo) 致在形成細線的ΙΤ0膜和銅膜之間產(chǎn)生大的臺階（step)，這是存在的問題。
[0011] 因此，本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，本發(fā)明的目的在于提供下述蝕刻液 組合物和使用該蝕刻液組合物的蝕刻方法，其在對包括氧化銦系膜和金屬系膜的層疊膜一 并進行蝕刻時，在氧化銦系膜和金屬系膜之間不會產(chǎn)生大的臺階，包含氧化銦系膜和金屬 系膜的細線的細度寬度小，并且可以直線性良好地進行蝕刻。
[0012] 解決課題的方法
[0013] 本發(fā)明人等為了解決上述問題進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：包含高鐵離子成分、氯 化氫成分以及選自下述通式（1)表示的化合物和碳數(shù)1?4的直鏈或支鏈狀醇中的至少1 種以上的化合物成分的蝕刻液組合物可以解決上述問題，至此完成了本發(fā)明。
[0014] [化 1]
[0015]

【權(quán)利要求】
1. 蝕刻液組合物，其用于對包括氧化銦系膜和金屬系膜的層疊膜一并進行蝕刻，其由 包含以下物質(zhì)的水溶液形成， (A) 商鐵尚子成分、 (B) 氯化氫成分、和 (C) 選自下述通式（1)表示的化合物和碳數(shù)1?4的直鏈或支鏈狀醇的至少1種以上 的化合物成分，
式（1)中，R\R3各自獨立地表示氫或碳數(shù)1?4的直鏈或支鏈狀烷基，R2表示碳數(shù)1? 4的直鏈或支鏈狀亞烷基，η表示1?3的數(shù)。
2. 權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，通式（1)表示的化合物為選自下述通式（2) 表示的化合物或碳數(shù)3?4的支鏈狀醇的至少1種以上的化合物成分，
式（2)中，R1、R3各自獨立地表示氫或碳數(shù)1?4的直鏈或支鏈狀烷基，η表示1?3 的數(shù)。
3. 權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，所述（C)成分至少包含二丙二醇單甲醚 或異丙醇。
4. 權(quán)利要求1?3任一項所述的蝕刻液組合物，其還含有選自穩(wěn)定劑、(A)、(Β)或（C) 成分的增溶劑、消泡劑、pH調(diào)節(jié)劑、比重調(diào)節(jié)劑、粘度調(diào)節(jié)劑、潤濕性改良劑、螯合劑、氧化 齊U、還原劑和表面活性劑中的1種或2種以上的添加劑。
5. 權(quán)利要求4所述的蝕刻液組合物，其中，添加劑為還原劑。
6. 蝕刻方法，其為對包括氧化銦系膜和金屬系膜的層疊膜一并進行蝕刻的蝕刻方法， 作為蝕刻液組合物，其使用權(quán)利要求1?5任一項所述的蝕刻液組合物。
7. 權(quán)利要求6所述的蝕刻方法，其中，氧化銦系膜為選自氧化銦膜、銦-錫氧化物膜以 及銦-鋅氧化物膜的1層以上的膜。
8. 權(quán)利要求6或7所述的蝕刻方法，其中，金屬系膜為包括金屬膜和/或合金膜的1 層以上的膜，所述金屬膜的金屬選自銅、鎳、鈦、鉻、銀、鑰、鋁、鉬和鈀，所述合金膜含有選自 銅、鎳、鈦、鉻、銀、鑰、鋁、鉬和鈀的2種以上的金屬。
【文檔編號】H01L21/308GK104160486SQ201280070725
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月13日
【發(fā)明者】田口雄太, 齊藤康太 申請人:株式會社Adeka