發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種保護膜及在其上方形成的電極膜以均勻膜厚形成、并且光取出效率高的發(fā)光二極管及其制造方法。這樣的發(fā)光二極管，在其上部具備平坦部和具有傾斜側(cè)面及頂面的臺面型結(jié)構(gòu)部，傾斜側(cè)面采用濕式蝕刻形成，保護膜具有配置在俯視為周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且光射出孔的周圍而使化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的通電窗，電極膜是形成為與從通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面相接觸，并且覆蓋在平坦部上形成的保護膜的一部分，在頂面上具有光射出孔的連續(xù)膜，透明膜形成在反射層與化合物半導(dǎo)體層之間，在透明膜內(nèi)、與光射出孔重疊的范圍內(nèi)貫穿地設(shè)有貫通電極。
【專利說明】發(fā)光二極管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及發(fā)光二極管及其制造方法。
[0002]本申請基于2011年12月19日在日本申請的專利申請2011-277536號要求優(yōu)先權(quán)，在此引用其內(nèi)容。
【背景技術(shù)】
[0003]已知從元件上面的一部分取出在發(fā)光層發(fā)生的光的點光源型的發(fā)光二極管。已知在這種類型的發(fā)光二極管中具有用于將發(fā)光層的通電區(qū)域限制為其面內(nèi)的一部分的電流狹窄構(gòu)造(例如專利文獻(xiàn)I)。在具有電流狹窄構(gòu)造的發(fā)光二極管中發(fā)光區(qū)域被限定。由于使光從設(shè)置在該區(qū)域的正上方的光射出孔射出，因此能夠得到較高的光輸出，并且能夠高效地向光學(xué)部件等輸入所射出的光。
[0004]在點光源型的發(fā)光二極管中，已知以下的結(jié)構(gòu):在與基板平行的方向上為了使發(fā)光區(qū)域狹窄而將活性層等形成為柱狀構(gòu)造，在該柱狀構(gòu)造的頂面的光取出面具備具有光射出用的開口(光射出孔)的層(例如專利文獻(xiàn)2)。
[0005]圖15示出一種共振器型發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是在基板131上依次具備下部鏡層(miiror layer) 132、活性層133、上部鏡層134、接觸層135的發(fā)光二極管，將活性層133、上部鏡層134、接觸層135形成為柱狀構(gòu)造137，用保護膜138覆蓋柱狀構(gòu)造137及其周圍，在該保護膜138上形成電極膜139，在柱狀構(gòu)造137的頂面137a(光取出面)上，在電極膜139上形成了光射出用的開口 139a。標(biāo)記140為背面電極。
[0006]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-31842號公報
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開平9-283862號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]在形成上述柱狀構(gòu)造時，通過各向異性的干式蝕刻來實施成膜活性層等之后的柱狀構(gòu)造以外的部分的除去。因此，如圖15所示，柱狀構(gòu)造137的側(cè)面137b相對于基板131垂直或者急傾斜地形成。在該柱狀構(gòu)造的側(cè)面，通過采用蒸鍍法、濺射法形成了保護膜以后，通過蒸鍍法形成電極用金屬(例如Au)膜。但是存在以下問題:在該垂直或者急傾斜的側(cè)面，不容易以一樣的膜厚形成保護膜、電極用金屬膜，容易變成不連續(xù)的膜。在保護膜變?yōu)椴贿B續(xù)的膜的情況下(圖15中的標(biāo)記A)，在該不連續(xù)部分鉆入電極用金屬膜而與活性層等相接觸，成為漏電的原因。另外，在電極用金屬膜變?yōu)椴贿B續(xù)的膜的情況下(圖15中的標(biāo)記B),成為通電不良的原因。
[0010]另外，當(dāng)使用干式蝕刻進(jìn)行柱狀構(gòu)造以外的部分的除去時，還存在需要高價格的裝置，蝕刻時間也花費得很長的問題。
[0011]而且，在如圖15所示的柱狀構(gòu)造的頂面具有光射出孔的點光源型的發(fā)光二極管中，在柱狀構(gòu)造內(nèi)的整個發(fā)光層流過電流。因而，發(fā)光層中光射出孔的正下方以外的部分發(fā)出的光的量多，與光射出孔的正下方發(fā)出的光相比，光射出孔的正下方以外的部分發(fā)出的光向發(fā)光二極管的外部射出的概率較低。因而，阻礙了光取出效率的提高。
[0012]本發(fā)明鑒于上述情況而完成，其目的在于，提供一種發(fā)光二極管以及發(fā)光二極管的制造方法，該發(fā)光二極管是在保護膜及其上所形成的電極膜以均勻的膜厚形成、并且光取出效率高的發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管的制造方法降低漏電、通電不良從而提高成品率，并且能夠用比以往低的成本來制造。
[0013]本發(fā)明提供以下方案。
[0014](I) 一種發(fā)光二極管，在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，所述發(fā)光二極管的特征在于，在其上部具備平坦部和具有傾斜側(cè)面及頂面的臺面型結(jié)構(gòu)部，所述平坦部和所述臺面型結(jié)構(gòu)部，分別至少一部分被保護膜、電極膜依次覆蓋，所述臺面型結(jié)構(gòu)部包含至少所述活性層的一部分，所述傾斜側(cè)面采用濕式蝕刻形成，并且水平方向的截面積朝向所述頂面連續(xù)變小地形成，所述保護膜覆蓋所述平坦部的至少一部分、所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述傾斜側(cè)面、和所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述頂面的周緣區(qū)域，并且具有配置在俯視為所述周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且所述光射出孔的周圍而使所述化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的通電窗，所述電極膜是形成為與從所述通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸、并且至少覆蓋在所述平坦部上形成的保護膜的一部分、在所述臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上具有所述光射出孔的連續(xù)膜，所述透明膜形成在所述反射層與所述化合物半導(dǎo)體層之間，在所述透明膜內(nèi)、俯視下與所述光射出孔重疊的范圍內(nèi)以與所述化合物半導(dǎo)體層及所述反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)有貫通電極。
[0015](2) 一種發(fā)光二極管，在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，所述發(fā)光二極管的特征在于，在其上部具備平坦部和具有傾斜側(cè)面及頂面的臺面型結(jié)構(gòu)部，所述平坦部和所述臺面型結(jié)構(gòu)部，分別至少一部分被保護膜、電極膜依次覆蓋，所述臺面型結(jié)構(gòu)部包含至少所述活性層的一部分，所述傾斜側(cè)面采用濕式蝕刻形成，并且水平方向的截面積朝向所述頂面連續(xù)變小地形成，所述保護膜至少覆蓋所述平坦部的至少一部分、所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述傾斜側(cè)面、和所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述頂面的周緣區(qū)域，并且具有配置在俯視為所述周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且所述光射出孔的周圍而使所述化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的通電窗，所述電極膜是形成為與從所述通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸、并且至少覆蓋在所述平坦部上形成的保護膜的一部分、在所述臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上具有所述光射出孔的連續(xù)膜，所述透明膜形成在所述反射層與所述化合物半導(dǎo)體層之間，在所述透明膜內(nèi)、俯視下與所述通電窗重疊的位置以與所述化合物半導(dǎo)體層及所述反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)有貫通電極。
[0016](3)根據(jù)⑴所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述貫通電極形成在:通過將以最短距離連結(jié)所述通電窗的外周和使所述光射出孔投影到所述活性層的圖形的外周的各點間的線段原樣地延長，從而縮小投影到所述透明膜上的所述光射出孔的縮小投影圖形的范圍內(nèi)。
[0017](4)根據(jù)(I)?(3)的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述貫通電極由AuBe、AuZn中的任一種形成。[0018](5)根據(jù)(I)~(4)的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述透明膜由Si02、SiN、SiON、A1203、MgF2, TiO2, TiN、ZnO 中的任一種形成。
[0019](6)根據(jù)(I)~(5)的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述接觸層與所述電極膜接觸。
[0020](7)根據(jù)(I)~(6)的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述臺面型結(jié)構(gòu)部在俯視下為矩形。
[0021](8)根據(jù)(7)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述臺面型結(jié)構(gòu)部的各傾斜側(cè)面相對于所述基板的定向平面偏移地形成。
[0022](9)根據(jù)(I)~(8)的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述臺面型結(jié)構(gòu)部的高度為3~7 μ m,俯視下的所述傾斜側(cè)面的寬度為0.5~7 μ m。
[0023](10)根據(jù)(I)~(9)的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述光出射孔在俯視下為圓形或橢圓。
[0024](11)根據(jù)(10)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述光出射孔的徑為50~150 μ m0
[0025](12)根據(jù)⑴~(11)的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，在所述電極膜的所述平坦部上的部分具有接合線。
[0026](13)根據(jù)(I)~(12)的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述活性層所含有的發(fā)光層包含多量子阱。
[0027](14)根據(jù)(I)~(13)的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述活性層所含有的發(fā)光層由((Al5ilGa1-X1) Y1 In1-Y1P (O ≤ Xl ≤ 1，O < Yl ≤ I)、(Alx2Ga1^x2) As (O ≤ X2≤ I)、(In5i3Ga1-X3)As (O≤X3≤I))中的任一種形成。
[0028](15) 一種發(fā)光二極管的制造方法，所述發(fā)光二極管在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，所述制造方法的特征在于，具有:在生長用基板上形成依次包含接觸層和活性層的化合物半導(dǎo)體層的工序；在所述化合物半導(dǎo)體層上形成透明膜和貫通電極的工序，所述貫通電極在該透明膜內(nèi)、俯視下與預(yù)定形成的所述光射出孔重疊的范圍內(nèi)以與所述化合物半導(dǎo)體層及所述反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)置；在所述透明膜和所述貫通電極上形成包含金屬的反射層的工序；在所述反射層上接合支持基板的工序；除去所述生長用基板的工序；對所述化合物半導(dǎo)體層進(jìn)行濕式蝕刻，形成臺面型結(jié)構(gòu)部和配置在該臺面型結(jié)構(gòu)部的周圍的平坦部的工序，所述臺面型結(jié)構(gòu)部是水平方向的截面積朝向頂面連續(xù)變小地形成的；形成保護膜的工序，所述保護膜至少覆蓋所述平坦部的至少一部分、所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述傾斜側(cè)面、和所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述頂面的周緣區(qū)域，并且具有配置在俯視為所述周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且所述光射出孔的周圍而使所述化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的通電窗；和形成電極膜的工序，所述電極膜是形成為與從所述通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸、并且至少覆蓋在所述平坦部上形成的保護膜的一部分、在所述臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上具有所述光射出孔的連續(xù)膜。
[0029](16) 一種發(fā)光二極管的制造方法，所述發(fā)光二極管在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，所述制造方法的特征在于，具有:在生長用基板上形成依次包含接觸層和活性層的化合物半導(dǎo)體層的工序；在所述化合物半導(dǎo)體層上形成透明膜和貫通電極的工序，所述貫通電極在該透明膜內(nèi)、俯視下與預(yù)定形成的通電窗重疊的位置以與所述化合物半導(dǎo)體層及所述反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)置；在所述透明膜和所述貫通電極上形成包含金屬的反射層的工序；在所述反射層上接合支持基板的工序；除去所述生長用基板的工序；對所述化合物半導(dǎo)體層進(jìn)行濕式蝕刻，形成臺面型結(jié)構(gòu)部和配置在該臺面型結(jié)構(gòu)部的周圍的平坦部的工序，所述臺面型結(jié)構(gòu)部是水平方向的截面積朝向頂面連續(xù)變小地形成的；形成保護膜的工序，所述保護膜至少覆蓋所述平坦部的至少一部分、所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述傾斜側(cè)面、和所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述頂面的周緣區(qū)域，并且具有配置在俯視為所述周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且所述光射出孔的周圍而使所述化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的所述通電窗；和形成電極膜的工序，所述電極膜是形成為與從所述通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸、并且至少覆蓋在所述平坦部上形成的保護膜的一部分、在所述臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上具有所述光射出孔的連續(xù)膜。
[0030](17)根據(jù)(15)或(16)所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，使用從磷酸/過氧化氫水混合液、氨/過氧化氫水混合液、溴甲醇混合液、碘化鉀/氨中選擇的至少一種以上來進(jìn)行所述濕式蝕刻。
[0031]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了如下結(jié)構(gòu):在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，并且保護膜具有配置在臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面的周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且光射出孔的周圍而使化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的通電窗，電極膜與從通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸，而且在透明膜內(nèi)俯視下與光射出孔重疊的范圍內(nèi)以與化合物半導(dǎo)體層及反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)有貫通電極。其結(jié)果，電流集中在電極膜之中填埋通電窗的部分與貫通電極之間，由此活性層之中光射出孔的正下方的部分發(fā)出的光的量比其正下方以外的部分發(fā)出的光的量多。其結(jié)果，朝向光射出孔的光的比例變高，能謀求光取出效率的提高。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管，采用了在其上部具備平坦部和具有傾斜側(cè)面及頂面的臺面型結(jié)構(gòu)部的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，能得到較高的光輸出，并且能夠?qū)⑺涑龅墓飧咝У剌斎氲焦鈱W(xué)部件等中。
[0033]本發(fā)明的發(fā)光二極管，采用了臺面型結(jié)構(gòu)部的傾斜側(cè)面通過濕式蝕刻來形成、并且水平方向的截面積朝向頂面連續(xù)變小地形成的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，與垂直側(cè)面的情況相比，在側(cè)面容易形成保護膜及其上的電極膜，因此能以均勻的膜厚形成連續(xù)的膜。因而，沒有由不連續(xù)的膜引起的漏電、通電不良，擔(dān)保了穩(wěn)定而高輝度的發(fā)光。該效果是只要具備具有通過濕式蝕刻形成的傾斜側(cè)面的臺面型結(jié)構(gòu)部就能獲得的效果，是無論發(fā)光二極管的內(nèi)部的層疊結(jié)構(gòu)、基板的結(jié)構(gòu)如何都能得到的效果。
[0034]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了如下結(jié)構(gòu):在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，并且在透明膜內(nèi)、俯視下與通電窗重疊的位置以與化合物半導(dǎo)體層及反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)有貫通電極。其結(jié)果，電流集中在電極膜之中填埋通電窗的部分與貫通電極之間。由此，活性層之中通電窗的正下方的部分發(fā)出的光的量比其正下方以外的部分發(fā)出的光的量多。其結(jié)果，朝向光射出孔的光的比例變高，能謀求光取出效率的提高。[0035]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了下述結(jié)構(gòu):貫通電極形成在:通過將以最短距離連結(jié)通電窗的外周和使光射出孔投影到活性層的圖形的外周的各點間的線段原樣地延長，從而縮小投影到透明膜上的光射出孔的縮小投影圖形的范圍內(nèi)。其結(jié)果，活性層之中比與光射出孔重疊的范圍狹小的范圍的正下方的部分發(fā)出的光的量，多于其正下方以外的部分發(fā)出的光的量。其結(jié)果，朝向光射出孔的光的比例變高，能謀求光取出效率的提聞。
[0036]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了貫通電極由AuBe、AuZn中的任一種形成的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，與化合物半導(dǎo)體層及反射層的接觸電阻變低，能夠進(jìn)行低電壓驅(qū)動。
[0037]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了透明膜由Si02、SiN、SiON、A1203、MgF2、Ti02、TiN、Zn0中的任一種形成的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，能確保從反射層反射的光的較高的透射性，謀求高輸出。
[0038]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了接觸層與電極膜相接觸的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，降低歐姆電極的接觸電阻，能夠進(jìn)行低電壓驅(qū)動。
[0039]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了臺面型結(jié)構(gòu)部在俯視下為矩形的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，能抑制由于制造時的濕式蝕刻中的各向異性的影響而導(dǎo)致臺面形狀根據(jù)蝕刻深度發(fā)生變化的情況。因而，容易進(jìn)行臺面部面積的控制，能得到高精度的尺寸形狀。
[0040]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了臺面型結(jié)構(gòu)部的各傾斜側(cè)面相對于基板的定向平面偏移地形成的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，對于構(gòu)成矩形臺面型結(jié)構(gòu)部的4邊，由基板方位所致的各向異性的影響得到緩解，能得到均等的臺面形狀、梯度。
[0041]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了臺面型結(jié)構(gòu)部的高度為3?7μπι，俯視下的傾斜側(cè)面的寬度為0.5?7μπι的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，與垂直側(cè)面的情況相比，在側(cè)面容易形成保護膜及其上的電極膜，因此能以均勻的膜厚形成連續(xù)的膜。因而，沒有由不連續(xù)的膜引起的漏電、通電不良，擔(dān)保了穩(wěn)定而高輝度的發(fā)光。
[0042]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了光出射孔在俯視下為圓形或橢圓的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，與矩形等的具有角的結(jié)構(gòu)相比，容易形成均勻的接觸區(qū)域，能夠抑制在角部的電流集中等的發(fā)生。另外，適于與受光側(cè)的光纖等的結(jié)合。
[0043]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了光出射孔的徑為50?150 μ m的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果避免了下述問題:當(dāng)小于50μηι時,在臺面型結(jié)構(gòu)部的電流密度變高,在低電流下輸出就飽和；另一方面，當(dāng)超過150 μ m時，很難進(jìn)行向臺面型結(jié)構(gòu)部整體的電流擴散，因此仍然輸出飽和。
[0044]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管采用了在電極膜的平坦部上的部分具有接合線的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，在施加了充分的負(fù)荷(和超聲波)的平坦部形成線接合，因此能實現(xiàn)接合強度較強的線接合。
[0045]本發(fā)明的發(fā)光二極管采用了活性層所含有的發(fā)光層包含多量子阱的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，通過在阱層內(nèi)關(guān)入充分的注入載流子，阱層內(nèi)的載流子密度變高。其結(jié)果，發(fā)光再結(jié)合概率增大，應(yīng)答速度高。
[0046]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管的制造方法采用了如下方案:所述發(fā)光二極管在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，該制造方法具有:在生長用基板上形成依次包含接觸層和活性層的化合物半導(dǎo)體層的工序；和在化合物半導(dǎo)體層上形成透明膜和貫通電極的工序，所述貫通電極在該透明膜內(nèi)、俯視下與預(yù)定形成的所述光射出孔重疊的范圍內(nèi)以與化合物半導(dǎo)體層及反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)置。其結(jié)果，電流集中在電極膜之中填埋通電窗的部分與貫通電極之間。由此，活性層之中光射出孔的正下方的部分發(fā)出的光的量多于其正下方以外的部分發(fā)出的光的量。其結(jié)果，能夠制造朝向光射出孔的光的比例變高、光取出效率提高了的發(fā)光二極管。
[0047]根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法，采用了具有在反射層上接合支持基板的工序、和除去生長用基板的工序的方案。其結(jié)果，避免了由作為化合物半導(dǎo)體層的生長基板而通常使用的GaAs基板等的生長用基板所導(dǎo)致的光的吸收，能夠制造發(fā)光輸出提高了的發(fā)
光二極管。
[0048]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管的制造方法，采用了下述方案:具有:對化合物半導(dǎo)體層進(jìn)行濕式蝕刻，形成水平方向的截面積朝向頂面連續(xù)變小地形成的臺面型結(jié)構(gòu)部和配置在該臺面型結(jié)構(gòu)部的周圍的平坦部的工序；以在臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面具有使化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的通電窗的方式在臺面型結(jié)構(gòu)部和平坦部上形成保護膜的工序；形成電極膜的工序，所述電極膜是使得與從通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸，并且至少覆蓋在平坦部上形成的保護膜的一部分，在臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上具有光射出孔的連續(xù)膜。其結(jié)果，能夠具有較高的光輸出，并且將所射出的光高效地輸入到光學(xué)部件等中。進(jìn)而，與垂直側(cè)面的情況相比，在傾斜斜面容易形成保護膜及其上的電極膜，因此能以均勻的膜厚形成連續(xù)的膜。因而，能夠制造沒有由不連續(xù)的膜引起的漏電、通電不良，擔(dān)保了穩(wěn)定而高輝度的發(fā)光的發(fā)光二極管。當(dāng)采用以往的各向異性的干式蝕刻來構(gòu)成柱狀結(jié)構(gòu)時，側(cè)面垂直地形成，而通過采用濕式蝕刻形成臺面型結(jié)構(gòu)部，能夠形成使側(cè)面平緩地傾斜的側(cè)面。另外，通過采用濕式蝕刻來形成臺面型結(jié)構(gòu)部，與采用以往的干式蝕刻來形成柱狀結(jié)構(gòu)的情況相比，能夠縮短形成時間。
[0049]本發(fā)明的一種方式涉及的發(fā)光二極管的制造方法采用了如下方案:所述發(fā)光二極管在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，該制造方法具有:在生長用基板上形成依次包含接觸層和活性層的化合物半導(dǎo)體層的工序；在化合物半導(dǎo)體層上形成透明膜和貫通電極的工序，該貫通電極在該透明膜內(nèi)、俯視下與預(yù)定形成的通電窗重疊的位置以與化合物半導(dǎo)體層及反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)置。其結(jié)果，活性層之中通電窗的正下方的部分發(fā)出的光的量多于其正下方以外的部分發(fā)出的光的量。因而，能制造朝向光射出孔的光的比例變高、光取出效率提高了的發(fā)光二極管。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0050]圖1是本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的剖面示意圖。
[0051]圖2是本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的立體圖。
[0052]圖3是表示本發(fā)明的發(fā)光二極管的臺面型結(jié)構(gòu)部的傾斜斜面的剖面的電子顯微鏡照片。
[0053]圖4是本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的貫通電極和通電窗附近的放大剖視圖。[0054]圖5是本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的活性層的剖面示意圖。
[0055]圖6是本發(fā)明的第2實施方式的發(fā)光二極管的貫通電極和通電窗附近的放大剖視圖。
[0056]圖7是本發(fā)明的第3實施方式的發(fā)光二極管的剖面示意圖。
[0057]圖8是表示本發(fā)明的支持基板所使用的金屬基板的制造工序的一例的工序剖視圖。
[0058]圖9是用于說明本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的制造方法的剖面示意圖。
[0059]圖1OA是表示本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的制造方法的一例的工序剖視圖。
[0060]圖1OB是表示本發(fā)明的第I實施方式的變形例的發(fā)光二極管的制造方法的一例的工序剖視圖。
[0061]圖11是表示本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的制造方法的一例的工序剖視圖。
[0062]圖12是表示本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的制造方法的一例的工序剖視圖。
[0063]圖13是表示濕式蝕刻的深度以及寬度相對于蝕刻時間的關(guān)系的曲線圖。
[0064]圖14是用于說明本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的保護膜的通電窗的平面圖。
[0065]圖15是現(xiàn)有的發(fā)光二極管的剖視圖。
【具體實施方式】
[0066]以下，針對應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光二極管及其制造方法，使用附圖來說明其構(gòu)成。再有，在以下的說明中使用的附圖存在為了便于理解特征而將成為特征的部分放大來示出的情況，各構(gòu)成要素的尺寸比率等未必與實際相同。另外，在以下的說明中所例示的材料、尺寸等為一例，本發(fā)明并不被它們限定，在不改變其主旨的范圍能夠適當(dāng)?shù)刈兏鼇韺嵤?br>
[0067]再有，在不損害本發(fā)明的效果的范圍也可以具備以下未記載的層。
[0068]〔發(fā)光二極管(第I實施方式)〕
[0069]圖1是應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光二極管的一例的剖面示意圖。圖2是在包含圖1所示的發(fā)光二極管的晶片上所形成的發(fā)光二極管的立體圖。
[0070]以下，參照圖1和圖2，對應(yīng)用了本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光二極管進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0071]圖1所示的發(fā)光二極管100，是在支持基板I上依次具備包含金屬的反射層2、透明膜30、和依次包含活性層4及接觸層5的化合物半導(dǎo)體層20 (參照圖4)，從光射出孔9b向外部射出光的發(fā)光二極管。該發(fā)光二極管，在其上部具備平坦部6、和具有傾斜側(cè)面7a及頂面7b的臺面型結(jié)構(gòu)部7。平坦部6和臺面型結(jié)構(gòu)部7各自至少一部分被保護膜8、電極膜9依次覆蓋。臺面型結(jié)構(gòu)部7包含至少活性層4的一部分，傾斜側(cè)面7a通過濕式蝕刻而形成，并且水平方向的截面積朝向頂面7b連續(xù)變小地形成。保護膜8覆蓋平坦部6的至少一部分、臺面型結(jié)構(gòu)部7的傾斜側(cè)面7a、和臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b的周緣區(qū)域7ba。保護膜8還具有配置在俯視下為周緣區(qū)域7ba的內(nèi)側(cè)且光射出孔9b的周圍而使化合物半導(dǎo)體層20(接觸層5)的表面的一部分露出的通電窗8b。電極膜9與從通電窗8b露出來的化合物半導(dǎo)體層20 (接觸層5)的表面相接觸。而且，電極膜9是形成使得至少覆蓋在平坦部6上形成的保護膜8的一部分、在臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b上具有光射出孔9b的連續(xù)膜。透明膜30形成在反射層2與化合物半導(dǎo)體層20之間。在透明膜30內(nèi)、俯視下與光射出孔9b重疊的范圍內(nèi)以與化合物半導(dǎo)體層20及反射層2相接觸的方式貫穿地設(shè)有貫通電極31。另外，在反射層2與活性層4之間設(shè)置有接合(接觸)層3。
[0072]本實施方式的發(fā)光二極管的臺面型結(jié)構(gòu)部7在俯視下為矩形，電極膜9的光射出孔％在俯視下為圓形。臺面型結(jié)構(gòu)部7的俯視圖不限于矩形，另外，光射出孔9b的俯視圖也不限于圓形。
[0073]在臺面型結(jié)構(gòu)部7的電極膜上，具備用于防止從側(cè)面漏出光的防漏光膜16。
[0074]另外，在基板I的下面?zhèn)染邆浔趁骐姌O40。
[0075]本發(fā)明的發(fā)光二極管，如圖2所示，能夠通過在晶片狀的基板上制作了多個發(fā)光二極管100以后，按各發(fā)光二極管沿著切道(預(yù)定切割線)21 (單點劃線22是切道21的長度方向的中心線)進(jìn)行切割來制造。即，通過沿著單點劃線22向切道21的部分射入激光、切入刀具等，能夠按各發(fā)光二極管進(jìn)行切割來進(jìn)行單片化。
[0076]臺面型結(jié)構(gòu)部7是相對于平坦部6向上方突出的結(jié)構(gòu)，具有傾斜側(cè)面7a和頂面7b。在圖1所示的例子的情況下，傾斜側(cè)面7a由活性層4的整個層和接觸層5的傾斜截面構(gòu)成，在傾斜側(cè)面7a之上依次設(shè)置有保護膜8、電極膜(表面電極膜)9、防漏光膜16。另夕卜，頂面7b由接觸層5的表面構(gòu)成，在頂面7b之上設(shè)置有保護膜8 (標(biāo)記Sba和標(biāo)記8d的部分)、和電極膜9 (標(biāo)記9ba、9bb以及9d的部分)。
[0077]另外，在本發(fā)明的臺面型結(jié)構(gòu)部7的內(nèi)部，包含接觸層5、和活性層4的至少一部分。
[0078]在圖1所示的例子的情況下，在臺面型結(jié)構(gòu)部7的內(nèi)部包含接觸層5、和活性層4的整個層。在臺面型結(jié)構(gòu)部7的內(nèi)部也可以僅包含活性層4的一部分。優(yōu)選的是，活性層4的整個層包含在臺面型結(jié)構(gòu)部7的內(nèi)部。其原因是，變成為使活性層4發(fā)出的光全部在臺面型結(jié)構(gòu)部內(nèi)產(chǎn)生，光取出效率提高。
[0079]另外，臺面型結(jié)構(gòu)部7是采用濕式蝕刻形成該傾斜側(cè)面7a而成的。另外，臺面型結(jié)構(gòu)部7是從支持基板I側(cè)朝向頂面7b水平方向的截面積連續(xù)變小地形成而成的。傾斜側(cè)面7a是采用濕式蝕刻形成的，因此形成使得從頂面?zhèn)认蛑С只錓側(cè)傾斜變得平緩。優(yōu)選的是，臺面型結(jié)構(gòu)部7的高度h為3?7 μ m，俯視的傾斜側(cè)面7a的寬度w為0.5?7 μ m。另夕卜，高度h更優(yōu)選為5?7 μ m。另外，寬度w更優(yōu)選為3?7 μ m,進(jìn)一步優(yōu)選為4?6 μ m。其原因是，由于臺面型結(jié)構(gòu)部7的側(cè)面不是垂直或者急傾斜而是平緩的傾斜，所以容易以同樣的膜厚形成保護膜、電極用金屬膜，沒有變成不連續(xù)的膜之虞，因而沒有由不連續(xù)的膜引起的漏電、通電不良，擔(dān)保穩(wěn)定而高輝度的發(fā)光。
[0080]另外，當(dāng)進(jìn)行濕式蝕刻直至高度超過7 μ m時,傾斜側(cè)面容易變成懸突(overhang)形狀(倒錐形狀)，因此不優(yōu)選。其原因是，當(dāng)為懸突形狀(倒錐形狀)時，要以均勻的膜厚無不連續(xù)部位地形成保護膜、電極膜比垂直側(cè)面的情況更困難。
[0081]再有，在本說明書中，高度h是指從隔著平坦部6上的保護膜而形成的電極膜9 (標(biāo)記9c的部分)的表面到覆蓋保護膜8的標(biāo)記Sba的部分的電極膜9 (標(biāo)記9ba的部分)的表面的垂直方向的距離(參照圖1)。另外，寬度W是指從覆蓋保護膜8的標(biāo)記Sba的部分的電極膜9 (標(biāo)記9ba的部分)的邊緣到與該邊緣連接的傾斜側(cè)面的電極膜9 (標(biāo)記9a的部分)的最下方的邊緣的水平方向的距離(參照圖1)。
[0082]圖3是臺面型結(jié)構(gòu)部7附近的剖面的電子顯微鏡照片。
[0083]圖3所示的例子的層構(gòu)成，是除了接觸層由Alci 3Gatl 7As形成、層厚為3 μ m這一點以外與后述的實施例相同的構(gòu)成。
[0084]本發(fā)明的臺面型結(jié)構(gòu)部通過濕式蝕刻形成，因此，形成使得從其頂面?zhèn)仍节呄蚧鍌?cè)(在圖中越趨向下方)，臺面型結(jié)構(gòu)部的水平截面積(或?qū)挾然驈?的增大率越大。根據(jù)該形狀，能夠判別臺面型結(jié)構(gòu)部不是采用干式蝕刻而是采用濕式蝕刻形成的。
[0085]在圖3所示的例子中，高度h為7 μ m,寬度w為3.5?4.5 μ m。
[0086]臺面型結(jié)構(gòu)部7優(yōu)選俯視下為矩形。其原因是，可抑制由于制造時的濕式蝕刻的各向異性的影響而導(dǎo)致臺面形狀根據(jù)蝕刻深度發(fā)生變化的情況，容易進(jìn)行臺面型結(jié)構(gòu)部的各面的面積的控制，因此能得到高精度的尺寸形狀。
[0087]發(fā)光二極管中的臺面型結(jié)構(gòu)部7的位置，如圖1和圖2所示，為了元件的小型化，優(yōu)選為偏置于發(fā)光二極管的長軸方向的一方。由于平坦部6需要安裝接合線(未圖不)所需的幅度，因此要使其狹窄存在極限。通過使臺面型結(jié)構(gòu)部7偏置于另一方，能夠?qū)⑵教共?的范圍最小化，能夠謀求元件的小型化。
[0088]平坦部6是配置在臺面型結(jié)構(gòu)部7的周圍的部分。在本發(fā)明中，在能施加充分的負(fù)荷和/或超聲波的電極膜的位于平坦部的部分形成線接合，因此能夠?qū)崿F(xiàn)接合強度較強的線接合。
[0089]在平坦部6上依次形成有保護膜8、電極膜(表面電極膜)9，在電極膜9之上安裝接合線(未圖示)。在平坦部6的保護膜8的正下方配置的材料，根據(jù)臺面型結(jié)構(gòu)部7的內(nèi)部構(gòu)成來決定。
[0090]保護膜8包含:覆蓋臺面型結(jié)構(gòu)部7的傾斜側(cè)面7a的部分8a ;覆蓋平坦部6的至少一部分的部分8c (也包含隔著臺面型結(jié)構(gòu)部7而覆蓋相反側(cè)的平坦部的部分8cc);覆蓋臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b的周緣區(qū)域7ba的部分8ba ;和覆蓋所述頂面7b的中央部分的部分8d。保護膜8具有俯視下在周緣區(qū)域7ba的內(nèi)側(cè)使接觸層5的表面的一部分露出的通電窗8b。
[0091]本實施方式的通電窗8b，在臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b上使接觸層5的表面之中、位于周緣區(qū)域7ba之下的部分8ba與位于覆蓋中央部分的部分8d之下的部分之間的直徑不同的兩個同心圓間的區(qū)域(環(huán)狀區(qū)域)露出。
[0092]對通電窗Sb的形狀沒有限制?？梢圆皇黔h(huán)狀，可以由并不連續(xù)而是離散的多個區(qū)域構(gòu)成。
[0093]保護膜8的第I功能是，為了使產(chǎn)生發(fā)光的區(qū)域和取出光的范圍狹窄而配置在表面電極膜9的下層，將表面電極膜9之中與化合物半導(dǎo)體層20接觸而與化合物半導(dǎo)體層20之間的電流的流入或者流出限制在頂面的通電窗8b的部分。即，形成保護膜8之后，在包含保護膜8的全部面形成表面電極膜，然后將表面電極膜進(jìn)行圖案化，但對于形成了保護膜8的部分，即使不除去表面電極膜，也不會流過電流。在流過電流時，形成保護膜8的通電窗
8b ο[0094]因而，為了使其具有第I功能，如果是在臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b的一部分形成通電窗8b的結(jié)構(gòu)，則通電窗Sb的形狀、位置不限于如圖1那樣的形狀、位置。
[0095]相對于第I功能是必需的功能，保護膜8的第2功能不是必需的功能。在圖1所示的保護膜8的情況下，作為第2功能，俯視下配置在表面電極膜9的光射出孔9a內(nèi)的接觸層5的表面，能夠越過保護膜8取出光，且保護取出光的接觸層5的表面。
[0096]再有，在后述的第2實施方式中，是在光射出孔之下不具有保護膜，不經(jīng)由保護膜而從光射出孔9b直接取出光的結(jié)構(gòu)，不具有第2功能。
[0097]作為保護膜8的材料，能使用作為絕緣層公知的材料。從容易形成穩(wěn)定的絕緣膜來看，優(yōu)選娃氧化膜。
[0098]再有，在本實施方式中，由于越過該保護膜8 (8d)取出光，因此保護膜8需要具有透光性。
[0099]另外，保護膜8的膜厚優(yōu)選為0.3?Ιμπι，更優(yōu)選為0.5?0.8 μπι。其原因是，在小于0.3 μ m的情況下絕緣不充分，當(dāng)超過I μ m時形成就過于需要時間。
[0100]在此，保護膜的膜厚是指支持結(jié)構(gòu)部的上面、臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面等的平坦部分處的膜厚。
[0101]電極膜(表面電極膜)9包括:對保護膜8之中覆蓋傾斜側(cè)面7a的部分8a進(jìn)行覆蓋的部分9a ;對保護膜8之中覆蓋平坦部6的至少一部的部分Sc進(jìn)行覆蓋的部分9c ;對保護膜8之中覆蓋臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b的周緣區(qū)域7ba的部分Sba的部分進(jìn)行覆蓋的部分9ba ;填埋保護膜8的通電窗Sb的部分9bb(以下適當(dāng)稱作“接觸部分”)；對在臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b上、保護膜8之中覆蓋頂面7b的中央部分的部分8d的外周緣部進(jìn)行覆蓋的部分9d。
[0102]電極膜(表面電極膜)9的第I功能是作為用于流過電流的電極的功能，第2功能是限制發(fā)出的光所射出的范圍。在圖1所示的例子的情況下，第I功能由接觸部分9bb擔(dān)負(fù)，第2功能由對覆蓋中央部分的部分8d的外周緣部進(jìn)行覆蓋的部分9d擔(dān)負(fù)。
[0103]對于第2功能，也可以是通過使用非透光性的保護膜而使該保護膜擔(dān)負(fù)的結(jié)構(gòu)。
[0104]電極膜9可以覆蓋平坦部6的保護膜8整體，也可以覆蓋其一部分。優(yōu)選的是，為了適宜安裝接合線而覆蓋盡量大的范圍。從降低成本的觀點來看，如圖2所示，優(yōu)選在按各發(fā)光二極管進(jìn)行切割時的切道21上不覆蓋電極膜。
[0105]該電極膜9在臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b上僅由接觸部分9bb與接觸層5接觸。因而，在發(fā)光二極管的內(nèi)部流過來的電流僅經(jīng)由接觸部9bb而流動。
[0106]作為電極膜9的材料，能使用相對于接觸層能得到良好的歐姆接觸的公知的電極材料。例如，在設(shè)為η型電極的情況下，能夠使用依次形成有AuGe層、Ni層、和Au層的層結(jié)構(gòu)(AuGe/Ni/Au)。
[0107]另外，電極膜9的膜厚優(yōu)選為0.5?2.0 μ m，更優(yōu)選為1.2?1.8 μπι。其原因是，在小于0.5μπι的情況下很難得到均勻且良好的歐姆接觸，而且接合時的強度、厚度不充分，當(dāng)超過2.0 μ m時過于消耗成本。
[0108]在此，電極膜的膜厚是指支持結(jié)構(gòu)部的上面、臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面等的平坦部分處的膜厚。
[0109]透明膜30形成在反射層2與化合物半導(dǎo)體層20之間。[0110]作為構(gòu)成透明膜30的材料，如果是具有透光性，導(dǎo)電性比貫通電極31低的材料，則沒有限制。例如能使用 Si02、SiN、Si0N、Al203、MgF2、Ti02、TiN、Zn0。
[0111]另外，透明膜30的膜厚由貫通電極的膜厚來決定。如后面所述，貫通電極31的膜厚優(yōu)選設(shè)為0.05?2 μ m，因此，作為透明膜30的膜厚，也優(yōu)選設(shè)為0.05?2 μ m。
[0112]貫通電極31在透明膜30內(nèi)、俯視下與光射出孔9b重疊的范圍(R2(參照圖4))內(nèi)貫穿設(shè)置使得其與化合物半導(dǎo)體層20及反射層2相接觸。當(dāng)貫通電極31配置在該范圍內(nèi)時，電流集中在電極膜9之中填埋通電窗的部分(接觸部分9bb)與貫通電極31之間。由此，活性層之中與光射出孔9b重疊的范圍的正下方的部分發(fā)出的光的量比其正下方以外的部分發(fā)出的光的量多。其結(jié)果，朝向光射出孔的光的比例變高，能謀求光取出效率的提聞。
[0113]另外，優(yōu)選:貫通電極31形成在:通過將以最短距離連結(jié)通電窗Sb的外周和使光射出孔9b投影到活性層4上的圖形的外周的各點間的線段原樣地延長，從而縮小投影到透明膜30上的光射出孔9b的縮小投影圖形的范圍(R4(參照圖4))內(nèi)。當(dāng)貫通電極31配置在該范圍內(nèi)時，活性層之中比與光射出孔重疊的范圍9b狹窄的范圍(R5(參照圖4))的正下方的部分發(fā)出的光的量，多于其正下方以外的部分發(fā)出的光的量。其結(jié)果，朝向光射出孔的光的比例進(jìn)一步變高，能謀求光取出效率的進(jìn)一步提高。
[0114]貫通電極31的形狀不特別限制，也可以由離散配置的多個電極構(gòu)成。
[0115]作為構(gòu)成貫通電極31的金屬材料，如果是能夠與接合(接觸)層5進(jìn)行歐姆接觸的材料，則沒有限制。例如，能使用AuBe、AuZn中的任一種。
[0116]另外，作為貫通電極31的膜厚，優(yōu)選設(shè)為0.05?2 μ m。其原因是，在小于0.05 μ m的情況下很難作成貫通電極，當(dāng)超過2 μ m時成本增加。
[0117]圖4示出圖1所示的發(fā)光二極管的貫通電極31和通電窗8b附近的放大剖視圖。使用圖4來說明圖4所示的剖面中的貫通電極31的平面上的配置關(guān)系。
[0118]在圖4中，Rl表示通電窗8b的外周的內(nèi)側(cè)(通電窗8b和被通電窗8b所包圍的范圍s(參照圖1))。R2表示光射出孔9b的范圍(展寬)。R3表示使光射出孔9b投影到活性層4的圖形的外周的內(nèi)側(cè)。R3是與R2相同的尺寸。R4表示通過將以最短距離連結(jié)通電窗8b的外周(點P為外周上的I點)和使光射出孔9b投影到活性層4的圖形的外周(點Q為外周上的I點。再有，點Q雖然在活性層9的厚度的量上有任意性，但是不論取在哪個位置都能得到本發(fā)明的效果)、并原樣地延長連結(jié)各點間(其中之一為PQ間)的線段，從而縮小投影到透明膜30上的光射出孔9b的縮小投影圖形的范圍。R5表示貫通電極31實際所形成的范圍。
[0119]在圖4中，貫通電極31以俯視下填埋R4的范圍內(nèi)的R5的范圍的方式形成。
[0120]通過在該范圍形成有貫通電極31，電流集中在連結(jié)電極膜9的接觸部分9bb (填埋通電窗8b的部分)和貫通電極31的范圍內(nèi)。由此，活性層4之中配置在T - T與Q-Q之間的部分發(fā)出的光的量，多于該部分以外發(fā)出的光的量。由此，光射出孔％的正下方發(fā)出的光的量顯著多于其以外發(fā)出的光的量。其結(jié)果，從光射出孔9b射出的光的比例變多，光取出效率提高。
[0121]如圖1所示，也可以具備防止由活性層發(fā)出的光從臺面型結(jié)構(gòu)部7的側(cè)面向元件外泄漏的防漏光膜16。[0122]作為防漏光膜16的材料，能使用公知的反射材料。例如，在作為電極膜9的材料使用了 AuGe/Ni/Au的情況下,能使用相同的AuGe/Ni/Au。
[0123]在本實施方式中，是在光射出孔9b之下形成有保護膜8d (8)、在臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面上經(jīng)由保護膜8d(8)而從光射出孔9b取出光的結(jié)構(gòu)。
[0124]光射出孔9b的形狀，優(yōu)選俯視下為圓形或橢圓形。與矩形等的具有角的結(jié)構(gòu)相t匕，容易形成均勻的接觸區(qū)域，能夠抑制在角部的電流集中等的發(fā)生。另外，適于與受光側(cè)的光纖等的結(jié)合。
[0125]光射出孔9b的徑優(yōu)選為50?150 μ m。在小于50 μ m的情況下,在射出部的電流密度變高，在低電流下輸出就飽和，而當(dāng)超過150 μ m時很難進(jìn)行向射出部整體的電流擴散，因此相對于注入電流的發(fā)光效率降低。
[0126]作為支持基板I的材料，能使用金屬、Ge、S1、GaP、GaInP、SiC等。Ge基板、Si基板具有價廉、耐濕性優(yōu)良這樣的優(yōu)點。GaP、GaInP、SiC基板具有熱膨脹系數(shù)與發(fā)光部接近、耐濕性優(yōu)良、熱傳導(dǎo)性良好這樣的優(yōu)點。金屬基板從成本方面、機械強度、散熱性的觀點來看是優(yōu)良的。另外，如后面所述，通過形成為層疊有多個金屬層(金屬板)的結(jié)構(gòu)，具有能夠作為金屬基板整體來調(diào)整熱膨脹系數(shù)這樣的優(yōu)點。
[0127]在作為支持基板I使用金屬基板的情況下，能夠作成為層疊有多個金屬層(金屬板)的結(jié)構(gòu)。
[0128]在設(shè)為層疊有多個金屬層(金屬板)的結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選為2種金屬層交替地層疊而成。特別優(yōu)選的是，這2種金屬層(例如將它們稱作第I金屬層、第2金屬層)的層數(shù)加起來為奇數(shù)。
[0129]例如，在設(shè)為用第I金屬層夾著第2金屬層的金屬基板的情況下，從金屬基板的翹曲、開裂的觀點來看，在作為第2金屬層使用熱膨脹系數(shù)比化合物半導(dǎo)體層小的材料時，優(yōu)選由熱膨脹系數(shù)比化合物半導(dǎo)體層大的材料構(gòu)成第I金屬層。其原因是，由于作為金屬基板整體的熱膨脹系數(shù)接近化合物半導(dǎo)體層的熱膨脹系數(shù)，因此能夠抑制將化合物半導(dǎo)體層和金屬基板接合時的金屬基板的翹曲、破裂，能夠使發(fā)光二極管的制造成品率提高。同樣地，在作為第2金屬層使用熱膨脹系數(shù)比化合物半導(dǎo)體層大的材料時，優(yōu)選由熱膨脹系數(shù)比化合物半導(dǎo)體層小的材料構(gòu)成第I金屬層。其原因是，由于作為金屬基板整體的熱膨脹系數(shù)接近化合物半導(dǎo)體層的熱膨脹系數(shù)，因此能夠抑制將化合物半導(dǎo)體層和金屬基板接合時的金屬基板的翹曲、破裂，能夠提高發(fā)光二極管的制造成品率。
[0130]從以上的觀點來看，2種金屬層中的任一個可以是第I金屬層，也可以是第2金屬層。
[0131]作為2種金屬層，例如能夠使用由銀(熱膨脹系數(shù)=18.9ppm/K)、銅(熱膨脹系數(shù)=16.5ppm/K)、金(熱膨脹系數(shù)=14.2ppm/K)、招(熱膨脹系數(shù)=23.lppm/K)、鎳(熱膨脹系數(shù)=13.4ppm/K)及它們的合金中的任一種形成的金屬層、和由鑰(熱膨脹系數(shù)=
5.lppm/K)、鶴(熱膨脹系數(shù)=4.3ppm/K)、鉻(熱膨脹系數(shù)=4.9ppm/K)及它們的合金中的任一種形成的金屬層的組合。
[0132]作為適合的例子，可列舉由Cu/Mo/Cu這3層構(gòu)成的金屬基板。以上述的觀點來看，即使是由Mo/Cu/Mo這3層構(gòu)成的金屬基板也能夠得到同樣的效果，但由Cu/Mo/Cu這3層構(gòu)成的金屬基板是由容易加工的Cu夾著機械強度高的Mo的結(jié)構(gòu)，因此與由Mo/Cu/Mo這3層構(gòu)成的金屬基板相比，具有容易進(jìn)行切割等加工這樣的優(yōu)點。
[0133]作為金屬基板整體的熱膨脹系數(shù)，例如在由Cu (30 μ m)/Mo (25 μ m)/Cu (30 μ m)這3層構(gòu)成的金屬基板的情況下為6.lppm/K,在由Mo (25 μ m) /Cu (70 μ m) /Mo (25 μ m)這3層構(gòu)成的金屬基板的情況下變?yōu)?.7ppm/Ko
[0134]另外，從散熱的觀點來看，構(gòu)成金屬基板的金屬層，優(yōu)選由熱傳導(dǎo)率高的材料形成。其原因是，由此提高金屬基板的散熱性，能夠使發(fā)光二極管以高輝度進(jìn)行發(fā)光，并且使發(fā)光二極管的壽命成為長壽命。
[0135]例如，優(yōu)選使用銀(熱傳導(dǎo)率=420W/m*K)、銅(熱傳導(dǎo)率=398W/m*K)、金(熱傳導(dǎo)率=320ff/m.K)、鋁(熱傳導(dǎo)率=236ff/m.K)、鑰(熱傳導(dǎo)率=138ff/m*K)、鎢(熱傳導(dǎo)率=174ff/m.K)以及它們的合金等。
[0136]進(jìn)一步優(yōu)選:這些金屬層由其熱膨脹系數(shù)與化合物半導(dǎo)體層的熱膨脹系數(shù)大致相等的材料形成。特別優(yōu)選的是，金屬層的材料是具有化合物半導(dǎo)體層的熱膨脹系數(shù)的±1.5ppm/K以內(nèi)的熱膨脹系數(shù)的材料。由此，能夠減小金屬基板與化合物半導(dǎo)體層接合時的由熱引起的對發(fā)光部的應(yīng)力。并且，其結(jié)果，能夠抑制由將金屬基板與化合物半導(dǎo)體層連接時的熱引起的金屬基板的開裂，能夠使發(fā)光二極管的制造成品率提聞。
[0137]作為金屬基板整體的熱傳導(dǎo)率，例如在由Cu (30 μ m)/Mo (25 μ m)/Cu (30 μ m)這3層構(gòu)成的金屬基板的情況下變?yōu)?50W/m.Κ，在由Mo (25 μ m) /Cu (70 μ m) /Mo (25 μ m)這3層構(gòu)成的金屬基板的情況下變?yōu)?20W/m.K。
[0138]另外，在生長用基板上使化合物半導(dǎo)體層等生長后，接合金屬基板，使用蝕刻液除去該生長用基板時，為了避免由該蝕刻液產(chǎn)生的劣化，優(yōu)選用金屬保護膜覆蓋金屬基板的上面及下面。進(jìn)而優(yōu)選其側(cè)面也用金屬保護膜覆蓋。
[0139]作為金屬保護膜的材料，優(yōu)選是由包含密著性優(yōu)良的鉻、鎳、化學(xué)性穩(wěn)定的鉬、或金中的至少任一種的金屬構(gòu)成的材料。
[0140]金屬保護膜，最適合的是由將密著性良好的鎳和耐化學(xué)藥品性優(yōu)良的金組合的層構(gòu)成。
[0141]金屬保護膜的厚度不特別地限制，從對于蝕刻液的耐受性和成本的平衡來看為0.2~5μηι。優(yōu)選的是,0.5~3 μ m為合理的范圍。在高價格的金的情況下,厚度最好是2 μ m以下。
[0142]在反射層2以及化合物半導(dǎo)體層20 (接合層3、活性層4、接觸層5)的結(jié)構(gòu)中，能夠適時增加公知的功能層。例如，能夠設(shè)置用于使元件驅(qū)動電流在整個發(fā)光部平面地擴散的電流擴散層、反之用于限制元件驅(qū)動電流流通的區(qū)域的電流阻止層和電流狹窄層等公知的層結(jié)構(gòu)。
[0143]如圖5所示，活性層4是依次層疊下部覆蓋層11、下部引導(dǎo)層12、發(fā)光層13、上部引導(dǎo)層14、上部覆蓋層15而構(gòu)成。即，為了將帶來輻射再結(jié)合的載流子(carrier)和發(fā)光“關(guān)入”發(fā)光層13中，活 性層4形成為所謂的雙異質(zhì)(英文簡稱為DH)結(jié)構(gòu)，即包含在發(fā)光層13的下側(cè)及上側(cè)對峙地配置的下部覆蓋層11、下部引導(dǎo)層12以及上部引導(dǎo)層14、上部覆蓋層15，這在得到高強度的發(fā)光方面是優(yōu)選的。
[0144]如圖5所示，為了控制發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光波長，發(fā)光層13能夠形成為量子阱結(jié)構(gòu)。即，發(fā)光層13能夠形成為在兩端具有勢壘層(也稱為壘層)18的、阱層17與勢壘層18的多層結(jié)構(gòu)(層疊結(jié)構(gòu))。
[0145]發(fā)光層13的層厚優(yōu)選為0.02~2 μ m的范圍。發(fā)光層13的傳導(dǎo)類型不特別限定，能夠選擇無摻雜、P型和η型的任意一種。為了提高發(fā)光效率，最好設(shè)為結(jié)晶性良好的無摻雜或小于3 X IO17CnT3的載流子濃度。
[0146]作為阱層17的材料，能使用公知的阱層材料。例如，能使用AlGaAs、InGaAs,AlGaInP0
[0147]阱層17的層厚，3~30nm的范圍是較適合的。更優(yōu)選為3~IOnm的范圍。
[0148]作為勢壘層18的材料，優(yōu)選:選擇相對于阱層17的材料適合的材料。為了防止在勢壘層18的吸收從而提高發(fā)光效率，優(yōu)選取為帶隙比阱層17大的組成。
[0149]例如，在作為阱層17的材料使用了 AlGaAs或InGaAs的情況下，作為勢壘層18的材料，優(yōu)選為AlGaAs、AlGaInP。作為勢壘層18的材料使用了 AlGaInP的情況下，由于不包含容易造成缺陷的As，所以結(jié)晶性高，有助于高輸出。
[0150]在作為阱層17的材料使用T (AlxiGa卜X1)Y1In1-Y1P(O < Xl≤1，O < Yl≤I)的情況下，作為勢壘層18的材料，能使用Al組成更高的(Al5i4Ga1-X4)Y1In1-Y1P(O≤X4≤1，0
<Yl ≤ LXl < X4)或帶隙能量比阱層(AlxiGa卜X1)Y1In1-Y1P (O ^ Xl ^ 1,0 < Yl ^ I)大的AlGaAs0
[0151]勢壘層18的層厚，優(yōu)選與阱層17的層厚相等或比阱層17的層厚厚。通過在產(chǎn)生隧道效應(yīng)的層厚范圍充分變厚，可抑制由隧道效應(yīng)導(dǎo)致的向阱層間的擴展，載流子的關(guān)入效果增大。因而，電子和空穴的發(fā)光再結(jié)合概率變大，能夠謀求發(fā)光輸出的提高。
[0152]在阱層17與勢壘層18的多層結(jié)構(gòu)中，交替層疊阱層17與勢壘層18的對數(shù)不特別限定，優(yōu)選為2對以上40對以下。即，優(yōu)選的是，在發(fā)光層13中包含2~40層的阱層17。在此，作為發(fā)光層13的發(fā)光效率適合的范圍,優(yōu)選講層17為5層以上。另一方面,講層17和勢壘層18由于載流子濃度很低，因此當(dāng)取為許多對時，正向電壓(Vf)增大。因而，優(yōu)選為40對以下，更優(yōu)選為20對以下。
[0153]如圖5所示，下部引導(dǎo)層12和上部引導(dǎo)層14分別設(shè)置在發(fā)光層13的下面及上面。具體而言，在發(fā)光層13的下面設(shè)置有下部引導(dǎo)層12，在發(fā)光層13的上面設(shè)置有上部引導(dǎo)層14。
[0154]作為下部引導(dǎo)層12和上部引導(dǎo)層14的材料，能使用公知的化合物半導(dǎo)體材料。優(yōu)選:選擇相對于發(fā)光層13的材料合適的材料。例如，能使用AlGaAs、AlGalnP。
[0155]例如，在作為阱層17的材料使用了 AlGaAs或InGaAs，并且作為勢壘層18的材料使用了 AlGaAs或AlGaInP的情況下，作為下部引導(dǎo)層12和上部引導(dǎo)層14的材料，優(yōu)選為AlGaAs或AlGalnP。在作為下部引導(dǎo)層12和上部引導(dǎo)層14的材料使用了 AlGaInP的情況下，由于不包含容易造成缺陷的As，所以結(jié)晶性高，有助于高輸出。
[0156]在作為阱層17的材料使用T (AlxiGa卜X1)Y1In1-Y1P(O < Xl≤1，O < Yl≤I)的情況下，作為引導(dǎo)層14的材料，能使用Al組成更高的(Al5i4Ga1-X4)Y1In1-Y1P(O≤X4≤1，0
<Yl ≤ LXl < X4)或帶隙能量比阱層(AlxiGa卜X1)Y1In1-Y1P (O ^ Xl ^ 1,0 < Yl ^ I)大的AlGaAs0
[0157]下部引導(dǎo)層12和上部引導(dǎo)層14分別為了降低下部覆蓋層11及上部覆蓋層15與發(fā)光層13的缺陷的傳播而設(shè)置。因而，下部引導(dǎo)層12和上部引導(dǎo)層14的層厚優(yōu)選為IOnm以上,更優(yōu)選為20nm~lOOnm。
[0158]下部引導(dǎo)層12和上部引導(dǎo)層14的傳導(dǎo)類型不特別限定，能夠選擇無摻雜的P型和η型的任意一種。為了提高發(fā)光效率，最好是設(shè)為結(jié)晶性良好的無摻雜或小于3 X 1017Cm-3的載流子濃度。
[0159]下部覆蓋層11和上部覆蓋層15如圖5所示分別設(shè)置在下部引導(dǎo)層12的下面和上部引導(dǎo)層14上面。
[0160]作為下部覆蓋層11和上部覆蓋層15的材料，能使用公知的化合物半導(dǎo)體材料。優(yōu)選為選擇相對于發(fā)光層13的材料合適的材料。例如，能使用AlGaAs、AlGaInP。
[0161]例如，在作為阱層17的材料而使用了 AlGaAs或InGaAs，作為勢壘層18的材料而使用了 AlGaAs或AlGaInP的情況下，作為下部覆蓋層11和上部覆蓋層15的材料，優(yōu)選為AlGaAs或AlGalnP。在作為下部覆蓋層11和上部覆蓋層15的材料而使用了 AlGaInP的情況下，由于不包含容易造成缺陷的As，結(jié)晶性高，有助于高輸出。
[0162]在作為阱層17 的材料而使用了 (AlnGa1-X1) Y1In1-Y1P (O ≤ Xl ≤ 1,0 < Yl≤ I)的情況下，作為覆蓋層15的材料，能使用Al組成更高的(Al5i4Ga1-X4)Y1In1-Y1P (O≤X4≤1，0< Yl ≤ LXl < X4)或帶隙能量比阱層(AlxiGa卜X1)Y1In1-Y1P (O ≤Xl≤1,0 < Yl ≤ I)大的AlGaAs。
[0163]下部覆蓋層11和上部覆蓋層15以極性不同的方式構(gòu)成。另外，下部覆蓋層11和上部覆蓋層15的載流子濃度及厚度，能使用公知的適合的范圍。優(yōu)選將條件最佳化，使得發(fā)光層13的發(fā)光效率提高。再有，下部覆蓋層和上部覆蓋層也可以不設(shè)置。
[0164]另外，通過控制下部覆蓋層11和上部覆蓋層15的組成，能夠減少化合物半導(dǎo)體層20的翹曲。
[0165]接觸層5是為了使與電極的接觸電阻降低而設(shè)置的。接觸層5的材料優(yōu)選為帶隙比發(fā)光層13大的材料。另外，為了使與電極的接觸電阻降低，接觸層5的載流子濃度的下限值優(yōu)選為5X1017cm_3以上，更優(yōu)選為IXlO18cnT3以上。載流子濃度的上限值最好是容易引起結(jié)晶性的下降的2X IO19CnT3以下。接觸層5的厚度優(yōu)選為0.05 μ m以上。接觸層5的厚度的上限值不特別限定，但為了使外延生長涉及的成本位于合適范圍，最好設(shè)為IOym以下。
[0166]本發(fā)明的發(fā)光二極管能夠裝入燈、背光源、移動電話、顯示器、各種面板類、計算機、游戲機、照明等的電子設(shè)備、裝有這些電子設(shè)備的汽車等的機械裝置等中。
[0167]〔發(fā)光二極管(第2實施方式)〕
[0168]圖6是應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光二極管的變形例，示出貫通電極32和通電窗Sb附近的放大剖視圖。
[0169]在第I實施方式中，貫通電極31形成在俯視下與光射出孔9b重疊的范圍(R2或R3)內(nèi)(特別是R4內(nèi))，而在第2實施方式中，不同點在于，貫通電極32是形成在俯視下與通電窗Sb重疊的位置的結(jié)構(gòu)。
[0170]貫通電極32的形狀不特別限制，也可以由離散地配置的多個電極構(gòu)成。
[0171]使用圖6，對圖6所示的剖面中的貫通電極32的平面上的配置關(guān)系進(jìn)行說明。
[0172] 在圖6中，Rl表示通電窗8b的外周的內(nèi)側(cè)(通電窗8b和被通電窗8b包圍的范圍s(參照圖1)) ,R2表不光射出孔9b的范圍(展寬)，這一點與圖4相同。R6是表不通電窗8b的寬度的，示出與通電窗8b重疊的位置(范圍)。虛線是為表示該范圍而從通電窗Sb的外周及內(nèi)周向下方降下的線。R7表示貫通電極32實際所形成的范圍。
[0173]如圖6所示，貫通電極32形成在透明膜內(nèi)2、俯視下與通電窗Sb重疊的位置R6。
[0174]當(dāng)貫通電極32配置在該范圍內(nèi)時，電流集中在電極膜9之中填埋通電窗的部分(接觸部分9bb)與貫通電極32之間。該電流集中的部分是靠近光射出孔9b的正下方的部分。電流集中的部分，發(fā)光量變多，所以朝向光射出孔的光的比例變高，能謀求光取出效率的提聞。
[0175]〔發(fā)光二極管(第3實施方式)〕
[0176]圖7示出表示應(yīng)用了本發(fā)明的第I實施方式的發(fā)光二極管的變形例的剖面示意圖。
[0177]在第I實施方式中是如下結(jié)構(gòu):在光射出孔之下形成有保護膜，在臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上，經(jīng)由保護膜從光射出孔取出光。第3實施方式是在光射出孔之下不具有保護膜，不經(jīng)由保護膜而直接從光射出孔9b取出光的結(jié)構(gòu)。
[0178]S卩，在第3實施方式涉及的發(fā)光二極管200中，保護膜28覆蓋平坦部6的至少一部分28c、臺面型結(jié)構(gòu)部7的傾斜側(cè)面7a、和臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b的周緣區(qū)域7ba。保護膜28還俯視下在周緣區(qū)域7ba的內(nèi)側(cè)具有使接觸層5的表面露出的通電窗28b。電極膜29隔著保護膜28覆蓋平坦部6的至少一部分，隔著保護膜28覆蓋臺面型結(jié)構(gòu)部7的傾斜側(cè)面7a，隔著保護膜28覆蓋臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b的周緣區(qū)域7ba。進(jìn)而，電極膜29具有在臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面上僅覆蓋從通電窗28b露出的接觸層5的表面的一部分而使接觸層5的表面的其他部分5a露出的光射出孔29b。
[0179]如圖7所示，第2實施方式的保護膜28包含覆蓋臺面型結(jié)構(gòu)部7的傾斜側(cè)面7a的部分28a、覆蓋平坦部6的至少一部分的部分28c (還包含隔著臺面型結(jié)構(gòu)部7覆蓋相反側(cè)的平坦部的部分28cc)、和覆蓋臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b的周緣區(qū)域7ba的部分28ba。保護膜28還俯視下在周緣區(qū)域7ba的內(nèi)側(cè)具有使接觸層5的表面露出的通電窗28b。BP,通電窗28b在臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b上使接觸層5的表面之中位于周緣區(qū)域7ba之下的部分以外露出。在保護膜8之上形成電極膜(表面電極膜)9，但在不流過電流的部分形成有保護膜8。
[0180]另外，如圖7所示，第2實施方式的電極膜(表面電極膜)29包含:將保護膜28之中覆蓋傾斜側(cè)面7a的部分28a進(jìn)行覆蓋的部分29a ;將保護膜28之中覆蓋平坦部6的至少一部分的部分28c進(jìn)行覆蓋的部分29c ;將保護膜28之中覆蓋臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b的周緣區(qū)域7ba的部分28ba的部分進(jìn)行覆蓋的部分29ba ;在臺面型結(jié)構(gòu)部7的頂面7b上超過保護膜28之中標(biāo)記28ba的部分來覆蓋接觸層5以使得將光射出孔29b開口的部分29bb。
[0181]在第2實施方式的電極膜(表面電極膜)29中，部分29bb承擔(dān)上述的第I功能和第2功能這雙方。
[0182]〔發(fā)光二極管的制造方法〕
[0183]接著，說明本發(fā)明的發(fā)光二極管的制造方法。
[0184]<支持基板的制造工序>
[0185]〔I〕作為支持基板I使用了 Ge基板的情況(標(biāo)記參照圖10A)[0186]在鍺基板41的表面41A上形成例如依次形成有Ti層、Au層和In層的層結(jié)構(gòu)(由Ti/Au/In構(gòu)成的層)42，在鍺基板41的背面形成例如依次形成有Ti層和Au層的層結(jié)構(gòu)(由Ti/Au構(gòu)成的層)43，制作支持基板I。
[0187]〔2〕作為支持基板I使用了金屬基板的情況(變形例)
[0188]圖8 (a)?圖8(c)是用于說明金屬基板的制造工序的金屬基板的一部分的剖面示意圖。
[0189]作為金屬基板1，采用熱膨脹系數(shù)比活性層的材料大的第I金屬層(第I金屬板)51b和熱膨脹系數(shù)比活性層的材料小的第2金屬層(第2金屬板)51a，通過熱壓來形成。
[0190]具體而言，首先，準(zhǔn)備兩張大致平板狀的第I金屬層51b、和一張大致平板狀的第2金屬層51a。例如，作為第I金屬層51b,使用厚度10 μ m的Cu,作為第2金屬層51a,使用厚度75 μ m的Mo。
[0191]接著，如圖8(a)所不,在兩張第I金屬層51b之間插入第2金屬層51a,使它們重
疊地配置。
[0192]接著，將重疊后的這些金屬層配置在預(yù)定的加壓裝置中，在高溫下向第I金屬層51b和第2金屬層51a沿著箭頭方向施加載荷。由此,如圖8 (b)所不,形成第I金屬層51b為Cu,第2金屬層51a為Mo,由Cu (10 μ m) /Mo (75 μ m) /Cu (10 μ m)這3層構(gòu)成的金屬基板
1
[0193]金屬基板I，例如熱膨脹系數(shù)成為5.7ppm/K，熱傳導(dǎo)率成為220W/m.K。
[0194]接著，如圖8 (c)所示，形成覆蓋金屬基板I的全部面即上面、下面及側(cè)面的金屬保護膜51c。此時，由于金屬基板是為了單片化成為各發(fā)光二極管而切割之前，所以金屬保護膜覆蓋的側(cè)面是金屬基板(平板)的外周側(cè)面。因此，在用金屬保護膜51c覆蓋單片化后的各發(fā)光二極管的金屬基板I的側(cè)面的情況下，另行實施用金屬保護膜覆蓋側(cè)面的工序。
[0195]圖8 (C)是示出了金屬基板(平板)的非外周端側(cè)的部位的一部分的圖，因此外周側(cè)面的金屬保護膜沒有表現(xiàn)在圖中。
[0196]金屬基板也可以是不具備金屬保護膜的結(jié)構(gòu)。
[0197]金屬保護膜能使用公知的膜形成方法，但最優(yōu)選能夠在包含側(cè)面的全部面進(jìn)行膜形成的鍍敷法。
[0198]例如，在非電解鍍法中，在鍍鎳之后鍍金，能制作依次用鎳膜和金膜(金屬保護膜)覆蓋了金屬基板的上面、側(cè)面、下面的金屬基板I。
[0199]鍍層材質(zhì)不特別限制，能應(yīng)用銅、銀、鎳、鉻、鉬、金等公知的材質(zhì)，但將密著性好的鎳和耐化學(xué)藥品性優(yōu)良的金組合的層為最佳。
[0200]鍍敷法能使用公知的技術(shù)、藥品。為簡便起見，最好是不需要電極的非電解鍍法。
[0201]<化合物半導(dǎo)體層的形成工序>
[0202]首先，如圖9所示，在半導(dǎo)體基板(生長用基板)61的一面61a上使多個外延層生長來形成包含活性層4的外延疊層體80。
[0203]半導(dǎo)體基板61是外延疊層體80形成用的基板，例如是一面61a設(shè)為從(100)面傾斜了 15°的面的、摻雜了 Si的η型GaAs單晶基板。在作為外延疊層體80使用AlGaInP層或AlGaAs層的情況下，作為形成外延疊層體80的基板，能使用砷化鎵(GaAs)單晶基板。[0204]作為活性層4的形成方法，能使用有機金屬化學(xué)氣相沉積(Metal OrganicChemical Vapor Deposition:MOCVD)法、分子束外延(Molecular Beam Epitaxicy:MBE)法、液相外延(Liquid Phase Epitaxicy:LPE)法等。
[0205]在本實施方式中，采用III族構(gòu)成元素的原料使用了三甲基鋁((CH3)3Al)、三甲基鎵((CH3)3Ga)以及三甲基銦((CH3)3In)的減壓MOCVD法，使各層外延生長。
[0206]再有，Mg的摻雜原料使用雙(環(huán)戊二烯基)鎂((C5H5) 2Mg)。另外，Si的摻雜原料使用乙硅烷(Si2H6)15另外，作為V族構(gòu)成元素的原料使用膦(PH3)或胂(AsH3)。
[0207]再有，P型的GaP層3例如在750°C下使其生長，其他的外延生長層例如在730°C下使其生長。
[0208]具體而言，首先，在生長用基板61的一面61a上成膜由摻雜了 Si的η型GaAs形成的緩沖層62a。作為緩沖層62a，例如使用摻雜了 Si的η型GaAs，將載流子濃度設(shè)為2 X IO18CnT3，將層厚設(shè)為 0.2μπι。
[0209]接著，在本實施方式中，在緩沖層62a上成膜蝕刻停止層62b。
[0210]蝕刻停止層62b是用于防止在蝕刻除去半導(dǎo)體基板時蝕刻至覆蓋層和發(fā)光層的層，例如由摻雜Si的(Ala5Gaa5)a5Ina5P形成，層厚設(shè)為0.5μπι。
[0211 ] 接著，在蝕 刻停止層62b上成膜例如由摻雜了 Si的η型AlxGagAs (0.l^X^0.3)形成的接觸層5。
[0212]接著，在接觸層5上成膜例如由摻雜了 Si的η型(Ala7Gaa3)a5Ina5P形成的覆蓋層 63a。
[0213]接著，在覆蓋層63a上成膜例如由Al。.17GaQ.83As/AlQ.3GaQ.7As對構(gòu)成的阱層/勢壘層的3對的層疊結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的發(fā)光層64。
[0214]接著，在發(fā)光層64上成膜例如由摻雜了 Mg的P型(Ala7Gaa3)a5Ina5P形成的覆蓋層 63b ο
[0215]接著，在覆蓋層63b上成膜例如摻雜了 Mg的P型GaP層的接合(接觸)層3。
[0216]在粘貼到后述的金屬基板等的基板之前，整理粘貼面(即進(jìn)行鏡面加工。例如，將表面粗糙度設(shè)為0.2nm以下)，因此優(yōu)選研磨例如I μ m左右。
[0217]再有，也可以在覆蓋層與發(fā)光層之間設(shè)置引導(dǎo)層。
[0218]<透明膜和貫通電極的形成工序>
[0219]在本工序中，如圖9所示，在外延疊層體80上形成透明膜30、和在透明膜30內(nèi)貫通透明膜30的貫通電極31 (在第2實施方式的情況下為“貫通電極32”)。
[0220]也可以使用公知的方法先形成透明膜30和貫通電極31的任意一個，以下說明依次形成透明膜30、貫通電極31的情況。
[0221]首先，采用例如⑶V法，在接合(接觸)層3的全部面成膜透明膜30。
[0222]接著，采用光刻和蝕刻的方法，在透明膜30的俯視下與預(yù)定形成的光射出孔重疊的范圍內(nèi)(第2實施方式的情況下為“俯視下與預(yù)定形成的通電窗重疊的位置”)形成貫通電極用的孔。
[0223]具體而言，在透明膜30上形成具有與貫通電極用的孔對應(yīng)的開口的抗蝕劑圖案，通過進(jìn)行蝕刻而在透明膜30中形成貫通電極用的孔。
[0224]接著，在其上全部面采用例如蒸鍍法成膜由構(gòu)成貫通電極的金屬材料形成的膜，填埋透明膜30的貫通電極用的孔，在透明膜30內(nèi)形成貫通電極31。
[0225]然后，除去抗蝕劑圖案。
[0226]<反射層的形成工序>
[0227]接著，如圖9所示，在透明膜30上形成例如由Au形成的反射層2。
[0228]<支持基板的接合工序>
[0229]〔I〕作為支持基板I使用了 Ge基板的情況(標(biāo)記參照圖10A)
[0230]在鍺基板41的表面形成由Ti/Au/In構(gòu)成的層42，在背面形成由Ti/Au構(gòu)成的層43，使所制作的上述支持基板I的表面?zhèn)鹊腎n層、和圖1OA所示的結(jié)構(gòu)體的由Au構(gòu)成的反射層2重疊，例如在320°C加熱且以500g/cm2加壓，如圖1OA所示，將支持基板I與包含外延疊層體的結(jié)構(gòu)體接合。
[0231]〔2〕作為支持基板I使用了金屬基板的情況
[0232]在將金屬基板接合到反射層2之前，也可以在反射層2上依次形成阻擋層(未圖示)、接合層(未圖示)或其中任意一個層。
[0233]阻擋層能夠抑制金屬基板所含有的金屬發(fā)生擴散而與反射層2進(jìn)行反應(yīng)。
[0234]作為阻擋層的材料，能使用鎳、鈦、鉬、鉻、鉭、鎢、鑰等。阻擋層采用2種以上的金屬的組合、例如從反射層側(cè)依次為鉬層和鈦層的組合等，能夠使阻擋性能提高。
[0235]再有，即使不設(shè)置阻擋層，也能夠通過向接合層添加這些材料而使接合層具有與阻擋層同樣的功能。
[0236]接合層是用于將包含活性層4的化合物半導(dǎo)體層20等密著性好地與金屬基板I接合的層。
[0237]作為接合層的材料，能使用化學(xué)性穩(wěn)定、熔點低的Au系的共晶金屬等。作為Au系的共晶金屬，例如能列舉AuGe、Au S n、AuS1、AuIn等的合金的共晶組成。
[0238]接著，如圖1OB所示，將形成了外延疊層體80、反射層2等的半導(dǎo)體基板61、和在金屬基板的制造工序中形成的金屬基板I運入到減壓裝置內(nèi)，反射層的接合面(具有接合層等的情況下為其接合面(在圖1OB中接合層等未圖示)和金屬基板I的接合面IA相對地重疊來配置。
[0239]接著，將減壓裝置內(nèi)排氣至3X KT5Pa為止后，將重疊的半導(dǎo)體基板61和金屬基板I加熱到400°C的狀態(tài)下，施加500kg的載荷而將反射層的接合面(在具有接合層等的情況下為其接合面)和金屬基板I的接合面IA進(jìn)行接合，形成接合結(jié)構(gòu)體90。
[0240]以下，以作為支持基板I使用Ge基板的情況進(jìn)行說明。
[0241]<半導(dǎo)體基板和緩沖層除去工序>
[0242]接著，如圖11所示，利用氨系蝕刻液從接合結(jié)構(gòu)體90選擇性地除去半導(dǎo)體基板61和緩沖層62a。
[0243]此時，本實施方式的金屬基板被金屬保護膜覆蓋，由于對蝕刻液的耐受性較高，所以能夠避免金屬基板發(fā)生品質(zhì)劣化。
[0244]<蝕刻停止層除去工序>
[0245]進(jìn)而，如圖11所示，采用鹽酸系蝕刻液選擇性地除去蝕刻停止層62b。
[0246]本實施方式的金屬基板被金屬保護膜覆蓋，由于對蝕刻液的耐受性較高，所以能防止金屬基板發(fā)生品質(zhì)劣化。[0247](背面電極的形成工序)
[0248]接著，如圖11所示，在金屬基板I的背面形成背面電極40。
[0249]再有，在作為支持基板I使用金屬基板的情況下，也可以不形成背面電極40。
[0250](臺面型結(jié)構(gòu)部的形成工序)
[0251]接著，為了形成臺面型結(jié)構(gòu)部(除保護膜和電極膜以外)，對臺面型結(jié)構(gòu)部以外的部分的化合物半導(dǎo)體層、即接觸層和活性層的至少一部分、或接觸層、活性層和接合(接觸)層的至少一部分進(jìn)行濕式蝕刻。為了形成圖1所示的臺面型結(jié)構(gòu)部，對接觸層5和活性層4進(jìn)行濕式蝕刻。
[0252]具體而言，首先，如圖12所示，在化合物半導(dǎo)體層的最上層即接觸層上沉積光致抗蝕劑，采用光刻形成在臺面型結(jié)構(gòu)部以外具有開口 65a的抗蝕劑圖案65。
[0253]臺面型結(jié)構(gòu)部的俯視形狀根據(jù)抗蝕劑圖案65的開口 65a的形狀來決定。在抗蝕劑圖案65中形成與所希望的俯視形狀對應(yīng)的形狀的開口 65a。
[0254]優(yōu)選的是，在抗蝕劑圖案中將臺面型結(jié)構(gòu)部預(yù)定形成部位的大小形成為各邊上下左右比“臺面型結(jié)構(gòu)部”的頂面大出10 μ m左右。
[0255]另外，對于蝕刻的深度即蝕刻除去到化合物半導(dǎo)體層之中的哪個層為止，根據(jù)蝕刻劑的種類和蝕刻時間來決定。
[0256]在進(jìn)行了濕式蝕刻以后，除去抗蝕劑。
[0257]接著，針對臺面型結(jié)構(gòu)部以外的部分的化合物半導(dǎo)體層進(jìn)行濕式蝕刻。
[0258]作為濕式蝕刻所使用的蝕刻劑，并不限定，但對于AlGaAs等的As系的化合物半導(dǎo)體材料，氨系蝕刻劑(例如氨/過氧化氫水混合液)較適合，對于AlGaInP等P系化合物半導(dǎo)體材料，碘系蝕刻劑(例如碘化鉀/氨)較適合，磷酸/過氧化氫水混合液適合于AlGaAs系，溴甲醇混合液適合于P系。
[0259]另外，在僅由As系形成的結(jié)構(gòu)中可以使用磷酸混合液，在As/P系混合的結(jié)構(gòu)中，可以對As系結(jié)構(gòu)部使用氨混合液,對P系結(jié)構(gòu)部使用碘混合液。
[0260]在如上述所示的化合物半導(dǎo)體層的情況、即最上層的由AlGaAs形成的接觸層5、由AlGaInP形成的覆蓋層63a、由AlGaAs形成的發(fā)光層64、由AlGaInP形成的覆蓋層63b、GaP層3的情況下，優(yōu)選在As系接觸層5及發(fā)光層64、和其他P系層中分別使用蝕刻速度高的、不同的蝕刻劑。
[0261]例如，優(yōu)選的是，對P系的層的蝕刻使用碘系蝕刻劑，對As系的接觸層5及發(fā)光層64的蝕刻使用氨系蝕刻劑。
[0262]作為碘系蝕刻劑，能使用例如混合了碘⑴、碘化鉀(KI)、純水(H2O)、氨水(NH4OH)的蝕刻劑。
[0263]另外,作為氨系蝕刻劑,能使用例如氨/過氧化氫水混合液(NH4OH:H202:H20)。
[0264]說明使用該優(yōu)選的蝕刻劑來除去臺面型結(jié)構(gòu)部以外的部分的情況，首先，使用氨系蝕刻劑來蝕刻除去臺面型結(jié)構(gòu)部以外的部分的由AlGaAs形成的接觸層5。
[0265]該蝕刻時，作為下一層的由AlGaInP形成的覆蓋層63a作為蝕刻停止層來發(fā)揮功能，因此不需要嚴(yán)格地管理蝕刻時間，但例如當(dāng)將接觸層5的厚度設(shè)為0.05 μπι左右時，進(jìn)行10秒左右蝕刻即可。
[0266]接著，使用碘系蝕刻劑來蝕刻除去臺面型結(jié)構(gòu)部以外的部分的由AlGaInP形成的復(fù)蓋層63a。
[0267]在使用了以碘(I) 500cc、碘化鉀(KI) 100g,純水(H2O) 2000cc、氫氧化銨水(NH4OH)90cc的比率混合而成的蝕刻劑的情況下，蝕刻速度為0.72ym/min。
[0268]該蝕刻時，也由于作為下一層的由AlGaAs形成的發(fā)光層64作為蝕刻停止層來發(fā)揮作用，因此不需要嚴(yán)格地管理蝕刻時間，但在該蝕刻劑的情況下，當(dāng)覆蓋層63a的厚度設(shè)為4μπι左右時，進(jìn)行6分鐘左右蝕刻即可。
[0269]接著，使用氨系蝕刻劑來蝕刻除去臺面型結(jié)構(gòu)部以外的部分的由AlGaAs形成的發(fā)光層64。
[0270]該蝕刻時，也由于作為下一層的由AlGaInP形成的覆蓋層63b作為蝕刻停止層來發(fā)揮作用，因此不需要嚴(yán)格地管理蝕刻時間，但當(dāng)將發(fā)光層64的厚度設(shè)為0.25 μ m左右時，進(jìn)行40秒左右蝕刻即可。
[0271]接著，使用碘系蝕刻劑來蝕刻除去臺面型結(jié)構(gòu)部以外的部分的由AlGaInP形成的覆蓋層63b。
[0272]在該覆蓋層63b之下有GaP層3，但當(dāng)GaP層3之下的包含金屬的反射層2露出來時，在電特性方面不是優(yōu)選的，因此需要至GaP層3為止停止蝕刻。
[0273]例如，設(shè)為形成3.5 μ m的GaP層，然后研磨I μ m時，GaP層的厚度變?yōu)?.5 μ m，當(dāng)將覆蓋層63b的厚度設(shè)為0.5μπι時，在使用了上述的碘系蝕刻劑的情況下，蝕刻時間需要設(shè)為4分鐘以下。
[0274]另外，使用磷酸/過氧化氫水混合液(例如H2PO4 =H2O2 =H2O = I~3:4~6:8~10)，將濕式蝕刻時間設(shè)為30~120秒，能夠進(jìn)行上述蝕刻除去。
[0275]圖13 示出在使用 H2PO4 =H2O2 =H2O = 2:5:9 (100:250:450)、56 % (H2O)、液溫30°C~34°C的蝕刻劑，針對后述的實施例1所示的化合物半導(dǎo)體層進(jìn)行了濕式蝕刻的情況下的相對于蝕刻時間的深度及寬度的關(guān)系。表1中用數(shù)值示出其條件及結(jié)果。
[0276]表1
[0277]
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管，是在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光的發(fā)光二極管，其特征在于， 在其上部具備平坦部和具有傾斜側(cè)面及頂面的臺面型結(jié)構(gòu)部， 所述平坦部和所述臺面型結(jié)構(gòu)部，分別至少一部分被保護膜、電極膜依次覆蓋， 所述臺面型結(jié)構(gòu)部包含至少所述活性層的一部分，所述傾斜側(cè)面采用濕式蝕刻形成，并且水平方向的截面積朝向所述頂面連續(xù)變小地形成， 所述保護膜覆蓋所述平坦部的至少一部分、所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述傾斜側(cè)面、和所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述頂面的周緣區(qū)域，并且具有配置在俯視為所述周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且所述光射出孔的周圍而使所述化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的通電窗， 所述電極膜是形成為與從所述通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸，并且至少覆蓋在所述平坦部上形成的保護膜的一部分，在所述臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上具有所述光射出孔的連續(xù)膜， 所述透明膜形成在所述反射層與所述化合物半導(dǎo)體層之間，在所述透明膜內(nèi)、俯視下與所述光射出孔重疊的范圍內(nèi)以與所述化合物半導(dǎo)體層及所述反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)有貫通電極。
2.一種發(fā)光二極管，是在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光的發(fā)光二極管，其特征在于， 在其上部具備平坦部和具有傾斜側(cè)面及頂面的臺面型結(jié)構(gòu)部， 所述平坦部和所述臺面型結(jié)構(gòu)部，分別至少一部分被保護膜、電極膜依次覆蓋， 所述臺面型結(jié)構(gòu)部包含至少所述活性層的一部分，所述傾斜側(cè)面采用濕式蝕刻形成，并且水平方向的截面積朝向所述頂面連續(xù)變小地形成， 所述保護膜至少覆蓋所述平坦部的至少一部分、所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述傾斜側(cè)面、和所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述頂面的周緣區(qū)域，并且具有配置在俯視為所述周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且所述光射出孔的周圍而使所述化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的通電窗， 所述電極膜是形成為與從所述通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸、并且至少覆蓋在所述平坦部上形成的保護膜的一部分、在所述臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上具有所述光射出孔的連續(xù)膜， 所述透明膜形成在所述反射層與所述化合物半導(dǎo)體層之間，在所述透明膜內(nèi)、俯視下與所述通電窗重疊的位置以與所述化合物半導(dǎo)體層及所述反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)有貫通電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述貫通電極形成在:通過將以最短距離連結(jié)所述通電窗的外周和使所述光射出孔投影到所述活性層的圖形的外周的各點間的線段原樣地延長，從而縮小投影到所述透明膜上的所述光射出孔的縮小投影圖形的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述貫通電極由AuBe、AuZn中的任一種形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述透明膜由Si02、SiN、SiON、A1203、MgF2, TiO2, TiN、ZnO 中的任一種形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述接觸層與所述電極膜接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述臺面型結(jié)構(gòu)部在俯視下為矩形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述臺面型結(jié)構(gòu)部的各傾斜側(cè)面相對于所述基板的定向平面偏移地形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述臺面型結(jié)構(gòu)部的高度為3~7 μ m,俯視下的所述傾斜側(cè)面的寬度為0.5~7 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述光射出孔在俯視下為圓形或橢圓。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述光射出孔的徑為50~150 μ m0
12.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，在所述電極膜的所述平坦部上的部分具有接合線。
13.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述活性層所含有的發(fā)光層包含多量子阱。
14.根據(jù)權(quán)利要求1~13的任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述活性層所含有的發(fā)光層由(AlxiG a1^xi) Y1 In1^1P > (Alx2Ga卜X2) As、(Inx3Gag3) As中的任一種形成,其中O≤Xl≤1、0 < Yl≤1、0≤X2≤1、0≤X3≤I。
15.一種發(fā)光二極管的制造方法，所述發(fā)光二極管在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，所述制造方法的特征在于，具有: 在生長用基板上形成依次包含接觸層和活性層的化合物半導(dǎo)體層的工序； 在所述化合物半導(dǎo)體層上形成透明膜和貫通電極的工序，所述貫通電極在該透明膜內(nèi)、俯視下與預(yù)定形成的所述光射出孔重疊的范圍內(nèi)以與所述化合物半導(dǎo)體層及所述反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)置； 在所述透明膜和所述貫通電極上形成包含金屬的反射層的工序； 在所述反射層上接合支持基板的工序； 除去所述生長用基板的工序； 對所述化合物半導(dǎo)體層進(jìn)行濕式蝕刻，形成臺面型結(jié)構(gòu)部和配置在該臺面型結(jié)構(gòu)部的周圍的平坦部的工序，所述臺面型結(jié)構(gòu)部是水平方向的截面積朝向頂面連續(xù)變小地形成的； 形成保護膜的工序，所述保護膜至少覆蓋所述平坦部的至少一部分、所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述傾斜側(cè)面、和所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述頂面的周緣區(qū)域，并且具有配置在俯視為所述周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且所述光射出孔的周圍而使所述化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的通電窗；和 形成電極膜的工序，所述電極膜是形成為與從所述通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸，并且至少覆蓋在所述平坦部上形成的保護膜的一部分，在所述臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上具有所述光射出孔的連續(xù)膜。
16.一種發(fā)光二極管的制造方法，所述發(fā)光二極管在支持基板上依次具備包含金屬的反射層、透明膜、和依次包含活性層和接觸層的化合物半導(dǎo)體層，從光射出孔向外部射出光，所述制造方法的特征在于，具有: 在 生長用基板上形成依次包含接觸層和活性層的化合物半導(dǎo)體層的工序； 在所述化合物半導(dǎo)體層上形成透明膜和貫通電極的工序，所述貫通電極在該透明膜內(nèi)、俯視下與預(yù)定形成的通電窗重疊的位置以與所述化合物半導(dǎo)體層及所述反射層相接觸的方式貫穿地設(shè)置； 在所述透明膜和所述貫通電極上形成包含金屬的反射層的工序； 在所述反射層上接合支持基板的工序； 除去所述生長用基板的工序； 對所述化合物半導(dǎo)體層進(jìn)行濕式蝕刻，形成臺面型結(jié)構(gòu)部和配置在該臺面型結(jié)構(gòu)部的周圍的平坦部的工序，所述臺面型結(jié)構(gòu)部是水平方向的截面積朝向頂面連續(xù)變小地形成的； 形成保護膜的工序，所述保護膜至少覆蓋所述平坦部的至少一部分、所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述傾斜側(cè)面、和所述臺面型結(jié)構(gòu)部的所述頂面的周緣區(qū)域，并且具有配置在俯視為所述周緣區(qū)域的內(nèi)側(cè)且所述光射出孔的周圍而使所述化合物半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的所述通電窗；和 形成電極膜的工序，所述電極膜是形成為與從所述通電窗露出來的化合物半導(dǎo)體層的表面直接接觸，并且至少覆蓋在所述平坦部上形成的保護膜的一部分，在所述臺面型結(jié)構(gòu)部的頂面上具有所述光射出孔的連續(xù)膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，使用從磷酸/過氧化氫水混合液、氨/過氧化氫水混合液、溴甲醇混合液、碘化鉀/氨中選擇的至少一種以上來進(jìn)行所述濕式蝕刻。
【文檔編號】H01L33/38GK103999246SQ201280062289
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月19日
【發(fā)明者】粟飯原范行 申請人:昭和電工株式會社