太陽能電池裝置及其制造方法
【專利摘要】根據(jù)實(shí)施例，提供一種太陽能電池裝置。該太陽能電池裝置包括基板上的背電極層、所述背電極層上的光吸收層、所述光吸收層上的緩沖層，所述緩沖層上的前電極層、以及連接部，該連接部與所述前電極層接觸、穿過所述光吸收層、并與所述背電極層接觸。所述連接部包括與構(gòu)成所述前電極層的材料不同的材料。
【專利說明】太陽能電池裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 實(shí)施例涉及太陽能電池裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]一種用于太陽能發(fā)電的太陽能電池的制造方法如下。首先，在準(zhǔn)備好基板后，在該基板上形成背電極層，并通過激光圖形化該背電極層，從而形成多個(gè)背電極。
[0003]此后，在所述背電極上順序形成光吸收層、緩沖層以及高阻緩沖層。為了形成所述光吸收層，多種方法被廣泛采用，例如通過同時(shí)或分別蒸發(fā)Cu、In、Ga和Se以形成Cu (In，Ga) Se2 (CIGS)基光吸收層的方案、以及先形成金屬前體膜再進(jìn)行硒化過程的方案。所述光吸收層的能帶間隙在約IeV到約1.SeV的范圍內(nèi)。
[0004]然后，通過濺射過程在所述光吸收層上形成包括硫化鎘(CdS)的緩沖層。所述緩沖層的能帶間隙在約2.2eV到約2.4eV的范圍內(nèi)。之后，通過濺射過程在所述緩沖層上形成包括氧化鋅(ZnO)的高阻緩沖層。所述高阻緩沖層的能帶間隙在約3.1eV到約3.3eV的范圍內(nèi)。
[0005]此后，在所述光吸收層、所述緩沖層以及所述高阻緩沖層上可以形成凹槽圖形。
[0006]之后，在所述高阻緩沖層上層疊透明導(dǎo)電材料，該透明導(dǎo)電材料也填充在所述凹槽圖形中。因此，在所述高阻緩沖層上形成透明電極層，并在所述凹槽圖形內(nèi)形成連接線。構(gòu)成所述透明電極層和所述連接線的材料可以包括摻鋁氧化鋅(AZO)。所述透明電極層的能帶間隙可以在約3.1eV到約3.3eV的范圍內(nèi)。
[0007]然后，在所述透明電極層內(nèi)形成凹槽圖形，使得多個(gè)太陽能電池單元得以形成。所述透明電極與所述高阻緩沖部分別與所述太陽能電池單元對(duì)應(yīng)。所述透明電極與所述高阻緩沖部可以按照條紋或矩陣形式設(shè)置。
[0008]所述透明電極與所述背電極相互不對(duì)齊，并通過連接線相互電連接。因此，所述太陽能電池單元可以以串聯(lián)方式相互間電連接。
[0009]如上所述，為了將太陽光轉(zhuǎn)換為電能，已經(jīng)制造和使用了多種太陽能電池裝置。韓國未審查專利公開N0.10-2008-0088744中公開了其中一種太陽能電池裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]技術(shù)問題
[0011]實(shí)施例提供了一種能夠防止短路現(xiàn)象并提高性能的太陽能電池裝置及其制造方法。
[0012]技術(shù)方案
[0013]根據(jù)實(shí)施例，提供一種太陽能電池裝置。該太陽能電池裝置包括:在基板上的背電極層；在所述背電極層上的光吸收層；在所述光吸收層上的緩沖層；在所述緩沖層上的前電極層；以及連接部，該連接部與所述前電極層接觸、穿過所述光吸收層、并與所述背電極層接觸。所述連接部包括與構(gòu)成所述前電極層的材料不同的材料。[0014]根據(jù)實(shí)施例，提供一種太陽能電池的制造方法。該方法包括:在基板上形成背電極層；在所述背電極層上形成光吸收層；在所述光吸收層上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成前電極層；在所述前電極層形成后，形成穿過所述光吸收層、所述緩沖層以及所述前電極層的第二通孔；以及在所述第二通孔內(nèi)形成連接部。所述連接部包括與構(gòu)成所述前電極層的材料不同的材料。
[0015]有益效果
[0016]根據(jù)本實(shí)施例，所述第二通孔TH2和所述第三通孔TH3可以減少死區(qū)。因此，可以增加短路電流密度，使得光電轉(zhuǎn)換效率得到提高。
[0017]另外，在薄膜沉積過程完成后，馬上形成所述第一至第三通孔，使得加工時(shí)間和成本得以降低。另外，由于所述第一至第三通孔在薄膜沉積過程完成后形成，因此，所述背電極層和所述前電極層的氧化得以最小化。因此，可以降低接觸電阻和串聯(lián)電阻，并可以提高填充因子。
[0018]同時(shí)，在所述第一通孔內(nèi)設(shè)置有所述絕緣部。因此，可以降低漏電流，且可以提高填充因子。
[0019]根據(jù)本實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的制造方法，在薄膜沉積過程完成后，由于第一通孔至第三通孔在支撐基板完全熱變形后才圖形化，因此，不需要應(yīng)用偏移值。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是平面圖，示出了第一實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的面板；
[0021]圖2為沿圖1的A-A'線截取的剖視圖；
[0022]圖3是剖視圖，示出了第二實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的面板；
[0023]圖4至圖8是剖視圖，示出了第一實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的面板的制造過程；以及
[0024]圖9至圖11是剖視圖，示出了第二實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的面板的制造過程。
【具體實(shí)施方式】
[0025]在實(shí)施例的描述中，應(yīng)該明白，當(dāng)某一層(膜)、區(qū)域、圖形或者結(jié)構(gòu)被稱作是在另一基板、另一層(膜)、另一區(qū)域、另一襯墊或者另一圖形“之上”或者“之下”時(shí)，它可以是“直接”或“間接”地在該另一基板、層(膜)、區(qū)域、襯墊或圖形之上或之下，也可以存在一個(gè)或更多的中間層。每個(gè)層的這種位置參照附圖進(jìn)行了描述。
[0026]附圖中所示的每一層(膜)、區(qū)域、圖形或者結(jié)構(gòu)的厚度和尺寸可以為了方便或清晰的目的被夸大、省略或者示意性地繪出。另外，每一層(膜)、區(qū)域、圖形或者結(jié)構(gòu)的尺寸并不完全反映實(shí)際尺寸。
[0027]在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0028]首先，在下文中，將詳細(xì)描述第一實(shí)施例所述的太陽能電池裝置。圖1是平面圖，示出了第一實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的面板。圖2為沿圖1的A-A'線截取的剖視圖。
[0029]參照?qǐng)D1和圖2，所述太陽能電池裝置包括支撐基板100、背電極層200、光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500、前電極層600、絕緣部700以及多個(gè)連接部800。[0030]支撐基板100具有平板形狀，并支撐背電極層200、光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500、前電極層600以及連接部800。
[0031]支撐基板100可以為絕緣體。支撐基板100可以是玻璃基板、塑料基板、或者金屬基板。更詳細(xì)地講，支撐基板100可以為鈉鈣玻璃基板。支撐基板100可以是透明的。支撐基板100可以是剛性或柔性的。
[0032]在支撐基板100上設(shè)置背電極層200。背電極層200為導(dǎo)電層。例如，構(gòu)成背電極層200的材料可以包括金屬，例如鑰(Mo)。
[0033]背電極層200可以包括兩層或者更多層。在這種情形中，各層可以由相同金屬或者不同金屬形成。
[0034]背電極層200內(nèi)設(shè)有第一通孔TH1。第一通孔THl穿過背電極層200、光吸收層300、緩沖層400以及前電極層600。第一通孔THl為開放區(qū)域以露出支撐基板100的上表面。當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，第一通孔THl可以具有沿一個(gè)方向延伸的形狀。
[0035]第一通孔THl的寬度可以在約80 μ m到約200 μ m的范圍內(nèi)。
[0036]第一通孔THl可以把背電極層200分成多個(gè)背電極。也就是說，背電極由第一通孔THl界定。
[0037]第一通孔THl將背電極彼此隔開。背電極按照條紋形式排列。
[0038]另外，背電極 可以按照矩陣形式排列。在這種情形下，當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，第一通孔THl可以具有點(diǎn)陣形式。
[0039]同時(shí)，第一通孔THl內(nèi)設(shè)置有絕緣部700。另外，連接部800的一部分可以設(shè)置于第一通孔THl內(nèi)。更詳細(xì)地講，連接部800可以設(shè)置于絕緣部700上。因此，可以降低漏電流，且可以增加填充因子。
[0040]絕緣部700的上表面710高于背電極層的上表面210。因此,背電極層200可以與連接部800絕緣。絕緣部700可以包括聚合物或陶瓷材料。
[0041]背電極層200上設(shè)置有光吸收層300。
[0042]光吸收層300包括1-1I1-VI族化合物。例如，光吸收層300可以具有CIGSS (Cu (IN, Ga) (Se, S)2)晶體結(jié)構(gòu)、CISS (Cu (IN) (Se, S)2)晶體結(jié)構(gòu)、或 CGSS (Cu (Ga)(Se, S)2)晶體結(jié)構(gòu)。
[0043]光吸收層300的能帶間隙可以在約IeV到約1.8eV的范圍內(nèi)。
[0044]在光吸收層300上設(shè)置緩沖層400。緩沖層400包括硫化鎘(CdS)。緩沖層400的能帶間隙可以在約2.2eV到約2.4eV的范圍內(nèi)。
[0045]在緩沖層400上設(shè)置高阻緩沖層500。高阻緩沖層500包括不摻雜雜質(zhì)的i_ZnO。高阻緩沖層500的能帶間隙可以在約3.1eV到約3.3eV的范圍內(nèi)。
[0046]光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500以及前電極層600內(nèi)形成有第二通孔TH2。第二通孔TH2穿過光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500以及前電極層600。另外，第二通孔TH2為開放區(qū)域以露出背電極層200的上表面。
[0047]第二通孔TH2鄰近第一通孔THl。也就是說，當(dāng)從平面圖觀察時(shí)，第二通孔TH2的部分形成在第一通孔THl旁。第二通孔TH2具有沿第一方向延伸的形狀。
[0048]每個(gè)第二通孔TH2的寬度可以在約80 μ m到約200 μ m的范圍內(nèi)。
[0049]第二通孔TH2在光吸收層300中定義了多個(gè)光吸收部310、320…以及N。也就是說，第二通孔TH2將光吸收層300分成了光吸收部310、320…以及N。
[0050]第二通孔TH2在緩沖層400中定義了多個(gè)緩沖部。也就是說，第二通孔TH2將緩沖層400分成了多個(gè)緩沖部。
[0051]第二通孔TH2在高阻緩沖層500中定義了多個(gè)高阻緩沖部。也就是說，第二通孔TH2將高阻緩沖層500分成了多個(gè)高阻緩沖部。
[0052]在高阻緩沖層500上設(shè)置前電極層600。前電極層600是透明的，且包括傳導(dǎo)層。另外，前電極層600的電阻大于背電極層200的電阻。
[0053]前電極層600包括氧化物。例如，前電極層600可以包括摻鋁氧化鋅(AZO)，或者摻鎵氧化鋅(GZO)。
[0054]前電極層600的厚度在約0.5 μ m到約1.5 μ m的范圍內(nèi)。第二通孔TH2將前電極層600分成多個(gè)前電極。就是說，第二通孔TH2定義多個(gè)前電極。第三通孔TH3形成在第二通孔TH2旁。第三通孔TH3使背電極層200的上表面210露出，且穿過光吸收層300。
[0055]前電極的形狀與背電極的形狀對(duì)應(yīng)。也就是說，前電極以條紋的形式設(shè)置?；蛘?，前電極可以以矩陣形式設(shè)置。
[0056]另外，第二 通孔TH2定義多個(gè)單元C1、C2…以及Cn。更具體地講，第二通孔TH2將本實(shí)施例所述的太陽能電池裝置分成多個(gè)單元(C1、C2…以及Cn)。另外，單元Cl、C2…以及Cn在與第一方向相垂直的第二方向上相互連接。也就是說，電流可以沿著第二方向流經(jīng)單元C1、C2…以及Cn。
[0057]在第二通孔TH2的內(nèi)部設(shè)置連接部800。另外，連接部800的一部分可設(shè)置于第一通孔THl內(nèi)。也就是說，連接部800的一部分可以設(shè)置在絕緣部700上。
[0058]每個(gè)連接部800從前電極層600向下延伸并與背電極層200連接。詳細(xì)的說，連接部800與前電極層600接觸。連接部800穿過光吸收層300并與背電極層200連接。例如，每個(gè)連接部800從第一單元Cl的前電極延伸，并與第二單元C2的背電極連接。
[0059]因此，連接部800使相鄰的單元彼此連接。更詳細(xì)地說，連接部800使相鄰的Cl、C2…以及Cn內(nèi)的前電極和背電極彼此相連。
[0060]連接部800包括與前電極層600不同的材料。詳細(xì)地說，連接部800可以包括金屬。例如，連接部800可以包括鋁(Al)、鎳(Ni)或銀(Ag)。
[0061]根據(jù)本實(shí)施例，第二通孔TH2和第三通孔TH3可以減少死區(qū)。因此，能夠增加短路電流密度，使得光電轉(zhuǎn)換效率能夠得到提高。
[0062]另外，如上所述，在進(jìn)行了直到前電極層600的沉積過程后形成第一至第三通孔TH1、TH2以及TH3。也就是說，在薄膜沉積過程完成后，馬上形成第一至第三通孔THl至TH3，使得加工時(shí)間和成本得以降低。另外，由于在薄膜沉積過程完成后形成第一至第三通孔THl至TH3，因此，背電極層200和前電極層600的氧化得以最小化。因此，可以降低接觸電阻和串聯(lián)電阻，并可以提高填充因子。也就是說，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，第一通孔THl在沉積過程中形成，過程的等待時(shí)間增加了，使得因背電極層200和前電極層600的氧化之故接觸電阻增加了。
[0063]在下文中，將參照?qǐng)D3描述第二實(shí)施例所述的太陽能電池裝置。為了說明的清楚和簡潔，將省略與第一實(shí)施例相同或相似的組成部分的細(xì)節(jié)，以避免冗余。
[0064]圖3是剖視圖，示出了第二實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的面板。[0065]參照?qǐng)D3，第一實(shí)施例所述的第二通孔(圖2中的附圖標(biāo)記TH2)和第三通孔(圖2中的附圖標(biāo)記TH3)相互重疊，從而形成第二通孔th2。連接部800可以設(shè)置在第二通孔th2的一部分中。
[0066]在下文中，將參照?qǐng)D4至圖8描述第一實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的制造方法。圖4至圖8是剖視圖，示出了第一實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的面板的制造過程。
[0067]首先，參照?qǐng)D4，在支撐基板100上形成背電極層200。背電極層200可以包括鑰(Mo)。通過彼此不同的過程，背電極層200可以形成有至少兩層。
[0068]進(jìn)行在背電極層200上形成光吸收層300的步驟。光吸收層300可以通過濺射過程或者蒸發(fā)過程形成。
[0069]例如，為了形成光吸收層300，廣泛使用過各種方案，比如，通過同時(shí)或分別蒸發(fā)Cu、In、Ga和Se以形成Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)基光吸收層300的方案、以及先形成金屬前體層再進(jìn)行硒化過程的方案。
[0070]至于先形成金屬前體層再進(jìn)行硒化過程的細(xì)節(jié)，利用Cu靶、In靶或者Ga靶通過濺射過程在背接觸電極200上形成金屬前體層。
[0071 ] 然后，在金屬前體層上進(jìn)行硒化過程，進(jìn)而形成Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)基光吸收層300。
[0072]另外，利用Cu靶、In靶和Ga靶的濺射過程可以與硒化過程同時(shí)進(jìn)行。
[0073]另外，通過只用Cu靶與In靶或者只用Cu靶與Ga靶的濺射過程以及硒化過程可以形成CIS或CIG光吸收層300。
[0074]然后，在通過濺射過程或CBD (化學(xué)浴沉積)方案沉積CdS后，可以形成緩沖層400。
[0075]然后，通過濺射過程在緩沖層400上沉積氧化鋅，從而形成高阻緩沖層500。
[0076]緩沖層400和高阻緩沖層500的沉積厚度較薄。例如，緩沖層400和高阻緩沖層500的厚度可以在約Inm到約80nm的范圍內(nèi)。
[0077]進(jìn)行在高阻緩沖層500上形成前電極層600的步驟。通過濺射過程在高阻緩沖層500上沉積透明導(dǎo)電材料(例如摻鋁氧化鋅(AZO))，可以形成前電極層600。
[0078]然后，參照?qǐng)D5，進(jìn)行下述步驟:形成穿過背電極層200、光吸收層300、緩沖層400以及前電極層600的第一通孔TH1。第一通孔THl可以通過機(jī)械設(shè)備(例如針尖)形成。也就是說，背電極層200、光吸收層300、緩沖層400以及前電極層600可以通過針尖機(jī)械地進(jìn)行圖形化，該針尖的寬度可以在約40 μ m到約180 μ m的范圍內(nèi)。
[0079]接著，參照?qǐng)D6，在形成前電極層600后進(jìn)行下述步驟:形成穿過光吸收層300、緩沖層400以及前電極層600的第二通孔TH2。第二通孔TH2可以形成為與第一通孔THl相鄰。第二通孔TH2可以通過激光進(jìn)行圖形化。
[0080]接著，參照?qǐng)D7，可以在第二通孔TH2旁形成第三通孔TH3，其穿過光吸收層300的同時(shí)露出背電極層200的上表面210。第三通孔TH3可以通過激光進(jìn)行圖形化。
[0081]接著，參照?qǐng)D8，可以在第一通孔THl內(nèi)形成絕緣部700。絕緣部700的上表面710可以形成為高于背電極層200的上表面210?？梢酝ㄟ^絲網(wǎng)印刷方法或涂料器在第一通孔THl內(nèi)插入包括聚合物或陶瓷材料的絕緣材料來形成絕緣部700。接著,通過固化絕緣材料可以從絕緣材料中去除粘合劑。[0082]接著，參照?qǐng)D2，可以在絕緣部700的上表面上以及在第二通孔TH2內(nèi)形成連接部800。在形成連接部800的步驟中，可以將金屬和有機(jī)粘合劑混合形成的金屬漿插入第二通孔TH2內(nèi)。可以通過絲網(wǎng)印刷方法或涂料器來插入金屬漿。
[0083]接著，進(jìn)行固化金屬漿的步驟。固化金屬漿的步驟可以在250°C或低于250°C的溫度下進(jìn)行。另外，固化金屬漿的步驟可以進(jìn)行30分鐘或少于30分鐘。通過固化金屬漿的步驟，可以從金屬衆(zhòng)中去除粘合劑。
[0084]通過第二通孔TH2和第三通孔TH3可以減少死區(qū)。因此，能夠增加短路電流密度，使得光電轉(zhuǎn)換效率能夠得到提高。
[0085]另外，在薄膜沉積過程完成后，由于在支撐基板100完全熱變形后才對(duì)第一通孔THl至第三通孔TH3進(jìn)行圖形化，因此，不需要應(yīng)用偏移值。
[0086]在下文中，將參照?qǐng)D9至圖11描述第二實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的制造方法。
[0087]圖9至圖11是剖視圖，示出了第二實(shí)施例所述的太陽能電池裝置的面板的制造過程。
[0088]參照?qǐng)D9，進(jìn)行下述步驟:形成穿過背電極層200、光吸收層300、緩沖層400以及前電極層600的第一通孔thl。
[0089]接著，參照?qǐng)D10，進(jìn)行下述步驟:在第一通孔thl旁形成第二通孔th2。第二通孔th2可以穿過光吸收層300、緩沖層400以及前電極層600.[0090]接著，參照?qǐng)D11，可以在第一通孔thl內(nèi)形成絕緣部700。接著，參照?qǐng)D3，可以在絕緣部700的上表面710上以及在第二通孔th2的一部分中形成連接部800。
[0091]在本說明書中每提及“一個(gè)實(shí)施例”、“某個(gè)實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等時(shí)意味著，結(jié)合該實(shí)施例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、或特性包含在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的此類短語不一定都是指同一實(shí)施例。另外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述具體特征、結(jié)構(gòu)、或特性時(shí)，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為，結(jié)合其他實(shí)施例實(shí)現(xiàn)該特征、結(jié)構(gòu)、或特性落入本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍內(nèi)。
[0092]雖然參照本發(fā)明的若干說明性實(shí)施例對(duì)實(shí)施例進(jìn)行了描述，但應(yīng)該知道，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以構(gòu)思出很多其它的變型和實(shí)施例，這些變型和實(shí)施例落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地講，在本發(fā)明公開、附圖和所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，可以對(duì)主題組合結(jié)構(gòu)的組成部分和/或排列作出各種改變和變型。除了所述組成部分和/或排列的改變和變型之外，其它用途對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是顯然的。
【權(quán)利要求】
1.一種太陽能電池裝置，包括: 在基板上的背電極層； 在所述背電極層上的光吸收層； 在所述光吸收層上的緩沖層； 在所述緩沖層上的前電極層；以及 連接部，該連接部與所述前電極層接觸、穿過所述光吸收層、并與所述背電極層接觸， 其中，所述連接部包括與構(gòu)成所述前電極層的材料不同的材料。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池裝置，進(jìn)一步包括穿過所述光吸收層的同時(shí)露出所述背電極層的上表面的第二通孔，其中，所述連接部形成在所述第二通孔內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池裝置，其中，所述連接部包括金屬。
4.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池裝置，其中，所述連接部包括鋁(Al)、鎳(Ni)或銀(Ag)。
5.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池裝置，進(jìn)一步包括第一通孔，該第一通孔鄰近所述第二通孔形成，同時(shí)穿過所述背電極層、所述光吸收層、所述緩沖層以及所述前電極層，其中，所述第一通孔內(nèi)設(shè)置有絕緣部。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池裝置，其中，所述絕緣部的上表面高于所述背電極層的上表面。
7.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池裝置，其中，所述絕緣部包括聚合物或者陶瓷材料。
8.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池裝置，其中，所述連接部設(shè)置在所述絕緣部上。
9.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池裝置，進(jìn)一步包括第三通孔，該第三通孔形成在所述第二通孔旁，同時(shí)穿過所述光吸收層并露出所述背電極層的上表面。
10.如權(quán)利要求9所述的太陽能電池裝置，其中，所述第二通孔與所述第三通孔重疊。
11.一種太陽能電池裝置的制造方法，該方法包括: 在基板上形成背電極層； 在所述背電極層上形成光吸收層； 在所述光吸收層上形成緩沖層； 在所述緩沖層上形成前電極層； 在形成所述前電極層后，形成穿過所述光吸收層、所述緩沖層、以及所述前電極層的第二通孔；以及， 在所述第二通孔內(nèi)形成連接部， 其中，所述連接部包括與構(gòu)成所述前電極層的材料不同的材料。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括: 在形成所述前電極層后，形成第一通孔，該第一通孔在所述第二通孔旁，同時(shí)穿過所述背電極層、所述光吸收層、所述緩沖層、以及所述前電極層；以及在所述第一通孔內(nèi)形成絕緣部。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述第二通孔內(nèi)形成所述連接部的過程中，將混合金屬和無機(jī)粘合劑所得到的金屬漿插入所述第二通孔內(nèi)。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述第二通孔內(nèi)形成所述連接部的過程中，混合所述金屬和無機(jī)粘合劑所得到的所述金屬漿設(shè)置在所述絕緣部上。
15.如權(quán)利要求13或14所述的方法，進(jìn)一步包括固化所述金屬漿。
16.如權(quán)利要求15所述的方法,其中，固化所述金屬衆(zhòng)在250°C或低于250°C的溫度下進(jìn)行。
17.如權(quán)利要求1 5所述的方法，其中，固化所述金屬漿進(jìn)行30分鐘或少于30分鐘。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103999235SQ201280062252
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2012年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月18日
【發(fā)明者】林真宇 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司