專利名稱：陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diodes,0LED)以其制備工藝簡單、成本低、發(fā)光顏色可在可見光區(qū)內(nèi)任意調(diào)節(jié)以及易于大面積和柔性彎曲等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是未來最重要的顯示技術(shù)之一。尤其是白光OLED (WOLED)的功率效率已經(jīng)超過了 601m/W，壽命達(dá)到了 2萬個(gè)小時(shí)以上，極大地推動(dòng)了 WOLED的發(fā)展。如圖1所示,為現(xiàn)有的OLED陣列基板的結(jié)構(gòu),具體示出了一個(gè)像素單元的示意圖，由下至上包括:形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2丨及柵線(圖中未示出)，形成在第一柵極2、第二柵極2 '及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4丨，形成在第一有源層4和第二有源層4丨之上的絕緣間隔層5，形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6丨(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6丨之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關(guān)薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)，第二柵極2'、柵絕緣層3、第二有源層4'、絕緣間隔層5及第二源漏層6'形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)。開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管位于像素單元的非像素區(qū)域B，即薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域。第一源漏層6和第二源漏層6 '之上依次為鈍化層7、彩膜9、黑矩陣15、樹脂層10，有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極11、像素定義層12、有機(jī)發(fā)光層13及有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極14。其中,第一電極11為透明電極，有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。有機(jī)發(fā)光二極管位于陣列基板的像素單元的像素區(qū)域A (除薄膜晶體管結(jié)構(gòu)區(qū)域以外的顯示區(qū)域)。黑矩陣15具體位于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，即區(qū)域B，且形成在彩膜9上的背離薄膜晶體管結(jié)構(gòu)一側(cè)的表面，其作用是阻擋有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)出的光線對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響，使顯示效果更好。如圖2所示(RGB彩膜各色光的波長及混合后的光clight的波長與透過率關(guān)系圖)，研究發(fā)現(xiàn)對(duì)于WOLED發(fā)出的光線中主要是波長較短的光，(如:藍(lán)光，尤其是在400nm以下的藍(lán)光)對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響，會(huì)產(chǎn)生光照漏電流，導(dǎo)致顯示效果不好。因此只需要避免波長較短的藍(lán)光對(duì)氧化物薄膜晶體管的影響即可。

實(shí)用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:如何避免波長較短的藍(lán)光對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響。(二)技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，所述像素單元包括:形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管及位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和所述有機(jī)發(fā)光二極管之間的彩膜，所述有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域，所述像素單元還包括:位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，且形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上方的用于阻擋藍(lán)色光線的遮光層。其中，所述遮光層為紅色濾光片。其中，所述紅色濾光片的厚度為5000A 40000A。其中，所述遮光層為綠色濾光片。其中，所述綠色濾光片的厚度為5000A 40000人，其中，所述遮光層為紅綠濾光片疊層形成。其中，所述紅綠濾光片疊層的厚度為5000人 80000A,,其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括:形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；所述有機(jī)發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，所述第一電極連接所述第二漏極。本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。(三)有益效果本實(shí)用新型通過彩膜上且位于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域形成用于阻擋藍(lán)光的遮光層，阻擋了藍(lán)光照射到氧化物薄膜晶體管上，避免波長較短的光對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響而導(dǎo)致的顯示效果不好的缺陷。

圖1是現(xiàn)有的一種陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；圖2是RGB彩膜各色光的波長及混合后光的波長與透過率關(guān)系圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是制作圖3的陣列基板的方法流程中在基板上形成薄膜晶體管及鈍化層結(jié)構(gòu)的不意圖；圖5是在圖4的基板基礎(chǔ)上形成彩膜和遮光層圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6在圖5的基板基礎(chǔ)上形成樹脂層及過孔圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7在圖6的基板基礎(chǔ)上形成有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8在圖7的基板基礎(chǔ)上形成像素定義層的圖形的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。如圖3所示，本實(shí)施例的陣列基板包括形成在基板I上的多條柵線、數(shù)據(jù)線及柵線和數(shù)據(jù)線交叉形成的像素單元。像素單元由下至上包括:形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2'及柵線(圖中未示出)，形成在第一柵極2、第二柵極2 '及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4丨，形成在第一有源層4和第二有源層4丨之上的絕緣間隔層5，形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6丨(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6'之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關(guān)薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)，第二柵極2丨、柵絕緣層3、第二有源層4'、絕緣間隔層5及第二源漏層6 '形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)。開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管位于像素單元的非像素區(qū)域B，即薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域。第一源漏層6和第二源漏層6 '之上依次為鈍化層7、彩膜9、遮光層8、樹脂層10，有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極11、像素定義層12、有機(jī)發(fā)光層13及有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極14。其中，第一電極11為透明電極，有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。有機(jī)發(fā)光二極管為WOLED，位于陣列基板的像素單元的像素區(qū)域A。由于只是阻擋WOLED發(fā)出的光中波長較短的藍(lán)光對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響，本實(shí)施例中，遮光層8用于阻擋藍(lán)光，尤其是波長為400nm以下的藍(lán)光透過，可以為所述遮光層8為和彩膜相同材料的厚度為5000人 40000A紅色濾光片、厚度為5000A 40000人綠色濾光片或厚度為5000A 80000A紅綠疊層濾光片，從而避免藍(lán)光通過。 遮光層8阻擋了 WOLED發(fā)出的光中波長為400nm以下的藍(lán)色光線對(duì)氧化物薄膜晶體管特性的影響，波長較長的光(如:紅光和綠光)仍能透過，同時(shí)增大了透過率。制作上述陣列基板的方法包括:步驟一:在基板I上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及鈍化層7的圖形，以確定基板I上的多個(gè)像素單元。該步驟主要通過形成(可以是涂敷、濺射、沉積等多種方式)相應(yīng)的膜層，然后通過構(gòu)圖工藝(構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝)形成相應(yīng)層的圖形，該步驟與現(xiàn)有的制作陣列基板的步驟基本相同，此處不再贅述。該步驟形成后的基板如圖4所示，示出了一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域?yàn)榉窍袼貐^(qū)域，像素區(qū)域?yàn)锳。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括:開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其中，由第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣層5及第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極層)形成開關(guān)薄膜晶體管；由第二柵極2'、柵絕緣層3、第二有源層4 '、絕緣層5及第二源漏層6'(包括第二源極和第二漏極層)形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上為鈍化層7。步驟二:如圖5所示，形成彩膜9和遮光層8的圖形。該步驟具體包括:彩膜9的形成是分多次(RGB為3次)形成，每一次形成一種顏色濾光片的圖形，逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜9的圖形。具體方式為:在鈍化層上形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形。在通過構(gòu)圖工藝形成彩膜的同時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域B形成遮光層8的圖形。具體形成遮光層8過程可以為:在通過上述構(gòu)圖工藝形成彩膜9的紅色濾光片的圖形時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域B形成另一紅色濾光片的圖形，以形成遮光層8，即在鈍化層7上形成紅色濾光薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)在像素單元的像素區(qū)域A和薄膜晶體管區(qū)域B分別形成彩膜的紅色濾光片和用于遮擋藍(lán)光的紅色濾光片的圖形。具體形成遮光層8過程還可以為:在通過上述構(gòu)圖工藝形成彩膜9的綠色濾光片的圖形時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成另一綠色濾光片的圖形，以形成遮光層8。即在鈍化層7上形成綠色濾光薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)在像素單元的像素區(qū)域A和薄膜晶體管區(qū)域B分別形成彩膜的綠色濾光片和用于遮擋藍(lán)光的綠色濾光片的圖形。具體形成遮光層8過程還可以為:在通過構(gòu)圖工藝形成彩膜9的紅色濾光片和綠色濾光片的圖形時(shí)，在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成紅綠濾光片疊層的圖形，以形成遮光層8。即在鈍化層7上形成綠色濾光薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)在像素單元的像素區(qū)域A和薄膜晶體管區(qū)域B分別形成彩膜的綠色濾光片和用于遮擋藍(lán)光的綠色濾光片的圖形；形成紅色濾光薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)在像素單元的像素區(qū)域A和薄膜晶體管區(qū)域B分別形成彩膜的紅色濾光片和用于遮擋藍(lán)光的紅色濾光片的圖形，從而形成紅綠疊層的濾光片(形成紅綠疊層中的各層時(shí)不分先后)。步驟三:在像素單元的像素區(qū)域A形成有機(jī)發(fā)光二極管。該步驟具體包括:如圖6所示，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層7上刻蝕形成過孔。還可以在彩膜9及遮光層8上形成樹脂層10，過孔穿過鈍化層7和樹脂層10。如圖7所示，形成透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極11的圖形，使第一電極11通過過孔連接薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，具體連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極。如圖8所示，形成絕緣薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素定義層12的圖形，以將待形成的有機(jī)發(fā)光二極管的位置定義在像素區(qū)域A。形成有機(jī)發(fā)光層13及有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極14，從而形成有機(jī)發(fā)光二極管，最終形成的陣列基板如圖3所示。本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。所述顯示裝置可以為:電子紙、OLED面板、OLED顯示器、OLED電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上實(shí)施方式僅用于說明本實(shí)用新型，而并非對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括多個(gè)位于基板上的像素單元，所述像素單元包括:形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管及位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和所述有機(jī)發(fā)光二極管之間的彩膜，所述有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域，其特征在于，所述像素單元還包括:位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，且形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上方的用于阻擋藍(lán)色光線的遮光層。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層為紅色濾光片。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述紅色濾光片的厚度為5000A 40000人
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層為綠色濾光片。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述綠色濾光片的厚度為5000A 400001。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層為紅綠濾光片疊層形成。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述紅綠濾光片疊層的厚度為5000A 80000人。
8.如權(quán)利要求Γ7中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括:形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管； 所述有機(jī)發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，所述第一電極連接所述第二漏極。
9.一種顯示裝置，其特征在于， 包括如權(quán)利要求廣8中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陣列基板及顯示裝置，陣列基板包括多個(gè)位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光二極管及位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和所述有機(jī)發(fā)光二極管之間的彩膜，所述有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域，所述像素單元還包括位于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)區(qū)域，且形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上方的藍(lán)光遮光層。還公開了包括上述陣列基板的顯示裝置。本實(shí)用新型在陣列基板上形成藍(lán)光遮光層阻擋了藍(lán)光照射到氧化物薄膜晶體管上，避免波長較短的光對(duì)氧化物薄膜晶體管的特性的影響而導(dǎo)致的顯示效果不好的缺陷。
文檔編號(hào)H01L27/32GK202957246SQ20122068687
公開日2013年5月29日 申請(qǐng)日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司