專利名稱：一種高能mov芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種電子元件，尤其涉及一種高能MOV芯片。
背景技術(shù)：
MOV芯片(金屬氧化物電阻片，例如ZnO)是電涌保護器(STO)的核心元件，電源系統(tǒng)防雷和過壓保護用的C級和B級SH)對于8/20US沖擊電流的通流量指標很高，大體在10-15KA,因此作為SPD的核心部件MOV芯片的安全保障極其重要。如圖1所示，MOV芯片一般包括MOV片01、正負兩個電極片02、兩條引出線03和外包封層04，正負兩個電極片02分別設(shè)置在MOV片01的兩側(cè)面上，兩條引出線03分別通過其焊接部05焊接在其中一個電極片02的表面上，外包封層04包覆在MOV片01、正負電極片02、焊接部05的外面。上述的兩個正負電極片02 —般采用銅電極或銀電極。由于上述MOV芯片的正負兩個電極片02的邊緣不可能處理得非常平滑，如圖2所示，在電極片02的邊緣處不可避免的會存在尖端06，當高壓進入時，正負兩個電極片02上相對應(yīng)的尖端06就產(chǎn)生尖端放電，使得這種MOV芯片的安全性能降低。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種高能MOV芯片，這種高能MOV芯片的安全性能更好。采用的技術(shù)方案如下:一種高能MOV芯片，包括MOV片、正負兩個電極片、兩條弓I出線和外包封層，正負兩個電極片分別設(shè)置在MOV片的兩側(cè)面上，兩條引出線分別通過其焊接部焊接在其中一個電極片的表面上，外包封層包覆在MOV片、電極片、焊接部的外面，其特征是:在所述兩個電極片的邊緣均涂覆有絕緣層。由于在正負兩個電極片的邊緣涂覆了絕緣層，將正負兩個電極片邊緣的尖端密封起來，降低其產(chǎn)生尖端放電的可能性，使得這種MOV芯片具有更好的安全性能。作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述絕緣層覆蓋電極片的邊緣及電極片周邊區(qū)域的MOV片。絕緣層同時覆蓋電極片的邊緣、電極片周邊區(qū)域的MOV片，使得絕緣層對電極片邊緣的尖端密封效果更好，防止部分尖端露出，進一步降低產(chǎn)生尖端放電的可能性。作為本實用新型進一步的優(yōu)選方案，所述絕緣層的材料為有機硅漆。有機硅漆是以有機硅為主要成膜物質(zhì)的一類涂料，具有耐高溫、耐寒、防水、防潮以及良好的電氣性能，因此，將絕緣層優(yōu)選為有機硅漆，進一步提高這種MOV片的安全性能。本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點: 由于本高能MOV芯片在正負兩個電極片的邊緣涂覆了絕緣層，將正負兩個電極片邊緣的尖端密封起來，降低其產(chǎn)生尖端放電的可能性，從而使得這種MOV芯片具有更好的安全性能。

[0012]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中MOV芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中A部分的局部放大圖；圖3是本實用新型優(yōu)選實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和本實用新型的優(yōu)選實施方式做進一步的說明。如圖3所示，這種高能MOV芯片，包括MOV片1、正負兩個電極片2、兩條引出線3和外包封層4，正負兩個電極片2分別設(shè)置在MOV片I的兩側(cè)面上，兩條引出線3分別通過其焊接部5焊接在其中一個電極片2的表面上，外包封層4包覆在MOV片1、電極片2、焊接部5的外面，在兩個電極片2的邊緣均涂覆有絕緣層6，絕緣層6覆蓋電極片2的邊緣及電極片2周邊區(qū)域的MOV片1，絕緣層6的材料采用有機硅漆。上述絕緣層6也可以采用其它絕緣材料。由于本高能MOV芯片在正負兩個電極片2的邊緣涂覆了絕緣層6，將正負兩個電極片2邊緣的尖端密封起來，降低其產(chǎn)生尖端放電的可能性，從而使得這種MOV芯片具有更好的安全性能。此外，需要說明的是，本說明書中所描述的具體實施例，其各部分名稱等可以不同，凡依本實用新型專利構(gòu)思所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效或簡單變化，均包括于本實用新型專利的保護范圍內(nèi)。本實用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替代，只要不偏離本實用新型的結(jié)構(gòu)或者超越本權(quán)利要求書所定義的范圍，均應(yīng)屬于本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種高能MOV芯片，包括MOV片、正負兩個電極片、兩條弓I出線和外包封層，正負兩個電極片分別設(shè)置在MOV片的兩側(cè)面上，兩條引出線分別通過其焊接部焊接在其中一個電極片的表面上，外包封層包覆在MOV片、電極片、焊接部的外面，其特征是:在所述兩個電極片的邊緣均涂覆有絕緣層。
2.如權(quán)利要求1所述的高能MOV芯片，其特征是:所述絕緣層覆蓋電極片的邊緣及電極片周邊區(qū)域的MOV片。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高能MOV芯片，其特征是:所述絕緣層的材料為有機硅漆。
專利摘要本實用新型涉及一種高能MOV芯片，包括MOV片、正負兩個電極片、兩條引出線和外包封層，正負兩個電極片分別設(shè)置在MOV片的兩側(cè)面上，兩條引出線分別通過其焊接部焊接在其中一個電極片的表面上，外包封層包覆在MOV片、電極片、焊接部的外面，其特征是在所述兩個電極片的邊緣均涂覆有絕緣層。由于在正負兩個電極片的邊緣涂覆了絕緣層，將正負兩個電極片邊緣的尖端密封起來，降低其產(chǎn)生尖端放電的可能性，使得這種MOV芯片具有更好的安全性能。
文檔編號H01C1/14GK202957089SQ201220643248
公開日2013年5月29日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月29日
發(fā)明者李言, 黃瑞南, 林榕 申請人:汕頭高新區(qū)松田實業(yè)有限公司