專利名稱：一種陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的平面圖，陣列基板包括:襯底基板上的柵線10，與所述柵線10垂直排列的數(shù)據(jù)線20，柵線10和數(shù)據(jù)線20限定出像素區(qū)域，像素區(qū)域中包括并排排列的像素電極40、塊狀公共電極線30以及薄膜晶體管；該種結(jié)構(gòu)的陣列基板的像素區(qū)域的長邊是數(shù)據(jù)線20，短邊是柵線10，所述公共電極線30平行于像素區(qū)域的短邊且位于遠(yuǎn)離薄膜晶體管的一側(cè)；數(shù)據(jù)線40與其下方的公共電極線30之間存在交疊電容。目前大尺寸TV(電視)產(chǎn)品及3D產(chǎn)品是目前電視制造領(lǐng)域的發(fā)展趨勢。然而要想實(shí)現(xiàn)大尺寸產(chǎn)品及3D產(chǎn)品的順利開發(fā)，如產(chǎn)品驅(qū)動頻率從60Hz提高至120Hz甚至是240Hz。然而上述結(jié)構(gòu)圖1所示的陣列基板，由于數(shù)據(jù)線20與公共電極線30之間的交疊電容的存在，在高頻率驅(qū)動時，會引起公共電極的電壓受影響，從而使產(chǎn)品的畫面產(chǎn)生Greenish (綠附)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及顯示裝置，避免數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的交疊電容，從而可以在高頻率驅(qū)動下，大大降低Greenish現(xiàn)象。本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板，包括多條柵線、多條數(shù)據(jù)線、每兩條彼此相鄰的柵線和每兩條彼此相鄰的數(shù)據(jù)線限定出像素區(qū)域，其中所述像素區(qū)域設(shè)有公共電極，像素電極和薄膜晶體管，還包括與所述數(shù)據(jù)線處于同一層公共電極線，其中所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線不相交，在所述公共電極線上設(shè)有鈍化層，其中所述公共電極線通過形成在所述鈍化層上的過孔與所述公共電極相連接，并且所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線不交疊。其中，所述柵線與所述數(shù)據(jù)線垂直交疊，所述像素區(qū)域?yàn)殚L方形，所述數(shù)據(jù)線構(gòu)成所述像素區(qū)域的短邊，所述柵線構(gòu)成所述像素區(qū)域的長邊。其中，所述柵線與所述數(shù)據(jù)線垂直交疊的位置具有薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)線通過所述薄膜晶體管與所述像素電極連接。其中，所述像素電極為狹縫結(jié)構(gòu)。其中，所述像素電極的狹縫結(jié)構(gòu)具有交叉部位，所述公共電極線在所述像素電極所在層上的投影落在所述交叉部位上。其中，所述公共電極具有與所述像素電極的狹縫相匹配的結(jié)構(gòu)并且所述公共電極在所述像素電極上的投影能夠覆蓋所述像素電極的狹縫。其中，所述公共電極在所述像素電極上的投影還能覆蓋所述像素電極的狹縫附近的部分區(qū)域。本實(shí)用新型的實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上所述陣列基板。[0014]本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下:上述方案中，通過公共電極線與所述數(shù)據(jù)線處于同一層，且公共電極線與所述數(shù)據(jù)線不相交，避免數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的交疊電容的產(chǎn)生，從而可以在高頻率驅(qū)動下，有效地避免數(shù)據(jù)線電壓對公共電極電壓信號的影響，大大降低Greenish現(xiàn)象的發(fā)生。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的平面示意圖；圖2為本實(shí)用新型的陣列基板的平面示意圖；圖3 —圖7為本實(shí)用新型的陣列基板的制作過程示意圖；圖8為本實(shí)用新型的陣列基板的公共電極的電壓變化示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖2 —圖7所示，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種陣列基板，襯底基板(未示出)，若干柵線1、若干數(shù)據(jù)線2、每兩條彼此相鄰的柵線I和每兩條彼此相鄰的數(shù)據(jù)線2限定出的像素區(qū)域，其中所述像素區(qū)域設(shè)有公共電極7，像素電極4和薄膜晶體管5;還包括與所述數(shù)據(jù)線2處于同一層的公共電極線3，其中所述公共電極線3與所述數(shù)據(jù)線2不相交，在所述公共電極線3上設(shè)有鈍化層，其中所述公共電極線3通過形成在所述鈍化層上的過孔與所述公共電極7相連接，并且所述公共電極7與所述數(shù)據(jù)線2不交疊。本實(shí)用新型的該實(shí)施例通過將公共電極7與公共電極線3設(shè)置成與數(shù)據(jù)線2不相交疊的結(jié)構(gòu)，避免數(shù)據(jù)線3與公共電極線2之間的交疊電容的產(chǎn)生，從而可以在高頻率驅(qū)動下，有效地避免數(shù)據(jù)線電壓對公共電極電壓信號的影響，大大降低Greenish現(xiàn)象的發(fā)生率。在上述實(shí)施例中，所述襯底基板上的柵線I與數(shù)據(jù)線2垂直交疊，并限定出像素區(qū)域；該像素區(qū)域的平面為長方形，數(shù)據(jù)線2構(gòu)成所述像素區(qū)域的短邊，柵線I構(gòu)成所述像素區(qū)域的長邊。所述像素區(qū)域中設(shè)有像素電極4，該像素電極4是利用在襯底基板上沉積的第一層ITO制作，且該像素電極4制作成狹縫結(jié)構(gòu)。另外，柵線I與數(shù)據(jù)線2垂直交疊的位置具有薄膜晶體管(TFT)5，所述數(shù)據(jù)線2通過所述薄膜晶體管5與所述像素電極4連接。在所述陣列基板上還設(shè)置有位于所述數(shù)據(jù)線2上方的鈍化層以及位于所述鈍化層上方的公共電極7，所述公共電極7通過所述鈍化層上的過孔6與所述公共電極線3連接。在上述實(shí)施例中，所述公共電極7具有與所述像素電極4的狹縫相匹配的結(jié)構(gòu)并且所述公共電極7在所述像素電極4所在層上的投影能夠覆蓋所述像素電極4的狹縫，或者進(jìn)一步能夠覆蓋狹縫附近的部分區(qū)域。上述結(jié)構(gòu)可以保證形成邊緣電場的同時，由此產(chǎn)生的存儲電容大大降低，有利于高頻驅(qū)動產(chǎn)品達(dá)到充電率要求。但所述公共電極7也可以為其他的形狀例如條形。[0028]再如圖3 —圖7所示，為上述實(shí)施例的陣列基板的具體制作過程，包括:提供一襯底基板(圖中未不出該襯底基板);在所述襯底基板上形成像素電極4 (如圖3所示，具體的，在襯底基板上沉積第一層氧化銦錫ITO時，經(jīng)過曝光顯影后，得到如圖3所示的像素電極)；在形成有所述像素電極4的襯底基板上，形成柵線I (如圖4所示)；在形成有所述柵線I的襯底基板上形成柵絕緣層(圖中未示出)；在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上形成數(shù)據(jù)線2以及公共電極線3，且所述公共電極線3與所述數(shù)據(jù)線2不相交(如圖5所示，該步驟中還可以同時在所述柵線I與所述數(shù)據(jù)線2垂直交疊的位置有薄膜晶體管(TFT) 5，所述數(shù)據(jù)線2通過所述薄膜晶體管與所述像素電極4連接);在形成有所述數(shù)據(jù)線2以及公共電極線3的襯底基板上形成鈍化層及所述鈍化層上的過孔6 (如圖6所示)；在形成有所述鈍化層的襯底基板上形成公共電極7，所述公共電極7通過所述鈍化層上的過孔6與所述公共電極線3連接(如圖7所示)。當(dāng)顯示面板上某一列打開時，當(dāng)數(shù)據(jù)線2上電壓信號由OV轉(zhuǎn)化至最高電壓，通過薄膜晶體管5對像素電極4進(jìn)行充電，由于如圖8所示，公共電極線3 ()的電壓會產(chǎn)生一個跳變后又逐漸回落的過程，Δ Vcom為公共電極線3的電壓變化量，該值越高，對公共電極線3的電壓的影響越難恢復(fù),從而將產(chǎn)生Greenish現(xiàn)象。對應(yīng)單個像素結(jié)構(gòu)而言，數(shù)據(jù)線2對公共電極線3的電壓信號的影響可以體現(xiàn)為:
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括多條柵線、多條數(shù)據(jù)線、每兩條彼此相鄰的柵線和每兩條彼此相鄰的數(shù)據(jù)線限定出像素區(qū)域，其中所述像素區(qū)域設(shè)有公共電極，像素電極和薄膜晶體管，其特征在于， 還包括與所述數(shù)據(jù)線處于同一層公共電極線，其中所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線不相交，在所述公共電極線上設(shè)有鈍化層，其中所述公共電極線通過形成在所述鈍化層上的過孔與所述公共電極相連接，并且所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線不交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線與所述數(shù)據(jù)線垂直交疊，所述像素區(qū)域?yàn)殚L方形，所述數(shù)據(jù)線構(gòu)成所述像素區(qū)域的短邊，所述柵線構(gòu)成所述像素區(qū)域的長邊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線與所述數(shù)據(jù)線垂直交疊的位置具有薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)線通過所述薄膜晶體管與所述像素電極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極為狹縫結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極的狹縫結(jié)構(gòu)具有交叉部位，所述公共電極線在所述像素電極所在層上的投影落在所述交叉部位上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極具有與所述像素電極的狹縫相匹配的結(jié)構(gòu)并且所述公共電極在所述像素電極上的投影能夠覆蓋所述像素電極的狹縫。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極在所述像素電極上的投影還能覆蓋所述像素電極的狹縫附近的部分區(qū)域。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，陣列基板包括多條柵線、多條數(shù)據(jù)線、每兩條彼此相鄰的柵線和每兩條彼此相鄰的數(shù)據(jù)線限定出像素區(qū)域，其中所述像素區(qū)域設(shè)有公共電極，像素電極和薄膜晶體管，與所述數(shù)據(jù)線處于同一層公共電極線，其中所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線不相交，在所述公共電極線上設(shè)有鈍化層，其中所述公共電極線通過形成在所述鈍化層上的過孔與所述公共電極相連接，并且所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線不交疊。本實(shí)用新型的方案可以避免數(shù)據(jù)線與公共電極線之間的交疊電容，從而可以在高頻率驅(qū)動下，大大降低Greenish現(xiàn)象。
文檔編號H01L27/12GK202917489SQ201220598308
公開日2013年5月1日 申請日期2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月13日
發(fā)明者劉莎 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司