專利名稱：一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及基板設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
圖I和圖2為傳統(tǒng)顯示器中陣列基板的兩種像素結(jié)構(gòu)示意圖，可以看出，傳統(tǒng)的陣列基板中，數(shù)據(jù)線I與公共電極2之間的夾角為直角或銳角。但是，生產(chǎn)實(shí)踐中證明，在涂膠工藝過程中(特別是甩膠方式)，如果像素區(qū)數(shù)據(jù)線和公共電極的交疊部位邊緣角度較小，則極易出現(xiàn)氣泡殘留于交疊邊緣處光刻(PhotoResist, PR)膠中的情況，從而使得該交疊邊緣在曝光時(shí)得不到光刻膠層的保護(hù)，最終導(dǎo)致鈍化層被刻蝕，造成數(shù)據(jù)線和公共電極之間發(fā)生短路(DATA Line And Common Line Short,DCS)，影響產(chǎn)品合格率。 另外，數(shù)據(jù)線與柵極掃描線的交疊部位也存在同樣的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中因數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線發(fā)生短路導(dǎo)致產(chǎn)品合格率下降的問題。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型提供一種像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)的交疊角度為鈍角。優(yōu)選的，上述的像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線與公共電極，和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)的交疊角度為140°至160°。其中，在上述的像素結(jié)構(gòu)中，在數(shù)據(jù)線與公共電極交疊區(qū)域附近，公共電極逐漸變寬和/或數(shù)據(jù)線逐漸變寬。其中，在上述的像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線與公共電極之間設(shè)置有絕緣層，數(shù)據(jù)線與公共電極在像素區(qū)交疊區(qū)域的絕緣層厚度小于非交疊區(qū)域的絕緣層厚度。其中，在上述的像素結(jié)構(gòu)中，在數(shù)據(jù)線與柵極掃描線交疊區(qū)域附近，柵極掃描線逐漸變寬和/或數(shù)據(jù)線逐漸變寬。其中，在上述的像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間設(shè)置有絕緣層，數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)交疊區(qū)域的絕緣層厚度小于非交疊區(qū)域的絕緣層厚度。本實(shí)用新型提供一種陣列基板，該陣列基板包括上述的像素結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，上述陣列基板為薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT基板。本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置該顯示裝置包括上述的陣列基板。本實(shí)用新型實(shí)施例涉及的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置，數(shù)據(jù)線與公共電極，和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)的交疊角度為鈍角。本實(shí)用新型通過對(duì)像素區(qū)數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線的交疊部位角度進(jìn)行鈍角設(shè)計(jì)，可以避免涂膠工藝過程中光刻膠中氣泡殘留造成數(shù)據(jù)線與公共電極之間發(fā)生短路和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間發(fā)生短路，進(jìn)而提聞廣品合格率。

圖I為傳統(tǒng)陣列基板的一種像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為傳統(tǒng)陣列基板的另一種像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一種像素結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說明I、數(shù)據(jù)線；2、公共電極。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提出一種像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)的交疊角度為鈍角。優(yōu)選的，數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)的交疊角度為140°至160°，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，在該交疊角度范圍內(nèi)，殘留于交疊邊緣處光刻膠中氣泡較少，從而能夠避免數(shù)據(jù)線與公共電極之間發(fā)生短路和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間發(fā)生短路?？蛇x的，在數(shù)據(jù)線與公共電極交疊區(qū)域附近，公共電極逐漸變寬和/或數(shù)據(jù)線逐漸變寬。可選的，在數(shù)據(jù)線與柵極掃描線交疊區(qū)域附近，柵極掃描線逐漸變寬和/或數(shù)據(jù)線逐漸變寬。需要說明的是，由于數(shù)據(jù)線、公共電極、柵極掃描線太寬可能會(huì)影響開口率，因此，應(yīng)當(dāng)使數(shù)據(jù)線、公共電極、柵極掃描線的最寬處(交疊區(qū)域附近)保持與現(xiàn)有技術(shù)中的寬度一致，其他部分的寬度小于現(xiàn)有技術(shù)中的相應(yīng)寬度。—般在數(shù)據(jù)線與公共電極之間、以及數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間設(shè)置有絕緣層，可選的，數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)交疊區(qū)域的絕緣層厚度小于非交疊區(qū)域的絕緣層厚度，這樣可以減小數(shù)據(jù)線與公共電極之間、以及數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間的斷差，可以進(jìn)一步減少殘留于交疊邊緣處光刻膠中氣泡，避免數(shù)據(jù)線與公共電極之間發(fā)生短路和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間發(fā)生短路。圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一種像素結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，數(shù)據(jù)線與公共電極的交疊角度為鈍角。以5代線TFT-IXD為例，可達(dá)成本實(shí)用新型實(shí)施例所述方案的公共電極形成的工藝步驟可以包括步驟I :在玻璃基板上進(jìn)行濺射(Sputter)工藝，完成金屬膜層沉積形成，以原材料金屬鋁釹AlNd為例，濺射工藝中通過直流電壓(DC Power)形成Ar等離子體，撞擊鋁釹靶材表面，AlNd粒子從靶材表面射出并貼附到玻璃基板表面形成一層鋁釹膜層；步驟2 :在金屬膜層上進(jìn)行光刻膠涂敷，并進(jìn)行甩勻、烘干工藝；步驟3 :進(jìn)行曝光工藝，對(duì)所需要的圖形進(jìn)行掩光板(Photo Mask)曝光，所需要圖形上的光刻膠光照后形成不可溶物質(zhì)。這里，可以通過對(duì)掩光板進(jìn)行設(shè)計(jì)，改變曝光后公共電極的圖形，使得數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)的交疊角度為鈍角。步驟4;進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離，保留下接受曝光的光刻膠下的公共電極圖形。本實(shí)用新型還相應(yīng)地提出了一種陣列基板，該陣列基板包括上述的像素結(jié)構(gòu)?？蛇x的，該陣列基板為薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)基板。具體的，該陣列基板可以為薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)基板。本實(shí)用新型還相應(yīng)地提出了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板。需要說明的是，本實(shí)用新型所述的顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。 可以看出，本實(shí)用新型通過對(duì)像素區(qū)數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線的交疊部位角度進(jìn)行鈍角設(shè)計(jì)，通過增大數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線的交疊角度，避免涂膠工藝過程中(特別是甩膠方式)，發(fā)生氣體殘留于交疊邊緣處光刻膠中，造成數(shù)據(jù)線與公共電極之間發(fā)生短路和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間發(fā)生短路。以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)的交疊角度為鈍角。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與公共電極，和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)的交疊角度為140°至160°。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 在數(shù)據(jù)線與公共電極交疊區(qū)域附近，公共電極逐漸變寬和/或數(shù)據(jù)線逐漸變寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)線與公共電極之間設(shè)置有絕緣層，其特征在于， 數(shù)據(jù)線與公共電極在像素區(qū)交疊區(qū)域的絕緣層厚度小于非交疊區(qū)域的絕緣層厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 在數(shù)據(jù)線與柵極掃描線交疊區(qū)域附近，柵極掃描線逐漸變寬和/或數(shù)據(jù)線逐漸變寬。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間設(shè)置有絕緣層，其特征在于， 數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)交疊區(qū)域的絕緣層厚度小于非交疊區(qū)域的絕緣層厚度。
7.—種陣列基板，其特征在于，該陣列基板包括權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，該陣列基板為薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT基板。
9.一種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包括如權(quán)利要求7或8所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線與公共電極、和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線在像素區(qū)的交疊角度為鈍角。本實(shí)用新型還相應(yīng)地公開了一種基板及顯示裝置。本實(shí)用新型通過對(duì)像素區(qū)數(shù)據(jù)線與公共電極，和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線的交疊部位角度進(jìn)行鈍角設(shè)計(jì)，可以避免涂膠工藝過程中光刻膠中氣泡殘留造成數(shù)據(jù)線與公共電極之間發(fā)生短路(DCS)和/或數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間發(fā)生短路，進(jìn)而提高產(chǎn)品合格率。
文檔編號(hào)H01L27/02GK202796955SQ20122037085
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月27日
發(fā)明者李嘉鵬, 王鳳國(guó) 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司