專利名稱：四邊扁平無引腳封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電子信息自動化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種四邊扁平無引腳封裝件。
背景技術(shù)：
近年來，隨著移動通信和移動計(jì)算機(jī)領(lǐng)域便捷式電子元器件的迅猛發(fā)展，小型封裝和高密度組裝技術(shù)得到了長足的發(fā)展；同時(shí)，也對小型封裝技術(shù)提出了一系列嚴(yán)格要求，諸如，要求封裝外形尺寸盡量縮小(尤其是封裝高度小于1_)。封裝后的連接可靠性盡可能提高，適應(yīng)無鉛化焊接(保護(hù)環(huán)境)和有效降低成本。長期以來，受蝕刻模板及蝕刻工藝技術(shù)的限制，QFN產(chǎn)品一直延續(xù)著單圈引線框架 模式。QFN (Quad Flat No Lead Package)型多圈排列封裝的集成電路封裝技術(shù)是近幾年國外發(fā)展起來的一種新型微小形高密度I/O封裝技術(shù)，是最先進(jìn)的表面貼裝封裝技術(shù)之一。具有無引腳、貼裝占有面積小，安裝高度低等特點(diǎn)，是為滿足移動通信和移動計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的便捷式電子機(jī)器，如PDA、3G手機(jī)、MP3、MP4、MP5等超薄型電子產(chǎn)品發(fā)展的需要應(yīng)運(yùn)而生并迅速成長起來的一種新型封裝技術(shù)。但目前的四邊扁平無引腳封裝件的引腳少，即I/0少，焊線長、焊線成本高、頻率應(yīng)用受限制，滿足不了高密度、多I/O封裝的需要。

實(shí)用新型內(nèi)容為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種四邊扁平無引腳封裝件，引腳多、焊線短，能滿足高密度、多I/o封裝的需要。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是一種四邊扁平無引腳封裝件，包括引線框架載體，引線框架載體由載體凹坑和環(huán)繞載體凹坑設(shè)置的三圈引腳組成，該三圈引腳分別由多個(gè)互不相連的引腳組成，載體凹坑內(nèi)粘貼有IC芯片，所有引腳上均鍍有內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層；內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層與IC芯片同向設(shè)置，IC芯片與內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層之間通過鍵合線相連接；IC芯片、所有引腳鍍有內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層的一端和所有鍵合線均封裝于塑封體內(nèi)。本實(shí)用新型生產(chǎn)方法采用激光切割分離引腳，實(shí)現(xiàn)引腳的分離，制得具有多圈排列引線框架的封裝件，該封裝件的I/o數(shù)更多，體積更小，重量更輕，并有優(yōu)越的電性能和熱性能，特別適合任何一個(gè)對尺寸、重量和性能都有要求的應(yīng)用?？朔爽F(xiàn)有普通四邊扁平無引腳封裝(QFN)單面封裝時(shí)引腳數(shù)少、焊線長、焊線成本高、頻率應(yīng)用受限制的問題。

圖I是本實(shí)用新型四邊扁平無引腳封裝件第一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖I的仰視圖。圖3是本實(shí)用新型四邊扁平無引腳封裝件第二種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。[0011]圖4是圖3的仰視圖。圖5是本實(shí)用新型四邊扁平無引腳封裝件第三種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是圖5的仰視圖。圖7是本實(shí)用新型封裝件引線框架載體制作過程中銅板表面涂覆第一層感光油墨后，通過曝光、顯影形成不同開窗圖形的框架剖面圖。圖8是在圖7所示框架表面未被感光油墨覆蓋區(qū)域化學(xué)鍍鎳鈀金后的框架剖面圖。圖9是去除第一感光膠層后的框架剖面圖。圖10是再次涂覆感光油墨，通過曝光、顯影在化學(xué)鍍區(qū)的表面覆蓋第二感光膠層的框架剖面圖。 圖11是在未被感光膠保護(hù)的區(qū)域進(jìn)行半蝕刻后的框架剖面圖。圖12去除第二感光膠層后的框架剖面圖。圖13是壓焊塑封后的框架剖面圖。圖14是采用腐蝕工藝腐蝕引線框架載體背面的示意圖。圖中1.引線框架載體，2.粘片膠，3. IC芯片，4.焊盤，5.第一內(nèi)引腳，6.第二內(nèi)引腳，7.第三內(nèi)引腳，8.第一鍵合線，9.第二鍵合線，10.第三鍵合線，11.內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳IE金層，12.第一凹坑，13.第二凹坑，14.載體凹坑，15.塑封體，16.腐蝕減薄層，17.第一激光切割道，18.第二激光切割道，19.第一刀片切割道，20.第二刀片切割道，21.第一微水刀激光切割道，22.第二微水刀激光切割道，23.第一感光膠層，24.第二感光膠層，25.引線框架基體。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖I和圖2所示，本實(shí)用新型四邊扁平無引腳封裝件第一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，包括引線框架載體1，引線框架載體I上面有載體凹坑14，環(huán)繞載體凹坑14設(shè)有三圈內(nèi)引腳，該三圈內(nèi)引腳由內(nèi)往外依次為第一圈內(nèi)引腳、第二圈內(nèi)引腳和第三圈內(nèi)引腳，第一圈內(nèi)引腳和第二圈內(nèi)引腳之間為第二凹坑13，第二圈內(nèi)引腳和第三圈內(nèi)引腳之間為第一凹坑12 ;第一圈內(nèi)引腳由多個(gè)互不相連的第一內(nèi)引腳5組成，第二圈內(nèi)引腳由多個(gè)互不相連的第二內(nèi)引腳6組成，第三圈內(nèi)引腳由多個(gè)互不相連的第三內(nèi)引腳7組成，所有的內(nèi)引腳上面均設(shè)有內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層11 ;引線框架載體I的背面有第一激光切割道17和第二激光切割道18，第一激光切割道17與第一凹坑12相通，第二激光切割道18與第二凹坑13相通；載體凹坑14底面粘貼有IC芯片3，IC芯片3通過粘片膠2與引線框架載體I粘接，粘片膠2采用導(dǎo)電膠或絕緣膠，IC芯片3上設(shè)有焊盤4 ;焊盤4通過第一鍵合線8與第一內(nèi)引腳5相連接，焊盤4通過第二鍵合線9與第二內(nèi)引腳6相連接，焊盤4通過第三鍵合線10與第三內(nèi)引腳7相連接；引線框架載體I上面塑封有塑封體15 ;載體凹坑14、焊盤4、第一鍵合線8、第二鍵合線9、第三鍵合線10、各內(nèi)引腳上的內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層11、第一內(nèi)引腳5、第二內(nèi)引腳6、第三內(nèi)引腳7和引線框架載體I側(cè)壁的上部均封裝于塑封體15內(nèi)。圖3和圖4所示為本實(shí)用新型四邊扁平無引腳封裝件第二種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，與圖和圖2所示第一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，兩者的區(qū)別是本實(shí)施例中第一激光切割道17下面有與第一激光切割道17相通的第一刀片切割道19 ;第二激光切割道18下面有與第二激光切割道18相通的第二刀片切割道20。本實(shí)用新型四邊扁平無引腳封裝件第三種實(shí)施例如圖5和圖6所示，其結(jié)構(gòu)與第一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，兩者之間的區(qū)別在于本實(shí)施例中用第一微水刀激光切割道21取代了第一激光切割道17，第一微水刀激光切割道21與第一凹坑12相通；用第二微水刀激光切割道22取代了第二激光切割道18，第二微水刀激光切割道22與第二凹坑13相通。塑封體15包圍了多圈引線框架載體I上表面和側(cè)面、粘片膠2、IC芯片3、焊盤4、內(nèi)引腳的上表面部分和側(cè)面部分以及相鄰引腳間的上表面凹坑，形成了電路整體。IC芯片
3、焊盤4、粘片膠2以及內(nèi)引腳構(gòu)成了電源和信號通道。塑封體15對IC芯片3、焊盤4、內(nèi)弓I腳和鍵合線起到了保護(hù)和支撐作用。 本實(shí)用新型提供了生產(chǎn)上述各封裝件的工藝流程I)第一種實(shí)施例封裝件晶圓減薄劃片和引線框架載體的制作一上芯一壓焊一塑封一后固化一打印一腐蝕減薄一電鍍一激光分離引腳一產(chǎn)品分離一外觀檢驗(yàn)一測試/編帶一包裝一入庫。2)第二種實(shí)施例封裝件晶圓減薄劃片和引線框架載體的制作一上芯一壓焊一塑封一后固化一打印一電鍍一刀片切割一激光分離引腳一產(chǎn)品分離一外觀檢驗(yàn)一測試/編帶一包裝一入庫。3)第三種實(shí)施例封裝件晶圓減薄和引線框架載體的制作一上芯一壓焊一塑封一后固化一打印一電鍍一微水刀激光分離引腳一產(chǎn)品分離一外觀檢驗(yàn)一測試/編帶一包裝一入庫。本實(shí)用新型還提供了一種上述封裝件的生產(chǎn)方法，具體按以下步驟進(jìn)行步驟I :晶圓減薄劃片和制作引線框架采用普通QFN減薄方法進(jìn)行晶圓減薄，得到最終厚度為150Mm 200Mm的晶圓；粗磨厚度范圍從原始晶圓片+膠膜厚度到最終厚度+膠膜厚度+50Mm，粗磨速度3 ii m/s 6 U m/s ;精磨厚度范圍從最終厚度+膠膜厚度+50Mm到晶圓最終厚度+膠膜厚度，精磨速度為10Mm/min 20Mm/min,采用防止碎片工藝；6英寸到8英寸晶圓減薄使用VG-502MK II 8B全自動減薄機(jī)，8英寸到12英寸晶圓采用PG300RM/TCN全自動減薄機(jī)；對減薄后的晶圓進(jìn)行劃片，得到IC芯片3，劃片過程中8英寸及8英寸以下的晶圓采用DISC 3350劃片機(jī)或雙刀劃片機(jī)劃片，8英寸到12英寸晶圓采用A-WD-300TXB劃片機(jī)劃片，應(yīng)用防碎片、防裂紋劃片工藝軟件控制技術(shù)，劃片進(jìn)刀速度< lOmm/s ；制作引線框架第一步，取厚度為6 Smil的銅板，對該銅板表面進(jìn)行預(yù)處理，包括除油、微蝕、酸洗和水洗，去除銅板表面的油污、指印和氧化物，并使銅板表面粗化，得到引線框架基體25 ；第二步，以絲網(wǎng)漏印的方式將感光油墨均勻地涂覆于引線框架基體25的一個(gè)表面上，在75 80°C的溫度下烘烤10分鐘，使感光油墨內(nèi)的有機(jī)溶劑揮發(fā)，感光油墨硬化，牢固附著于引線框架基體25表面；用UV紫外線照射底片，透光與不透光區(qū)造成感光與未感光的油墨化學(xué)聚合差異，而在引線框架基體25表面形成圖形；然后用濃度為0. 8 I. 2g/L的Na2CO3腐蝕液處理經(jīng)UV紫外線照射的感光油墨，由于感光的油墨不溶于弱堿，未感光的油墨溶解于Na2CO3腐蝕液中，將感光的油墨留在引線框架基體25表面，在引線框架基體25表面形成厚度為10 15 iim的不連續(xù)的第一感光膠層23，如圖7所示；第三步，在未被第一感光膠層23覆蓋的引線框架基體25表面區(qū)域化學(xué)鍍鎳鈀金，在該區(qū)域形成厚度為0. 5 y m 5 y m的內(nèi) 引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層11，提高打線良率，如圖8所示；第四步，用濃度3% 5%的氫氧化鈉腐蝕液去掉引線框架基體25表面上的第一感光膠層23，在引線框架基體25表面留下內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層11，如圖9所示，然后進(jìn)行水洗；第五步，在引線框架基體25有內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層11的表面涂覆感光油墨，涂覆方法和后續(xù)的處理方法同上述第二步，在內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層11表面形成厚度為IOiim 20 iim的第二感光膠層24，如圖10所示；第六步，用三氯化鐵蝕刻液對引線框架基體25有第二感光膠層24的表面進(jìn)行半腐蝕，該表面沒有覆蓋第二感光膠層24的區(qū)域被三氯化鐵蝕刻液腐蝕，腐蝕深度為0. 06mm±5ii m,在該表面形成載體凹坑14、多個(gè)第一內(nèi)引腳5、多個(gè)第二內(nèi)引腳6和多個(gè)第三內(nèi)引腳7，多個(gè)第一內(nèi)引腳5形成第一圈內(nèi)引腳，多個(gè)第二內(nèi)引腳6形成第二圈內(nèi)引腳，多個(gè)第三內(nèi)引腳7形成第三圈內(nèi)引腳，第一圈內(nèi)引腳和第二圈內(nèi)引腳之間為第二凹坑13，第二圈內(nèi)引腳和第三圈內(nèi)引腳之間為第一凹坑12，第一圈內(nèi)引腳環(huán)繞在載體凹坑14周圍，如圖11所示；第七步，用氫氧化鈉腐蝕液去掉第二感光膠層24，然后水洗，得到如圖12所示的引線框架；步驟2:上芯采用AD889上芯機(jī)或AD829上芯機(jī)等，通過粘片膠2將IC芯片3粘貼于載體凹坑14的底面，粘片膠2使用導(dǎo)電膠或絕緣膠；上芯完成后送固化，采用ESPEC烘烤箱，防離層工藝烘烤，烘烤溫度175°C ±5°C，烘烤3h+0. 5h ；步驟3 :壓焊采用ASM eagle60焊線機(jī)或W 3100 plus optima焊線機(jī)等設(shè)備,將金線或銅線從IC芯片3上的每一個(gè)焊盤4向引線框架的各個(gè)內(nèi)引腳焊線，采用“M”型弧、高低弧或反向等多種方式打線，保證焊線間不短路，連接焊盤4與第一內(nèi)引腳5的焊線為第一鍵合線8，連接焊盤4與第二內(nèi)引腳6的焊線為第二鍵合線9，連接焊盤4與第三內(nèi)引腳7的焊線為第三鍵合線10 ；步驟4:塑封選用低吸濕性(吸水率彡0. 35%)、低應(yīng)力(膨脹系數(shù)al ( I)的環(huán)保型塑封料；進(jìn)行塑封，得到半成品，如圖13所示，塑封過程中采用超薄型封裝防翹曲工藝和多段注塑防翹曲軟件控制技術(shù)進(jìn)行防沖絲、防離層封裝，解決了沖絲、翹曲和離層的難題；步驟5:后固化使用充氯氣、通風(fēng)流暢、溫度控制靈活、溫度偏差小于±3°C的烘箱，將塑封后的半產(chǎn)品后固化5小時(shí)，后固化溫度為150±3°C，后固化過程中采用QFN防翹曲固化夾具；步驟6 :同常規(guī)QFN打印；[0055]步驟7 電鍍及分離引腳采用高精度高穩(wěn)定性的金屬蝕刻機(jī)對引線框架背面進(jìn)行腐蝕減薄，腐蝕掉一層腐蝕減薄層16，如圖14所示，使弓I線框架基體25的厚度減少，腐蝕減薄層的厚度為0. 03mm 0. 04mm,精度控制在±5Mm;減薄流程為入板一腐蝕一兩段水洗一酸洗一五段水洗一烘干一出板。腐蝕藥液采用三氯化鐵腐蝕液,因?yàn)槿然F腐蝕液具有很高的腐蝕速率、高的溶銅率，并容易控制，設(shè)備投資低，符合量產(chǎn)化要求 ；并且所采用的框架為銅合金材料，三氯化鐵對合金材料具有很好的腐蝕效果。在腐蝕段，為保證板面腐蝕的均勻性，藥液以噴淋的方式噴涂到框架背面，噴淋壓力3bar 4bar，并采用下噴淋，以減小“水塘效應(yīng)”;腐蝕后用兩段去離子水清洗殘留在引線框架表面的腐蝕液，水的壓力為2. 0 4. Okg/cm2 ;酸洗主要是用稀硫酸腐蝕液或鹽酸腐蝕液活化引線框架表面，并去除引線框架表面的氧化物；再經(jīng)過五段自來水洗徹底將引線框架表面的腐蝕藥液、酸洗藥液清洗干凈，各段自來水的壓力為2. 0 4. Okg/cm2 ;烘干是先強(qiáng)風(fēng)吹干，然后再熱風(fēng)烘干，以達(dá)到烘干效果；然后在引線框架腐蝕減薄后的表面電鍍一層厚度為8 y m 10 y m的銅，在引線框架背面形成過渡銅層，為后續(xù)再鍍純錫做準(zhǔn)備，接著在電鍍銅層的表面電鍍一層厚度為7 y m 15 y m的純錫，最后利用激光從引線框架背面進(jìn)行切割，形成與第一凹坑12相通的第一激光切割道17和與第二凹坑13相通的第二激光切割道18，再切斷各引腳之間相連的部分及引腳與載體相連的部分，實(shí)現(xiàn)引腳分離；或者，先在引線框架背面電鍍一層厚度為7 15 的純錫，再用刀片從引線框架背面進(jìn)行切割，切割深度為0. 03mm 0. 04mm，切割深度精度控制在±5Mm，切割寬度為0. 2mm 0. 25mm ;以減小激光切割深度和切割寬度，降低激光熱擴(kuò)散、熱燒傷的影響，提高激光切縫的質(zhì)量；形成與第一凹坑12相對應(yīng)的第一刀片切割道19和與第二凹坑13相對應(yīng)的第二刀片切割道20，然后利用激光在刀片切割處燒蝕掉引腳之間相連的部分，實(shí)現(xiàn)引腳分離；激光切縫寬度為刀片切割寬度的一半，要求激光切縫邊緣整齊，滿足產(chǎn)品外觀質(zhì)量要求；或者，先在引線框架背面電鍍一層厚度為7 iim 15 iim的純錫，然后直接用水刀在引線框架背面切割出于第一凹坑12相通的第一微水刀激光切割道21和與第二凹坑13相通的第二微水刀激光切割道22，切斷引腳之間相連的部分及引腳與載體相連的部分，實(shí)現(xiàn)引腳分離；采用高精度的固體紫外激光切割機(jī)切斷引腳間的連筋，實(shí)現(xiàn)引腳分離。本實(shí)用新型封裝件中的引線框架為無引腳多圈排列，通過成熟的涂膠、曝光、顯影、蝕刻等工藝將較薄的銅板制成多圈QFN框架。在框架制造過程中，多圈QFN引腳間的連接處已被腐蝕出了一半銅板厚度的凹坑，使得載體也下凹了一半深度。此框架的特點(diǎn)是載體下凹，這樣做的目的是降低鍵合線的弧度和長度，有效防止塑封時(shí)的沖絲，節(jié)約成本。此夕卜，載體下凹還能有效防止粘片膠(導(dǎo)電膠或絕緣膠)的溢出，且載體與塑封料的粘接面積更大，產(chǎn)品的可靠性將會得到很大改善。封裝后的框架經(jīng)過上芯、壓焊、塑封、后固化及電鍍后，其正面被塑封料所覆蓋，凹坑處被塑封料填充，背面仍然是銅。然后通過腐蝕、刀片切割輔助工藝對框架背面進(jìn)行減薄，再利用激光從框架背面燒蝕引腳連筋，實(shí)現(xiàn)引腳分離。由于銅具有良好的導(dǎo)熱(熱擴(kuò)散率I. 19cm2/s，熱傳導(dǎo)系數(shù)4. 01W/cm° C)、導(dǎo)電(導(dǎo)電率為6X 103s/m)特性，激光切割時(shí)在切縫兩側(cè)會產(chǎn)生熱影響區(qū)，使得切縫邊緣熱影響區(qū)的銅極易被氧化，并以熔渣形式牢固地附著在切縫內(nèi)，激光切割加工時(shí)的熔渣狀況直接決定著切縫的質(zhì)量，而熔渣的形成很大程度上取決于切割時(shí)銅板產(chǎn)生熱量的大小與氧化的程度。實(shí)驗(yàn)表明影響熔渣的主要因素為銅薄厚度、切割速度、激光功率、除渣氣體的種類和該氣體壓力的大小。所以，在成熟的激光切割工藝基礎(chǔ)上可以設(shè)置合適的切割參數(shù)，選擇除渣效果好的氮?dú)庾鳛檩o助氣體；同時(shí)將框架厚度進(jìn)行減薄，降低激光切割熱量的擴(kuò)散，以最大限度地減小切縫邊緣熱影響區(qū)因氧化形成的熔渣，從而達(dá)到改善切縫質(zhì)量的目的。此外，銅在激光材料加工中屬于難加工材料，因?yàn)殂~的熱反射率高，對激光的吸收率很低，普通的CO2激光及Nd =YAG激光很難對銅進(jìn)行微細(xì)加工；但銅對波長較短的固體紫外激光卻具有較高的吸收率，而且紫外光加工材料過程為“光蝕”效應(yīng)，高能量的光子直接破壞材料的化學(xué)鍵，是“冷”處理過程，熱影響區(qū)域微乎其微，對改善切縫質(zhì)量有較大幫助。在激光分離引腳的過程中，由于框架材料較厚，需要的激光功率相應(yīng)較高，激光燒蝕斷引腳間連筋的同時(shí)，激光功率不能瞬時(shí)降低，而塑封料的熔點(diǎn)比銅的熔點(diǎn)低，很容易燒蝕掉塑封料，進(jìn)而損壞塑封料內(nèi)的鍵合線。因此，也必須對框架進(jìn)行減薄，以減小切割深度，降低激光的燒蝕功率，避免燒蝕塑封料，在降低激光燒蝕功率的同時(shí)也減小了切割熱量的 擴(kuò)散，減少了熔渣數(shù)量，提高了切縫質(zhì)量。本實(shí)用新型采用兩種方法對封裝件背面進(jìn)行減薄一是對封裝件背面腐蝕減薄；二是對封裝件的引腳連筋處先進(jìn)行刀片開槽。除了對框架進(jìn)行減薄之外，還可以采用另一種全新的激光切割工藝-微水刀激光切割實(shí)現(xiàn)引腳的分離將激光聚焦后導(dǎo)入比發(fā)絲還細(xì)的微水柱中，從而引導(dǎo)光束進(jìn)行切割，并冷卻工件，消除了傳統(tǒng)激光熱影響區(qū)過大的缺陷，大大提高了激光切割的質(zhì)量。步驟8:產(chǎn)品分離采用雙刀切割機(jī)和切割專用夾具，使用切割刀將單元產(chǎn)品從框架上分離，在切割分離過程中考慮防膠體裂紋技術(shù)；本方法切割分離采用切割刀，應(yīng)用防膠體裂紋控制技術(shù)生產(chǎn)，從設(shè)計(jì)和生產(chǎn)上共同預(yù)防沖切分離時(shí)造成膠體碎裂的隱患；步驟9 :測試/編帶本封裝常規(guī)測試同傳統(tǒng)QFN產(chǎn)品的0/S及開短路測試，同時(shí)還需進(jìn)行電性能及熱性能測試，確保產(chǎn)品的高良率和高可靠性；制得四邊扁平無引腳封裝件。本實(shí)用新型是在較為成熟的單圈QFN集成電路封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上，開發(fā)四邊扁平無引腳多圈排列引線框架及多圈排列引腳的高密度封裝技術(shù)，通過激光切割實(shí)現(xiàn)多圈排列引腳分離。本實(shí)用新型利用激光實(shí)現(xiàn)引腳分離。針對激光切割深度難以控制，以及熱影響區(qū)大小與切割深度成正比的問題，采用較薄的框架，并增加腐蝕減薄、刀片切割工藝，先對封裝件適當(dāng)減薄，以降低激光熱灼傷的影響。同時(shí)還采用了一種全新的激光切割工藝-微水刀激光切割，切割深度容易控制，并能大大降低激光切割帶來的熱灼傷問題，實(shí)現(xiàn)簡單。本實(shí)用新型四邊扁平無引腳封裝件能夠滿足高I/O密度、高可靠性、小型化、薄型化、低成本的要求。
權(quán)利要求1.一種四邊扁平無引腳封裝件，包括引線框架載體(1)，其特征在于，引線框架載體(I)由載體凹坑(14)和環(huán)繞載體凹坑(14)設(shè)置的三圈引腳組成，該三圈引腳分別由多個(gè)互不相連的引腳組成，載體凹坑(14)內(nèi)粘貼有IC芯片(3)，所有引腳上均鍍有內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層(11);內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層(11)與IC芯片(3)同向設(shè)置，IC芯片(3)與內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層(11)之間通過鍵合線相連接；IC芯片(3)、所有引腳鍍有內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層(11)的一端和所有鍵合線均封裝于塑封體(15)內(nèi)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種四邊扁平無引腳封裝件，包括由載體凹坑和環(huán)繞載體凹坑設(shè)置的三圈引腳組成的引線框架載體，該三圈引腳分別由多個(gè)互不相連的引腳組成，載體凹坑內(nèi)粘貼有IC芯片，所有引腳上均鍍有內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層；內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層與IC芯片同向設(shè)置，IC芯片與內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層之間通過鍵合線相連接；IC芯片、所有引腳鍍有內(nèi)引腳化學(xué)鍍鎳鈀金層的一端和鍵合線均封裝于塑封體內(nèi)。本封裝件克服了現(xiàn)有普通四邊扁平無引腳封裝單面封裝時(shí)引腳數(shù)少、焊線長、焊線成本高、頻率應(yīng)用受限制的問題。
文檔編號H01L23/31GK202549829SQ201220141710
公開日2012年11月21日 申請日期2012年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月6日
發(fā)明者徐召明, 慕蔚, 朱文輝, 李習(xí)周, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司, 天水華天科技股份有限公司