專利名稱：一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電池硅片，尤其涉及一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片。
背景技術(shù)：
目前已有多種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片，但其成本太高，且存在著如何形成良好的歐姆接觸，如何能使電池得到更高的轉(zhuǎn)換效率且容易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的問(wèn)題。這是我們?cè)谏a(chǎn)過(guò)程中需要研究并解決的問(wèn)題。以此，我們?cè)谏a(chǎn)中需要一種結(jié)構(gòu)合理、可形成更好的歐姆接觸、能得到更高的轉(zhuǎn)換效率、更容易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型是為了解決上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種結(jié)構(gòu)合理、可形成更好的歐姆接觸、能得到更高的轉(zhuǎn)換效率、更容易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池娃片。本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片，包括正面電極、背電極和鋁背場(chǎng)，所述正面電極在硅片的正面，所述背電極和鋁背場(chǎng)在硅片的背面，所述硅片表面為金字塔狀表面，所述硅片的選擇性擴(kuò)散面沉積一層氮化硅薄膜。進(jìn)一步改進(jìn)在于所述氮化娃薄膜厚度為75nm-85nm。進(jìn)一步改進(jìn)在于所述氮化硅薄膜的折射率為2. 0-2. 2。進(jìn)一步改進(jìn)在于所述正面電極的數(shù)量為三個(gè)，所述背電極的數(shù)量為一個(gè)。本實(shí)用新型一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片，其中硅片表面為金字塔狀表面，使表面具有良好的陷光效果。硅片的選擇性擴(kuò)散面沉積一層氮化硅薄膜，以保證有良好的減反射和鈍化效果。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片結(jié)構(gòu)合理，可形成更好的歐姆接觸，能得到更高的轉(zhuǎn)換效率，更容易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1-正面電極，2-背電極，3-鋁背場(chǎng)，4-氮化硅薄膜。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。如圖I所示，本實(shí)施例提供一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片，包括正面電極I、背電極2和鋁背場(chǎng)3，所述正面電極I在硅片的正面，所述背電極2和鋁背場(chǎng)3在硅片的背面，所述硅片表面為金字塔狀表面，所述硅片的選擇性擴(kuò)散面沉積一層氮化硅薄膜4，所述氮化硅薄膜4厚度為80nm，所述氮化硅薄膜4的折射率為2. I，所述正面電極I的數(shù)量為三個(gè)，所述背電極2的數(shù)量為一個(gè)。本實(shí)施例一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池娃片，其中娃片表面為金字塔狀表面，使表面具有良好的陷光效果。硅片的選擇性 擴(kuò)散面沉積一層氮化硅薄膜，氮化硅薄膜4厚度為80nm，且氮化硅薄膜4的折射率為2. 1，以保證有良好的減反射和鈍化效果。本實(shí)施例的有益效果是本實(shí)施例一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片結(jié)構(gòu)合理，可形成更好的歐姆接觸，能得到更高的轉(zhuǎn)換效率，更容易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
權(quán)利要求1.一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片，包括正面電極(I)、背電極(2)和鋁背場(chǎng)(3)，所述正面電極(I)在硅片的正面，所述背電極(2)和鋁背場(chǎng)(3)在硅片的背面，其特征在于所述硅片表面為金字塔狀表面，所述硅片的選擇性擴(kuò)散面沉積一層氮化硅薄膜(4)。
2.如權(quán)利要求I所述的一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片，其特征在于所述氮化硅薄膜(4)厚度為 75nm-85nm。
3.如權(quán)利要求2所述的一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片，其特征在于所述氮化硅薄膜(4)的折射率為2. 0-2.2。
4.如權(quán)利要求I或2所述的一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片，其特征在于所述正面電極(I)的數(shù)量為三個(gè)，所述背電極(2)的數(shù)量為一個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片，包括正面電極、背電極和鋁背場(chǎng)，所述正面電極在硅片的正面，所述背電極和鋁背場(chǎng)在硅片的背面，所述硅片表面為金字塔狀表面，所述硅片的選擇性擴(kuò)散面沉積一層氮化硅薄膜；該種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池硅片結(jié)構(gòu)合理，可形成更好的歐姆接觸，能得到更高的轉(zhuǎn)換效率，更容易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
文檔編號(hào)H01L31/0236GK202601631SQ201220075238
公開(kāi)日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月2日
發(fā)明者張振光, 劉宏亮 申請(qǐng)人:安徽東日昌新能源電力有限公司